JPS6322723B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6322723B2 JPS6322723B2 JP20264982A JP20264982A JPS6322723B2 JP S6322723 B2 JPS6322723 B2 JP S6322723B2 JP 20264982 A JP20264982 A JP 20264982A JP 20264982 A JP20264982 A JP 20264982A JP S6322723 B2 JPS6322723 B2 JP S6322723B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- line
- phase shifter
- dielectric plate
- branch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフインラインで構成するダイオード
移相器の改良に関するものである。
移相器の改良に関するものである。
第1図にフインラインを用いて構成した従来の
ダイオード移相器の構造の一例を示す。図におい
て導波管1の幅広面の概略中央に電界に平行に誘
電体板2を配置し、誘電体板2の表面には、電波
伝搬方向に沿つて細隙3を設けた金属膜4が被着
されフインラインを構成している。フインライン
には第1の分岐部5および第2の分岐部6が設け
られ、それぞれ長さの異なる第1の分岐線路7お
よび第2の分岐線路8でこれら分岐部が接続され
ている。
ダイオード移相器の構造の一例を示す。図におい
て導波管1の幅広面の概略中央に電界に平行に誘
電体板2を配置し、誘電体板2の表面には、電波
伝搬方向に沿つて細隙3を設けた金属膜4が被着
されフインラインを構成している。フインライン
には第1の分岐部5および第2の分岐部6が設け
られ、それぞれ長さの異なる第1の分岐線路7お
よび第2の分岐線路8でこれら分岐部が接続され
ている。
また、第1の分岐部5および第2の分岐部6の
分岐線路側には、ダイオード9が接続されてお
り、ダイオード9にはバイアス回路(図示せず)
を介してバイアス電圧が印加される構成である。
分岐線路側には、ダイオード9が接続されてお
り、ダイオード9にはバイアス回路(図示せず)
を介してバイアス電圧が印加される構成である。
第1図に示した従来のダイオード移相器では、
分岐部に装荷されたダイオード9に印加するバイ
アス電圧を切り換えることにより、マイクロ波の
伝搬通路を第1の分岐線路7と第2の分岐線路8
とに切り換えることができる。ここで、第1の分
岐線路7および第2の分岐線路8の線路長の差を
伝搬するマイクロ波の周波数に対し適切な長さに
設定することにより、所要の位相変化、すなわち
移相量を得る移相器が構成できる。
分岐部に装荷されたダイオード9に印加するバイ
アス電圧を切り換えることにより、マイクロ波の
伝搬通路を第1の分岐線路7と第2の分岐線路8
とに切り換えることができる。ここで、第1の分
岐線路7および第2の分岐線路8の線路長の差を
伝搬するマイクロ波の周波数に対し適切な長さに
設定することにより、所要の位相変化、すなわち
移相量を得る移相器が構成できる。
ところで、フインラインで構成したダイオード
移相器をフエーズドアレーアンテナの位相制御素
子として用いるには、ダイオード移相器の入出力
を導波管に変換し、導波管開口のアンテナに接続
して用いる場合が多い。
移相器をフエーズドアレーアンテナの位相制御素
子として用いるには、ダイオード移相器の入出力
を導波管に変換し、導波管開口のアンテナに接続
して用いる場合が多い。
フエーズドアレーアンテナでは、多数の導波管
開口アンテナを素子アンテナとし所定の間隔で配
列するため、移相器横断面の大きさは制限され、
素子アンテナの配列の自由度を上げ、アンテナ性
能を高めるにはできるだけ移相器の横断面が小さ
いことが望まれる。
開口アンテナを素子アンテナとし所定の間隔で配
列するため、移相器横断面の大きさは制限され、
素子アンテナの配列の自由度を上げ、アンテナ性
能を高めるにはできるだけ移相器の横断面が小さ
いことが望まれる。
しかし、第1図に示した従来のダイオード移相
器では、異なるマイクロ波の伝搬径路をフインラ
インで構成する必要があるため、移相器横断面が
大きくなり、アンテナの配列に支障をきたす欠点
があつた。
器では、異なるマイクロ波の伝搬径路をフインラ
インで構成する必要があるため、移相器横断面が
大きくなり、アンテナの配列に支障をきたす欠点
があつた。
この発明は上記欠点を除去するため、フインラ
インを構成する金属膜の被着された誘電体板面と
対向する面に細隙を橋渡しするようにストリツプ
ストリツプ導体を設け、上記ストリツプ導体にダ
イオードを装着し、ダイオードにバイアスを印加
する手段を具備することによりフインラインで構
成するダイオード移相器の小形化を図つたもの
