JPS5996268A - マグネトロンスパツタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパツタ装置Info
- Publication number
- JPS5996268A JPS5996268A JP20596382A JP20596382A JPS5996268A JP S5996268 A JPS5996268 A JP S5996268A JP 20596382 A JP20596382 A JP 20596382A JP 20596382 A JP20596382 A JP 20596382A JP S5996268 A JPS5996268 A JP S5996268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- film
- high frequency
- magnetron sputtering
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマグネトロンスパッタ装置の改良にＩ５！１す
るものである。さらに詳しくはアノードの基材との間に
第３の電極を設置し、該電極に高周波を印加しつつスパ
ッタリングを行なうようになしたもので高速でかつ基材
温度の上昇が少なく膜厚分布が少なく膜質のすぐれた金
、属、金屑酸化物、金属窒化物などの薄膜を形成できる
マグネトロンスパッタ装置に関する。
るものである。さらに詳しくはアノードの基材との間に
第３の電極を設置し、該電極に高周波を印加しつつスパ
ッタリングを行なうようになしたもので高速でかつ基材
温度の上昇が少なく膜厚分布が少なく膜質のすぐれた金
、属、金屑酸化物、金属窒化物などの薄膜を形成できる
マグネトロンスパッタ装置に関する。
従来真空蒸着、イオンプンーテイング、スパッタリング
などの物理的堆ＦＡ （ＰＶＤ）法や化学反応、熱分解
などを伴なう化学的堆積（ＣＶＤ）法など大気圧よシ減
圧下で目的の被膜を構成する物質（以下蒸着物質と呼ぶ
）を蒸発、スパッタリングなどの手段で原子状あるいは
分子状の形態で減圧下に放出し、基材表面に移送し、基
材表面で薄膜を形成する装置（以下真空蒸着装置と総称
する）において、破膜の特性を向上させる目的で基材近
傍にバイアス電位を与えることはよく知られている。か
かるバイアス電位は基材近傍に設置された電極によって
与えられる。
などの物理的堆ＦＡ （ＰＶＤ）法や化学反応、熱分解
などを伴なう化学的堆積（ＣＶＤ）法など大気圧よシ減
圧下で目的の被膜を構成する物質（以下蒸着物質と呼ぶ
）を蒸発、スパッタリングなどの手段で原子状あるいは
分子状の形態で減圧下に放出し、基材表面に移送し、基
材表面で薄膜を形成する装置（以下真空蒸着装置と総称
する）において、破膜の特性を向上させる目的で基材近
傍にバイアス電位を与えることはよく知られている。か
かるバイアス電位は基材近傍に設置された電極によって
与えられる。
か＼る電極には通常のイオンブレーティングの如く、基
材と蒸発源の間で、ある一定の電位を与えて、飛来イオ
ンを加速して基材に＠撃力をもって膜形成するものや蒸
発粒子どうしあるいは雰囲気ガスとの反応を利用したり
、あるいは雰囲気を活性化して膜特性を向上させるもの
などがある。その効果は蒸着膜に入射するイオンによる
ものといわれており、不活性ガスイオンの照射効果、イ
オンの運動エネルギー効果。
材と蒸発源の間で、ある一定の電位を与えて、飛来イオ
ンを加速して基材に＠撃力をもって膜形成するものや蒸
発粒子どうしあるいは雰囲気ガスとの反応を利用したり
、あるいは雰囲気を活性化して膜特性を向上させるもの
などがある。その効果は蒸着膜に入射するイオンによる
ものといわれており、不活性ガスイオンの照射効果、イ
オンの運動エネルギー効果。
イオンの持つ電荷が膜質に及ぼす効果などが相まってい
ると考えられる。また基材に入射する電子をトラップす
ることにより不必要な基材の温度上昇を防止する効果も
考えられる。
ると考えられる。また基材に入射する電子をトラップす
ることにより不必要な基材の温度上昇を防止する効果も
考えられる。
いずれにしても基羽近傍に置かれた電極によって電位を
付与し空間電荷の制御を行なうことによシ膜質の向上が
期待される。
付与し空間電荷の制御を行なうことによシ膜質の向上が
期待される。
しかしながら、上記従来の装置では蒸発粒子をイオン化
するためのグロー放電が蒸発源と基材との間で生じるた
め、基拐は蒸着物質の粒子のみでなく、イオン化された
