JPS5996265A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS5996265A JPS5996265A JP20461982A JP20461982A JPS5996265A JP S5996265 A JPS5996265 A JP S5996265A JP 20461982 A JP20461982 A JP 20461982A JP 20461982 A JP20461982 A JP 20461982A JP S5996265 A JPS5996265 A JP S5996265A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- atom
- target
- thin film
- accelerated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3471—Introduction of auxiliary energy into the plasma
- C23C14/3478—Introduction of auxiliary energy into the plasma using electrons, e.g. triode sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、通常のスパッタ法にイオンブレーティング法
におけるクラスタイオンビーム法を組合せた高効率のス
パッタ装置に関する。
におけるクラスタイオンビーム法を組合せた高効率のス
パッタ装置に関する。
スパック法においては、ターゲットからただと出された
原子は真空蒸着法の約１００倍のエネルギを持って飛出
すが、途中二次電子等との再衝突によってサブストレー
ト（基板）に到達するときはそのエネルギはかなり減少
している。しかも、スパッタによる原子は無指向性なの
でサブストレートに直接人則しでくる原子は少ないと思
われる。
原子は真空蒸着法の約１００倍のエネルギを持って飛出
すが、途中二次電子等との再衝突によってサブストレー
ト（基板）に到達するときはそのエネルギはかなり減少
している。しかも、スパッタによる原子は無指向性なの
でサブストレートに直接人則しでくる原子は少ないと思
われる。
このため高い効率を行たり、充分なイτ］着強度の薄膜
を形成するには問題がある。
を形成するには問題がある。
一方、イオンブレーティング法におけるクラスタイオン
ビーム法は、吹き出してくる原子を次の部屋で加速して
サブストレートに（＝ｊ着させ、・１・Ｊ着強度の高い
Ｍ７，膜をつくるものである。しかし、装置が複雑にな
る要素を持っている。
ビーム法は、吹き出してくる原子を次の部屋で加速して
サブストレートに（＝ｊ着させ、・１・Ｊ着強度の高い
Ｍ７，膜をつくるものである。しかし、装置が複雑にな
る要素を持っている。
そこで、本発明は通常のスパッタ法とクラスタイオンビ
ーム法の／！：（埋とを組合せ、高い効率でしかも付着
強度の高い薄膜を形成可能な又バッタ装置を提供しよう
とするものである。
ーム法の／！：（埋とを組合せ、高い効率でしかも付着
強度の高い薄膜を形成可能な又バッタ装置を提供しよう
とするものである。
以下、本発明に係るスパッタ装置の実施例を図面に従っ
て説明する。
て説明する。
図において、真空容器１には矢印Ｘの如くアルゴン等の
不活性気体が極く低圧で導入されるようになっており、
この真空容器１の一端部にはクープントホルダ２が、他
端部にはサブストレートホルグ３か配置されている。そ
してターゲットホルり２とサブス）・レートホルダ３と
の開の空間に熱陰極・４及びグリッド５が設けられる。
不活性気体が極く低圧で導入されるようになっており、
この真空容器１の一端部にはクープントホルダ２が、他
端部にはサブストレートホルグ３か配置されている。そ
してターゲットホルり２とサブス）・レートホルダ３と
の開の空間に熱陰極・４及びグリッド５が設けられる。
ターゲットホルダ２には所要の薄膜を形成するだめの金
属原子を放出するターゲット６が保持され、サブストレ
ートホルダ３には表面に金属薄膜を形成すべきサブスト
レート（基板）７が保持される。そして、ターゲット６
には交流電源８により交流電圧＼７ｎか印加され、サブ
ストレート７には直流型）原９により直流電圧■Ａが印
加され、アースに月しサブストレート７は負に帯電する
ように設定する。ここでＶＡ及び＼１１］の絶対値の関
係はＩＶ八 ｌ＜＜１Ｖｎｌ となっている。
属原子を放出するターゲット６が保持され、サブストレ
ートホルダ３には表面に金属薄膜を形成すべきサブスト
レート（基板）７が保持される。そして、ターゲット６
には交流電源８により交流電圧＼７ｎか印加され、サブ
ストレート７には直流型）原９により直流電圧■Ａが印
加され、アースに月しサブストレート７は負に帯電する
ように設定する。ここでＶＡ及び＼１１］の絶対値の関
係はＩＶ八 ｌ＜＜１Ｖｎｌ となっている。
以」二の実施例の構成において、ターデンドロよりたた
ぎ出された原子は、熱陰極４及びグリッド５でイオン化