で、以下、図面について詳細に説明する。
インを構成する金属膜の被着された誘電体板面と
対向する面に細隙を橋渡しするようにストリツプ
ストリツプ導体を設け、上記ストリツプ導体にダ
イオードを装着し、ダイオードにバイアスを印加
する手段を具備することによりフインラインで構
成するダイオード移相器の小形化を図つたもの
で、以下、図面について詳細に説明する。
第2図にこの発明の一実施例を示す。
誘電体板2の一方の面には、細隙3を設けた金
属膜4が被着されており、誘電体板2の他方の面
には、上記、細隙3を橋渡しするようにかつ、フ
インラインの概略1/4波長の奇数倍の間隔で2本
の第1のMIC線路10が被着されている。また、
上記第1のMIC線路10の一方の端には、第2
のMIC線路11が接続され、第2のMIC線路1
1の線路端と、等価短絡線路12の間にダイオー
ド9が接続されている。さらに、上記ダイオード
9にバイアス電圧を印加するためのバイアス回路
13が設けられバイアス端子14に外部からバイ
アスが供給されている。
属膜4が被着されており、誘電体板2の他方の面
には、上記、細隙3を橋渡しするようにかつ、フ
インラインの概略1/4波長の奇数倍の間隔で2本
の第1のMIC線路10が被着されている。また、
上記第1のMIC線路10の一方の端には、第2
のMIC線路11が接続され、第2のMIC線路1
1の線路端と、等価短絡線路12の間にダイオー
ド9が接続されている。さらに、上記ダイオード
9にバイアス電圧を印加するためのバイアス回路
13が設けられバイアス端子14に外部からバイ
アスが供給されている。
第3図は、第2図に示したこの発明によるダイ
オード移相器の動作を説明するための等価回路で
ある。
オード移相器の動作を説明するための等価回路で
ある。
第1のMIC線路10は、フインライン15を
マイクロストリツプ線路に変換する変成比N:1
の変成器の役割を持ち、第2のMIC線路11を
介してダイオード9が装荷される。このようなダ
イオード装荷線路16は、反射特性を良好に保つ
ため概略1/4波長の奇数倍の間隔でフインライン
15に接続される。
マイクロストリツプ線路に変換する変成比N:1
の変成器の役割を持ち、第2のMIC線路11を
介してダイオード9が装荷される。このようなダ
イオード装荷線路16は、反射特性を良好に保つ
ため概略1/4波長の奇数倍の間隔でフインライン
15に接続される。
第3図に示す等価回路において、フインライン
15とダイオード装荷線路16との接続点よりダ
イオード側を見込んだサセプタンスをBとする
と、ダイオード9に印加するバイアスの極性(バ
イアス回路は図示せず)を切り換えることによ
り、ダイオード9の呈するサセプタンス、および
第2のMIC線路11の電気長、特性インピーダ
ンス、さらに、変成器の変成比Nを適切に選定す
れば、上記サセプタンスBの値を誘導性と容量性
に切り換えることができる。したがつて、主線路
であるフインライン15に誘導性あるいは容量性
サセプタンスが装荷されることになり、この場合
伝搬するマイクロ波の位相は、それぞれ進みある
いは遅れ状態を呈し、ダイオード9に印加するバ
イアス極性を切り換えることにより移相器が実現
できることになる。
15とダイオード装荷線路16との接続点よりダ
イオード側を見込んだサセプタンスをBとする
と、ダイオード9に印加するバイアスの極性(バ
イアス回路は図示せず)を切り換えることによ
り、ダイオード9の呈するサセプタンス、および
第2のMIC線路11の電気長、特性インピーダ
ンス、さらに、変成器の変成比Nを適切に選定す
れば、上記サセプタンスBの値を誘導性と容量性
に切り換えることができる。したがつて、主線路
であるフインライン15に誘導性あるいは容量性
サセプタンスが装荷されることになり、この場合
伝搬するマイクロ波の位相は、それぞれ進みある
いは遅れ状態を呈し、ダイオード9に印加するバ
イアス極性を切り換えることにより移相器が実現
できることになる。
第4図は、この発明の他の実施例を示したもの
で、ダイオード9は、短絡板17を介し直接導波
管1に接続されている。この実施例においても、
前記第2図に示した実施例と同様の移相器性能が
得られる。
で、ダイオード9は、短絡板17を介し直接導波
管1に接続されている。この実施例においても、
前記第2図に示した実施例と同様の移相器性能が
得られる。
なお、以上はダイオード装荷線路が2個用いら
れる例を示したが、この発明はこれに限らず複数
個のダイオード装荷線路から成る異なつた移相量
のダイオード移相器を各々独立に駆動する多ビツ
トダイオード移相器に使用してもよい。
れる例を示したが、この発明はこれに限らず複数
個のダイオード装荷線路から成る異なつた移相量
のダイオード移相器を各々独立に駆動する多ビツ
トダイオード移相器に使用してもよい。
以上のように、この発明に係るダイオード移相
器では、フインラインを構成する金属膜の被着さ
れた誘電体板面と対向する面に、フインラインの
