JPS5992905A - 無機薄質の製法 - Google Patents
無機薄質の製法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は無機材料フィルムの有機金属化学蒸着法に係る
。該方法は非限定的ではあるが特に薄膜の製法に係る。
。該方法は非限定的ではあるが特に薄膜の製法に係る。
無機フィルムを製造するために有機金属蒸着法を使用す
ることは知られている。特に、イギリス国特許第１．６
００．２８６号はＩＩＩ−Ｖ族化合物薄膜の製法を開示
しており、該方法ではＩＩＩ族金属アルキルとＶ族元素
水素化物との混合物を水素流と共に熱分解して基板上に
ｎｉ −ｖ族化合物を生成している。
ることは知られている。特に、イギリス国特許第１．６
００．２８６号はＩＩＩ−Ｖ族化合物薄膜の製法を開示
しており、該方法ではＩＩＩ族金属アルキルとＶ族元素
水素化物との混合物を水素流と共に熱分解して基板上に
ｎｉ −ｖ族化合物を生成している。
一般に有機金属化学蒸着（以下ＭＯＣＶＩ）と称す）法
は、様々のＩＩＩ−Ｖ及び■−■族化合物並びにその合
金の薄膜を製造するために使用されでいる。
は、様々のＩＩＩ−Ｖ及び■−■族化合物並びにその合
金の薄膜を製造するために使用されでいる。
この方法で一般に使用される出発反応剤は、■及び１■
族の元素の金属アルキル、並びにＶ及び■族の元素の水
素化物またはアルキルである。このような反応剤の例を
第１表に示す。なお表中Ｒはアルキル基（同族列に活っ
てメチル、エチル、プロピル、ブチル等）を示す。
族の元素の金属アルキル、並びにＶ及び■族の元素の水
素化物またはアルキルである。このような反応剤の例を
第１表に示す。なお表中Ｒはアルキル基（同族列に活っ
てメチル、エチル、プロピル、ブチル等）を示す。
第ｒ表二既知のＭＯＣＶＤ反応剤の例
ＭＯＣＶＤで使用される代表的な反応式を以下に示す。
ＺｎＩＬｘ十ＨｚＢ −＋ ＺｎＳ ＋２ ＲＨ（１１
亜鉛アｎＪｒ−ｔレト硫化水素→硫化亜鉛十ア＞ｖＪｙ
ンＧａＲ５＋ＡｓＨｓ →ＧａＡｓ＋３ＲＨ（２１ガリ
ウムアルキル＋了兄シン→ガリウムヒ素＋アル力ンＭＯ
ＣＶＤを用いて様々の■−■及びＩＪＩ −Ｖ族化合物
並びに合金が首尾よく生成されているが、生成上の問題
も起こシ得る。反応剤の混合時に室温れ、析出された膜
の厚さや電気的及び光学的性質に非均一性が生じる。析
出プロセスに不利な影響を及はすこのような「寄生」反
応は下式で示される０ Ｉｎ（ＣＨｓ）３＋ＰＨｓ −＋ ［−ＣＨ５Ｉｎ−Ｐ
Ｈ−）、 ｆ３１トリメチルインジウム十フォスフイ
ン→ポリマ反応式（３）で示される重合物質は固体であ
り、この物質の形成により反応剤の気相が減損する。反
応剤の減損は、反応器のフィルム析出ゾーン中のプロセ
スに影響を及ぼす。水素化物のリン原子は孤立電子対を
有し、この対によυ容易にボンド形成が生じる。（ルイ
ス塩基）。更に、アルキルのインジウムは電子を受容す
る力が強い（ルイス酸）。
亜鉛アｎＪｒ−ｔレト硫化水素→硫化亜鉛十ア＞ｖＪｙ
ンＧａＲ５＋ＡｓＨｓ →ＧａＡｓ＋３ＲＨ（２１ガリ
ウムアルキル＋了兄シン→ガリウムヒ素＋アル力ンＭＯ
ＣＶＤを用いて様々の■−■及びＩＪＩ −Ｖ族化合物
並びに合金が首尾よく生成されているが、生成上の問題
も起こシ得る。反応剤の混合時に室温れ、析出された膜
の厚さや電気的及び光学的性質に非均一性が生じる。析
出プロセスに不利な影響を及はすこのような「寄生」反
応は下式で示される０ Ｉｎ（ＣＨｓ）３＋ＰＨｓ −＋ ［−ＣＨ５Ｉｎ−Ｐ
Ｈ−）、 ｆ３１トリメチルインジウム十フォスフイ
ン→ポリマ反応式（３）で示される重合物質は固体であ
り、この物質の形成により反応剤の気相が減損する。反
応剤の減損は、反応器のフィルム析出ゾーン中のプロセ
スに影響を及ぼす。水素化物のリン原子は孤立電子対を
有し、この対によυ容易にボンド形成が生じる。（ルイ
ス塩基）。更に、アルキルのインジウムは電子を受容す
る力が強い（ルイス酸）。
このような酸性及び塩基性の特性の結果、まずインジウ
ムとリンとの間に配位結合が形成される。
ムとリンとの間に配位結合が形成される。
次にメタンが除去されて上記（３）式中の、ｌ−？ｌＪ
マが形成される。
マが形成される。
硫化亜鉛薄膜を生成するために使用される別の従来技術
の反応式を以下に示す。
の反応式を以下に示す。
Ｚｎ（Ｃ）Ｌ＋）２＋Ｈ２ｓ −＋ ＺｎＳ ＋２０）
４４ （４）ジメチル亜鉛十硫化水素→硫化亜鉛士
メタン（４）式の反応はある程度まで室温で生じるので
、その結果フィルム析出ゾーンに達する以前に気相が減
損する。
４４ （４）ジメチル亜鉛十硫化水素→硫化亜鉛士
メタン（４）式の反応はある程度まで室温で生じるので
、その結果フィルム析出ゾーンに達する以前に気相が減
損する。
