JPS5996720A - 薄膜半導体の製造方法 - Google Patents
薄膜半導体の製造方法Info
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- JPS5996720A JPS5996720A JP57207378A JP20737882A JPS5996720A JP S5996720 A JPS5996720 A JP S5996720A JP 57207378 A JP57207378 A JP 57207378A JP 20737882 A JP20737882 A JP 20737882A JP S5996720 A JPS5996720 A JP S5996720A
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
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- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明＆ｊ非晶質シリコンからなる薄膜半導体の製造方
法番こ関する。
法番こ関する。
水素を含む非晶質シリコン膜Ｇｊ高い光導電性、擾わた
耐熱性、島い表［ｊｍ夏を有し、優れた電子写真用感光
体として期待されている。しかし、通常の方法で作られ
た膜（ｊ暗抵抗率が１０１ＯΩαと低（０ａｒｌｓｏｎ
法による電荷潜像の形成に昏ｊ不適当であった。そこで
高い光導電性を損うことなく暗抵抗率を増加させるため
をこいくつかの方法が提案されている。例えば５ｉｎ４
ガス中に微量のＢ２Ｈ６ガス及び０２ガスを導入しグロ
ー放電法で非晶質シリコン膜を堆積する方法、ＳｉＨ４
ガス中）こＮ２を混合してグロー放電法で非晶質シリコ
ン、膜を堆積させる方法等が実施されている。
耐熱性、島い表［ｊｍ夏を有し、優れた電子写真用感光
体として期待されている。しかし、通常の方法で作られ
た膜（ｊ暗抵抗率が１０１ＯΩαと低（０ａｒｌｓｏｎ
法による電荷潜像の形成に昏ｊ不適当であった。そこで
高い光導電性を損うことなく暗抵抗率を増加させるため
をこいくつかの方法が提案されている。例えば５ｉｎ４
ガス中に微量のＢ２Ｈ６ガス及び０２ガスを導入しグロ
ー放電法で非晶質シリコン膜を堆積する方法、ＳｉＨ４
ガス中）こＮ２を混合してグロー放電法で非晶質シリコ
ン、膜を堆積させる方法等が実施されている。
しかしながら、こわらの方法で＆ｊ性能的にＧｊ ［ね
た非晶質シリコン膜を得ることＧｊできるが、膜の成長
速度が８通常１ｏｏ−数百Ｘ／ｍｉｎと遅く、電子写真
感光体として必要な膜厚＜２０μｍ以上）を得るために
栖めて長時間を有し生産性が悪いという欠点を有してい
る。
た非晶質シリコン膜を得ることＧｊできるが、膜の成長
速度が８通常１ｏｏ−数百Ｘ／ｍｉｎと遅く、電子写真
感光体として必要な膜厚＜２０μｍ以上）を得るために
栖めて長時間を有し生産性が悪いという欠点を有してい
る。
そこで本発明は、高い光導電性を翁し、がっ、暗抵抗率
が高く高速成長用能な電子写真感光体として有用な非晶
質シリコンからなる薄膜半導体の製造方法を提供するも
のである。
が高く高速成長用能な電子写真感光体として有用な非晶
質シリコンからなる薄膜半導体の製造方法を提供するも
のである。
即ち、本発明に係る薄膜半導体の製造方法〔ｊ１１０４
トール以下の高真空番こ排気された真空容器内１こざＸ
１０−’）−ルから／Ｘ／（１）−５）−ルの範囲の分
圧を有するように水素とアンモニアの混合ガスを導入し
、該導入されたガスと、シリコンを加熱蒸発することに
より得られるシリコン単原子と昏こ加速電子を衝突させ
て電跡若しく（ｊ解離し、かくして生成したガスイオン
及びシリコンイオンに電界効果により高エネルギーを付
与させて電極基板に射突させると同時に、該電極基板表
面１こ到達したシリコン原子及び電極基板表面近傍のガ
ス分子並び【こ解離原子とに、別途の電子線発生装置に
より引き出された加速電子を衝突させることＧこより、
活性化を施して非晶質シリコンから成る薄膜を形成する
ことを要旨としている。ここにおいて、アンモニアガス
と水素ガスの容量混合比【ｊアンモニアガス／、０に対
し水素ガスＯ９Ｏ／乃至／、０とするのがよい。又、電
子線発生装置より引き出された加速電子の電ｉ基板到達
