JPS5819030A - 光結合半導体装置 - Google Patents

光結合半導体装置

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Publication number
JPS5819030A
JPS5819030A JP56117434A JP11743481A JPS5819030A JP S5819030 A JPS5819030 A JP S5819030A JP 56117434 A JP56117434 A JP 56117434A JP 11743481 A JP11743481 A JP 11743481A JP S5819030 A JPS5819030 A JP S5819030A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
light
contact hole
conductive thin
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56117434A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Nagashima
永島　寿幸
Hiroaki Takasago
高砂　弘明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP56117434A priority Critical patent/JPS5819030A/ja
Publication of JPS5819030A publication Critical patent/JPS5819030A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
    • H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
    • H10F55/255—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
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    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
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    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 は、第１図に示す如く、発光素子２１とこれに透明樹脂
２２を介して対向して設けられた受光素子２ｊとを同一
／４Ｉツケーゾ２４内に封止した複合デバイスの１つで
ある。その入出力量ね、光で結合されていながらｔ気的
には完全に絶縁している。このためフォトカブ２は、中
央制御装瞥と外部周辺機器との入出力インターフェイス
として幅広く使用されている。しかしながら、第２図に
示す光結合半導体装置の回路を構成する受光素子２１と
発光素子２３の両者の接地間（Ａ−Ｂ）に、ある周波数
を持った同相の雑音電圧を生じることがある。雑音電圧
は、入力信号に対する雑音信号として信号処理回路へ入
力され、システム誤動作を起こすことが多い。つまシ、
雑音電圧の動的な変化率（ｄｖ／ｄｔ　）によシ、フオ
イカプラの入出方間浮遊容量Ｃ６を介して充電電流１（
（＝Ｃ［１ｘｄｖ／ｄｔ）が受光素子２１のペース部へ
流入し、電流増幅率ｈＦＥ倍されてコレクター電流■。
−（ｈｒｉ　（Ｉλ＋ｆｆ１）＝■λ・ｂｆ、　十ＩＮ
　）の内に、ノイズ成分ＩＮが含まれ、入力信号が無く
とも（Ｉλ・ｂｒｔ　＝　Ｏ）、Ｉｏ＝ＩＮの形で信号
処理回路へ入力されるため、誤動作信号となる。
このような問題を解消するために、受光素子２１のペー
ス、と接地８間にバイパスコンデンサ２５を挿入する手
段が考えられているが、高速度の入力信号パルスを受け
る場合には、適さない欠点がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、高速度の
入力信号ノ４ルスを受信することができ、しかも雑音電
圧による誤動作の発生を阻止することができる光結合半
導体装置を提供するものである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第３図は、本発明の一実施例の平面図、第４図は、実施
例の断面図である。図中１は、Ｎ型の半導体基板である
。半導体基板１の所定領域には、その表面に形成された
酸化膜２をマスクにして形成された２個のＰ＋型のベー
ス層３ａ。
３ｂが設けられている。各々のベース層Ｊａ。
３ｂの所定領域には、を型のエミツタ層４ａ。
４ｂが形成されている。一方のエミツタ層４ａは、酸化
膜２に開口されたコンタクトホール２ａ内に形成された
配線体５によって増幅用の他方のトランジスタのベース
層３ｂにダーＩＪ　７トン接続されている。増幅用のト
ランジスタのエミツタ層４ｂには、酸化膜２に開口され
たコンタクトホール２ｂを介して取出配線電極６が形成
されている。酸化膜２、配線体５及び取出配線電極６の
表面には、Ｃ，Ｖ、Ｄ、　（ＣｈｅｍｌｃｏｌＶａｐｏ
ｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法等で形成された絶縁膜
７が設けられている。絶縁膜７には、取出配線電極６に
通じるコンタクトホール７ａが開口されている。また、
絶縁膜７上には、このジンタフ８がアルミニウム等で蒸
着法やスＡ？ツタクング法により形成されている。ベー
ス層３ａの上方の受光領域８ａに対応する部分の不透光
性導電性薄膜８は、除去されておシ絶縁膜７が露出して
いる。不透光性導電性薄膜８にはエミッタ接地されたポ
ンディング線９が形成されている。
このように組立てられた受光素子野により構成された光
結合半導体装置１１によれば、第５図に示す如く、受光
素子１０のベース層３ａと接地８間にバイパスコンデン
サ１２を挿入し、かつ入出力間に変換に支障のない電磁
スクリーン１３を不透光性導電性薄膜８０作用として形
成した回路を構成することができる。その結果、同相ノ
イズによる電流ｔ　（ｉ　＝　ＣＢＩ　Ｘ　ｄｖ／ｄｔ
　）を接地Ｂへ落すことができ、高速度の入力信号ｉ４
ルスを受信してしかも雑音電圧による誤動作の発生を阻
止することができる。
尚、実施例では、不透光性導電性薄膜８を取出配線電極
６に接続してがンディング線９によりエミッタ接地とし
たものについて説明したが、この他にも第７図に示す如
く、不透光性導電性薄膜８′と取出配線電極６′とを電
気的に分離し、不透光性導電性薄膜８をデンディング線
９′を介して所定の電位のアウターリード１４に接続す
るようにしても良い。なお、図中、実施例のものと同一
部分については、同一符号を付して説明している。
以上説明した如く、本発明に係る光結合半導体装置によ
れば、高速度の入力ｉｊルスを受信することができ、し
かも雑音電圧による誤動作の５− 発生を阻止できる等顕著な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の光結合半導体装置の断面図、第２図は
、同党結合半導体装置にバイパスコンデンサを設けたも
のの回路図、第３図は、本発明の一実施例の平面図、第
４図は、同実施例の断面図、第５図は、同実施例にバイ
パスコンデンサを設けたものの回路図、第６図は、本発
明の他の実施例の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３ａ、３ｂ・・
・ペースＪ１４ａ＃４ｂ・・・エミツタ層、５・・・配
線体、６　、６’・・・取出配線電極、７・・・絶縁膜
、８゜８′・・・不透光性導電性薄膜、９，９′・・・
デンディング線、１０　＝・・受光素子、仁！・・・光
結合先導体装置、１２・・・バイパスコンデンサ、１３
・・・電磁スクリーン。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦６−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所定の受光素子が形成された半導体基板と、前記受光素
    子の底面の所定領域に絶縁膜を介して形成され、かつ前
    記受光素子を構成する回路の所定領域の電位と同電位に
    設定された不透光性導電性薄膜とを具備することを特徴
    とする光結合半導体装置。
JP56117434A 1981-07-27 1981-07-27 光結合半導体装置 Pending JPS5819030A (ja)

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JP56117434A JPS5819030A (ja) 1981-07-27 1981-07-27 光結合半導体装置

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Cited By (3)

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