本発明の目的は、上記方法に代わるＭＯＣＶｌ）薄膜製
法を提供することである。
法を提供することである。
本発明は、
（１）少なくとも部分的に有機金属化合物と、Ｖ族また
は■族元素を含む複素環式有機化合物との混合蒸気から
構成される蒸気流を生成する段階と。
は■族元素を含む複素環式有機化合物との混合蒸気から
構成される蒸気流を生成する段階と。
（２）金属どＶ族または■族元素とを構成成分とする無
機薄膜を析出すぺ〈有機金属及び複素環式化合物を反応
分解するために、加熱した基板上に前記蒸気流を通す段
階、 とを含むＭＯＣＶＤ熱ＣＶＤルム製法を提供する。
機薄膜を析出すぺ〈有機金属及び複素環式化合物を反応
分解するために、加熱した基板上に前記蒸気流を通す段
階、 とを含むＭＯＣＶＤ熱ＣＶＤルム製法を提供する。
複素環式化合物にＶ族またはＶＩ族元素を混入すること
によシ、ＭＯＣＶＤフィルム製造で使用する加熱基板の
上流の好ましくない反応が避けられる。
によシ、ＭＯＣＶＤフィルム製造で使用する加熱基板の
上流の好ましくない反応が避けられる。
この場合、早発蒸気反応に起因する反応剤減損とそれに
伴うフィルムの非均一性の程度が低下するので、ＭＯＣ
ＶＤにＶ族またはｖｌｌ氷水素化物たはアルキルを使用
する従来技術に較べて有利である。
伴うフィルムの非均一性の程度が低下するので、ＭＯＣ
ＶＤにＶ族またはｖｌｌ氷水素化物たはアルキルを使用
する従来技術に較べて有利である。
本発明の方法は、フィルムの非均一性が非常に好ましく
ないような無機薄膜製造に使用する場合特に好適である
。
ないような無機薄膜製造に使用する場合特に好適である
。
本発明の方法は、［−ＶＩ、ＩＩＩ −ＶＩ或いはＴＩ
Ｔ −Ｖ族の２元フィルム化合物の製造、または適当な
揮発性有機金属及び複素環式化合物を含む関連する３元
または４元物質の製造に使用され得る。本発明はまた、
■族元素をドープされた川−Ｖ放物質、またはＶ族元素
をドープされたＩＩ−Ｖｌ族物質を製造するためにも使
用され得る。いずれの場合にも適当な混合蒸気流が形成
される。
Ｔ −Ｖ族の２元フィルム化合物の製造、または適当な
揮発性有機金属及び複素環式化合物を含む関連する３元
または４元物質の製造に使用され得る。本発明はまた、
■族元素をドープされた川−Ｖ放物質、またはＶ族元素
をドープされたＩＩ−Ｖｌ族物質を製造するためにも使
用され得る。いずれの場合にも適当な混合蒸気流が形成
される。
■または■族元素は脂肪族複素環式化合物及びその誘導
体、例えば環式アルシン、環式スチビン、環式アミン、
環式エーテル、環式チオエーテル、環式セレノエーテル
及び環式テルロエーテル中ニ混入され得る。或いは、■
または■族元素は、芳香族複素環式化合物及びその誘導
体、例えばアルンール、フォスフオール、スチホール、
ヒロール、フラン、チオフェン、セレノフェンまたはテ
ルロフェン中に混入され得る。
体、例えば環式アルシン、環式スチビン、環式アミン、
環式エーテル、環式チオエーテル、環式セレノエーテル
及び環式テルロエーテル中ニ混入され得る。或いは、■
または■族元素は、芳香族複素環式化合物及びその誘導
体、例えばアルンール、フォスフオール、スチホール、
ヒロール、フラン、チオフェン、セレノフェンまたはテ
ルロフェン中に混入され得る。
ＺｎＳ及びＺｎＯフィルムは本発明に従って製造され、
Ｊ）ＣまたはＡＣ電場発光、ｅネルを形成し得る。
Ｊ）ＣまたはＡＣ電場発光、ｅネルを形成し得る。
本発明は添付の実施例及び図面に関して単に例示として
以下に記載される。
以下に記載される。
第１図に於いて、亜鉛アルキル／硫化水素混合蒸気流１
０け、従来技術のＭＯＣＶＤ法を用いて無機薄膜を生成
すべくネック１２から反応室１１ｒｌ］に導入される。
０け、従来技術のＭＯＣＶＤ法を用いて無機薄膜を生成
すべくネック１２から反応室１１ｒｌ］に導入される。
蒸気流１０は加熱した基板１３上で分解され、（アルカ
ンを遊離して）硫化亜鉛を生成する。基板１３は、コイ
ル１５及びｒｆ供給源（図示せず）に上り百加熱された
ナセプタブロック１４に担持される。好ましくない或い
は早発的反応により、蒸気流１０は反応室１１の壁１６
上で分解し得る。この分解によりサセプタブロック１４
の上流及び下流でデポジット１７が生成され得る。この
ような析出は特に硫化水素とツメチル亜鉛との反応中に
生じ、この反応によシ上記（４）式中に示すように硫化
亜鉛とメタンとが生成される。早発反応によりサセプタ
ブロック１４の上流でデポジットが形成されると該ブロ
ックが受取る蒸気流は著しく減損し、不均一なフィルム
成長をひき起こす。下流の反応は析出後に生じるのでフ
ィルムの均一性に伺ら影響しない。
ンを遊離して）硫化亜鉛を生成する。基板１３は、コイ
ル１５及びｒｆ供給源（図示せず）に上り百加熱された