時のエネルギー【ｊｊ乃至１ｏｏｏｅｖの範囲とするの
がよい以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する
Ｏ 図に示される装置に於いて昏ｊ１真空容器（１）内の真
空室（２）は、排気系装置（油拡散ポンプ、油回転ポン
プ等で構成されているが図示されていない）によって／
×１０−７トールまでの高真空に排気されることが可能
になさねており、そして真空室（２）ＧＩＮ子ビーム蒸
発源（４）（電源回路衛Ｇ」図示されていない）、じゃ
ま板（５）、ループ状のガス導入込（６）、第一電子発
生装置（７）、第二電子発生装置ｉｄ： ＋８１、基板
ホルダー（９）、及びそｒｌｌこ取り付けられた基板（
１０）が設置さねており、更に真空容器（１）の外方１
こ（ｊ装置を動作させるための電源（１１）乃至（１６
）とその回路、ループ状ガス導入管（６）番こバルブ（
７１乃至−によって切換及び流量？ｒ’ｉ ＝Ｉ川能能
１接続さゎた水素、アンモニアが各々充填されたボンベ
ｅ］）（ホ）が設置されている。
トール以下の高真空番こ排気された真空容器内１こざＸ
１０−’）−ルから／Ｘ／（１）−５）−ルの範囲の分
圧を有するように水素とアンモニアの混合ガスを導入し
、該導入されたガスと、シリコンを加熱蒸発することに
より得られるシリコン単原子と昏こ加速電子を衝突させ
て電跡若しく（ｊ解離し、かくして生成したガスイオン
及びシリコンイオンに電界効果により高エネルギーを付
与させて電極基板に射突させると同時に、該電極基板表
面１こ到達したシリコン原子及び電極基板表面近傍のガ
ス分子並び【こ解離原子とに、別途の電子線発生装置に
より引き出された加速電子を衝突させることＧこより、
活性化を施して非晶質シリコンから成る薄膜を形成する
ことを要旨としている。ここにおいて、アンモニアガス
と水素ガスの容量混合比【ｊアンモニアガス／、０に対
し水素ガスＯ９Ｏ／乃至／、０とするのがよい。又、電
子線発生装置より引き出された加速電子の電ｉ基板到達
時のエネルギー【ｊｊ乃至１ｏｏｏｅｖの範囲とするの
がよい以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する
Ｏ 図に示される装置に於いて昏ｊ１真空容器（１）内の真
空室（２）は、排気系装置（油拡散ポンプ、油回転ポン
プ等で構成されているが図示されていない）によって／
×１０−７トールまでの高真空に排気されることが可能
になさねており、そして真空室（２）ＧＩＮ子ビーム蒸
発源（４）（電源回路衛Ｇ」図示されていない）、じゃ
ま板（５）、ループ状のガス導入込（６）、第一電子発
生装置（７）、第二電子発生装置ｉｄ： ＋８１、基板
ホルダー（９）、及びそｒｌｌこ取り付けられた基板（
１０）が設置さねており、更に真空容器（１）の外方１
こ（ｊ装置を動作させるための電源（１１）乃至（１６
）とその回路、ループ状ガス導入管（６）番こバルブ（
７１乃至−によって切換及び流量？ｒ’ｉ ＝Ｉ川能能
１接続さゎた水素、アンモニアが各々充填されたボンベ
ｅ］）（ホ）が設置されている。
本発明Ｅ、：基づいて、薄膜半導体を製造する【こ輻、
図番こ示すよう【こ電極基板（１０）を基板ホルダー（
９）に配置し、電子ビーム蒸発源（４）のルツボ←υＥ
こ高純度のシリコンを供給し、次いで排気孔（３）がら
排気系装置ｔによって排気を行って真空室（２）を／
Ｘ ／ ０−７トールよりも高度の高真空となし、真空
度が安定したところでガス導入’青（６１よりバルブ（
ハ）−を調節しながら水素とアンモニアとの混合ガスを
分圧がｇ×ｉｏ−’ トールから／×１０−５トール
の範囲になるようＥこ噂人する。このとき水素とアンモ
ニアの分圧のｈｊ合がアンモニア７．０＆こ対し水素が
０．０７〜八〇 となるようＥこするのが好ましい。
図番こ示すよう【こ電極基板（１０）を基板ホルダー（
９）に配置し、電子ビーム蒸発源（４）のルツボ←υＥ
こ高純度のシリコンを供給し、次いで排気孔（３）がら
排気系装置ｔによって排気を行って真空室（２）を／
Ｘ ／ ０−７トールよりも高度の高真空となし、真空
度が安定したところでガス導入’青（６１よりバルブ（
ハ）−を調節しながら水素とアンモニアとの混合ガスを
分圧がｇ×ｉｏ−’ トールから／×１０−５トール
の範囲になるようＥこ噂人する。このとき水素とアンモ
ニアの分圧のｈｊ合がアンモニア７．０＆こ対し水素が
