JPS599663A - 縮小投影露光方法 - Google Patents
縮小投影露光方法Info
- Publication number
- JPS599663A JPS599663A JP57118279A JP11827982A JPS599663A JP S599663 A JPS599663 A JP S599663A JP 57118279 A JP57118279 A JP 57118279A JP 11827982 A JP11827982 A JP 11827982A JP S599663 A JPS599663 A JP S599663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- substrate
- mask
- same
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
で得られるパターンを縮小し基板上に投影してパターン
を形ｒＪｙする縮小投影露光方法に関するものである。
を形ｒＪｙする縮小投影露光方法に関するものである。
縮小投影露光方法は高精度なパターンが形成される反面
、マスクに付看したゴミ等による汚れが基板−にの全て
のチップに同じように転写されるため、マスク上のゴミ
等による汚れを注意深く洗浄したり、クリーン状態の維
持、管理が必要となり、半導体装置の製造上人きな問題
となっている。
、マスクに付看したゴミ等による汚れが基板−にの全て
のチップに同じように転写されるため、マスク上のゴミ
等による汚れを注意深く洗浄したり、クリーン状態の維
持、管理が必要となり、半導体装置の製造上人きな問題
となっている。
本発明は前記問題点を解消するもので（同一パターンを
有する複数枚のフ第１・マスクを用いフォトマスク１枚
当りの透過エネルギーを減じて基板の同一位置に複数に
重ね露光して一つのパターンを形成することを特徴とす
るものである。
有する複数枚のフ第１・マスクを用いフォトマスク１枚
当りの透過エネルギーを減じて基板の同一位置に複数に
重ね露光して一つのパターンを形成することを特徴とす
るものである。
以下、本発明の一実施例を図によって説明する。
縮小投影露光方法において、１枚のフォトマスク１を透
過する光計と時間との積で決る光エネルギーに基き１ノ
ヨット分エリアの露光が行なわれる。したがって、光エ
ネルギーを減じて露光する場合には、同一エリアに同一
パターンで露光する時間を光エネルギーが減少した分た
け増せば良い。
過する光計と時間との積で決る光エネルギーに基き１ノ
ヨット分エリアの露光が行なわれる。したがって、光エ
ネルギーを減じて露光する場合には、同一エリアに同一
パターンで露光する時間を光エネルギーが減少した分た
け増せば良い。
また、一方同一パターンを有する複数枚のマスク表面に
付着するゴミの位置は一般的にランダムであり同一位置
にある確率は極めて低い。
付着するゴミの位置は一般的にランダムであり同一位置
にある確率は極めて低い。
そこで、以上のことを考慮して本発明は、Ｎ（＊だしＮ
重１．２・・・ｎ）枚の同一パターンを有するマスクを
用い、マスク１枚あたりの透過エネルギー＝１１／Ｎに
減じて各マスクにより同一パターンを基板の同一位置Ｋ
Ｎ重に重ね露光するものである。
重１．２・・・ｎ）枚の同一パターンを有するマスクを
用い、マスク１枚あたりの透過エネルギー＝１１／Ｎに
減じて各マスクにより同一パターンを基板の同一位置Ｋ
Ｎ重に重ね露光するものである。
第１図は基本的な縮小投影露光方式の原理図であり、従
来はフォトマスク１で得られる隊ヲレンズ糸２全通して
縮小し基板３上に１ショット分ずつ露光パターンを児成
させ、基板３ ｆ ｘ及びｙ軸方向に移動させて順次基
板全面に露光パターン４ａ、４ｂ、４ｃｉ形成し全面露
光完了すれば露光が終了するものであり、露光終了の基
板乙に同一パターンのマスクを使って再度露光する必要
がない。
来はフォトマスク１で得られる隊ヲレンズ糸２全通して
縮小し基板３上に１ショット分ずつ露光パターンを児成
させ、基板３ ｆ ｘ及びｙ軸方向に移動させて順次基
板全面に露光パターン４ａ、４ｂ、４ｃｉ形成し全面露
光完了すれば露光が終了するものであり、露光終了の基
板乙に同一パターンのマスクを使って再度露光する必要
がない。
本発明の第１の実施例は、基本的な動作は、上述の基本
的露光方式と同一であるので、第１図に括づいて説明す
る。本発明ではフォトマスク１枚当りの露光量を、基本
的露光方式の露光量（以下基本露光ｊ５）という）を基
準にして用意されている同一パターンのフオＩ・マスク
枚数（Ｎ、吹）で割った値にし基板全面に順次露光し全
面露光後、用意されたフォトマスク１を交換し基板乙の
露光パターン４ ａ ｖ ４ ｂ＋ ４０位置に同・
−パターンでＮ回順次露光を重ねて縁り返し基板全面の
露光を完了させるものである。
的露光方式と同一であるので、第１図に括づいて説明す
る。本発明ではフォトマスク１枚当りの露光量を、基本
的露光方式の露光量（以下基本露光ｊ５）という）を基
準にして用意されている同一パターンのフオＩ・マスク
枚数（Ｎ、吹）で割った値にし基板全面に順次露光し全
面露光後、用意されたフォトマスク１を交換し基板乙の
露光パターン４ ａ ｖ ４ ｂ＋ ４０位置に同・
−パターンでＮ回順次露光を重ねて縁り返し基板全面の
露光を完了させるものである。
本発明の第２の実施例は、第２図に示す様にＮ枚のフォ
トマスク１にそれぞれレンズ系２を備え、一度に基本露
光量の１／ＮでＮ枚のフォトマスク１を１更用してＮシ
ョットを同時に露光し順次トン′ヨツト分ずつ基板′５
を移動させて基板乙の各露光パターン４ａ、４１）、４
Ｃの位置にマスクを違えて同一パター／でＮ回重ね露光
するものである。
トマスク１にそれぞれレンズ系２を備え、一度に基本露
光量の１／ＮでＮ枚のフォトマスク１を１更用してＮシ
ョットを同時に露光し順次トン′ヨツト分ずつ基板′５
を移動させて基板乙の各露光パターン４ａ、４１）、４
Ｃの位置にマスクを違えて同一パター／でＮ回重ね露光
するものである。
本発明の第６の実施例は、第３図に示す様にＮ枚のフォ
トマスク１にそれぞれレンズ系２を備え、フォトマスク
１枚あたりの露光量を基本露光敏の１／Ｎに減じ、Ｎ枚
のフォトマスク全同時に透過した光を光学的合成により
重ね合せ１ショット分の露光を実施し順次基板を移動し
基板全面を露光完了させるものである。
トマスク１にそれぞれレンズ系２を備え、フォトマスク
１枚あたりの露光量を基本露光敏の１／Ｎに減じ、Ｎ枚
のフォトマスク全同時に透過した光を光学的合成により
重ね合せ１ショット分の露光を実施し順次基板を移動し
基板全面を露光完了させるものである。
以上のように本発明はＮ枚の四−ノ々ターンを有するマ
スクを用いてマスク１枚あたりの透過エネルギーｖ１／
Ｎに減じて各マスクにより同一ノーターンを基板の同一
位置にＮ重に重ね露光するため、マスクに付置したゴミ
により同一位置に転写される影の度合が１／Ｎになり、
コミによる影響を極力なくすことができる効果を有する
ものである。
スクを用いてマスク１枚あたりの透過エネルギーｖ１／
Ｎに減じて各マスクにより同一ノーターンを基板の同一
位置にＮ重に重ね露光するため、マスクに付置したゴミ
により同一位置に転写される影の度合が１／Ｎになり、
