JPS5994884A - 光電変換装置の作製方法 - Google Patents
光電変換装置の作製方法Info
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- JPS5994884A JPS5994884A JP57206805A JP20680582A JPS5994884A JP S5994884 A JPS5994884 A JP S5994884A JP 57206805 A JP57206805 A JP 57206805A JP 20680582 A JP20680582 A JP 20680582A JP S5994884 A JPS5994884 A JP S5994884A
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- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor
- trimming
- photoelectric conversion
- light
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｐ工Ｎ接合を少なくとも１つ有するにて除去
することにより、光電変換装置（ＰＶＣ！という）とし
ての効率の向上を計ることを目的とする。
することにより、光電変換装置（ＰＶＣ！という）とし
ての効率の向上を計ることを目的とする。
本発明は、かかるレーザトリミングをＰＶＯの内部に設
けるとともに、このトリミングで生じた半導体表面を介
［７て再びリークが発生しないように、この半導体表面
士に窒化珪素膜または酸化珪素膜またはこれらの上面の
有機樹脂と（Ｃよりパッシベーション膜を形成させるこ
とを目的としている０ 詰 いう）を検出用に、可視光例えばＨｅ−Ｎθレーザ光の
照射を行ない、この不良置所がその表面の凹凸または異
物によシ散乱しやすいことを利用してこの散乱光を照射
光よシ斜方向に複数個つけられた光フアイバー検出子に
よりフォトセンサに導きり記憶し、一方は光ファイバー
よシの散乱信号検出用の７オトセンサ（０，８μ以上の
波長の赤外光に対するフィルターを設けている）をオフ
とし、さらにトリミング用レーザ（例えばＹＡＧレーザ
〕に信号を与えて、２０〜１００Ｉ一般には４０〜６０
ｐ”の円形のパルス光（波長約１μ）を照射して、上
面の第２の電極またはこの第２の電極とその下側の半導
体の一部を気化除去することにより、上下の第２、第１
の電極間でのショートまたはリークの存在を除去してし
まうことを目的とする。
けるとともに、このトリミングで生じた半導体表面を介
［７て再びリークが発生しないように、この半導体表面
士に窒化珪素膜または酸化珪素膜またはこれらの上面の
有機樹脂と（Ｃよりパッシベーション膜を形成させるこ
とを目的としている０ 詰 いう）を検出用に、可視光例えばＨｅ−Ｎθレーザ光の
照射を行ない、この不良置所がその表面の凹凸または異
物によシ散乱しやすいことを利用してこの散乱光を照射
光よシ斜方向に複数個つけられた光フアイバー検出子に
よりフォトセンサに導きり記憶し、一方は光ファイバー
よシの散乱信号検出用の７オトセンサ（０，８μ以上の
波長の赤外光に対するフィルターを設けている）をオフ
とし、さらにトリミング用レーザ（例えばＹＡＧレーザ
〕に信号を与えて、２０〜１００Ｉ一般には４０〜６０
ｐ”の円形のパルス光（波長約１μ）を照射して、上
面の第２の電極またはこの第２の電極とその下側の半導
体の一部を気化除去することにより、上下の第２、第１
の電極間でのショートまたはリークの存在を除去してし
まうことを目的とする。
従来光電変換装置とはその真性効率用面積が０．１〜５
％／ｃ ｍ”であったこともあシ、その製造歩留りに
はあまり大きな進歩がみられていなかった。
％／ｃ ｍ”であったこともあシ、その製造歩留りに
はあまり大きな進歩がみられていなかった。
しかし本発明人は、とのＰＶＯの１つのパネルが２０’
Ｘ４０ｃｍ”または２０Ｘ６０ＣｍＬと大きくすると、
この面積中に小さなピンホールが４ヶ以上、大きなピン
ホールが１ヶ以上あると、その部分でＰｖＣの開放電圧
の低下、さらＫまたは短絡電流がＩＪ−りによシ所定の
値を有さす、特にＦＦ（曲線因子）が一般の０．６〜０
．７３から０．２〜０．４になってしまうことに気がつ
いた。このように、かかるｐｖｃを調べた結果、ゴミ、
突起等の汚物または異物の付着により、上下の電極が互
いに電気的にショーが生じ、Ｐ■０パネルとしての所定
の特性を得ることができず、さらに前記した２ ０ ｃ
ｍ’″以上のパネルにあっては、その製造歩留シが２
０〜４０多しかなく９０チ以上を有さなければならない
製造ラインを全く満たしていない。結果として製品のコ
ストア体または上下の電極とその間の半導体を瞬時にし
て消去してしまうレーザトリミングを行なうことによシ
、結果として製造歩留シを向上Δせ、さらにその信頼性
を向上せしめることを目的としている０ 以下にその実施例を図面に従って説明する。
Ｘ４０ｃｍ”または２０Ｘ６０ＣｍＬと大きくすると、
