JPS5994476A - 光結合半導体装置 - Google Patents

光結合半導体装置

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Publication number
JPS5994476A
JPS5994476A JP58186411A JP18641183A JPS5994476A JP S5994476 A JPS5994476 A JP S5994476A JP 58186411 A JP58186411 A JP 58186411A JP 18641183 A JP18641183 A JP 18641183A JP S5994476 A JPS5994476 A JP S5994476A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
photocoupler
phototransistor
base
capacitance
Prior art date
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Granted
Application number
JP58186411A
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English (en)
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JPS6329428B2 (ja
Inventor
Toshibumi Yoshikawa
俊文 吉川
Hisao Nagao
長尾　久夫
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS5994476A publication Critical patent/JPS5994476A/ja
Publication of JPS6329428B2 publication Critical patent/JPS6329428B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は発光ダイオードとホトトランジスタを１つのパ
ッケージに封入してなるホトカプラに関する。
〈従来技術〉 ホトカプラにおいて、発光ダイオードとホトトランジス
タ間に急峻なパルス電圧が掛かると、ホトトランジスタ
が誤動作する現象はよく知られている。これは、発光ダ
イオードとホトトランジスタ間の容量による静電カップ
リングによるものである。
第１図傾従来のホトトランジスタ側の構造を、第２図に
ホトカプラの等価回路を示す。
発光ダイオードＬＥＤとホトトランジスタ間Ｔ間の容量
は、ホトトランジスタのＮ型コレクタ領域１の表面積に
比例する容量ＣａＰｃと、Ｐ＋型ベース領域２の表面積
に比例する容量ＣＧＰＢと、Ｎ＋型エミッタ領域３の表
面積に比例する容量Ｃａｐｇに分離できる。容量Ｃａｐ
ｃ、　ＣＧＰＢ、　Ｃａｐｚにおいて、最も重要なもの
はベース領域２の表面積に比例する容量ＣＧＦＢである
。なぜならば、容量ＣＧＰＢに対応する静電カンプリン
グがベース電流となり、ｈｐａ（一般にｈＦＥは１０〜
５０００）倍に増幅されるためである。
〈発明の目的〉 本発明は、このような容量ＣＧＦＢを減少して、静電カ
ップリングによる誤動作を防止した構造のホトカプラを
提供するものである。
〈実施例〉 第３図に本発明ホトカプラのホトトランジスタの構造例
を示す。Ｎ型コレクタ領域１、Ｐ＋型ベース領域２、Ｎ
　型エミツタ領域３０基本的構造は、第１図のものと同
じである。しかし、ここではベース領域２の主たる部分
を覆うように該嶺部にエミッタ領域３を形成している。
この結果、ベース領域２の表面積に比例する容量ＣＧＦ
Ｂは大幅に減少し、これに対応する静電カップリングに
よる影響は大幅に低減される。
また図示のように、アルミニウム等の金属層４ヲ、コレ
クタ・ベース接合５とエミッタ・ベース接合６上にそれ
ぞれはみ出すよう形成し、エミッタ電極７等を介してエ
ミッタ領域３に接続すると更に効果的である。この場合
、ベース電極８以外のベース領域２の表面は、すべて実
質的にエミッタ領域３及び上記金属層４でシールドされ
ることになる。又、必要ならば、ベース電極８も省略し
てよい。
なお、エミッタ領域３は薄く、コレクターベース接合５
における充電流生成にはほとんど影響の力いようにでき
る。もちろん、エミッタ電極７も充分小さく、ベース領
域３での受光作用に支障はない。また、本発明は、ＮＰ
ＮＰ構造を有するホトサイリスタ、ホトトライアックに
も適用できる。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、簡単な構造で、ホトカプ
ラにおける静電カップリングの影響を除去でき、急峻な
パルス電圧印加による誤動作をなくして有用なホトカプ
ラが提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のホトトランジスタ側構造を示す断面図、
第２図はホトカプラの静電カップリングを説明する等価
回路、第３図は本発明の一実施例におけるホトトランジ
スタ側構造を有す断面図である。 １・・・コレクタ領域、２・・・ベース領域、３・・・
エミッタ領域、ＬＥＤ・・・発光ダイオード、ＰＴ・・
・ホトトランジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、発光ダイオードとホトトランジスタを１つのパッケ
    ージに封入して橙るホトカプラにおいて、ホトトランジ
    スタのベース領域の主たる部分にエミッタ領域を形成し
    てなることを特徴とするホトカプラ。
JP58186411A 1983-10-03 1983-10-03 光結合半導体装置 Granted JPS5994476A (ja)

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JPS6329428B2 JPS6329428B2 (ja) 1988-06-14

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6195581A (ja) * 1984-10-16 1986-05-14 Toshiba Corp 光結合素子
JPH0575159A (ja) * 1991-09-18 1993-03-26 Nec Corp 光半導体装置
US5654559A (en) * 1993-09-23 1997-08-05 Siemens Aktiengesellschaft Optical coupling device and method for manufacturing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4871583A (ja) * 1971-12-27 1973-09-27

Patent Citations (1)

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