JPS5991701A - ダイオ−ド移相器 - Google Patents
ダイオ−ド移相器Info
- Publication number
- JPS5991701A JPS5991701A JP20264982A JP20264982A JPS5991701A JP S5991701 A JPS5991701 A JP S5991701A JP 20264982 A JP20264982 A JP 20264982A JP 20264982 A JP20264982 A JP 20264982A JP S5991701 A JPS5991701 A JP S5991701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- line
- phase shifter
- fin
- dielectric plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明Ｃ」フィンラインで構成するダイオード移相器
の改良に関するものである。
の改良に関するものである。
第１図にフィンラインを用いて構成した従来のダイオー
ド移相器の＄ｉ’７造り一例を示す。図において導波管
（１１の幅広面の概略中央に電界に平行に防電体板（２
）を配置し、防電体板（２）の表面には、電波伝搬方向
に沿って細隙（３）を設けた金属膜（４）が被着されフ
ィンラインを構成している。フィンラインには第１の分
岐部（５）および第２の分岐部（６）が設けられ、それ
ぞれ長さの異なる第１の分岐線路（力および第２の分岐
線路（８）でこれら分岐部が接続されている。
ド移相器の＄ｉ’７造り一例を示す。図において導波管
（１１の幅広面の概略中央に電界に平行に防電体板（２
）を配置し、防電体板（２）の表面には、電波伝搬方向
に沿って細隙（３）を設けた金属膜（４）が被着されフ
ィンラインを構成している。フィンラインには第１の分
岐部（５）および第２の分岐部（６）が設けられ、それ
ぞれ長さの異なる第１の分岐線路（力および第２の分岐
線路（８）でこれら分岐部が接続されている。
１／こ、第１の分岐部（５）および第２の分岐部（６）
の分岐線路側には、ダイオード（９）が接Ｕ１〕されて
おり。
の分岐線路側には、ダイオード（９）が接Ｕ１〕されて
おり。
ダイオード（９）にはバイアス回路（図示せず）を介し
てバイアス電圧が印加される構成である。
てバイアス電圧が印加される構成である。
第１図に示した従来のダイオード移相器では。
分岐部に装荷されたダイオード（９）に印加するバイア
ス電圧を切り換えることにより、マイクロ波の伝搬通路
を第１の分岐線路（７）と第２の分岐線路（８）とに切
り換えることができる。ここで、第１の分岐線路（力お
よび第２の分岐線路（８）の線路長の差を伝搬するマイ
クロ波の周波数に対し適切な長さに設定することにより
、所要の位相変化、すなわち移相Ｊ、４−を得る移相器
が（ＩＩ７成できる。
ス電圧を切り換えることにより、マイクロ波の伝搬通路
を第１の分岐線路（７）と第２の分岐線路（８）とに切
り換えることができる。ここで、第１の分岐線路（力お
よび第２の分岐線路（８）の線路長の差を伝搬するマイ
クロ波の周波数に対し適切な長さに設定することにより
、所要の位相変化、すなわち移相Ｊ、４−を得る移相器
が（ＩＩ７成できる。
ところで、フィンラインで構成したダイオード移相器を
フェーズドアレーアンテナの位相制御素子として用いる
には、ダイオード移相器の入出力を導波管に変換し、導
波管開口のアンテナに接続して用いる場合が多い。
フェーズドアレーアンテナの位相制御素子として用いる
には、ダイオード移相器の入出力を導波管に変換し、導
波管開口のアンテナに接続して用いる場合が多い。
フェーズドアレーアンテナでは、多数の導波管間１」ア
ンテナを素子アンテナとし所定の間隔で配列するため、
移相器横断面の大きさは制限され。
ンテナを素子アンテナとし所定の間隔で配列するため、
移相器横断面の大きさは制限され。
素子アンテナの配列の自由度を上げ、アンテナ性能を高
めるにはできるだけ移相器の横断面が小さいことが望１
れる。
めるにはできるだけ移相器の横断面が小さいことが望１
れる。
しかし、第１図に示した従来のダイオード移相器では、
異なるマイクロ波の伝搬径路をフィンラインで＋ｉ／を