この面積中に小さなピンホールが４ヶ以上、大きなピン
ホールが１ヶ以上あると、その部分でＰｖＣの開放電圧
の低下、さらＫまたは短絡電流がＩＪ−りによシ所定の
値を有さす、特にＦＦ（曲線因子）が一般の０．６〜０
．７３から０．２〜０．４になってしまうことに気がつ
いた。このように、かかるｐｖｃを調べた結果、ゴミ、
突起等の汚物または異物の付着により、上下の電極が互
いに電気的にショーが生じ、Ｐ■０パネルとしての所定
の特性を得ることができず、さらに前記した２ ０ ｃ
ｍ’″以上のパネルにあっては、その製造歩留シが２
０〜４０多しかなく９０チ以上を有さなければならない
製造ラインを全く満たしていない。結果として製品のコ
ストア体または上下の電極とその間の半導体を瞬時にし
て消去してしまうレーザトリミングを行なうことによシ
、結果として製造歩留シを向上Δせ、さらにその信頼性
を向上せしめることを目的としている０ 以下にその実施例を図面に従って説明する。
第１図は本発明に用いたレーザトリミング系の概要を示
す。
す。
第１図においてレーザトリミングをされる半導体（１）
は基板（２）、第１の電極（３）、Ｐ工Ｎ接合を少なく
とも１つ有する水素またはハロゲン元素が添加された非
単結晶半導体（４）例えばＰ型５ｉＸＯ＋−ｘ（０＜Ｘ
＜ １）−１型５ｉ−Ｎ型（μ（！−８ｉ）よりなる半
導体で０．４〜０．６μの厚さを有せしめている。さら
にこの上面に第２の電極（５）即ちＡｇ（５００〜２０
００λ） ＋Ａ１ （０，５μ）またはＩＴＯ（７００
〜１４００λ） ＋Ａｇ （５００〜２０００＾）十Ｎ
ｉ （１０００−４０００大）を設けたものである。こ
の被膜作製において、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（８）を照射
すると、この光電変換装置における０、１〜１０μの大
きさの異物がプロセス中またはプロセス前についている
と、この部分に半導体層または電極が形成されなくなっ
てしまう。即ち凹部をＦ（＃、’ してしまう。またこ
れらの異物が残存すると凸部を作シ、いずれも可視光に
対し散乱中心になってしまうこ置し、このこの散乱光を
フォトセンサで検出し、信号があった場合第１のマイク
ロコンピュータα１にてフォトセンサ（７）をオフとし
、さらに第２のマイクロコンピュータα４にで制御した
後、信号をＹＡＧレーザ（９）Ｋ与え、とのレーザより
トリミング光（１〜ＩＯＷ例えば５Ｗの出力）を与えて
ハーフミラ−（１０）を介しミラー０］）をへてトリミ
ングレーザ０■によシ３０〜５０ｐ＋の照射光により不
良すをえばＨｅ−ＮｅレーザまたはＡｒレーザ（８）に
より照た０ 第２図は第１図の工程をそのたて断面図をもつて示した
ものである。
は基板（２）、第１の電極（３）、Ｐ工Ｎ接合を少なく
とも１つ有する水素またはハロゲン元素が添加された非
単結晶半導体（４）例えばＰ型５ｉＸＯ＋−ｘ（０＜Ｘ
＜ １）−１型５ｉ−Ｎ型（μ（！−８ｉ）よりなる半
導体で０．４〜０．６μの厚さを有せしめている。さら
にこの上面に第２の電極（５）即ちＡｇ（５００〜２０
００λ） ＋Ａ１ （０，５μ）またはＩＴＯ（７００
〜１４００λ） ＋Ａｇ （５００〜２０００＾）十Ｎ
ｉ （１０００−４０００大）を設けたものである。こ
の被膜作製において、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（８）を照射
すると、この光電変換装置における０、１〜１０μの大
きさの異物がプロセス中またはプロセス前についている
と、この部分に半導体層または電極が形成されなくなっ
てしまう。即ち凹部をＦ（＃、’ してしまう。またこ
れらの異物が残存すると凸部を作シ、いずれも可視光に
対し散乱中心になってしまうこ置し、このこの散乱光を
フォトセンサで検出し、信号があった場合第１のマイク
ロコンピュータα１にてフォトセンサ（７）をオフとし
、さらに第２のマイクロコンピュータα４にで制御した
後、信号をＹＡＧレーザ（９）Ｋ与え、とのレーザより
トリミング光（１〜ＩＯＷ例えば５Ｗの出力）を与えて
ハーフミラ−（１０）を介しミラー０］）をへてトリミ
ングレーザ０■によシ３０〜５０ｐ＋の照射光により不
良すをえばＨｅ−ＮｅレーザまたはＡｒレーザ（８）に
より照た０ 第２図は第１図の工程をそのたて断面図をもつて示した
ものである。
た。ＰＶＣ！（１）は基板（２）上に透光性の第１の電
極（３）、非単結晶半導体（４）、第２の電極（例えば
半導体上Ｋ ＯＴＦさらにその上ＫＡｇを薄く形成した
ものを用いた。外部電極との接触用にその上ＫＮｉｉた
はＡＩ＋Ｎｉの多層膜を０．５〜１．５μ形成してもよ
い）（５）を設けている。
極（３）、非単結晶半導体（４）、第２の電極（例えば
半導体上Ｋ ＯＴＦさらにその上ＫＡｇを薄く形成した
ものを用いた。外部電極との接触用にその上ＫＮｉｉた
はＡＩ＋Ｎｉの多層膜を０．５〜１．５μ形成してもよ
い）（５）を設けている。
乱中心になっている。
かかる不良部所を可視光を走査し、その出力を検出し、
出力（電圧または０．５〜０．６■の電流値）ット（５