ナセプタブロック１４に担持される。好ましくない或い
は早発的反応により、蒸気流１０は反応室１１の壁１６
上で分解し得る。この分解によりサセプタブロック１４
の上流及び下流でデポジット１７が生成され得る。この
ような析出は特に硫化水素とツメチル亜鉛との反応中に
生じ、この反応によシ上記（４）式中に示すように硫化
亜鉛とメタンとが生成される。早発反応によりサセプタ
ブロック１４の上流でデポジットが形成されると該ブロ
ックが受取る蒸気流は著しく減損し、不均一なフィルム
成長をひき起こす。下流の反応は析出後に生じるのでフ
ィルムの均一性に伺ら影響しない。
第ｎ表は、本発明に従い硫化亜鉛、酸化亜鉛及び士しン
化亜鉛フィルムを製造するための実施例＋１１乃至（７
）、即ち従来技術の水素化物またはアルキルの代わりに
偏し黄及び酸素の棲素壌化＠物を使用した実施例の反応
内容を示している。括弧内の温度は該当する液体が保持
される温度を示し、混合蒸気流中の対応する成分の蒸気
圧はこの温度により制御される。
化亜鉛フィルムを製造するための実施例＋１１乃至（７
）、即ち従来技術の水素化物またはアルキルの代わりに
偏し黄及び酸素の棲素壌化＠物を使用した実施例の反応
内容を示している。括弧内の温度は該当する液体が保持
される温度を示し、混合蒸気流中の対応する成分の蒸気
圧はこの温度により制御される。
実施例（１）乃至（力は２元化合物であるが、適当な混
合蒸気流を形成することにより３元以上のオーダの化合
物が生成され得る。また、不純物を印む適当な揮発性化
合物の蒸気の一部を蒸気流ｌｏ中に混入することにより
、不純物をドープされたフィルムが形成され得る。特に
、メチルシクロペンタジエニルトリ力ルポニルマンガン
を蒸気流１０に加えることにより、マンガンをドープさ
れたＺｎＳが生成され得る。更に、適当な組成を有する
相異なる蒸気流の系列を使用することにより、多層構造
が析出され得る。
合蒸気流を形成することにより３元以上のオーダの化合
物が生成され得る。また、不純物を印む適当な揮発性化
合物の蒸気の一部を蒸気流ｌｏ中に混入することにより
、不純物をドープされたフィルムが形成され得る。特に
、メチルシクロペンタジエニルトリ力ルポニルマンガン
を蒸気流１０に加えることにより、マンガンをドープさ
れたＺｎＳが生成され得る。更に、適当な組成を有する
相異なる蒸気流の系列を使用することにより、多層構造
が析出され得る。
第２図及び第３図は、それぞれ本発明を用いて製造され
た従来型のＤＣ及びＡＣ電場発光デ・↑イスの略横断面
図である。第２図中、ガラス基板２０は、実施例（３）
に従って形成されたＺｎＯ透明導電薄膜２１を有する。
た従来型のＤＣ及びＡＣ電場発光デ・↑イスの略横断面
図である。第２図中、ガラス基板２０は、実施例（３）
に従って形成されたＺｎＯ透明導電薄膜２１を有する。
ＭｎをＦ−プさｉ−＋−たＺ ｎ Ｏ電場発光フィルム
２２は実施例（１）または（２）に従ってＺｎＱ層２層
上１上成される。前記電場発光デバイスは、従来技術に
より形成された電流制御層２３と金属化層２４とを更に
含む。第３図中、Ｍｎをｒ−プされたＺｎＳ電場発光フ
イルノ、３０は、ＺｎＯ透明導電フィルム３３上で上部
及び下部絶縁誘電体フィルム３１及び３２の間に配置さ
れる。多層３０乃至３３は基板３４上にマウントされ、
その上には金属化層３５が配置される。ＺｎＳ及びＺｎ
Ｏ層は実施例に従って形成され得、３４重体層（・」従
来技術により形成され得る。
２２は実施例（１）または（２）に従ってＺｎＱ層２層
上１上成される。前記電場発光デバイスは、従来技術に
より形成された電流制御層２３と金属化層２４とを更に
含む。第３図中、Ｍｎをｒ−プされたＺｎＳ電場発光フ
イルノ、３０は、ＺｎＯ透明導電フィルム３３上で上部
及び下部絶縁誘電体フィルム３１及び３２の間に配置さ
れる。多層３０乃至３３は基板３４上にマウントされ、
その上には金属化層３５が配置される。ＺｎＳ及びＺｎ
Ｏ層は実施例に従って形成され得、３４重体層（・」従
来技術により形成され得る。
実施例に従う反応中、基板Ｊ３の上流に好１しくないフ
ィルム析出はみとめられなかった。史に、生成されたＺ
ｎＳ及びＺｎＯフィルムには可視程度のウェッジ状の不
均一はみとめられなかった。従来技術ＫＪ：り形成され
たＺｎＳフィルムは１収に見えるウェッジ状の干渉縞を
示すことがあり、その場合、蒸気流中の反応剤減損の結
果として上流領域は下流領域に較べて膜厚となる。従っ
て、本発明に浴って形成されたフィルムは従来技術に較
べて均一性がすぐれている。
ィルム析出はみとめられなかった。史に、生成されたＺ
ｎＳ及びＺｎＯフィルムには可視程度のウェッジ状の不
均一はみとめられなかった。従来技術ＫＪ：り形成され
たＺｎＳフィルムは１収に見えるウェッジ状の干渉縞を
示すことがあり、その場合、蒸気流中の反応剤減損の結