不活性ガスの衝撃をも受は温度上昇を生じるので基材の
温度制御が困難である。したがって１ｌｉＩ熱性の低い
物質を基材とする蒸着は殆んど不可能であった。
するためのグロー放電が蒸発源と基材との間で生じるた
め、基拐は蒸着物質の粒子のみでなく、イオン化された
不活性ガスの衝撃をも受は温度上昇を生じるので基材の
温度制御が困難である。したがって１ｌｉＩ熱性の低い
物質を基材とする蒸着は殆んど不可能であった。
また蒸着中の東件によっては、逆スパツタを生じ被膜に
欠陥を生じるおそれがあった。さらに形成される′Ｆ皮
膜の構造、特性が必ずしも満足すべきものではなかった
。
欠陥を生じるおそれがあった。さらに形成される′Ｆ皮
膜の構造、特性が必ずしも満足すべきものではなかった
。
これらの欠点を解決するものとして特公昭５２−２９９
７１号公報には、高周波イオンブレーティング装置が提
案されている。この装置は、対向配置した蒸着物質源と
基材保持板との中間に高周波電極を配置して前記物質踪
に近接した領域に高、３５波グロー放電を発生して前記
蒸発物質をイオン化する事を特徴とするイオンブレーテ
ィング装置であって、高周波放電（励起）によりイオン
化を促進させるために放電（励起）状態の制御は、直流
グロー放電より容易であシ、放電（励起）状、態を目的
のイオンブレーティングに最適に保持する事ができる。
７１号公報には、高周波イオンブレーティング装置が提
案されている。この装置は、対向配置した蒸着物質源と
基材保持板との中間に高周波電極を配置して前記物質踪
に近接した領域に高、３５波グロー放電を発生して前記
蒸発物質をイオン化する事を特徴とするイオンブレーテ
ィング装置であって、高周波放電（励起）によりイオン
化を促進させるために放電（励起）状態の制御は、直流
グロー放電より容易であシ、放電（励起）状、態を目的
のイオンブレーティングに最適に保持する事ができる。
したがって蒸発粒子のイオン化効率、蒸発速度を向上さ
せることができ、良質な被膜を得ることができる。
せることができ、良質な被膜を得ることができる。
またイオン化効率が高いので、不活性ガスと共にあるい
は単独に９または数種の活性ガスを真空容器内に封入し
、蒸発粒子と化学結合させると同時にイオン化し、酸化
膜や窒化膜をはじめとした種々の化合物のイオンブレー
ティングを行なうこともできる。寸だ基材温度の上昇は
殆んどないから、熱により破壊されるような基拐釦もイ
オンブレーティングを施しイηる。
は単独に９または数種の活性ガスを真空容器内に封入し
、蒸発粒子と化学結合させると同時にイオン化し、酸化
膜や窒化膜をはじめとした種々の化合物のイオンブレー
ティングを行なうこともできる。寸だ基材温度の上昇は
殆んどないから、熱により破壊されるような基拐釦もイ
オンブレーティングを施しイηる。
しかしこの高固波イオンブレーティング装置は蒸着物質
の蒸発を抵抗加熱あるいは電子銃加＊！’−笠で行なう
ため基材から見れば煮蒸発源となり、大面７ｊ′１の基
材に均一に薄膜を形成する事は困難であった。長尺の１
］広い高分子フィルム等に連続的に庚ｌＩμτを形成す
る場合等には特に問題である。一方低温でかつ高速で金
鵜等の導′ａ性の薄膜を形成する装ｆａとして直流マグ
ネトロンスパッタ装置がある。
の蒸発を抵抗加熱あるいは電子銃加＊！’−笠で行なう
ため基材から見れば煮蒸発源となり、大面７ｊ′１の基
材に均一に薄膜を形成する事は困難であった。長尺の１
］広い高分子フィルム等に連続的に庚ｌＩμτを形成す
る場合等には特に問題である。一方低温でかつ高速で金
鵜等の導′ａ性の薄膜を形成する装ｆａとして直流マグ
ネトロンスパッタ装置がある。
マグネトロンスパッタ装置はターゲット（カソード）下
部に設置した磁界により、電界に直交する磁界をかける
事により、ターゲット近傍に高富度プラズマを閉じ込め
てスパッタリングを有力う。この方法は本質的には面蒸
発源であるため、巾方向の膜、１７分布は均一であると
いう特長を有する。
部に設置した磁界により、電界に直交する磁界をかける
事により、ターゲット近傍に高富度プラズマを閉じ込め
てスパッタリングを有力う。この方法は本質的には面蒸
発源であるため、巾方向の膜、１７分布は均一であると
いう特長を有する。
しかしながらプラズマはターゲット（カソード）近傍に
閉じ込められるだめ薄膜形成時にイオンの照射効果が得
られず得られた膜の特性は必ずしも満足すべきものでは
なかった。一方、膜形成時にイオンを関与させるには、
閉じ込められたプラズマが比較的強い中心部のみを使用