細隙を橋渡しするように、かつ、フインラインの
概略1/4波長の奇数倍の間隔で2本のマイクロス
トリツプ線路を設け、上記マイクロストリツプ線
路にダイオードを接続し、ダイオードに印加する
バイアス極性を切り換えることにより、ダイオー
ド移相器が構成できるため、ダイオード移相器
が、フインラインの単一線路の断面構造と同程度
の大きさで実現可能となり、フインラインの分岐
線路を有していた従来のダイオード移相器に比較
し小形化が可能となる。
器では、フインラインを構成する金属膜の被着さ
れた誘電体板面と対向する面に、フインラインの
細隙を橋渡しするように、かつ、フインラインの
概略1/4波長の奇数倍の間隔で2本のマイクロス
トリツプ線路を設け、上記マイクロストリツプ線
路にダイオードを接続し、ダイオードに印加する
バイアス極性を切り換えることにより、ダイオー
ド移相器が構成できるため、ダイオード移相器
が、フインラインの単一線路の断面構造と同程度
の大きさで実現可能となり、フインラインの分岐
線路を有していた従来のダイオード移相器に比較
し小形化が可能となる。
第1図は従来のダイオード移相器の構造の一例
を示す図、第2図はこの発明の一実施例の構造を
示す図、第3図はこの発明の動作説明図、第4図
はこの発明の他の実施例を示す図である。 図中、1は導波管、2は誘電体板、3は細隙、
4は金属膜、5は第1の分岐部、6は第2の分岐
部、7は第1の分岐線路、8は第2の分岐線路、
9はダイオード、10は第1のMIC線路、11
は第2のMIC線路、12は等価短絡線路、13
はバイアス回路、14はバイアス端子、15はフ
インライン、16はダイオード装荷線路、17は
短絡板である。なお、図中、同一あるいは相当部
分には同一符号を付して示してある。
を示す図、第2図はこの発明の一実施例の構造を
示す図、第3図はこの発明の動作説明図、第4図
はこの発明の他の実施例を示す図である。 図中、1は導波管、2は誘電体板、3は細隙、
4は金属膜、5は第1の分岐部、6は第2の分岐
部、7は第1の分岐線路、8は第2の分岐線路、
9はダイオード、10は第1のMIC線路、11
は第2のMIC線路、12は等価短絡線路、13
はバイアス回路、14はバイアス端子、15はフ
インライン、16はダイオード装荷線路、17は
短絡板である。なお、図中、同一あるいは相当部
分には同一符号を付して示してある。
Claims (1)
- 1 導波管の幅広面の概略中央に電界に平行に誘
電体板を配置し、上記誘電体板の一方の面に電波
伝搬方向に沿つて細隙を設けた金属膜を被着して
成るフインラインを用いて構成されるダイオード
移相器において、上記誘電体板の他方の面に、上
記細隙を橋渡しするように、かつフインラインの
概略1/4波長の奇数倍の間隔で2本のストリツプ
導体を被着し、上記2本のストリツプ導体それぞ
れの一方の端にダイオードを接続し、上記ダイオ
ードにバイアス電圧を印加する手段を具備したこ
とを特徴とするダイオード移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20264982A JPS5991701A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | ダイオ−ド移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20264982A JPS5991701A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | ダイオ−ド移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991701A JPS5991701A (ja) | 1984-05-26 |
| JPS6322723B2 true JPS6322723B2 (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=16460839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20264982A Granted JPS5991701A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | ダイオ−ド移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991701A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE68909545T2 (de) * | 1988-08-11 | 1994-04-28 | Hughes Aircraft Co | Phasenschieber mit durch Dioden verbundenen Streifen. |
