JPS599120B2 - Ｐｒｏｍライタの誤插入によるｐｒｏｍ保護回路 - Google Patents
Ｐｒｏｍライタの誤插入によるｐｒｏｍ保護回路Info
- Publication number
- JPS599120B2 JPS599120B2 JP55126956A JP12695680A JPS599120B2 JP S599120 B2 JPS599120 B2 JP S599120B2 JP 55126956 A JP55126956 A JP 55126956A JP 12695680 A JP12695680 A JP 12695680A JP S599120 B2 JPS599120 B2 JP S599120B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- prom
- voltage
- socket
- power supply
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/18—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＰＲＯＭ（プログラマブルリードオンリーメ
モリ）に書き込むＰＲＯＭライタ（ｗｒｌｔｅｒ）に関
し、ＰＲＯＭライタのソケットに挿入されたＰＲＯＭに
電源を供給する電源回路において、ソケットに逆挿入さ
れたＰＲＯＭの破壊を防止し、かつオペレータに注意を
喚起するＰＲＯＭライ 夕の改良された手段を提供する
ことをその目的とする。
モリ）に書き込むＰＲＯＭライタ（ｗｒｌｔｅｒ）に関
し、ＰＲＯＭライタのソケットに挿入されたＰＲＯＭに
電源を供給する電源回路において、ソケットに逆挿入さ
れたＰＲＯＭの破壊を防止し、かつオペレータに注意を
喚起するＰＲＯＭライ 夕の改良された手段を提供する
ことをその目的とする。
一般にＰＲＯＭは電源ピンのｅ、Θに電圧を印加するこ
とにより動作することは周知の事実であるが、ＰＲＯＭ
ライタの様に頻繁に操作する場所にはソケット方式にな
つていて、よく誤つてＰＲＯＭソケットに逆に挿入する
ことがある。
とにより動作することは周知の事実であるが、ＰＲＯＭ
ライタの様に頻繁に操作する場所にはソケット方式にな
つていて、よく誤つてＰＲＯＭソケットに逆に挿入する
ことがある。
従来は、ＰＲＯＭの外殼ケースの一部を切り欠きを設け
てその部分を目安にしたり、あるいはロック式ＩＣソケ
ット等では挿入方向に矢示の注意銘板を貼り付けるよう
な手段を用いていた。
てその部分を目安にしたり、あるいはロック式ＩＣソケ
ット等では挿入方向に矢示の注意銘板を貼り付けるよう
な手段を用いていた。
しかしこれでは不充分で誤挿入は避けられなかつた。Ｐ
ＲＯＭの電源ピンに対して逆に電圧を印加した場合、破
壊する虞れがあり、その事前の対策が要望されている。
ところで、後述する第１図、第２図の様に、ＰＲＯＭの
電源ピン４、ｅに順方向に電圧を印加したときと、逆方
向に電圧を印加したときとでは、インピーダンス特性の
違いにより消費電流の相異が見い出せる。
ＲＯＭの電源ピンに対して逆に電圧を印加した場合、破
壊する虞れがあり、その事前の対策が要望されている。
ところで、後述する第１図、第２図の様に、ＰＲＯＭの
電源ピン４、ｅに順方向に電圧を印加したときと、逆方
向に電圧を印加したときとでは、インピーダンス特性の
違いにより消費電流の相異が見い出せる。
第１図は、一般のＰＲＯＭの消費電流の特性を示す図で
ある。
ある。
曲線５の１１は順方向に、曲線５の１２は逆方向に電圧
を印加した場合の消費電流である。ＰＲＯＭに電圧Ｖ１
を印加したとき曲線１１では電流ＩＦ、、曲線１２では
電流ＩＲ４が流れる。
を印加した場合の消費電流である。ＰＲＯＭに電圧Ｖ１
を印加したとき曲線１１では電流ＩＦ、、曲線１２では
電流ＩＲ４が流れる。
それから、電圧Ｖ２を印加すると、曲線１２ではＰＲＯ
Ｍが破壊する。そこで、電流１Ｒ１＞１Ｆ１より電流１
Ｒ１＞１１〉ＩＦＩなる基準となる電流１１を設けるこ
とにより、ＰＲＯＭの誤挿入かどうかの判定ができる。
第２図は、ＰＲＯＭの特性がメーカにより異なつている