果として上流領域は下流領域に較べて膜厚となる。従っ
て、本発明に浴って形成されたフィルムは従来技術に較
べて均一性がすぐれている。
本発明は、好ましくないまたは「寄生的な」反応を避け
ることにより、蒸気減損の程度を低−「させている。こ
の目的を達するために、脂肪原寸たは芳香族であり得る
複素環式化合物中にＶまたはＶＩ族元素を混入させる。
ることにより、蒸気減損の程度を低−「させている。こ
の目的を達するために、脂肪原寸たは芳香族であり得る
複素環式化合物中にＶまたはＶＩ族元素を混入させる。
脂肪族複素環系は、例えハ環式フォスフイン、環式アル
シン、環式スチビン、環式アミン、゛環式エーテル、環
式チオエーテル、環式セレノエーテル及び環式チル１Ｊ
エーテルである。芳香族複素環系は例えばアルソール、
フォスフオール、スチポール、ヒロール、フラン、チオ
フェン、セレノフェン及びテルロフエンテする。
シン、環式スチビン、環式アミン、゛環式エーテル、環
式チオエーテル、環式セレノエーテル及び環式チル１Ｊ
エーテルである。芳香族複素環系は例えばアルソール、
フォスフオール、スチポール、ヒロール、フラン、チオ
フェン、セレノフェン及びテルロフエンテする。
Ｚ ｎ Ｓ及びＺｎＯの生成に適用する以外に、本発明
は他の１１−■族化合物及びそれらの合金の生成に適用
できる。
は他の１１−■族化合物及びそれらの合金の生成に適用
できる。
ｎ−ｖｉ族の２元化合物を以下に示す。
ＺｎＯＣｄ０ １−（ｇＯ
ＺｎＳ ＣｄＳ Ｈｇ５ＺｎＳｅ
ＣｄＳｅ Ｉ（ｇｓｅｚｎＴｅ Ｃｄ’ｌ
ｌ’ｅ ）１．ｇＴｅ本発明はＩＩＪ −Ｖ
族化合物及びそれらの合金の生成にも適用され得る。な
おＵ［−Ｖ族の２元化合物を以下に示す。
ＣｄＳｅ Ｉ（ｇｓｅｚｎＴｅ Ｃｄ’ｌ
ｌ’ｅ ）１．ｇＴｅ本発明はＩＩＪ −Ｖ
族化合物及びそれらの合金の生成にも適用され得る。な
おＵ［−Ｖ族の２元化合物を以下に示す。
ＢＮ ｆｉ、ｌＮ ＧａＮ ＩｎＮＢＰ
ＡＪＰ ＧａＰ ＩｎＰＢＡｓ Ａｌ
Ａｓ ＧａＡｓ Ｉｒ＋ＡｓＢＳｂ ＡｌＳｂ
ＱａＳｂ ＩｎＳｂ更に本発明は、他の２元及び
それ以上のオーダの酸化物及び化合物、例えばＡ１２０
ｇ、Ｑａ２０３．５ｉＯ１Ｚｎ２Ｓ１０４等、更に適当
な揮発性金属有機及び該当化合物を含む前記化合物の誘
導体にも適用できる。
ＡＪＰ ＧａＰ ＩｎＰＢＡｓ Ａｌ
Ａｓ ＧａＡｓ Ｉｒ＋ＡｓＢＳｂ ＡｌＳｂ
ＱａＳｂ ＩｎＳｂ更に本発明は、他の２元及び
それ以上のオーダの酸化物及び化合物、例えばＡ１２０
ｇ、Ｑａ２０３．５ｉＯ１Ｚｎ２Ｓ１０４等、更に適当
な揮発性金属有機及び該当化合物を含む前記化合物の誘
導体にも適用できる。
本発明に従って生成された無機フィルムは、例えば以下
に示すように（化合物例は括弧内に示す）幅広い領域で
使用され得る。
に示すように（化合物例は括弧内に示す）幅広い領域で
使用され得る。
１３発光パネル（ＺｎＳ）
２、透明導体（ＺｎＯ）
３、表面音波デ・マイス（ｚｎｏ ）
４、 マイクロ波デノマイス（ＩｎＰ）５、発光ダイオ
ード（ＧａＩｎＡｓＰ ）６、 ソリッドステートレー
ザ（（３ａＩｎＡｓＰ ）７．硬質コーティング（ＡＩ
Ｎ ） ８、太陽電池（ＣｄＳ ） ９、けｂ光体（ＺｎＳ、Ｚｎ２５Ｉ０４）１０、反射防
止コーティング（ＺｎＳ）。
ード（ＧａＩｎＡｓＰ ）６、 ソリッドステートレー
ザ（（３ａＩｎＡｓＰ ）７．硬質コーティング（ＡＩ
Ｎ ） ８、太陽電池（ＣｄＳ ） ９、けｂ光体（ＺｎＳ、Ｚｎ２５Ｉ０４）１０、反射防
止コーティング（ＺｎＳ）。
第■表：成長条件
実施例 ｌ
ＺｎＳの成長
反応剤 （ＣＨ３）ｚＺｎ （ＤＭＺ）チオフェンＣ４
Ｈ４Ｓ キャリアガス Ｈ２ 基板温度 ５００℃ 流 量 ＤＭＺ ５ｃｃ／ｍ１
ｎ（−１Ｑ℃）実施例 ２ ＺｎＳの成長 反応剤 （ＣＨ３）２Ｚｎ キャリアガス Ｈ２ 基板温度 ５００〜６５０℃ 流 量 ＤＭＺ ５ｅＣ／ｍ１
ｎ（−１０℃）実施例 ３ ＺｎＯの成長 反応剤 （ＣＨ３）２Ｚｎ フラン Ｃ４Ｈ４０ キャリアガス Ｈ２（条件を変えればヘリウムギヤ
リアガスの使用も可） 温 度 ４００℃ 流 量 ＤＭＺ ２，５ｃｃ／ｍ１
ｎ（−１０℃）実施例 ４ ｎＳｅ 反応剤 （ＣＨｓ）＊Ｚｎ セレタク”−７Ｃ４■］４ Ｓ ｅ キャリアガス Ｈｌ 基板温度 ４５０−６２５℃ 流 −叶 １）ＭＺ ５ｃｃ
／ｍ１ｎ（−１００）実施例 ５ ＺｎＯ 反応剤 （ＣＪＪ３）２Ｚｎ エチレンオキサイド Ｃ２Ｈ４０ キャリアガス Ｈ。
Ｈ４Ｓ キャリアガス Ｈ２ 基板温度 ５００℃ 流 量 ＤＭＺ ５ｃｃ／ｍ１
ｎ（−１Ｑ℃）実施例 ２ ＺｎＳの成長 反応剤 （ＣＨ３）２Ｚｎ キャリアガス Ｈ２ 基板温度 ５００〜６５０℃ 流 量 ＤＭＺ ５ｅＣ／ｍ１
