JPS584920Y2 - 酸化亜鉛薄膜の製造装置 - Google Patents
酸化亜鉛薄膜の製造装置Info
- Publication number
- JPS584920Y2 JPS584920Y2 JP1978115320U JP11532078U JPS584920Y2 JP S584920 Y2 JPS584920 Y2 JP S584920Y2 JP 1978115320 U JP1978115320 U JP 1978115320U JP 11532078 U JP11532078 U JP 11532078U JP S584920 Y2 JPS584920 Y2 JP S584920Y2
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- JP
- Japan
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- thin film
- zinc
- zinc oxide
- substrate
- oxygen
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、弾性表面波素子等に用いるのに適した酸化亜
鉛薄膜を製造する装置の構造に関するものである。
鉛薄膜を製造する装置の構造に関するものである。
弾性表面波素子に用いる酸化亜鉛の圧電薄膜は、圧電材
料のうちでも価格、特性の面で最も優れたものとされて
いる。
料のうちでも価格、特性の面で最も優れたものとされて
いる。
これは、絶縁性の基板の上に薄膜を形成したものである
。
。
従来、酸化亜鉛薄膜の製造はスパッタリング法によって
行なわれている。
行なわれている。
酸素とアルゴンの雰囲気中で陽極と陰極の二つの電極を
設け、陰極には亜鉛を、陽極には基板を取り付ける。
設け、陰極には亜鉛を、陽極には基板を取り付ける。
電極に電界をかげると、アルゴンガスはイオン化してA
r+となり陰極の亜鉛に衝突する。
r+となり陰極の亜鉛に衝突する。
このために亜鉛の分子が飛び出して雰囲気中の酸素と化
合するとともに基板に付着する。
合するとともに基板に付着する。
これによって、酸化亜鉛薄膜を形成するものである。
しかし、このスパッタリング法においては、蒸着物質の
堆積速度が遅く、酸化亜鉛薄膜の製造時間が長くなり、
製造コストも高くなる。
堆積速度が遅く、酸化亜鉛薄膜の製造時間が長くなり、
製造コストも高くなる。
例えば、58MHzのテレビ用フィルタの場合、酸化亜
鉛の膜厚を約20μにしなげればならず、スパッタリン
グ法で形成すると30時間以上必要となる。
鉛の膜厚を約20μにしなげればならず、スパッタリン
グ法で形成すると30時間以上必要となる。
また基板への密着強度の上でも問題がある。
そこで、イオン工学的手法で酸化亜鉛薄膜を形成する方
法が考えられている。
法が考えられている。
イオン工学的手法とは、蒸発させた亜鉛の蒸気をイオン
化し、基板に向けて加速するとともに酸素と反応させて
酸化亜鉛薄膜を形成するものである。
化し、基板に向けて加速するとともに酸素と反応させて
酸化亜鉛薄膜を形成するものである。
スパッタリング法に較べて二桁以上大きな運動エネルギ
ーを利用するものである。
ーを利用するものである。
以下、このイオン工学的手法を第1図に従って説明する
。
。
ベルジャ11内の密閉型ルツボ12に亜鉛13を入れて
これを加熱する。
これを加熱する。
ルツボ12内の亜鉛は溶融し気化する。
この気化した亜鉛蒸気はルツボ内で高圧蒸気となるが、
これを噴射用ノズルからベルジャ11内に噴射すると断
熱膨張による過冷却現象によって塊状原子集団(クラス
タ)となる。
これを噴射用ノズルからベルジャ11内に噴射すると断
熱膨張による過冷却現象によって塊状原子集団(クラス
タ)となる。
このクラスタとなった亜鉛蒸気は電気的には中性である
が、これに電極14から電子を放射することによって、
このクラスタを構成する102〜lO3個の原子のうち
の1個ないし数個をイオン化する。
が、これに電極14から電子を放射することによって、
このクラスタを構成する102〜lO3個の原子のうち
の1個ないし数個をイオン化する。
このクラスタイオンは基板15と加速電極16との間の
電圧によって加速されて基板に射突蒸着する。
電圧によって加速されて基板に射突蒸着する。
同時に、管17から酸素を供給してベルジャ内で亜鉛と
反応させ、酸化亜鉛を得る。
反応させ、酸化亜鉛を得る。
上記のイオン工学的手法においては、蒸気を効率良くク
