JPS5994423A - エッチング終点判定方法 - Google Patents
エッチング終点判定方法Info
- Publication number
- JPS5994423A JPS5994423A JP57203666A JP20366682A JPS5994423A JP S5994423 A JPS5994423 A JP S5994423A JP 57203666 A JP57203666 A JP 57203666A JP 20366682 A JP20366682 A JP 20366682A JP S5994423 A JPS5994423 A JP S5994423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- etching
- end point
- time
- reaction time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、エツチング終点判定方法に係り、特にドライ
プロセスにてエツチング処理されるウェハのエツチング
終点を判定するのに好適なエツチング終点判定方法に関
するものである。
プロセスにてエツチング処理されるウェハのエツチング
終点を判定するのに好適なエツチング終点判定方法に関
するものである。
ドライプロセスにてエツチング処理されるウェハのエツ
チング反応（以下、反応と略）中にプラズマから照射さ
れるプラズマ光には、反応期間中のみ光量が特徴的に変
化するプラズマ光（以下、特定光と略）がある。この特
定光の光量は、反応の量に比例し、また、反応の時間的
進行を反映する。例えば、特定光の内、反応生成物に対
応した特定光（以下、反応生成物光と略）の光量は、反
応の開始とともに急増し短時間で定常状態に達した後に
、反応の終了とともに急減して定常状態となる。
チング反応（以下、反応と略）中にプラズマから照射さ
れるプラズマ光には、反応期間中のみ光量が特徴的に変
化するプラズマ光（以下、特定光と略）がある。この特
定光の光量は、反応の量に比例し、また、反応の時間的
進行を反映する。例えば、特定光の内、反応生成物に対
応した特定光（以下、反応生成物光と略）の光量は、反
応の開始とともに急増し短時間で定常状態に達した後に
、反応の終了とともに急減して定常状態となる。
そこで、現在、このような現象に着目し、特定光の光量
の変化によりエツチング終点含判定しようとするエツチ
ング終点判定方法が提案されている。
の変化によりエツチング終点含判定しようとするエツチ
ング終点判定方法が提案されている。
つまり、特定光の光量と反応時間の函数の１次微分値の
値に所定のレベルを設け、このレベルに１次微分値が達
した時点をもってエツチング終点と判定するものである
。
値に所定のレベルを設け、このレベルに１次微分値が達
した時点をもってエツチング終点と判定するものである
。
このようなエツチング終点判定方法では、反応時間に対
する特定光の光量の変化パターンが上記したようなパタ
ーンを示す場合は、エツチング終点を良好に判定できる
が、しかし、次のような場合は、エツチング終点を良好
に判定できない。
する特定光の光量の変化パターンが上記したようなパタ
ーンを示す場合は、エツチング終点を良好に判定できる
が、しかし、次のような場合は、エツチング終点を良好
に判定できない。
つまり、ウェハのエツチング処理が行われるエツチング
室の内壁等には、エツチング処理を繰返し行うことで反
応生成物が付着する。この付着した反応生成物（以下、
付着物と略）の一部は、エツチング処理前およびエツチ
ング処理中にエツチング室の内壁等より剥離し、ウェハ
上に堆積するようになるためエツチング均一化が損われ
る。したがって、これを未然に防止する対策として、エ
ツチング室は、酸素ガスを用い高周波放電によりプラズ
マクリーニングされる。プラズマクリーニング後、ウェ
ハのエツチング処理を行えば、例えば、反応生成物光の
光量は、反応の開始とともに急増し、その後、反応時間
の経過とともに徐々に減少し反応の終了とともに急減し
て定常状態となる。
室の内壁等には、エツチング処理を繰返し行うことで反
応生成物が付着する。この付着した反応生成物（以下、
付着物と略）の一部は、エツチング処理前およびエツチ
ング処理中にエツチング室の内壁等より剥離し、ウェハ
上に堆積するようになるためエツチング均一化が損われ
る。したがって、これを未然に防止する対策として、エ
ツチング室は、酸素ガスを用い高周波放電によりプラズ
マクリーニングされる。プラズマクリーニング後、ウェ
ハのエツチング処理を行えば、例えば、反応生成物光の
光量は、反応の開始とともに急増し、その後、反応時間
の経過とともに徐々に減少し反応の終了とともに急減し
て定常状態となる。
反応時間に対する特定光の光量の変化パターンが、この
ようなパターンを示す場合は、反応途中の特定光の光量
と反応時間との函数の１次微分値が所定のレベルに達し
、この結果、反応途中において、エツチング終点と判定
されるといった欠点があった。
ようなパターンを示す場合は、反応途中の特定光の光量
と反応時間との函数の１次微分値が所定のレベルに達し
、この結果、反応途中において、エツチング終点と判定
されるといった欠点があった。
本発明の目的は、反応時間に対する特定光の光量の変化
パターンによらずエツチング終点を良好に判定できるエ
ツチング終点判定方法を提供することにある。
パターンによらずエツチング終点を良好に判定できるエ
ツチング終点判定方法を提供することにある。
未発明は、特定光の光量と反応時間との函数を２次微分
し、該微分値が予め設定されたレベルに達した時点でエ