する事もある。このために前記プラズマ上にマスクを設
置してスパッタリングを行なうが、マスクをする事によ
り付着速度は小さくなシ効率も７ＪＸ くなるという別
の問題がある。
閉じ込められるだめ薄膜形成時にイオンの照射効果が得
られず得られた膜の特性は必ずしも満足すべきものでは
なかった。一方、膜形成時にイオンを関与させるには、
閉じ込められたプラズマが比較的強い中心部のみを使用
する事もある。このために前記プラズマ上にマスクを設
置してスパッタリングを行なうが、マスクをする事によ
り付着速度は小さくなシ効率も７ＪＸ くなるという別
の問題がある。
本発明省らは、従来の高周波イオンブレーティングやマ
グネトロンスパッタ法にみられる上述のような問題点を
解決すべく銑意研究の結果、本発明に到達した。
グネトロンスパッタ法にみられる上述のような問題点を
解決すべく銑意研究の結果、本発明に到達した。
すなわち本うａ明はターゲット（カソード）表面近傍に
閉磁、界を形成する磁石を備えたマグネトロンスパッタ
装荷において、アノードと基材との同ＶＣ高周波宛カを
印加する高周波電極を股！’ｔ ＋、／ 、当該電極に
高周波を印加しつつ、ターゲット（カソード）とアノー
ド間に電圧を与えてスパッタリングを行なうことにより
薄膜を形成するようになした事を特徴とするマグネトロ
ンスパッタ装部°である。
閉磁、界を形成する磁石を備えたマグネトロンスパッタ
装荷において、アノードと基材との同ＶＣ高周波宛カを
印加する高周波電極を股！’ｔ ＋、／ 、当該電極に
高周波を印加しつつ、ターゲット（カソード）とアノー
ド間に電圧を与えてスパッタリングを行なうことにより
薄膜を形成するようになした事を特徴とするマグネトロ
ンスパッタ装部°である。
以下、本発明の詳細な説明する。ところで、マグネトロ
ンスパッタ装部゛のカソード部■は、第１図に示す様に
、負電極ターミナル８と導通した四部を有するステンレ
ス製の陰極本体２上に平板状ターゲット１を取着するよ
うにオイ〃成され、内部梁間３に案内管４を介して冷却
水を導入し、出口管５より外部に排出し、これによシ正
イオンの術突により高温となるターゲット１を冷却する
様になっている。
ンスパッタ装部゛のカソード部■は、第１図に示す様に
、負電極ターミナル８と導通した四部を有するステンレ
ス製の陰極本体２上に平板状ターゲット１を取着するよ
うにオイ〃成され、内部梁間３に案内管４を介して冷却
水を導入し、出口管５より外部に排出し、これによシ正
イオンの術突により高温となるターゲット１を冷却する
様になっている。
マグ、？、 トロンスパッタ装置のカソード部■におい
ては、ターゲット１の裏面に鉄コア６に装着された永久
磁石よりなる磁石７Ｂおよび７ｂを配置して電極面近傍
に閉じた磁界を発生させる。又、特殊な場合としては磁
石７ａ、７ｂは永久磁石のかわりに電磁石を用いる場合
もある。
ては、ターゲット１の裏面に鉄コア６に装着された永久
磁石よりなる磁石７Ｂおよび７ｂを配置して電極面近傍
に閉じた磁界を発生させる。又、特殊な場合としては磁
石７ａ、７ｂは永久磁石のかわりに電磁石を用いる場合
もある。
ターゲット１の形状は矩形１円形が多く用いられるがＳ
ガンとして知られるターゲットのごとく円すい状のター
ゲットが用いられる場合もある０いづれにしても磁石７
ａ、７ｂは第１図に示すごとく夕・−ゲット１の外周部
と中心部においてターゲツト面に面した極を相反する様
に配置１でｔする。そして、公知の通りカソード部分の
上方に位置したアノード■とターゲット１の間に電圧を
かける卯によりターゲット近傍にプラズマを生じさせス
パッタリングを行なう。
ガンとして知られるターゲットのごとく円すい状のター
ゲットが用いられる場合もある０いづれにしても磁石７
ａ、７ｂは第１図に示すごとく夕・−ゲット１の外周部
と中心部においてターゲツト面に面した極を相反する様
に配置１でｔする。そして、公知の通りカソード部分の
上方に位置したアノード■とターゲット１の間に電圧を
かける卯によりターゲット近傍にプラズマを生じさせス
パッタリングを行なう。
ＱＶ ２図は、本発明の高周波励起型マグネトロンスパ
ッタ装置スパツタ装略図である。第２図において■は第
１図（Ｃ示したカソード部であり■はアノードである。
ッタ装置スパツタ装略図である。第２図において■は第
１図（Ｃ示したカソード部であり■はアノードである。
１］１はアノード■と基材ＩＶの間に設置された高周波
を印加すべき高周波電極である。
を印加すべき高周波電極である。