ｎ（−１０℃）実施例 ３ ＺｎＯの成長 反応剤 （ＣＨ３）２Ｚｎ フラン Ｃ４Ｈ４０ キャリアガス Ｈ２（条件を変えればヘリウムギヤ
リアガスの使用も可） 温 度 ４００℃ 流 量 ＤＭＺ ２，５ｃｃ／ｍ１
ｎ（−１０℃）実施例 ４ ｎＳｅ 反応剤 （ＣＨｓ）＊Ｚｎ セレタク”−７Ｃ４■］４ Ｓ ｅ キャリアガス Ｈｌ 基板温度 ４５０−６２５℃ 流 −叶 １）ＭＺ ５ｃｃ
／ｍ１ｎ（−１００）実施例 ５ ＺｎＯ 反応剤 （ＣＪＪ３）２Ｚｎ エチレンオキサイド Ｃ２Ｈ４０ キャリアガス Ｈ。
基板温度 ４００ ’Ｃ
流 量 ＤＭＺ ３ＣＣ／ｍ１ｎ（
−１０’Ｃ）実施例 ６ ＺｎＯ 反応剤（ｅｆｌａ）２Ｚｎ テトラヒドロフラン Ｃ６１１１゜０ キヤリアガス Ｈ２ 基板温度 ３０（１−４５ＣＩ Ｃ （＋ｉ、 ’ＡＤＭＺ ３ＣＣ／ｍｉｎ
（−１０ｃ）≠ 励 例 ７ ＺｎＯ 反応剤 （Ｃｔｌｓ）２Ｚｎ テトラヒドロフラン ＣｄＩＢＩ−１ キヤリアガス Ｉ（。
−１０’Ｃ）実施例 ６ ＺｎＯ 反応剤（ｅｆｌａ）２Ｚｎ テトラヒドロフラン Ｃ６１１１゜０ キヤリアガス Ｈ２ 基板温度 ３０（１−４５ＣＩ Ｃ （＋ｉ、 ’ＡＤＭＺ ３ＣＣ／ｍｉｎ
（−１０ｃ）≠ 励 例 ７ ＺｎＯ 反応剤 （Ｃｔｌｓ）２Ｚｎ テトラヒドロフラン ＣｄＩＢＩ−１ キヤリアガス Ｉ（。
基板ＩＭｇ ３５０−４０（ｉ Ｃ流 ％
’（ＤＭＺ ５ｃＣ／ｒｎｉｎ（−１０Ｕ）
’（ＤＭＺ ５ｃＣ／ｒｎｉｎ（−１０Ｕ）
第１図はＩＶＩＯＣＶＩ）装置の説明図、及び第２図及
び第３図は本発明に従って形成された層を含む箱場発光
デバイスの概略横断■１１図である。 １０・・・蒸気流、 １１・・・反Ｌ［、・室、１３
、２０．３４・・・基板、１４・・ザセプタブロック、
１５・・・コ イ ル、 １６・・・壁、２１．３３
・・・４′市フイルム、２２．３０・・・中長４晃光フ
ィルム、 ２３・・・由、 ｌＸ ｆｆｉ制
御Ｉ曽、２４．３５・・・金ｊ會化層、３］、３２・・
・絶縁部電体層。 ＋１．ｊＬＡ ５（”＋７ン 村 ）こ第１頁の
続き （５）υＩｎｔ、 Ｃ１，３識別記号 庁内整理番
号Ｃ０１Ｇ ２８１００ ７２０
２−４Ｇ３０１００ ７２０２−
４ Ｇ・７■発 明 者 リチャード・ジョン・モステ
ィン・グリフイス イギリス国ウスター・ロウア・ ウィック・ウェストマウント・ クローズ２ （Ｃ発 明 者 ピータ−・ジョン・ライトイギリス国
ウスター・ロウア・ ウィック・カランビア・ドライ ヴ２３ ０１１（１巳〕εｓ＋ｒｒｉｓ旧′（１１特許庁長官
若 杉 和 夫 殿 ２、弁明の名称 照機薄膜の製法 Ｊ） 補止をりる者 事１′１どの関係 Ｑｉｊπ［出願人名 称 イ
ー１リスＩＪＪ
び第３図は本発明に従って形成された層を含む箱場発光
デバイスの概略横断■１１図である。 １０・・・蒸気流、 １１・・・反Ｌ［、・室、１３
、２０．３４・・・基板、１４・・ザセプタブロック、
１５・・・コ イ ル、 １６・・・壁、２１．３３
・・・４′市フイルム、２２．３０・・・中長４晃光フ
ィルム、 ２３・・・由、 ｌＸ ｆｆｉ制
御Ｉ曽、２４．３５・・・金ｊ會化層、３］、３２・・
・絶縁部電体層。 ＋１．ｊＬＡ ５（”＋７ン 村 ）こ第１頁の
続き （５）υＩｎｔ、 Ｃ１，３識別記号 庁内整理番
号Ｃ０１Ｇ ２８１００ ７２０
２−４Ｇ３０１００ ７２０２−
４ Ｇ・７■発 明 者 リチャード・ジョン・モステ
ィン・グリフイス イギリス国ウスター・ロウア・ ウィック・ウェストマウント・ クローズ２ （Ｃ発 明 者 ピータ−・ジョン・ライトイギリス国
ウスター・ロウア・ ウィック・カランビア・ドライ ヴ２３ ０１１（１巳〕εｓ＋ｒｒｉｓ旧′（１１特許庁長官
若 杉 和 夫 殿 ２、弁明の名称 照機薄膜の製法 Ｊ） 補止をりる者 事１′１どの関係 Ｑｉｊπ［出願人名 称 イ
ー１リスＩＪＪ
Claims (5)
- （１）少なくとも部分的に有機金属化合物と、Ｖ族また
は■族元素を含む有機化合物との混合蒸気から構成され
る蒸気流を生成する段階と、金属とＶ族または■族元素
とを構成成分とする無機薄膜を析出させるべく前記有機
金属及び有機化合物を反応分解させるために、加熱した
基板上に前記蒸気流を通す段階とを含み、 前記有機化合物は複素環式化合物であることを特徴とす
る無機薄膜の製法。 - （２）前記有機金属化合物が１１族またはＩＩＩ族元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
方法。 - （３）前記蒸気流は、３元以上のオーダの化合物を析出
するために少なくとも部分的に３種以上の蒸気の混合物
から構成されることを特徴とする特許請求の範囲第２項
に記載の方法。 - （４）前記混合蒸気は、他のフィルム成分と共析出され
るときフイルムドーノぐントを構成するのに適した蒸気