され、マイナスに帯電したサブストレート７の方向に加
速されてサブストレート７に当りこれにイ」着する。こ
の結果、サブストレート′７にバイアススパッタのよう
な働きを持たせることがで外、従来のスパッタ法の如く
放出された原子が無指向性であることに起因する効率の
低下を除去で外る。また原子はイオン化され電位の勾配
により加速されてサブストレート７に１７１着するため
、充分な付着強度を有する薄膜がサブス）・レート七に
イ（１られる。
ぎ出された原子は、熱陰極４及びグリッド５でイオン化
され、マイナスに帯電したサブストレート７の方向に加
速されてサブストレート７に当りこれにイ」着する。こ
の結果、サブストレート′７にバイアススパッタのよう
な働きを持たせることがで外、従来のスパッタ法の如く
放出された原子が無指向性であることに起因する効率の
低下を除去で外る。また原子はイオン化され電位の勾配
により加速されてサブストレート７に１７１着するため
、充分な付着強度を有する薄膜がサブス）・レート七に
イ（１られる。
以上説明したように、本発明によれば、通常のスパッタ
法にクラスタイオンビーム法の原理を組合せることによ
り、ターゲットより放出された原子をイオン化しかつ指
向性を持たせてサブストレート方向に加速することがで
た高い効率でなおかつＩ＝１着強度の高い薄膜の形成が
可能なスパッタ装置を得ることがでとる。
法にクラスタイオンビーム法の原理を組合せることによ
り、ターゲットより放出された原子をイオン化しかつ指
向性を持たせてサブストレート方向に加速することがで
た高い効率でなおかつＩ＝１着強度の高い薄膜の形成が
可能なスパッタ装置を得ることがでとる。
図は本発明に係るスパッタ装置の実施例を示す断面図で
ある。 １・・・真空容器、２・・・ターゲットホルダ、３・・
・サブストレートホルダ、４・・・熱陰極、５・・・グ
リッド、６・・・タープ７＋・、７・・・サブストレー
ト。
ある。 １・・・真空容器、２・・・ターゲットホルダ、３・・
・サブストレートホルダ、４・・・熱陰極、５・・・グ
リッド、６・・・タープ７＋・、７・・・サブストレー
ト。
Claims (1)
- （１）低圧気水中に原子を放出するターゲラ）・とマイ
ナスに帯電したサブストレート とともに、前記ターデッドとす・ブストレートとの開の
空間に熱陰極及びグリッドを設け、前記ターゲットより
放出された原子をイオン化し、マイナスに帯電した前記
サブストレートに加速して（＝１着させたことを特徴と
するスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20461982A JPS5996265A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20461982A JPS5996265A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996265A true JPS5996265A (ja) | 1984-06-02 |
Family
ID=16493472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20461982A Pending JPS5996265A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5110435A (en) * | 1988-03-23 | 1992-05-05 | Helmut Haberland | Apparatus and process for producing a thin layer on a substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278777A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-02 | Hitachi Ltd | Ion plating apparatus |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP20461982A patent/JPS5996265A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278777A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-02 | Hitachi Ltd | Ion plating apparatus |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5110435A (en) * | 1988-03-23 | 1992-05-05 | Helmut Haberland | Apparatus and process for producing a thin layer on a substrate |
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