JPS5991729U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS5991729U JPS5991729U JP18826082U JP18826082U JPS5991729U JP S5991729 U JPS5991729 U JP S5991729U JP 18826082 U JP18826082 U JP 18826082U JP 18826082 U JP18826082 U JP 18826082U JP S5991729 U JPS5991729 U JP S5991729U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- liquid phase
- slider
- solution
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の液相エピタキシャル装置の断面図、第２
図は本考案による液相エピタキシャル装置の一実施例の
断面図、第３図はスライダーの正面図及び側面図である
。
図は本考案による液相エピタキシャル装置の一実施例の
断面図、第３図はスライダーの正面図及び側面図である
。
Claims (1)
- 結晶原料溶液を保持し、結晶成長を行うための成長槽を
設けた溶液ホルダー；この溶液ホルダーに挿通され、前
記成長槽の内部の結晶原料溶液に接触しながら滑動する
、結晶基板の数置されたスライダー；前記スライダー上
の結晶基板を保護するために前記結晶基板を覆うように
設けられ、かつ前記結晶基板が前記成長槽内の結晶原料
溶液と接触する際には外される結晶蓋を保持する保持ブ
ロック；とを有すや液相エピタキシャル成長装置におい
て、前記結晶蓋を保持する保持ブロックは、工具上の固
定用突起を有し、前記スライダーに設けられた溝に嵌合
されて固定されており、更に前記溶液ホルダーの側に斜
面を有し、前記スライダーを溶液ホルダ一方向に滑動さ
せて前記結晶基板を結晶原料溶液に接触させる際には、
前記斜面は前記溶液ホルダーに当接し、前記保持ブロッ
クは、前記結晶蓋と共に、この斜面に沿って上昇し外れ
るようになっていることを特徴とする液相エピタキシャ
ル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18826082U JPS5991729U (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18826082U JPS5991729U (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991729U true JPS5991729U (ja) | 1984-06-21 |
| JPH0129783Y2 JPH0129783Y2 (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=30406177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18826082U Granted JPS5991729U (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991729U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117616A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP18826082U patent/JPS5991729U/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117616A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0129783Y2 (ja) | 1989-09-11 |
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