が、その一例を挙げたものであり、曲線５７の２１は順
方向に、曲線５５の２２は逆方向に電圧を印加した場合
の消費電流を示す特性図である。
Ｍが破壊する。そこで、電流１Ｒ１＞１Ｆ１より電流１
Ｒ１＞１１〉ＩＦＩなる基準となる電流１１を設けるこ
とにより、ＰＲＯＭの誤挿入かどうかの判定ができる。
第２図は、ＰＲＯＭの特性がメーカにより異なつている
が、その一例を挙げたものであり、曲線５７の２１は順
方向に、曲線５５の２２は逆方向に電圧を印加した場合
の消費電流を示す特性図である。
いずれにせよ、順方向と逆方向とでは特性が違うもので
ある。
ある。
第３図は、本発明の一実施例のプロツク線図である。
１，７，１４〜２０，２３〜２６は抵抗、２，３，８，
９はトランジスタ、４はＰＲＯＭ６を挿入するＩＣソケ
ツト、５はコンパレータ、１０はブザー、１３はコンデ
ンサー２７〜２９はダイオード、３０はＬＥＤ（発光ダ
イオード）、３１，Ｖｃは電源、３２は電圧印加信号、
３３は逆挿入信号、Ｒｅｆは基準電圧である。
９はトランジスタ、４はＰＲＯＭ６を挿入するＩＣソケ
ツト、５はコンパレータ、１０はブザー、１３はコンデ
ンサー２７〜２９はダイオード、３０はＬＥＤ（発光ダ
イオード）、３１，Ｖｃは電源、３２は電圧印加信号、
３３は逆挿入信号、Ｒｅｆは基準電圧である。
ＰＲＯＭ６をソケツト４に挿入していない初期状態では
、電圧印加信号３２は０Ｖ（ボルト）になつていて、ト
ランジスタ２，３はオフ（０ＦＦ）の状態にある。
、電圧印加信号３２は０Ｖ（ボルト）になつていて、ト
ランジスタ２，３はオフ（０ＦＦ）の状態にある。
従つて、電源３１より、、なる電圧が高抵抗１を介して
ソケツト４に供給され、かつコンパレータ５のｅ端子に
入力されるが、コンパレータ５の入力インピーダンスは
高いため、基準電圧Ｒｅｆより高い電圧となり、ゆえに
コンパレータ５の出力は常時低レベルになつている。つ
いで、第１図の特性を示すＰＲＯＭ６をソケツト４に順
方向に挿入すると、ＰＲＯＭに供給される電圧０ｕｔは
電圧ＩＮを高抵抗１とＰＲＯＭ６の内部抵抗７で分圧さ
れた電圧となるが、コンパレータ５の１端子の基準電圧
Ｒｅｆよりも高レベルであるため、コンパレータ５の出
力は低レベルのま＼である。それからＰＲＯＭ６をソケ
ツト４に逆方向に挿入すると、ＰＲＯＭ６に供給される
電圧０ｕｔは電源電圧ＩＮが分圧された電圧となるが、
ＰＲＯＭ６の内部抵抗７は前者つまり順方向挿入時と比
して小さいため、電圧０ｕｔは基準電圧Ｒｅｔより低く
、コンパレータ５の出力は高レベルとなり、警報用のＬ
ＥＤ３Ｏが発光しさらにブザー１０等が鳴動し、オペレ
ータに注意を喚起する。
ソケツト４に供給され、かつコンパレータ５のｅ端子に
入力されるが、コンパレータ５の入力インピーダンスは
高いため、基準電圧Ｒｅｆより高い電圧となり、ゆえに
コンパレータ５の出力は常時低レベルになつている。つ
いで、第１図の特性を示すＰＲＯＭ６をソケツト４に順
方向に挿入すると、ＰＲＯＭに供給される電圧０ｕｔは
電圧ＩＮを高抵抗１とＰＲＯＭ６の内部抵抗７で分圧さ
れた電圧となるが、コンパレータ５の１端子の基準電圧
Ｒｅｆよりも高レベルであるため、コンパレータ５の出
力は低レベルのま＼である。それからＰＲＯＭ６をソケ
ツト４に逆方向に挿入すると、ＰＲＯＭ６に供給される
電圧０ｕｔは電源電圧ＩＮが分圧された電圧となるが、
ＰＲＯＭ６の内部抵抗７は前者つまり順方向挿入時と比
して小さいため、電圧０ｕｔは基準電圧Ｒｅｔより低く
、コンパレータ５の出力は高レベルとなり、警報用のＬ
ＥＤ３Ｏが発光しさらにブザー１０等が鳴動し、オペレ
ータに注意を喚起する。
抵抗１は高抵抗であるためＰＲＯＭ６に印加される電圧
、電流を抑える働きをし、ＰＲＯＭ６は僅かしか電圧が
か＼らずＰＲＯＭの破壊を防止することができる。ＰＲ
ＯＭ６の書き込み、あるいは読み出しを行なう時は、電
圧印加信号３２を高レベルにすることにより、逆挿入信
号３３が低レベルの時のみトランジスタ２，３がオンし
て電源電圧ＩＮがＰＲＯＭ６に印加されることになる。
、電流を抑える働きをし、ＰＲＯＭ６は僅かしか電圧が
か＼らずＰＲＯＭの破壊を防止することができる。ＰＲ