高周波型な４ ＵＩの形状は第３図（ａ）、 （ｂ）、
（＋１！＞、 （ａ）に示した平面図のごとく任意の
形状であって良く、又、その位置もターゲツト面を大き
くはみｌどさない程度にプラズマ分布が一様になる様に
又、スパッタ物質が基材上に形成される時のさまたげと
ならない様に実験的に決められる。特に第３図（ａ）、
（ｂ）に示したごとくループ状の形状を成しているｊ
、］合が軽重しく、更にターゲット１の周囲に沿った大
きさとすると艮い。この場合は第３図（ｄ）の如くイオ
ン化の効率を高めるためにラセン状にループを形成する
事もある。
（＋１！＞、 （ａ）に示した平面図のごとく任意の
形状であって良く、又、その位置もターゲツト面を大き
くはみｌどさない程度にプラズマ分布が一様になる様に
又、スパッタ物質が基材上に形成される時のさまたげと
ならない様に実験的に決められる。特に第３図（ａ）、
（ｂ）に示したごとくループ状の形状を成しているｊ
、］合が軽重しく、更にターゲット１の周囲に沿った大
きさとすると艮い。この場合は第３図（ｄ）の如くイオ
ン化の効率を高めるためにラセン状にループを形成する
事もある。
高周波１゛こ極ＩＨの材質は４）電性が有れば特に限定
しないが、ステンレス、銅等が用いられる事が多い。又
、プラズマからの熱による電極の損傷、溶融などを防止
するために水冷する場合もある。
しないが、ステンレス、銅等が用いられる事が多い。又
、プラズマからの熱による電極の損傷、溶融などを防止
するために水冷する場合もある。
第４図は本発明の高周波励起型マグネトロンスパッタ装
置の一実鉤態様の概略構成図である。
置の一実鉤態様の概略構成図である。
図において１０は真空容器、２０は真空容器１０内を所
定の真空度に排気する真空排気系。
定の真空度に排気する真空排気系。
２１はガス樽入口である。３０は前述したカソード部■
と同（、χ々構成のカソード部、３１はアノードであり
、目的の薄膜形成物をターゲット３２よりスパッタする
。４０は基材移送系で基材４１を繰り出し装置の原反ロ
ール４２からカソード３０に対向配置した冷却ドラム４
３のスパッタ物質３３が飛来する膜形成領域しを通して
図の矢印入方向に移送し巻取シ装置の巻取りロール４４
に巻き取るもので、長尺のポリエステルフィルム等の高
分子フィルムの基材４１につｉジε的に）尋股形成する
のに適した装置とガっている。３４は前述した高周波’
４： ＠！、である。スノくツタ粒子はに三着物貿３３
がターゲット３２から冷却ドラム４３の膜形成領域りに
飛来し冷却ドラム４３に密着して移送されるノｔ、材４
１に堆積する。
と同（、χ々構成のカソード部、３１はアノードであり
、目的の薄膜形成物をターゲット３２よりスパッタする
。４０は基材移送系で基材４１を繰り出し装置の原反ロ
ール４２からカソード３０に対向配置した冷却ドラム４
３のスパッタ物質３３が飛来する膜形成領域しを通して
図の矢印入方向に移送し巻取シ装置の巻取りロール４４
に巻き取るもので、長尺のポリエステルフィルム等の高
分子フィルムの基材４１につｉジε的に）尋股形成する
のに適した装置とガっている。３４は前述した高周波’
４： ＠！、である。スノくツタ粒子はに三着物貿３３
がターゲット３２から冷却ドラム４３の膜形成領域りに
飛来し冷却ドラム４３に密着して移送されるノｔ、材４
１に堆積する。
飛来スるスパッタ粒子は、スパッタ粒子飛来領域Ｗにお
いて高７＋’＋Ｊ＃ 電＆ ３４によりイオン化される
。印加する乱周波の周波数及び電力は、スパッタ粒子飛
来領域Ｗ（１）真空圧、担体ガス粒子、スパック粒子の
イオン化効率を考）ｆｌ、 して、最適な値を選べば良
いが通ｎはｌ ３．５６ ＭＨｚのＲＦ 周波数で行
なうのが、最も簡便である。以下に本発明の効果を示す
上述のマグネトロンスパッタ装置による膜形成の実施例
を示すが、本発明はか＼る実施例及び以上の説明の装置
に限定されるものでない事は、本発明の主旨からも明ら
かである。
いて高７＋’＋Ｊ＃ 電＆ ３４によりイオン化される
。印加する乱周波の周波数及び電力は、スパッタ粒子飛
来領域Ｗ（１）真空圧、担体ガス粒子、スパック粒子の
イオン化効率を考）ｆｌ、 して、最適な値を選べば良
いが通ｎはｌ ３．５６ ＭＨｚのＲＦ 周波数で行
なうのが、最も簡便である。以下に本発明の効果を示す
上述のマグネトロンスパッタ装置による膜形成の実施例
を示すが、本発明はか＼る実施例及び以上の説明の装置
に限定されるものでない事は、本発明の主旨からも明ら
かである。
実施例
第４図の高周波励起型マグネトロンスパッタ装置におい
