JPS5994430A - ダイボンデイング装置 - Google Patents
ダイボンデイング装置Info
- Publication number
- JPS5994430A JPS5994430A JP57203120A JP20312082A JPS5994430A JP S5994430 A JPS5994430 A JP S5994430A JP 57203120 A JP57203120 A JP 57203120A JP 20312082 A JP20312082 A JP 20312082A JP S5994430 A JPS5994430 A JP S5994430A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- reflected
- junction
- heated
- scan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイボンディング装置、特にIC5LSI等の
半導体チップをリードフレーム上に固層するダイボンデ
ィング装置に関するものである。
半導体チップをリードフレーム上に固層するダイボンデ
ィング装置に関するものである。
この種のダイボンディング装置として従来第1図に示す
ものが提案されている。
ものが提案されている。
すなわち、第1図中、10はIC,LSI等の半導体テ
ップ12を整列して載置したチップトレイ、14iif
ツブ)L/−110をXY7−−プル16上に移送する
トレイローダ、18はダイボンディングヘッド20を有
するダイボンダであって、ダイボンディングヘッド20
はXYテーブル16に載置されたチップトレイ10から
半導体チップ12を真壁吸着してリードフレーム22上
の所定位置に移動させる。
ップ12を整列して載置したチップトレイ、14iif
ツブ)L/−110をXY7−−プル16上に移送する
トレイローダ、18はダイボンディングヘッド20を有
するダイボンダであって、ダイボンディングヘッド20
はXYテーブル16に載置されたチップトレイ10から
半導体チップ12を真壁吸着してリードフレーム22上
の所定位置に移動させる。
24はリードフレーム22を搬入・搬出するリードフレ
ームフィーダ、26はXYテーブル16上の半導体チッ
プ12を照射する照明装置、28は半導体チップ12の
形状及び位置検査を行うためのITVカメラ、30はカ
メラ28の映像信号を処理するビデオ信号処理回路、3
2はインターフェース回路、34は制御相ミニコンピユ
ータである。
ームフィーダ、26はXYテーブル16上の半導体チッ
プ12を照射する照明装置、28は半導体チップ12の
形状及び位置検査を行うためのITVカメラ、30はカ
メラ28の映像信号を処理するビデオ信号処理回路、3
2はインターフェース回路、34は制御相ミニコンピユ
ータである。
次に以上の従来装置の動作を説明する。半導体チップ1
2は予めテップトレイ10中に整列されて収納されてお
シ、このトレイ10がトレイローダ14によってXYテ
ーブル16上に移動される。
2は予めテップトレイ10中に整列されて収納されてお
シ、このトレイ10がトレイローダ14によってXYテ
ーブル16上に移動される。
このXYテーブル16上に載置された半導体テップ12
は照明装置26によって照明され、■TVカメラ28に
よって撮像されてビデオ処理回路30で良品が選別され
る。続いて選別された良品半導体チップ12はボンディ
ングヘッド20によって真空吸着され、熱板上で所定の
温度に加熱されているり−)”7レーム22のボンディ
ング位置まで搬送されて融着される。融着完了後リード
フレーム22がフレームフィーダ24で搬出されると共
に新たなリードフレーム22が搬入され上記のボンディ
ング動作が繰シ返えされる。なお、通常複数のダイボン
ダがミニコンピユータ34によって群管理されダイボン
ド工程が全自動化されている。
は照明装置26によって照明され、■TVカメラ28に
よって撮像されてビデオ処理回路30で良品が選別され
る。続いて選別された良品半導体チップ12はボンディ
ングヘッド20によって真空吸着され、熱板上で所定の
温度に加熱されているり−)”7レーム22のボンディ
ング位置まで搬送されて融着される。融着完了後リード
フレーム22がフレームフィーダ24で搬出されると共
に新たなリードフレーム22が搬入され上記のボンディ
ング動作が繰シ返えされる。なお、通常複数のダイボン
ダがミニコンピユータ34によって群管理されダイボン
ド工程が全自動化されている。
以上の従来装置によると、リードフレーム22の加熱に
熱板を使用しているので、リードフレーム22のボンデ
ィングエリア以外の部分も加熱され熱の利用効率が低い
と共に融着部で発生するガスがボイド形成の原因となシ
、安定なボンディング状態が得られない欠点を有してい
た。
熱板を使用しているので、リードフレーム22のボンデ
ィングエリア以外の部分も加熱され熱の利用効率が低い
と共に融着部で発生するガスがボイド形成の原因となシ
、安定なボンディング状態が得られない欠点を有してい
た。
本発明は前述した従来の課題に鑑み為されたものであり