ＯＭ６の書き込み、あるいは読み出しを行なう時は、電
圧印加信号３２を高レベルにすることにより、逆挿入信
号３３が低レベルの時のみトランジスタ２，３がオンし
て電源電圧ＩＮがＰＲＯＭ６に印加されることになる。
かくして本発明によれば、ＰＲＯＭ６がソケツト４へ逆
方向挿入時には、コンパレータ５の出力の逆挿入信号３
３が高レベルとなり、警報を発しオペレータに告知させ
るとともに、電圧印加信号３２を与えでも逆挿入信号３
３が高レベルのためトランジスタ８はオン、したがつて
トランジスタ３と２はオ；７であるから、電源電圧ＶＩ
Ｎは直接に電圧０ｕｔとしてＰＲＯＭ６に印加されず破
壊から免れる。
方向挿入時には、コンパレータ５の出力の逆挿入信号３
３が高レベルとなり、警報を発しオペレータに告知させ
るとともに、電圧印加信号３２を与えでも逆挿入信号３
３が高レベルのためトランジスタ８はオン、したがつて
トランジスタ３と２はオ；７であるから、電源電圧ＶＩ
Ｎは直接に電圧０ｕｔとしてＰＲＯＭ６に印加されず破
壊から免れる。
しかも、ＰＲＯＭ６がソケツト４へ順方向挿入されてい
るときは、警報も出ずコンパレータ５の出力は低レベル
であるので、電圧印加信号３２が与えられると、トラン
ジスタ３，２がオンで電源電圧ＶＩＮがＰＲＯＭ６へ印
加される０ｕｔとなり書き込み、読み出しがなされうる
。したがつで、オペレータはＰＲＯＭ６のソケツト４へ
の挿入に過大な注意をつねに払う必要がなく、ＰＲＯＭ
６の書き込み、読み出しの作業性が向上し、ＰＲＯＭ６
の逆挿入による破壊を未然に完全に防止し、ＰＲＯＭ６
を保護することができる。
るときは、警報も出ずコンパレータ５の出力は低レベル
であるので、電圧印加信号３２が与えられると、トラン
ジスタ３，２がオンで電源電圧ＶＩＮがＰＲＯＭ６へ印
加される０ｕｔとなり書き込み、読み出しがなされうる
。したがつで、オペレータはＰＲＯＭ６のソケツト４へ
の挿入に過大な注意をつねに払う必要がなく、ＰＲＯＭ
６の書き込み、読み出しの作業性が向上し、ＰＲＯＭ６
の逆挿入による破壊を未然に完全に防止し、ＰＲＯＭ６
を保護することができる。
第１図、第２図はＰＲＯＭへの印加電圧とその消費電流
の特性曲線、第３図は本発明の一実施例のプロツク線図
である。 １，７，１４〜２０，２３〜２６・・・・・・抵抗、２
．３，８，９・・・・・・トランジスタ、４・・・・・
・ＩＣソケツト、５・・・・・・：コンパレータ、６・
・・・・・ＰＲＯＭｌｌＯ・・・・・・ブザー、１３・
・・・・・コンデンサ、２７〜２９・・・・・・ダイオ
ード、３０・・・・・・ＬＥＤｌ３ｌ，Ｖｃ・・・・・
・電源、３２・・・・・・電圧印加信号、３３・・・・
・・逆挿入信号、Ｖｒｅｆ・・・・・・基準電圧。
の特性曲線、第３図は本発明の一実施例のプロツク線図
である。 １，７，１４〜２０，２３〜２６・・・・・・抵抗、２
．３，８，９・・・・・・トランジスタ、４・・・・・
・ＩＣソケツト、５・・・・・・：コンパレータ、６・
・・・・・ＰＲＯＭｌｌＯ・・・・・・ブザー、１３・
・・・・・コンデンサ、２７〜２９・・・・・・ダイオ
ード、３０・・・・・・ＬＥＤｌ３ｌ，Ｖｃ・・・・・
・電源、３２・・・・・・電圧印加信号、３３・・・・
・・逆挿入信号、Ｖｒｅｆ・・・・・・基準電圧。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＰＲＯＭの書き込みあるいは読み出しを行なうＰＲ
ＯＭライタの電源回路において、ＰＲＯＭがＩＣソケッ
トに正常に挿入されたかどうかを検出する回路と、この
検出回路の出力によりＩＣソケットに挿入されたＰＲＯ
Ｍに電源を供給する回路からの電圧を制御するようにし
た回路とを具備することを特徴とするＰＲＯＭライタの
誤挿入によるＰＲＯＭ保護回路。 ２ ＰＲＯＭがＩＣソケットに順方向に挿入されたとき
はＰＲＯＭに供給される電圧が基準電圧より高く両者を
比較したコンパレータ出力が低レベルとなり、ＰＲＯＭ
への電圧印加信号があれば電源からの正常な電圧がＰＲ
ＯＭへ与えられ、ＰＲＯＭがＩＣソケットに逆方向に挿
入されたときはＰＲＯＭに供給される電圧が基準電圧よ