ラスタ化すること、亜鉛と酸素を効率良く反応させるこ
とが重要となる。
ラスタ化すること、亜鉛と酸素を効率良く反応させるこ
とが重要となる。
噴射ノズルから噴射された亜鉛蒸気をクラスタ化するた
めには、ベルジャ内の蒸気圧を低くしなげればならない
。
めには、ベルジャ内の蒸気圧を低くしなげればならない
。
イオン化しない酸素分子がベルジャ内に存在スるト、ベ
ルジャ内の気圧が高くなるため亜鉛蒸気のクラスタ化す
る効率が悪くなる。
ルジャ内の気圧が高くなるため亜鉛蒸気のクラスタ化す
る効率が悪くなる。
同時に、電極の酸fとも生じてイオン化の効率も悪くな
る。
る。
また、クラスタの電気的エネルギーと酸素の電気的エネ
ルギーが異なるために、基板に射突するエネルギーに差
が生じてくる。
ルギーが異なるために、基板に射突するエネルギーに差
が生じてくる。
そのために、基板上で反応するときの結晶性が悪くなる
。
。
亜鉛を蒸気化し噴射する量を多くして行くと、基板上に
できる酸化亜鉛薄膜の抵抗率が低、くなり圧電性が劣化
シてくる。
できる酸化亜鉛薄膜の抵抗率が低、くなり圧電性が劣化
シてくる。
これは、亜鉛の分子が過剰となるためど考えられる。
。本考案は、上記のような欠点を改善し
、効率良く酸化亜鉛薄膜を形成する装置り得ることを目
的とする。
、効率良く酸化亜鉛薄膜を形成する装置り得ることを目
的とする。
本考案による装置は、基板にイオン化した酸素を噴射し
て、基板表面において亜鉛、と酸素を反応させ、反応の
効率を高めるとともに、亜鉛蒸気のクラスタ化の効率を
上げるものである。
て、基板表面において亜鉛、と酸素を反応させ、反応の
効率を高めるとともに、亜鉛蒸気のクラスタ化の効率を
上げるものである。
以下、第2図に従って本考案の一実施例Gつき説明する
。
。
ベルジャ21内の密閉型ルツボ、22に入れた亜鉛23
を加熱、蒸気化して噴射ノズルよりベルジャ内に噴射す
る。
を加熱、蒸気化して噴射ノズルよりベルジャ内に噴射す
る。
クラスタ化した亜鉛を電極24から放出した電子によっ
てイオン化し、基板25と加速用電極26との間の電圧
によってイオン化したクラスタを基板に射突させる。
てイオン化し、基板25と加速用電極26との間の電圧
によってイオン化したクラスタを基板に射突させる。
一方酸素は管27よりベルジャ21内に供給されるが、
管21の先端、に電極28を設け、この電極28から放
出される電子によって酸素をイオン化して、このイオン
化された酸素を直接基板25に向けて放射する。
管21の先端、に電極28を設け、この電極28から放
出される電子によって酸素をイオン化して、このイオン
化された酸素を直接基板25に向けて放射する。
基板25上で亜鉛と酸素が反応して酸化亜鉛となり薄膜
を形成する。
を形成する。
本考案によれば、酸素は効率良くイオン化されて基板2
5に放射され、無駄になる分子が少なくなる。
5に放射され、無駄になる分子が少なくなる。
基板に射突された亜鉛が無駄なく酸素と反応し酸化亜鉛
となるため、亜鉛が過剰となって抵抗率が下がり圧電性
が劣化することもなくなる。
となるため、亜鉛が過剰となって抵抗率が下がり圧電性
が劣化することもなくなる。
筐た、ベルジャ内の雰囲気中の酸素の量も少なくできる
ので、気圧を下げて亜鉛蒸気のクラスタ化の効率も高く
なることができ、したがって、酸化亜鉛薄膜の形成に要
する時間も短縮できる。
ので、気圧を下げて亜鉛蒸気のクラスタ化の効率も高く
なることができ、したがって、酸化亜鉛薄膜の形成に要
する時間も短縮できる。
同時□電極の酸化も少くなる。
基板25筐たはこれを支持する装置と電極28との間に
は、酸素イオンが基板25に射突するエネルギーを与え
るために、バイアス電圧を加える。
は、酸素イオンが基板25に射突するエネルギーを与え
るために、バイアス電圧を加える。
103個の亜鉛原子から成るクラスタのうちの1個の原
子をイオン化し、加速電源によってIKeVのエネルギ
ーが与えられると、原子1個当りでは1eVとなるが、
酸素イオンも1eVのエネルギーが与えられるようにバ
イアス電圧を定める。
子をイオン化し、加速電源によってIKeVのエネルギ
ーが与えられると、原子1個当りでは1eVとなるが、
酸素イオンも1eVのエネルギーが与えられるようにバ
イアス電圧を定める。
これによって、亜鉛と酸素の射突エネルギーがほぼ等し
くなるので、結晶性も良くなる。
くなるので、結晶性も良くなる。
すなわち、結晶軸の配向性が乱されずに酸化亜鉛薄膜が
形成される。
形成される。
本考案によれば、亜鉛と酸素の反応の効率が良くなるの