ツチング終点を判定することを特徴とするもので、反応
時間に対する特定光の光量の変化パターンによらず、反
応終了時に対応する特定光の光量と反応時間との函数の
２次微分値のみがレベルに達するようにしたものである
。
し、該微分値が予め設定されたレベルに達した時点でエ
ツチング終点を判定することを特徴とするもので、反応
時間に対する特定光の光量の変化パターンによらず、反
応終了時に対応する特定光の光量と反応時間との函数の
２次微分値のみがレベルに達するようにしたものである
。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、エツチング室（図示省略）のプラズマクリーニ
ング直後の、例えば、反応生成物光の光Ｍ （ＯＬ ）
は、曲線ａのように反応の開始とともに急増し反応時間
（１）の経過とともに徐々に減少し、その後、反応の終
了とともに急減して定常状態となる。したがって、この
場合の反応生成物光の光景と反応時間との函数（ＯＬ／
ｌ）の２次微分値（ｄ”ＯＬ／ｄｔ”）は、曲線すのよ
うになる。つまり、ｃｌ ２０Ｌ／ｄ ｔ”は、反応開
始後、反応時間の経過とともに徐々に増加し、みる時間
でピーク値を示した後に減少彪始め、反応終了とともに
急減する。そコテ、コｃＤ ｄ２０Ｌ／ｄｔ２の急減過
程に対応し、かつ、反応途中のｄ２０Ｌ／ｄｔ’が達し
ない値のｄ２０Ｌ／ｄｔ”（図面では、Ｅ、）を予め設
定しておけば、反応終了とともに急減するｄ２ｏ、ｔ、
、’ｄｔ”のみがＢｊ に達しく図面では、Ａ点）この
結果、エツチング終点が良好に判定される。
ング直後の、例えば、反応生成物光の光Ｍ （ＯＬ ）
は、曲線ａのように反応の開始とともに急増し反応時間
（１）の経過とともに徐々に減少し、その後、反応の終
了とともに急減して定常状態となる。したがって、この
場合の反応生成物光の光景と反応時間との函数（ＯＬ／
ｌ）の２次微分値（ｄ”ＯＬ／ｄｔ”）は、曲線すのよ
うになる。つまり、ｃｌ ２０Ｌ／ｄ ｔ”は、反応開
始後、反応時間の経過とともに徐々に増加し、みる時間
でピーク値を示した後に減少彪始め、反応終了とともに
急減する。そコテ、コｃＤ ｄ２０Ｌ／ｄｔ２の急減過
程に対応し、かつ、反応途中のｄ２０Ｌ／ｄｔ’が達し
ない値のｄ２０Ｌ／ｄｔ”（図面では、Ｅ、）を予め設
定しておけば、反応終了とともに急減するｄ２ｏ、ｔ、
、’ｄｔ”のみがＢｊ に達しく図面では、Ａ点）この
結果、エツチング終点が良好に判定される。
なお、反応生成物光の光量が、反応開始とともに急増し
、短時間で定常状態に達した後に、反応の終了とともに
急減して定常状態となるパターンを示す場合でもｄ”Ｏ
Ｌ／ｄｔ”によりエツチング終点は良好に判定される。
、短時間で定常状態に達した後に、反応の終了とともに
急減して定常状態となるパターンを示す場合でもｄ”Ｏ
Ｌ／ｄｔ”によりエツチング終点は良好に判定される。
本発明は、以上説明したように、特定光の光量と反応時
間との函数を２次微分し、該微分値が予め設定されたレ
ベルに達した時点でエツチング終点を判定するというこ
とで、反応時間に対する特定光の光量の変化パターンに
よらず、反応終了時に対応する特定光の光量と反応時間
との函数の２次微分値のみが予め設定されたレベルに達
するので、反応時間に対する特定光の光量の変化パター
ンによらずエツチング終点を良好に判定できるという効
果がある。
間との函数を２次微分し、該微分値が予め設定されたレ
ベルに達した時点でエツチング終点を判定するというこ
とで、反応時間に対する特定光の光量の変化パターンに
よらず、反応終了時に対応する特定光の光量と反応時間
との函数の２次微分値のみが予め設定されたレベルに達
するので、反応時間に対する特定光の光量の変化パター
ンによらずエツチング終点を良好に判定できるという効
果がある。
図面は、本発明の一実施例を説明するもので、エツチン
グ室のプラズマクリーニング直後の反応生成物光の光量
と、反応生成物光の光量と反応時間との函数の２次微分
値と、反応時間との関係線図である。
グ室のプラズマクリーニング直後の反応生成物光の光量
と、反応生成物光の光量と反応時間との函数の２次微分
値と、反応時間との関係線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ドライプロセスにてエツチング処理されるウェハの
エツチング終点を判定する方法において、エツチング反
応期間中のみ光量が特徴的に変化するプラズマ光の光量
と工・ツチング反応時間との函数を２次微分し、該微分
値が予め設定されたレベルに達した時点で工・ノチング
終点を判定することを特徴とするエツチング終点判定方
法。 ２、反応終了時の前記２次微分値に対応し、かつ、反応
途中の２次微分値が達しない値を前記レベルとする特許
請求の範囲第１項記載のエツチング終点判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203666A JPS5994423A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | エッチング終点判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203666A JPS5994423A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | エッチング終点判定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994423A true