成する必要があるだめ、移相器横断面が大きくなり、ア
ンテナの配列に支障をきたす欠点があつ／こ。
異なるマイクロ波の伝搬径路をフィンラインで＋ｉ／を
成する必要があるだめ、移相器横断面が大きくなり、ア
ンテナの配列に支障をきたす欠点があつ／こ。
この発明は上記欠点を除去するため、フィンラインを構
成する金属膜の被着された誘電体板面と対向する面に細
隙を橋渡しするようにストリップストリップ導体を設け
、上記ストリップ導体にダイオードを装着し、ダイオー
ドにバイアスを印加する手段を具備することによりフィ
ンラインで構成するダイオード移相器の小形化を図った
もので。
成する金属膜の被着された誘電体板面と対向する面に細
隙を橋渡しするようにストリップストリップ導体を設け
、上記ストリップ導体にダイオードを装着し、ダイオー
ドにバイアスを印加する手段を具備することによりフィ
ンラインで構成するダイオード移相器の小形化を図った
もので。
以下２図面について詳細に説明する。
第２図にこの発明の一実施例を示す。
誘電体板（２）の一方の而には、細隙（３）を設けた金
属膜（４）が被着されており、誘電体板（２）の他方の
面には、上記、細隙（３）を橋渡しするようにかつ、フ
ィンラインの概略１／４波長の奇数倍の間隔で２本の第
１のＭＩＣ線路（１旬が被着されている。堤だ。
属膜（４）が被着されており、誘電体板（２）の他方の
面には、上記、細隙（３）を橋渡しするようにかつ、フ
ィンラインの概略１／４波長の奇数倍の間隔で２本の第
１のＭＩＣ線路（１旬が被着されている。堤だ。
上記第１のＭＩＯＩＣ線路の一方の端には、第２のＭＩ
Ｃ線路Ｉが接続され、第２のＭＩＯＩＣ線路）の線路端
と２等価短絡線路（１邊の間にダイオード（９）が接続
されている。さらに、上記ダイオード（９）にバイアス
電圧を印加するだめのバイアス回路０濠が設けられバイ
アス端子αａに外部からバイアスが供給さハている。
Ｃ線路Ｉが接続され、第２のＭＩＯＩＣ線路）の線路端
と２等価短絡線路（１邊の間にダイオード（９）が接続
されている。さらに、上記ダイオード（９）にバイアス
電圧を印加するだめのバイアス回路０濠が設けられバイ
アス端子αａに外部からバイアスが供給さハている。
第３図は、第２図に示しだこの発明によるダイオード移
相器の動作を説明するだめの等何回路で、ｌ／）る、。
相器の動作を説明するだめの等何回路で、ｌ／）る、。
第１のＭ、ＩＯ線路（１〔は、フィンラインα９をマイ
クロストリップ線路に変換する変成比Ｎ：１の変成器の
役割を持ち、第２のＭＩＣ線路（ｌＩｌを介してダイオ
ード（９）が装荷さｉする。このようなダイオード装荷
線路１＋６１は２反射特性を良好に保つプこめ概略１、
／４ 波長の奇数１〆５の間隔でフィンライン（１９に
接続される。
クロストリップ線路に変換する変成比Ｎ：１の変成器の
役割を持ち、第２のＭＩＣ線路（ｌＩｌを介してダイオ
ード（９）が装荷さｉする。このようなダイオード装荷
線路１＋６１は２反射特性を良好に保つプこめ概略１、
／４ 波長の奇数１〆５の間隔でフィンライン（１９に
接続される。
ε１１３図に示す等何回路において、フィンライン（ｌ
！’ｉｌとダイオード装荷線路ｆｌＧとの接続点よりダ
イオード側を見込んだサセプタンスをＢとすると、ダ・
ｆオード（９）に印加−するバイアスの極ヒ１三（バイ
アス回路は図示せず）を切り換えることにより、ダイオ
ード（９）の呈するサセプタ／ス、および第２のＭＩＣ
Ｉ％！路圓の１１１：気長、特性インピーダンス、さら
に、変成器の変成比Ｎを適切に選定すれば、」二記ザセ
プタンスＢの値を誘導性と容ｌＩｉ、性にν、り換える
ことができる。したがって、主線路であるフィンライン
（１１９に訪嗜性あるいｔま容量性サセプタンスが装荷
されることになり、この場合伝搬するマイクロ波の位相
は、それぞれ進みあるいは遅れ状態ケ呈し、ダイオード
（９）に印加するバイアス極性を切り換えることによυ
移相器が実現できることになる。
！’ｉｌとダイオード装荷線路ｆｌＧとの接続点よりダ
イオード側を見込んだサセプタンスをＢとすると、ダ・
ｆオード（９）に印加−するバイアスの極ヒ１三（バイ
アス回路は図示せず）を切り換えることにより、ダイオ
ード（９）の呈するサセプタ／ス、および第２のＭＩＣ
Ｉ％！路圓の１１１：気長、特性インピーダンス、さら