で、酸化亜鈴薄膜の製造時間を短縮でき、しかも品質の
良いものが得られる。
で、酸化亜鈴薄膜の製造時間を短縮でき、しかも品質の
良いものが得られる。
しかも、装置も酸素のイオン化電極1を設けるのみであ
るので大型化する必要もなく、高価となるものではない
。
るので大型化する必要もなく、高価となるものではない
。
なお、酸素をイオンイリするためIlC&ま勢電子放出
電極だけでなく、放電によるプラズマを利用することが
できる。
電極だけでなく、放電によるプラズマを利用することが
できる。
第、1図は従来の酸化図、鉛薄膜の製造装置の説明図、
第2図は本考案の実施例の説明図を示す。 11.21・・・・・・ベル□ヤ、12.22・・・・
・・ルツボ、14.24・・・・・・熱電子放出用電極
、15.25・・・・・・基板、16.26−・・・・
・加速用電極、28・・・・・・熱電子放出用電極。
第2図は本考案の実施例の説明図を示す。 11.21・・・・・・ベル□ヤ、12.22・・・・
・・ルツボ、14.24・・・・・・熱電子放出用電極
、15.25・・・・・・基板、16.26−・・・・
・加速用電極、28・・・・・・熱電子放出用電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 亜鉛を密閉形ルツボにお(・七加熱して蒸気化し、該ル
ツボの噴射ノズルからベルジャ内に噴射し、噴射ビーム
の一部をイオン化じぐ加速電圧によって加速して基板に
射突蒸着さ寝るとともに酸素と化合させる酸化亜鉛薄膜
のm==置において、酸素をイオン化して基板に向けて
噴射する装置を具え、該装置と該基板の間に加速電界を
印加する手段を具えたことを特徴とする酸化亜鉛薄膜の
製造装置。 ′、゛
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978115320U JPS584920Y2 (ja) | 1978-08-23 | 1978-08-23 | 酸化亜鉛薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978115320U JPS584920Y2 (ja) | 1978-08-23 | 1978-08-23 | 酸化亜鉛薄膜の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5533919U JPS5533919U (ja) | 1980-03-05 |
| JPS584920Y2 true JPS584920Y2 (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=29066846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978115320U Expired JPS584920Y2 (ja) | 1978-08-23 | 1978-08-23 | 酸化亜鉛薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584920Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5989763A (ja) * | 1983-09-28 | 1984-05-24 | Ricoh Co Ltd | 薄膜蒸着装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS549592B2 (ja) * | 1972-07-29 | 1979-04-25 | ||
| JPS5152041U (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-20 | ||
| JPS5489983A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-17 | Toshiba Corp | Device and method for vacuum deposition compound |
-
1978
- 1978-08-23 JP JP1978115320U patent/JPS584920Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5533919U (ja) | 1980-03-05 |
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