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第２項または第
３項に記載の方法。 - （５）前記複素環式有機化合物は、脂肪族環式化合物、
例えば環式アミン、環式アルシン、環式スチビン、環式
エーテル、環式チオエーテル、環式セレノエーテルまた
は環式テルロエーテルであることを特徴とする特許ａ青
水の範囲第１項乃例工ばアルソール、フォスフオール、
スチポール、ビロール、フラン、チオフェン、セレノフ
ェンまたはテルロフェンであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項乃至第４項のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8229830 | 1982-10-19 | ||
| GB8229830 | 1982-10-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992905A true JPS5992905A (ja) | 1984-05-29 |
Family
ID=10533690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195153A Pending JPS5992905A (ja) | 1982-10-19 | 1983-10-18 | 無機薄質の製法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4509997A (ja) |
| EP (1) | EP0106537B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5992905A (ja) |
| CA (1) | CA1212873A (ja) |
| DE (1) | DE3379059D1 (ja) |
| GB (1) | GB2130189B (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60215596A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機金属熱分解気相エピタキシヤル成長法 |
| GB8428032D0 (en) * | 1984-11-06 | 1984-12-12 | Secr Defence | Growth of crystalline layers |
| US4594264A (en) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Hughes Aircraft Company | Method for forming gallium arsenide from thin solid films of gallium-arsenic complexes |
| US5178904A (en) * | 1985-02-16 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film from a group II through group VI metal hydrocarbon compound |
| US4772486A (en) * | 1985-02-18 | 1988-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a deposited film |
| JPS61260622A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Res Dev Corp Of Japan | ＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法 |
| JPS62101026A (ja) * | 1985-10-26 | 1987-05-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 不純物拡散源 |
| JP2566914B2 (ja) * | 1985-12-28 | 1996-12-25 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体素子及びその形成法 |
| US4920068A (en) * | 1986-04-02 | 1990-04-24 | American Cyanamid Company | Metalorganic vapor phase epitaxial growth of group II-VI semiconductor materials |