０μｍ）を照射し、第２図（Ｂ） Ｋ示す如く半導体お
よび上部の電極を蒸発せしめ除去した。
出力（電圧または０．５〜０．６■の電流値）ット（５
０μｍ）を照射し、第２図（Ｂ） Ｋ示す如く半導体お
よび上部の電極を蒸発せしめ除去した。
かくして半導体（４）はその側面または１表面（イ）が
露出する。
露出する。
この後この第２図（Ｂ）のＰＶＯ（１）をこの全面にわ
たって窒化珪素絶縁物Ｑ］）を５００〜２０００Ｈの厚
さにコーティングをしてパッシベーションＩＩ１作った
。これはプラズマ気相法によｐ ２００〜３５０°Ｃ代
表的には２８０°Ｃで形成させた。さらにこの上面にポ
リイミド樹脂を１〜３μの厚さにコーティングをして、
耐湿性の向上およびこのトリミング部でのＰＮ間での１
層側面でのリーク電流を防止した。
たって窒化珪素絶縁物Ｑ］）を５００〜２０００Ｈの厚
さにコーティングをしてパッシベーションＩＩ１作った
。これはプラズマ気相法によｐ ２００〜３５０°Ｃ代
表的には２８０°Ｃで形成させた。さらにこの上面にポ
リイミド樹脂を１〜３μの厚さにコーティングをして、
耐湿性の向上およびこのトリミング部でのＰＮ間での１
層側面でのリーク電流を防止した。
第２図において、レーザ光はαつの上側よシ行なった。
この半導体がステンレス基板上に形成されており、この
基板を第１の電極とし、その上面に非単結晶半導体を形
成し、さらにその上面に第２の電極を設けた場合は本発
明を適用することができる。
基板を第１の電極とし、その上面に非単結晶半導体を形
成し、さらにその上面に第２の電極を設けた場合は本発
明を適用することができる。
第３図はトリミング部での除去される領域を示したもの
である。
である。
第３図（Ａ）は半導体（４）は異物に対し第２の電極（
５）させても、第２の電極（５）のみを選択的に除去し
ている。さらにこの上面にパッシベーション膜Ｑ］）を
設けて、リークの発生、信頼性の低下を防いでいる０ 第３図（Ｂ）は第１、第２の電極（３）、（５）が互い
にショートしている時、そのショート筒所の第２の電極
および半導体（４）をレーザトリミングをして除去し第
２の電極（３）（５）およびその間の半導体（４）のす
べてを除去している。この場合レーザ光によシその上面
よシみると第３図（Ｄ）の如く概略円形（イ）（２０〜
８０μ９一般には５０ｐ”）を有している。もちろんト
リミングのスポットが２またはそれ以上となった場合は
その形状が複合化することによシだ円形、ひようたん状
等があシ得ることはいうまでもない。
５）させても、第２の電極（５）のみを選択的に除去し
ている。さらにこの上面にパッシベーション膜Ｑ］）を
設けて、リークの発生、信頼性の低下を防いでいる０ 第３図（Ｂ）は第１、第２の電極（３）、（５）が互い
にショートしている時、そのショート筒所の第２の電極
および半導体（４）をレーザトリミングをして除去し第
２の電極（３）（５）およびその間の半導体（４）のす
べてを除去している。この場合レーザ光によシその上面
よシみると第３図（Ｄ）の如く概略円形（イ）（２０〜
８０μ９一般には５０ｐ”）を有している。もちろんト
リミングのスポットが２またはそれ以上となった場合は
その形状が複合化することによシだ円形、ひようたん状
等があシ得ることはいうまでもない。
以上の如くにして本発明のＰＶＣにおいては、その内部
においてスポット状に少なくとも基板とよシ、従来の３
０〜４０多しかその製造歩留シがなかつたのが、この不
良修正を行なうことにょシ、その製造歩留シを８０チ以
上にすることができた。
においてスポット状に少なくとも基板とよシ、従来の３
０〜４０多しかその製造歩留シがなかつたのが、この不
良修正を行なうことにょシ、その製造歩留シを８０チ以
上にすることができた。
その結果、ＮＢＤＯ規定の４０ｃｍＸ１２０ｃｍの光電
変換装置用のボードを作ろうとする際、即ち２゜Ｘ４０
ｃｍを６枚組合わせる、または２０Ｘ６０ｃｍを４枚組
合わせる等の実用化を計る際それぞれのパネルの歩留シ
を２倍以上にできたこと、このボードの製造価格を〜５
００ ｐ’ｌ／Ｗで得ることができ、またその変換効率
もこれまで１０〜１％Ｘ＝４％であったものを１０〜４
％Ｘ＝６％とすることができ、効率の向上においてもき
わめてすぐれたものであった。
変換装置用のボードを作ろうとする際、即ち２゜Ｘ４０
ｃｍを６枚組合わせる、または２０Ｘ６０ｃｍを４枚組
合わせる等の実用化を計る際それぞれのパネルの歩留シ
を２倍以上にできたこと、このボードの製造価格を〜５
００ ｐ’ｌ／Ｗで得ることができ、またその変換効率
もこれまで１０〜１％Ｘ＝４％であったものを１０〜４
％Ｘ＝６％とすることができ、効率の向上においてもき
わめてすぐれたものであった。
第１図は本発明のレーザトリミング装置の概略を示す。
第２図は本発明のレーザトリミングをされた光電変換装
置を示す。 第３図は本発明のトリミングがされたたて断面図を示す
。 特許出願人 （８） （Ｃ） １−≦ Ｕ コ 。 ／２ ＋−１ ′（Ａ） ≧ ＣＢ） ｃｃ） ２８目 ＣＤ）
置を示す。 第３図は本発明のトリミングがされたたて断面図を示す