に、変成器の変成比Ｎを適切に選定すれば、」二記ザセ
プタンスＢの値を誘導性と容ｌＩｉ、性にν、り換える
ことができる。したがって、主線路であるフィンライン
（１１９に訪嗜性あるいｔま容量性サセプタンスが装荷
されることになり、この場合伝搬するマイクロ波の位相
は、それぞれ進みあるいは遅れ状態ケ呈し、ダイオード
（９）に印加するバイアス極性を切り換えることによυ
移相器が実現できることになる。
第４図は、この発明の他の実ＩＩ’ｌｉ例を示したもの
で、ダイオード（９）は、短絡板αＤを介し直接導波管
（１１に接続されている。この実施例においても、前記
第２図に示した実施例と同様の移相器性能が得らｉＬる
。
で、ダイオード（９）は、短絡板αＤを介し直接導波管
（１１に接続されている。この実施例においても、前記
第２図に示した実施例と同様の移相器性能が得らｉＬる
。
なお９以上はダイオード装荷線路が２個用いられる例を
示したが、この発明はこれに限らず複数個のダイオード
装荷線路から成る異なった移相器のダイオード移相器を
谷々独立に、駆動する多ビツトダイオード移相器に使用
してもよい。
示したが、この発明はこれに限らず複数個のダイオード
装荷線路から成る異なった移相器のダイオード移相器を
谷々独立に、駆動する多ビツトダイオード移相器に使用
してもよい。
以上のように、この発明に係るタイオード移相器では、
フィンラインを構成する金属膜の被着された誘電体板面
と対向する面に、フィンラインの細隙を橋渡しするよう
に、かつ、フィンラインの概略１／４波長の奇数倍の間
隔で２本のマイクロストリップ線路を設け、上記マイク
ロストリップ線路にダイオードを接続し、ダイオードに
印加するバイアス極性を切シ換えることにより、ダイオ
ード移相器が（１４成できるため、ダイオード移相器が
、フィンラインの単一線路の断面構造と同程度の大きさ
で実現可能となり、フィンラインの分岐線路を有してい
た従来のダイオード移相器に比較し小形化が可能となる
。
フィンラインを構成する金属膜の被着された誘電体板面
と対向する面に、フィンラインの細隙を橋渡しするよう
に、かつ、フィンラインの概略１／４波長の奇数倍の間
隔で２本のマイクロストリップ線路を設け、上記マイク
ロストリップ線路にダイオードを接続し、ダイオードに
印加するバイアス極性を切シ換えることにより、ダイオ
ード移相器が（１４成できるため、ダイオード移相器が
、フィンラインの単一線路の断面構造と同程度の大きさ
で実現可能となり、フィンラインの分岐線路を有してい
た従来のダイオード移相器に比較し小形化が可能となる
。
第１図は従来のダイオード移相器の構造の一例を示す図
、第２図はこの発明の一実施例の構造を示す図、第３図
はこの発明の動作説明図、第４図はこの発明の他の実施
例を示す図である。 図中、（１）は導波管、（２）は誘電体板、（３）は細
隙。 （４）は金属膜、（５）は第１の分岐部、（６）は第２
の分岐部、（７）は第１の分岐線路、（８）は第２の分
岐線路。 （９）はダイオード、（ＩＩは第１０Ｍ工Ｃ線路、（Ｌ
Ｄは第２のＭ、Ｉ ＯＩＪｌ路、０Ｘ６は等価短絡線路
、 ＋１３１はバイアス回路、Ｑ４）はバイアス端子、
ＵＳはフィンライン。 Ｑｌはダイオード装荷線路、（ｌっは短絡板である。 なお２図中、同一あるいは相当部分には同一符号を伺し
て示しである 代理人 葛野信− 第１図 第 ３ 図 第４図
、第２図はこの発明の一実施例の構造を示す図、第３図
はこの発明の動作説明図、第４図はこの発明の他の実施
例を示す図である。 図中、（１）は導波管、（２）は誘電体板、（３）は細
隙。 （４）は金属膜、（５）は第１の分岐部、（６）は第２
の分岐部、（７）は第１の分岐線路、（８）は第２の分
岐線路。 （９）はダイオード、（ＩＩは第１０Ｍ工Ｃ線路、（Ｌ
Ｄは第２のＭ、Ｉ ＯＩＪｌ路、０Ｘ６は等価短絡線路
、 ＋１３１はバイアス回路、Ｑ４）はバイアス端子、
ＵＳはフィンライン。 Ｑｌはダイオード装荷線路、（ｌっは短絡板である。 なお２図中、同一あるいは相当部分には同一符号を伺し
て示しである 代理人 葛野信− 第１図 第 ３ 図 第４図
Claims (1)
- 専波肯の幅広面の概略中央に電界に平行に防電体板を配
置し、上記防電体板の一方の面に電波伝搬方向に泪って
細隙を設けた金属膜を被着して成るフィンラインを用い