| US4828938A (en) * | 1986-04-11 | 1989-05-09 | Hughes Aircraft Company | Method for depositing materials containing tellurium and product |
| GB8609190D0 (en) * | 1986-04-15 | 1986-05-21 | British Telecomm | Semiconductor devices |
| US4886683A (en) * | 1986-06-20 | 1989-12-12 | Raytheon Company | Low temperature metalorganic chemical vapor depostion growth of group II-VI semiconductor materials |
| DE3631469A1 (de) * | 1986-09-16 | 1988-03-17 | Merck Patent Gmbh | Metallorganische verbindungen |
| US4728581A (en) * | 1986-10-14 | 1988-03-01 | Rca Corporation | Electroluminescent device and a method of making same |
| US5204283A (en) * | 1986-12-12 | 1993-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of growth II-VI semiconducting compounds |
| US4804638A (en) * | 1986-12-18 | 1989-02-14 | Raytheon Company | Metalorganic chemical vapor deposition growth of Group II-IV semiconductor materials having improved compositional uniformity |
| CA1319587C (en) * | 1986-12-18 | 1993-06-29 | William Hoke | Metalorganic chemical vapor depositing growth of group ii-vi semiconductor materials having improved compositional uniformity |
| US5047565A (en) * | 1987-10-14 | 1991-09-10 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Mononuclear and multinuclear phosphido, arsenido, and stibido complexes of aluminum, gallium and indium |
| EP0331448A3 (en) * | 1988-02-29 | 1990-10-31 | National Research Development Corporation | Forming aluminium nitride films |
| US4904337A (en) * | 1988-06-06 | 1990-02-27 | Raytheon Company | Photo-enhanced pyrolytic MOCVD growth of group II-VI materials |
| GB8821116D0 (en) * | 1988-09-08 | 1989-11-08 | Barr & Stroud Ltd | Infra-red transmitting optical components and optical coatings therefor |
| US4999223A (en) * | 1990-02-22 | 1991-03-12 | Cvd Incorporated | Chemical vapor deposition and chemicals with diarsines and polyarsines |
| JP2686859B2 (ja) * | 1991-04-18 | 1997-12-08 | 国際電信電話株式会社 | ｎ形のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を結晶成長する方法 |
| JP3263964B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2002-03-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置形成用結晶とその製造方法 |