、その目的はリードフレームと半導体チップとの接合に
あたシ、必要なボンディングエリアのみをレーザビーム
で瞬時に走査加熱するととによって前記従来装置の欠点
を一掃し得るダイボンディング装置を徒供することにあ
る。
、その目的はリードフレームと半導体チップとの接合に
あたシ、必要なボンディングエリアのみをレーザビーム
で瞬時に走査加熱するととによって前記従来装置の欠点
を一掃し得るダイボンディング装置を徒供することにあ
る。
上記目的を達成するために、本発明は、IC。
LSI等の半4に体チップをリードフレーム上に固層す
るダイボンディングm f4<において、上記リードフ
レームのボンディングエリア内を、レーザビームを走査
させることによって加熱した後上記半辱体チップを融着
させるようにしたことを特徴とする。
るダイボンディングm f4<において、上記リードフ
レームのボンディングエリア内を、レーザビームを走査
させることによって加熱した後上記半辱体チップを融着
させるようにしたことを特徴とする。
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する
。
。
第2図は本発明装置の一実施例を示す栴成図であって、
第1図との対応部分には同一符号を付しその詳酬説uA
は省略する。
第1図との対応部分には同一符号を付しその詳酬説uA
は省略する。
図中、36tdXYテーブル全兼用したフレームフィー
ダであって、リードフレーム22を載置した状態でこの
フレーム22を後述するシー−+1ビーム40の振動方
向と直角に移動させる。
ダであって、リードフレーム22を載置した状態でこの
フレーム22を後述するシー−+1ビーム40の振動方
向と直角に移動させる。
38はレーザビーム4oを発生さぜるレーザ発振器、4
2はレーザビ−ム4oを略直角に反射させるベンダーミ
ラー、44はミラー42で反射されたレーザビーム40
を集光する集光レンズ、46は集光レンズ44で集光さ
れたレーザビームを紙面と直交する方向に振動させる先
走食用ベンダーミラー、48は光走査用ベンダーミラー
46を揺動させる駆動機構である。
2はレーザビ−ム4oを略直角に反射させるベンダーミ
ラー、44はミラー42で反射されたレーザビーム40
を集光する集光レンズ、46は集光レンズ44で集光さ
れたレーザビームを紙面と直交する方向に振動させる先
走食用ベンダーミラー、48は光走査用ベンダーミラー
46を揺動させる駆動機構である。
以上が本発明装置の一例構成であるが、次にその動作を
説明する。
説明する。
半41体チップ12をXYテーブル16上に載置し、良
品の半導体チップ12をリードフレーム22上に搬送す
るまでの動作については従来装置と同様であるので省略
する。本発明においては、リードフレーム22を加熱す
るに際し、レーザ発振器38から出射されるレーザビー
ム40はベンダーミラー42で反射され集光レンズ44
に導入される。集ブLレンズ44による集光進中のレー
ザビーム40は、!S動機構48によって揺動駆動され
た光走査用ベンダーミラー46で反射され、リードフレ
ーム22上で第2図でみて紙面と直交する方向に振動さ
れる。これと同時にリードフレーム22がフレームフィ
ーダ36のXYテーブルによってビーム振動方向と直角
に移動され、リードフレーム22の所望のボンディング
エリア50が走査加熱され、加熱終了後ボンディングヘ
ッド20によって半導体チップ12が持ち来たされて融
着される。
品の半導体チップ12をリードフレーム22上に搬送す
るまでの動作については従来装置と同様であるので省略
する。本発明においては、リードフレーム22を加熱す
るに際し、レーザ発振器38から出射されるレーザビー
ム40はベンダーミラー42で反射され集光レンズ44
に導入される。集ブLレンズ44による集光進中のレー
ザビーム40は、!S動機構48によって揺動駆動され
た光走査用ベンダーミラー46で反射され、リードフレ
ーム22上で第2図でみて紙面と直交する方向に振動さ
れる。これと同時にリードフレーム22がフレームフィ
ーダ36のXYテーブルによってビーム振動方向と直角
に移動され、リードフレーム22の所望のボンディング
エリア50が走査加熱され、加熱終了後ボンディングヘ
ッド20によって半導体チップ12が持ち来たされて融
着される。
なお、上記実施例においては、リードフレーム22のボ
ンディングエリアを加熱するに際し、レーザビーム40
を所要幅で振動させかつリードフレーム22をビーム振
動方向と直角に移動させて走査するようにした場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、例え
は第3図(b)に示すようにレーザビーム40を円柱レ
ンズ52によって直線上に集光し、かつそれと直角の方
向にリードフレーム22を移動させるようにしても良く
、また第3図(C)に示す如く、レーザビーム40を円
柱レンズ52に入射させた後、一方向に回転駆動される
光走査用ベンダーミラー46で反射させてリードフレー
ム22上を帯状に走査するようにしても良い。
ンディングエリアを加熱するに際し、レーザビーム40
を所要幅で振動させかつリードフレーム22をビーム振