゛Ｃ１ポリエステルフィルムを箔材４１とし、Ａｔをタ
ーゲット３２として膜形成を行なった。ターゲットの大
きさは、１２５ ｑｔｍ Ｘ ３００門である。苔ず真
空４ｊｔｉ気系２０により真空容器１０全体をｌＸ１０
Ｔｏｒｒまで排気し、しかる後にＡｒガスをガス４
人口により導入し、真空度３ Ｘ １０ Ｔｏｒｒに
保った。ターゲット３２（カソード３０）とアノード３
１の間に直流電圧４２０■を印加し、同時に高周波電（
夕３４に１３．５６ ’ｈｉＨｚの高周波を印加した。
゛Ｃ１ポリエステルフィルムを箔材４１とし、Ａｔをタ
ーゲット３２として膜形成を行なった。ターゲットの大
きさは、１２５ ｑｔｍ Ｘ ３００門である。苔ず真
空４ｊｔｉ気系２０により真空容器１０全体をｌＸ１０
Ｔｏｒｒまで排気し、しかる後にＡｒガスをガス４
人口により導入し、真空度３ Ｘ １０ Ｔｏｒｒに
保った。ターゲット３２（カソード３０）とアノード３
１の間に直流電圧４２０■を印加し、同時に高周波電（
夕３４に１３．５６ ’ｈｉＨｚの高周波を印加した。
この時の最適な高周波電力は２４０ Ｗであった。フィ
ルムの送り速度を２１Ｈ／ ｍｆｎとしたＦｉダにフィ
ルム上に形成されたＡＡのｊ■Ｉ厚は３２０Ａでおった
。高周波電極３４に電力を印加しないづ場合の肛り厚は
３１０父でほとんど膜形成速度は変らなかった。この両
者の場合のＡｔ薄膜とポリエステルフィルムの接着強度
を比較した。ｌ０ＸＩＯのクロスカットテストを行なっ
たところ、高周波電力を印加する本発明により形成した
Ａｔ被膜はセロテープによる剥内１？テストで剥離しな
いＡＡ薄膜は１００％であったが、高周波ｑｉＬ力を印
加しない従来法の場合には８７係であった。第５図に巾
方向の膜厚分布を示す。２２０咽巾に対して±３．５
ｃｌｏと良好な膜）ｓメ分布であり、本発明の場合と従
来法の場合はほとんど差がなく、高周波電極３４の設置
は問題々いことがわかった。
ルムの送り速度を２１Ｈ／ ｍｆｎとしたＦｉダにフィ
ルム上に形成されたＡＡのｊ■Ｉ厚は３２０Ａでおった
。高周波電極３４に電力を印加しないづ場合の肛り厚は
３１０父でほとんど膜形成速度は変らなかった。この両
者の場合のＡｔ薄膜とポリエステルフィルムの接着強度
を比較した。ｌ０ＸＩＯのクロスカットテストを行なっ
たところ、高周波電力を印加する本発明により形成した
Ａｔ被膜はセロテープによる剥内１？テストで剥離しな
いＡＡ薄膜は１００％であったが、高周波ｑｉＬ力を印
加しない従来法の場合には８７係であった。第５図に巾
方向の膜厚分布を示す。２２０咽巾に対して±３．５
ｃｌｏと良好な膜）ｓメ分布であり、本発明の場合と従
来法の場合はほとんど差がなく、高周波電極３４の設置
は問題々いことがわかった。
実施例２
実施例１で用いたスパッタ装荷において、ターゲット３
２をＩｎ／Ｓｎ金属（Ｓｎ ５％）とし導入ガスをＡｒ
１０２の混合ガス（０２２５％）として真空度５ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒに保ち、Ｉ ｎ２ ｏ３／Ｓ ｎ ０
２ （Ｉ Ｔｏ ）の膜を反応性スパッタリングにより
作成した。
２をＩｎ／Ｓｎ金属（Ｓｎ ５％）とし導入ガスをＡｒ
１０２の混合ガス（０２２５％）として真空度５ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒに保ち、Ｉ ｎ２ ｏ３／Ｓ ｎ ０
２ （Ｉ Ｔｏ ）の膜を反応性スパッタリングにより
作成した。
最適なスパッタリング条件は電圧３７０ＶＸ電流１，５
Ａであり１００Ｗの高周波電力を印加したＷ１合としな
い場合の特性を比較した。両者の透過率と抵抗は表−１
の′ａシであった。高周波を印加した本発明の場合の方
がはるかに良好であった。
Ａであり１００Ｗの高周波電力を印加したＷ１合としな
い場合の特性を比較した。両者の透過率と抵抗は表−１
の′ａシであった。高周波を印加した本発明の場合の方
がはるかに良好であった。
表 −１
なお、巾方向の膜厚分布は第６図の６〔ａ〕の通りであ
った。
った。
次に、比較例を説明する。
実施例１で用いたスパッタ装置においてカソード３０と
アノード３１を取シはらい、１６暉電子銃（日本真空製
造ＥＧＫａ型）を設置し、高周波イオンブレーティング
によるＩＴＯのｎＹＰｌｉ形成を行なった。真空容器ｌ
Ｏ内をｌＸｌ０ Ｔｏｒｒに排気した後、０□ガスを
７Ｘ１０Ｔｏｒｒｉで導入し、周波数１３．５６ ＭＨ
ｚの高周波を２００Ｗの電力で印加しＩｎ／Ｓｎ金属（
Ｆ＋ｎ５％）をＥＢ電力６ Ｋｖｘ ４０ｍＡで蒸発さ