。 特許出願人 （８） （Ｃ） １−≦ Ｕ コ 。 ／２ ＋−１ ′（Ａ） ≧ ＣＢ） ｃｃ） ２８目 ＣＤ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、可視光とトリミング用パルス光とを同軸光で照射で
きるレーザートリミング装置によシ導電性基板または透
光性基板上の透光性導電膜よシなる第１の電極と、該電
極上に少なくとも１つのＰ工Ｎ接合を有する非単結晶半
導体層と、該半導体層上の導電性の第２の電格とを有す
る光電変換装置のトリミングする作製方法において、前
記第１および第２の電極間が局部的に短絡またはリーク
着所または領所または領域が相対的に大きいことを光セ
ンサによシ検出することにより、確定し、かか帖 る確定された前記短絡またはリークＹ所また。 は領域の第２の電極または該電極と該電極下の半導体、
該電極と該電極下の半導体および第１の電極を除去する
ことによりトリミングすることを特徴とする光電変換装
置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206805A JPS5994884A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 光電変換装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206805A JPS5994884A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 光電変換装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994884A true JPS5994884A (ja) | 1984-05-31 |
| JPS6257252B2 JPS6257252B2 (ja) | 1987-11-30 |
Family
ID=16529379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57206805A Granted JPS5994884A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 光電変換装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994884A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4728615A (en) * | 1984-10-17 | 1988-03-01 | Fuji Electric Company Ltd. | Method for producing thin-film photoelectric transducer |
| US4734379A (en) * | 1985-09-18 | 1988-03-29 | Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. | Method of manufacture of solar battery |
| JPS63244627A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000353814A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法及び同薄膜の成膜状態監視装置 |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP57206805A patent/JPS5994884A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4728615A (en) * | 1984-10-17 | 1988-03-01 | Fuji Electric Company Ltd. | Method for producing thin-film photoelectric transducer |
| US4734379A (en) * | 1985-09-18 | 1988-03-29 | Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. | Method of manufacture of solar battery |
| JPS63244627A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000353814A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法及び同薄膜の成膜状態監視装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6257252B2 (ja) | 1987-11-30 |
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