動方向と直角に移動させて走査するようにした場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、例え
は第3図(b)に示すようにレーザビーム40を円柱レ
ンズ52によって直線上に集光し、かつそれと直角の方
向にリードフレーム22を移動させるようにしても良く
、また第3図(C)に示す如く、レーザビーム40を円
柱レンズ52に入射させた後、一方向に回転駆動される
光走査用ベンダーミラー46で反射させてリードフレー
ム22上を帯状に走査するようにしても良い。
以上のように不発明によ扛ば、リードフレームの必要な
ボンディングエリアのみをレーザビームによって瞬時に
加熱することができるので、熱のAI」用効率を向上沁
ぜ得ると共にレーザビームが走査されるので、凝固に時
間差を生じて溶融時に発生ずるガスが走査方向に押し出
され、ボイドの発生原因となるガスのトラップが少なく
なり安定なボンディング状Jルが仙られる等の優れた効
果を有する。
ボンディングエリアのみをレーザビームによって瞬時に
加熱することができるので、熱のAI」用効率を向上沁
ぜ得ると共にレーザビームが走査されるので、凝固に時
間差を生じて溶融時に発生ずるガスが走査方向に押し出
され、ボイドの発生原因となるガスのトラップが少なく
なり安定なボンディング状Jルが仙られる等の優れた効
果を有する。
4、 図1イIjのiil′j単な説明第1Iざ1は従
来装置を示す構成図、第2図は不発明装置i’:+’、
の一実施例を示すイiり成因、第3図(a)〜(C)
?−1″レーザビームの走置方法を示す図である。
来装置を示す構成図、第2図は不発明装置i’:+’、
の一実施例を示すイiり成因、第3図(a)〜(C)
?−1″レーザビームの走置方法を示す図である。
各図中、同一部イ3には同一符号を伺し、1oはチップ
トレイ、12は半礎体チップ、18はダイボング、20
けボンディングヘッド、22はリードフレーム、36は
リードフレームツイータ、38はレーザ元」辰γ計、4
2はベンダーミラー、44は集光レンズ、46は先走有
用ベンダーミラー、48は駆動(羨(’+L 50は
ボンディングエリア、52は円柱レンズである。
トレイ、12は半礎体チップ、18はダイボング、20
けボンディングヘッド、22はリードフレーム、36は
リードフレームツイータ、38はレーザ元」辰γ計、4
2はベンダーミラー、44は集光レンズ、46は先走有
用ベンダーミラー、48は駆動(羨(’+L 50は
ボンディングエリア、52は円柱レンズである。
代理人 弁理士 葛 丹 信 −(ほか1名)
第1図
第2図
(0)第
(c)
2
3図
(b)
Claims (1)
- (1)IC,LSI等の半導体チップをリードフレーム
上に固着するダイボンディング装置において、上記リー
ドフレームのボンディングエリア内を、レーザビームを
走査させることによって加熱した後上記半導体チップを
融層させるようにしたことを特徴とするダイボンディン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203120A JPS5994430A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ダイボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203120A JPS5994430A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ダイボンデイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994430A true JPS5994430A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16468727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57203120A Pending JPS5994430A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ダイボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994430A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127633U (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-11 |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57203120A patent/JPS5994430A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127633U (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-11 |
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