て構成されるダイオード移相器において、上記誘゛屯体
板の他方の面に、上記１１川１！ｉｉを１商渡しするよ
うに、かつフィンラインのｉ銃略１／４波長のｔ）−数
倍の間隔で２本のストリップ導体を被着し、上記２本の
ストリップ導体それぞれの一方の端にダイオードを接続
し、上記ダイオードにバイアス電圧を印加する手段を具
備したことを特徴とするダイオード移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20264982A JPS5991701A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | ダイオ−ド移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20264982A JPS5991701A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | ダイオ−ド移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991701A true JPS5991701A (ja) | 1984-05-26 |
| JPS6322723B2 JPS6322723B2 (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=16460839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20264982A Granted JPS5991701A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | ダイオ−ド移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991701A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02104101A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-04-17 | Hughes Aircraft Co | フェーズシフト構造 |
| US5170140A (en) * | 1988-08-11 | 1992-12-08 | Hughes Aircraft Company | Diode patch phase shifter insertable into a waveguide |
| WO2003001625A1 (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | Fortel Technologies Inc | Waveguide assemblies |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP20264982A patent/JPS5991701A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02104101A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-04-17 | Hughes Aircraft Co | フェーズシフト構造 |
| US5170140A (en) * | 1988-08-11 | 1992-12-08 | Hughes Aircraft Company | Diode patch phase shifter insertable into a waveguide |
| WO2003001625A1 (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | Fortel Technologies Inc | Waveguide assemblies |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6322723B2 (ja) | 1988-05-13 |
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