コミによる影響を極力なくすことができる効果を有する
ものである。
第１図は、縮小投影方式の原理図であるとともに、本発
明の第１の実施例の原理説明図、第２図は本発明の第２
の実施例の原理説明図、第３図は本発明の第３の実施例
の原理説明図である。 １・・・フォトマスク ６・・・基板特許出願人
日本電気株式会社 代理人弁理士 菅 野 中
明の第１の実施例の原理説明図、第２図は本発明の第２
の実施例の原理説明図、第３図は本発明の第３の実施例
の原理説明図である。 １・・・フォトマスク ６・・・基板特許出願人
日本電気株式会社 代理人弁理士 菅 野 中
Claims (1)
- （１）Ｎ（ｉだＬＮ’＝１ 、 ２・ｎ ）枚の同一パ
ターン：！ｉｌ−有するマスクを用い、マスク１枚あた
りの透過エイ・ルギーを１／Ｎに減じて各マスクにより
同一パターンを基板の同一位置にＮ重に爪ね露光するこ
とを特徴とする縮小投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118279A JPS599663A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 縮小投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118279A JPS599663A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 縮小投影露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599663A true JPS599663A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14732721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118279A Pending JPS599663A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 縮小投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454449A (en) * | 1987-06-24 | 1989-03-01 | Mead Corp | Reduction in short-time scale reciprocity effect in microcapsulizing acrylate system |
| JP2006156424A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 露光方法および露光装置 |
-
1982
- 1982-07-07 JP JP57118279A patent/JPS599663A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454449A (en) * | 1987-06-24 | 1989-03-01 | Mead Corp | Reduction in short-time scale reciprocity effect in microcapsulizing acrylate system |
| JP2006156424A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 露光方法および露光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5459000A (en) | Image projection method and device manufacturing method using the image projection method | |
| KR100453472B1 (ko) | 층을 형성하기 위한 다중 이미지 레티클 | |
| JPS58107633A (ja) | 特殊チツプを逃げたシヨツト配列方法 | |
| EP0938031B1 (en) | A process for integrated circuit device fabrication using a variable transmission aperture | |
| JPH06124872A (ja) | 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 | |
| US4397543A (en) | Mask for imaging a pattern of a photoresist layer, method of making said mask, and use thereof in a photolithographic process | |
| JP3796294B2 (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
| JPH08227851A (ja) | ホトリソグラフィ方法及びそれに使用するホトリソグラフィシステム | |
| JPS599663A (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPS60109228A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH07211619A (ja) | 回路パターンの形成方法及びそれに用いられるレチクル | |
| KR100228570B1 (ko) | 반도체 기판 노출 방법 | |
| JPS59160144A (ja) | ホトマスク | |
| US5173380A (en) | Photomask | |
| US20040009431A1 (en) | Method of exposing semiconductor device | |
| JPH01107527A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2007256511A (ja) | レジストパターン形成用のフォトマスク及びその製造方法、並びにこのフォトマスクを用いたレジストパターンの形成方法 | |
| US6440614B1 (en) | Mask and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH01293616A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP2002373845A (ja) | 電子線露光方法及び電子線露光装置 | |
| JPH10189431A (ja) | 照明光学系及びそれを用いた露光装置 | |
| JPS63275115A (ja) | 半導体装置のパタ−ン形成方法 | |
| JP2715462B2 (ja) | レチクル及びこれを用いる半導体装置の製造方法 | |
| JPH0422954A (ja) | マスク、マスクを用いた露光装置及びマスクを用いた露光方法 | |
| JP2001102277A (ja) | 濃度フィルタ、露光装置及び露光方法 |