せＩＴＯ薄膜を形成した。
アノード３１を取シはらい、１６暉電子銃（日本真空製
造ＥＧＫａ型）を設置し、高周波イオンブレーティング
によるＩＴＯのｎＹＰｌｉ形成を行なった。真空容器ｌ
Ｏ内をｌＸｌ０ Ｔｏｒｒに排気した後、０□ガスを
７Ｘ１０Ｔｏｒｒｉで導入し、周波数１３．５６ ＭＨ
ｚの高周波を２００Ｗの電力で印加しＩｎ／Ｓｎ金属（
Ｆ＋ｎ５％）をＥＢ電力６ Ｋｖｘ ４０ｍＡで蒸発さ
せＩＴＯ薄膜を形成した。
得られたＩＴＯ膜の透過林二は８２係、抵抗力は３８０
Ω／口（膜厚２２０Ｘ）であったが、巾方向のＩｌ′Ｉ
厚分布は第６図の６〔ｂ〕の通りで±２３係と非常に悪
かった。この点から本発明の効果が明らかである。
Ω／口（膜厚２２０Ｘ）であったが、巾方向のＩｌ′Ｉ
厚分布は第６図の６〔ｂ〕の通りで±２３係と非常に悪
かった。この点から本発明の効果が明らかである。
第１図はマグネトロンスパッタ装置のカソード部の、１
４！ Ｂ３．；図、第２図は本発明のマグネトロンスパ
ッタ？ＣＵの要部概略図、第３図は本発明に係る高周波
電極の各種実施態様の平面図、第４図は本発明のマグネ
トロンスパッタ装置の一実力力態様の全体概略栴数回、
第５図は、実７１？１１例１の結果を示すグラフ、第６
図は実施例２の結果を示すグラフである。 Ｉ、ａｏ：カソード部、１，３２：ターゲット。 ｌｒ、 ３１ ： ７／ −）”、 ｒ［［、３４：
高周波電極。 ＩＶ、４１：茫材 牙１（￥１ 第２図 牙３図 第４図
４！ Ｂ３．；図、第２図は本発明のマグネトロンスパ
ッタ？ＣＵの要部概略図、第３図は本発明に係る高周波
電極の各種実施態様の平面図、第４図は本発明のマグネ
トロンスパッタ装置の一実力力態様の全体概略栴数回、
第５図は、実７１？１１例１の結果を示すグラフ、第６
図は実施例２の結果を示すグラフである。 Ｉ、ａｏ：カソード部、１，３２：ターゲット。 ｌｒ、 ３１ ： ７／ −）”、 ｒ［［、３４：
高周波電極。 ＩＶ、４１：茫材 牙１（￥１ 第２図 牙３図 第４図
Claims (1)
- １、 ターゲット表面近傍に閉磁界を形成するための磁
石を設けたカソード部を具備し、該カソード部に対して
アノード、基板を所定間隔で配置し基板上に膜形成する
ようになしたマグネトロンスパッタ装置において、前記
アノードと前記基板の間に高周波電力を印加するための
高周波電極を設け、該高周波電極により高周波電力を印
加しつつ膜形成するようになしたことを特徴とするマグ
ネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20596382A JPS5996268A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | マグネトロンスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20596382A JPS5996268A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | マグネトロンスパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996268A true JPS5996268A (ja) | 1984-06-02 |
| JPS6353261B2 JPS6353261B2 (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=16515603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20596382A Granted JPS5996268A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | マグネトロンスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996268A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6357764A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-12 | Teijin Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| JPH02197556A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-06 | Tdk Corp | マグネタイト膜の製造方法および製造装置 |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20596382A patent/JPS5996268A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6357764A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-12 | Teijin Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| JPH02197556A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-06 | Tdk Corp | マグネタイト膜の製造方法および製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6353261B2 (ja) | 1988-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6274014B1 (en) | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition | |
| JP7520115B2 (ja) | 基板にターゲット材料をスパッタ堆積する方法及び装置 | |
| EP1146543A2 (en) | High-density plasma source for ionized metal deposition | |
| JPS6254078A (ja) | 陰極スパツタリング処理により基板に薄層を被着する装置 | |
| WO1988002791A1 (fr) | Appareil de formation de fines pellicules | |
| US20050287724A1 (en) | Transparent conductive films and processes for forming them | |
| US5196400A (en) | High temperature superconductor deposition by sputtering | |
| JPH08287901A (ja) | リチウム二次電池正極の製造方法 | |
| CN1436361A (zh) | 磁控管溅射 | |
| JPS63137159A (ja) | 結晶性金属薄膜の形成方法 | |
| US5888305A (en) | Vacuum coating apparatus with a crucible in the vacuum chamber to hold material to be evaporated | |
| JPS5996268A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JPH0136693B2 (ja) | ||
| JPH02280310A (ja) | 電解コンデンサ用電極材料の製造方法 | |
| US5631050A (en) | Process of depositing thin film coatings | |
| JP4019457B2 (ja) | アーク式蒸発源 | |
| JPS6357764A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JPH0417669A (ja) | プラズマを用いた成膜方法およびｒｆイオンプレーティング装置 | |
| Matsuoka et al. | Oxide film deposition by radio frequency sputtering with electron cyclotron resonance plasma stimulation | |
| JPH07268624A (ja) | 放電装置 | |
| JPH0214426B2 (ja) | ||
| JPS6017070A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JP2878299B2 (ja) | イオンプレーティング方法 | |
| EP0790328A1 (en) | Thin film deposition | |
| JPS63458A (ja) | 真空ア−ク蒸着装置 |