| US5170140A (en) * | 1988-08-11 | 1992-12-08 | Hughes Aircraft Company | Diode patch phase shifter insertable into a waveguide |
| GB0115029D0 (en) * | 2001-06-20 | 2001-08-08 | Fortel Technologies Inc | Waveguide assemblies |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP20264982A patent/JPS5991701A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5991701A (ja) | 1984-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4500887A (en) | Microstrip notch antenna | |
| US4305052A (en) | Ultra-high-frequency diode phase shifter usable with electronically scanning antenna | |
| US5307033A (en) | Planar digital ferroelectric phase shifter | |
| US4882553A (en) | Microwave balun | |
| US5940030A (en) | Steerable phased-array antenna having series feed network | |
| US11450972B2 (en) | Power distribution network, liquid crystal antenna and communication device | |
| EP0682819A1 (en) | Compact low-loss microwave balun | |
| US4105959A (en) | Amplitude balanced diode phase shifter | |
| EP0534796B1 (en) | Broadband microstrip to slotline transition | |
| US4088970A (en) | Phase shifter and polarization switch | |
| JPS58115901A (ja) | 抵抗要素を有するストリツプライン型パワ−デイバイダ・コンバイナ | |
| US4150345A (en) | Microstrip coupler having increased coupling area | |
| GB1591858A (en) | Microwave devices | |
| US6087907A (en) | Transverse electric or quasi-transverse electric mode to waveguide mode transformer | |
| US4616196A (en) | Microwave and millimeter wave switched-line type phase shifter including exponential line portion | |
| US4532484A (en) | Hybrid coupler having interlaced coupling conductors | |
| US3991390A (en) | Series connected stripline balun | |
| US3946339A (en) | Slot line/microstrip hybrid | |
| US4146896A (en) | 180° Phase shifter for microwaves supplied to a load such as a radiating element | |
| US3715689A (en) | Wideband microwave power divider | |
| US4419635A (en) | Slotline reverse-phased hybrid ring coupler | |
| US4647880A (en) | Microwave diode phase shifter | |
| US4568893A (en) | Millimeter wave fin-line reflection phase shifter | |
| US20040080380A1 (en) | Hybrid phase shifter and power divider | |
| WO2001061779A1 (en) | Microstrip phase shifter having phase shift filter device |