JPS5994423A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16477836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57203666A Pending JPS5994423A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | エッチング終点判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994423A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254732A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPH01235336A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定装置 |
| JPH01241127A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPH0497522A (ja) * | 1990-08-15 | 1992-03-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点検出方法 |
| GB2351349A (en) * | 1999-06-21 | 2000-12-27 | Nec Corp | Adaptive plasma etching end-point detection |
| US6207008B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-03-27 | Ricoh Company, Ltd. | Dry etching endpoint detection system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421711A (en) * | 1977-07-19 | 1979-02-19 | Toshiba Corp | Track part working method of magnetic heads |
| JPS56115536A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Detecting method for finish time of dry etching reaction |
-
1982
- 1982-11-22 JP JP57203666A patent/JPS5994423A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421711A (en) * | 1977-07-19 | 1979-02-19 | Toshiba Corp | Track part working method of magnetic heads |
| JPS56115536A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Detecting method for finish time of dry etching reaction |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254732A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPH01235336A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定装置 |
| JPH01241127A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPH0497522A (ja) * | 1990-08-15 | 1992-03-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点検出方法 |
| US6207008B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-03-27 | Ricoh Company, Ltd. | Dry etching endpoint detection system |
| US6514375B2 (en) | 1997-12-15 | 2003-02-04 | Ricoh Company, Ltd. | Dry etching endpoint detection system |
| GB2351349A (en) * | 1999-06-21 | 2000-12-27 | Nec Corp | Adaptive plasma etching end-point detection |
| GB2351349B (en) * | 1999-06-21 | 2001-09-19 | Nec Corp | Method for detecting an end point of etching in a plasma-enhanced etching process |
| US6537460B1 (en) | 1999-06-21 | 2003-03-25 | Nec Corporation | Method for detecting an end point of etching in a plasma-enhanced etching process |
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