JPS59944A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59944A
JPS59944A JP57108531A JP10853182A JPS59944A JP S59944 A JPS59944 A JP S59944A JP 57108531 A JP57108531 A JP 57108531A JP 10853182 A JP10853182 A JP 10853182A JP S59944 A JPS59944 A JP S59944A
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JP
Japan
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heat
semiconductor substrate
semiconductor
conductive layer
semiconductor device
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JP57108531A
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English (en)
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JPS6312384B2 (ja
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Masayoshi Sasaki
佐々木　正義
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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Publication of JPS59944A publication Critical patent/JPS59944A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） この発明は、発熱をともなう半導体素子の放熱を有効に
除去することの出来る半導体装置に関する。
（背景技術とその問題点） 第１図は放熱対策を施こした従来の半導体装νの断面構
造図である。
１は半導体素子がその内部に形成された半導体基板、２
はデンディング用ワイア、３はノ４ツケージ、４は放熱
用冷却フィン（放熱器）である。半導体基板１０表面近
くの素子活性領域で発生した熱は、半導体基板１からパ
ッケージ３を経て冷却フィン４に導びかれ、そこで放熱
する。熱の流れを模式的に矢印で示す。しかし、このよ
うな従来の半導体装置では、素子の集積度が上昇し、発
熱量が増加すると放熱効率が悪化してしまうという欠点
があった。
（発明の目的） この発明の目的は、発熱量が増加しても効率的に放熱を
行うことの出来る半導体装置を提供するにある。
（発明の概要） この発明では、半導体素子が形成された半導体複数個積
層するように構成して上記目的を達成し、Ｊｋ、。
以下この発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
（発明の実施例） 第２図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
である。なお第１図に示したと同一部分は同一符号を付
して、説明を省略する。
半導体基板１の表面に密着して金属などの熱の良導体で
熱伝導層５を形成する。またこの熱伝導層５から熱を伝
導により・母ツケージ３に導びくために熱伝導ワイア６
が用いられる。
図中に矢印で示したように、半導体基板１で発生した熱
は、従来の熱伝導経路の外に熱伝導層５から熱伝導ワイ
ア６を経て、ノクツケージ３へと逃げる経路が付加され
ることになる。従がって熱はより効率的に外部の冷却フ
ィン４に導びかれる。
熱伝導の効率の差は半導体基板１が、５Ｏ８（５ｉｌｉ
ｃｏｎ　ｏｎ　５ａｐｐｈｉｒｅ　）などのように絶縁
体で構成されている場合にはいっそう明確になる。即ち
、半導体基板１から直接・母ツケージ３へと逃げる経路
の、放熱効率は半導体基板１の熱伝導率が小さいので非
常に小さい。
それに対し、熱伝導層５から熱伝導ワイア６をを薄くし
すぎると熱伝導率が小さくなって、放熱、効率が悪くな
シ、厚すぎると生産性が悪くなるので制御には気を付け
なくてはならない。好ましくはり、５〜２０μｍの範囲
に選択するのが良い。熱伝導層５とパッケージ３との接
続に用いられる熱伝導ワイア６の形成には、周知のワイ
アボンディング技術を用いれば良い。ワイア６の太さは
十分に熱伝導が可能な程度に出来るだけ太くしておく事
が望ましい。
第３図は、他の実施例を示した断面図で、第２図に示し
た半導体基板１を複数個積層した構造となっている。７
は半導体基板内に形成された半導体素子領域、８は素子
間を電気的に接続するアルミニウム等の配線層、９は積
層した半導体基板１の間に介在して互いを絶縁する絶縁
層である。
このような多層構造の半導体装置では、眉間に熱伝導層
５を設けて放熱を行うことがよシ一層有効である。多層
構造の場合には、素子の集積密度が高く、単位体積あた
シの発熱が大きい反面、多層間が熱伝導率の小さい絶縁
層９で分離されているためである。
率よく放熱するようにしたので、熱発生の大きい集積回
路や個別半導体素子および半導体レーザ等に利用して好
適な半導体装置を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の断面構造図、第２図はこの
発明の一実施例である半導体装置の断面構造図、第３図
は他の実施例の断面構造図である。 １・・・半導体基板、３・・・パッケージ、４・・・冷
却フィン、５・・・熱伝導層、６・・・熱伝導ワイア、
７・・・半導体素子領域、９・・・絶縁層。 特許出願人　工業技術院長　石　　坂　　誠　　−第２
図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体素子が形成された半導体基板の表面に密着
    して形成した熱伝導層と、この熱伝導層と放熱器とを熱
    伝導可能に接続する熱伝導ワイアとを有し、前記半導体
    基板を単独または複数個積層してなる半導体装置。
  2. （２）　　前記半導体基板の積層にあたシ絶縁層を介在
    せしめた事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
    の半導体装置。
JP57108531A 1982-06-25 1982-06-25 半導体装置 Granted JPS59944A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57108531A JPS59944A (ja) 1982-06-25 1982-06-25 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57108531A JPS59944A (ja) 1982-06-25 1982-06-25 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59944A true JPS59944A (ja) 1984-01-06
JPS6312384B2 JPS6312384B2 (ja) 1988-03-18

Family

ID=14487160

Family Applications (1)

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JP57108531A Granted JPS59944A (ja) 1982-06-25 1982-06-25 半導体装置

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JP (1) JPS59944A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4664971A (en) * 1981-12-30 1987-05-12 N.V. Bekaert S.A. Plastic article containing electrically conductive fibers
US4714953A (en) * 1986-05-12 1987-12-22 International Business Machines Corporation Welded wire cooling

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5784750U (ja) * 1980-11-14 1982-05-25

Patent Citations (1)

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US4714953A (en) * 1986-05-12 1987-12-22 International Business Machines Corporation Welded wire cooling

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JPS6312384B2 (ja) 1988-03-18

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