| JP3395318B2 (ja) * | 1994-01-07 | 2003-04-14 | 住友化学工業株式会社 | ３−５族化合物半導体結晶の成長方法 |
| AUPO663597A0 (en) * | 1997-05-06 | 1997-05-29 | Unisearch Limited | Fabrication of zinc oxide films in non-planar substrates and the use thereof |
| US6743473B1 (en) * | 2000-02-16 | 2004-06-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of barriers from novel precursors |
| US6587097B1 (en) | 2000-11-28 | 2003-07-01 | 3M Innovative Properties Co. | Display system |
| CN110606502A (zh) * | 2019-10-16 | 2019-12-24 | 江苏巨珩新材料科技有限公司 | 一种具有光催化协同效应的自清洁表面的制备方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3492175A (en) * | 1965-12-17 | 1970-01-27 | Texas Instruments Inc | Method of doping semiconductor material |
| US3462323A (en) * | 1966-12-05 | 1969-08-19 | Monsanto Co | Process for the preparation of compound semiconductors |
| US3637320A (en) * | 1968-12-31 | 1972-01-25 | Texas Instruments Inc | Coating for assembly of parts |
| US4368098A (en) * | 1969-10-01 | 1983-01-11 | Rockwell International Corporation | Epitaxial composite and method of making |
| US3922475A (en) * | 1970-06-22 | 1975-11-25 | Rockwell International Corp | Process for producing nitride films |
| US4066481A (en) * | 1974-11-11 | 1978-01-03 | Rockwell International Corporation | Metalorganic chemical vapor deposition of IVA-IVA compounds and composite |
| US4214926A (en) * | 1976-07-02 | 1980-07-29 | Tdk Electronics Co., Ltd. | Method of doping IIb or VIb group elements into a boron phosphide semiconductor |
| GB1600283A (en) * | 1977-07-05 | 1981-10-14 | Biomechanics Ltd | Apparatus for anaerobic digestion of biodegradable waste material |
| GB1600286A (en) * | 1977-07-19 | 1981-10-14 | Secr Defence | Doping of group iii-v semiconductor materials |
| FR2403646A1 (fr) * | 1977-09-16 | 1979-04-13 | Anvar | Procede de realisation d'un depot de compose semi-conducteur d'elements iii et v |
| US4247359A (en) * | 1978-10-30 | 1981-01-27 | Honeywell Inc. | Preparation of epitaxial rare earth thin films |
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