り低く両者を比較したコンパレータ出力が高レベルとな
つて警報回路を作動させるとともに、ＰＲＯＭへの電圧
印加信号があつても電源からは高抵抗を介した低い電圧
がＰＲＯＭに与えられるようにしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のＰＲＯＭライタの誤挿入によ
るＰＲＯＭ保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55126956A JPS599120B2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | Ｐｒｏｍライタの誤插入によるｐｒｏｍ保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55126956A JPS599120B2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | Ｐｒｏｍライタの誤插入によるｐｒｏｍ保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5753892A JPS5753892A (en) | 1982-03-31 |
| JPS599120B2 true JPS599120B2 (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=14948050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55126956A Expired JPS599120B2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | Ｐｒｏｍライタの誤插入によるｐｒｏｍ保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599120B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6013399A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-23 | Fanuc Ltd | Ｒｏｍ用電源の動作方法 |
| JPS60120725A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 有機金属共重合体およびその製造方法 |
| US5508363A (en) * | 1987-01-28 | 1996-04-16 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Preparation process of organosilicon compounds and production of silicon carbide |
| US5620934A (en) * | 1987-01-28 | 1997-04-15 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Production process of silicon carbide from organosilicon compounds |
| KR910008295B1 (ko) * | 1987-01-28 | 1991-10-12 | 미쯔이도오아쯔가가꾸 가부시기가이샤 | 탄화규소의 제조방법 |
| JPH01264695A (ja) * | 1989-02-09 | 1989-10-20 | Toshiba Corp | Ｐｒｏｍライタの誤挿入によるｐｒｏｍ保護回路 |
-
1980
- 1980-09-12 JP JP55126956A patent/JPS599120B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5753892A (en) | 1982-03-31 |
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