０．０７〜八〇 となるようＥこするのが好ましい。
次いで、電子ビーム蒸発＃ｉ（４＋を動作させてルツボ
０υ内のシリコンを蒸気化させ、該シリコンの原子状粒
子と導入された水素とアンモニアの混合ガスを第一電子
発生装置（７）からの高速電子〔こより衝突％ 離若し
く Ｇｊ 解離せしめてイオン化させる。
０υ内のシリコンを蒸気化させ、該シリコンの原子状粒
子と導入された水素とアンモニアの混合ガスを第一電子
発生装置（７）からの高速電子〔こより衝突％ 離若し
く Ｇｊ 解離せしめてイオン化させる。
尚、電子発生装置Ｒ＋７１ Ｇｊフィラメント（７］）
、メツシュ°ｎ；極Ｖの及びガード電極Ｑ３から構成さ
れており、本実施例テＧｊＫ源（１２）ｃコヨリ、アー
ス＋：対し、−２００Ｖの直流電位を与えられたフィラ
メントＣ７１）に、′電源（１りにより／（１）Ｖ、３
０ｋ の交流を流し加熱せしめて熱電子を発生させると
共に、メツシュ状Ｔｕ 枠（７２を接地することにより
上記熱電子を電界加速させて高速電子を発生するように
している。
、メツシュ°ｎ；極Ｖの及びガード電極Ｑ３から構成さ
れており、本実施例テＧｊＫ源（１２）ｃコヨリ、アー
ス＋：対し、−２００Ｖの直流電位を与えられたフィラ
メントＣ７１）に、′電源（１りにより／（１）Ｖ、３
０ｋ の交流を流し加熱せしめて熱電子を発生させると
共に、メツシュ状Ｔｕ 枠（７２を接地することにより
上記熱電子を電界加速させて高速電子を発生するように
している。
前記の如くしてイオン化されたガスイオン及びシリコン
イオン１こ対し、基板ホルダー（９）に電源０３）によ
り負の直流高電圧を印加して高エネルギーを付与し、電
極基板（１０）表面に入射せしめる０加速電圧としてＧ
ｅ１−ｏ、ｏｉＫｖ〜−ｊＫＶが好適である。
イオン１こ対し、基板ホルダー（９）に電源０３）によ
り負の直流高電圧を印加して高エネルギーを付与し、電
極基板（１０）表面に入射せしめる０加速電圧としてＧ
ｅ１−ｏ、ｏｉＫｖ〜−ｊＫＶが好適である。
基板１こ到達する粒子としてＧｅｌ 、前記重子発生装
置（７）ｌこよりイオン化されたＳｉ’ 、Ｈ” 、＋
７． ＨＨ；等イオンの他に中性シリコン原子、水素分
子、アンモニア分子、及び加速電子との衝突若しくｌｊ
熱的励起により解離活性化された水素原子（Ｈ”）、（
内等も多ｉ１こある。これら荷電されていない粒子（ｊ
電界加速効果が及はす、運卯・エネルギーがＪ摩来イオ
ンに比べて小さい。こうした非荷電状態の粒子群に対し
、別途イオン化あるいＣｊ活性化を高めて、よりシリコ
ンと水素、猿素等の反応性を晶めるために基板上の膜表
面シこ電子線を照射する第二電子発生装貯ｆ８１を作動
させる。該電子発生装置（８１Ｇｊ、フィラメント（ロ
）、メツシュｘ 極ｅｔａ及びガード電極鏝から構成さ
れており、本実施例でＩｊ、メツシュ屯１端ｊ基板電ｔ
！Ｉ＋！（９）＋１：対し、電源（１６）により負の直
流電位が印加さね、逆１こフィラメント但υ（こ対して
もコミ源α５）をこより相対的に正電位シこなるよう１
こ直流電位が印加さねている。電源（１→から供給され
た電力１こより加熱されたフィラメント６υに熱電子を
多量１こ放出し、こわら熱電子Ｏゴメッシュ電極輸とフ
ィラメント侶υの間の電界作用によって加速引出ししさ
れ、更【こメツシュ電極翰と基板電極（９）の電界作用
１Ｊよって該電子線Ｇｊ基板（ｔＯ）の表面に到達する
。基板面に到達した電子Ｃｊ、前述した基板膜表面昏こ
到達した中性粒子（Ｓｉ、＋２、ＮＨ３，１（、Ｎ等）
をイオン化、若しく＆Ｊ高エネルギー状態（こ励起する
。゛この結果として、シリコンと水素、アンモニアＶと
の反応性が高まり、高濃度の水素、窒素が取り込まれつ
つ次第１こ非晶質シリコン膜が形成される。尚、本実ｔ
ｍ例においてＧｊ ％フィラメント侶Ｄ）、： Ｇｊ
２０〜１００Ｗの電力が供給さね、またメツシュ電杼０
４Ｇづ、基板電極（９）しこ対し、Ｏ，０Ｏ３Ｖ〜／Ｋ
Ｖ の負の直流電位を印加させるのが好ましい０電源
（１５） ）こより印力目される電位（ｊガード電極（
へ）及びフィラメントの構造形状をこより異なるが通常
ｊＯ−！；ＯＯＶが好ましい。
置（７）ｌこよりイオン化されたＳｉ’ 、Ｈ” 、＋
７． ＨＨ；等イオンの他に中性シリコン原子、水素分
子、アンモニア分子、及び加速電子との衝突若しくｌｊ
熱的励起により解離活性化された水素原子（Ｈ”）、（
内等も多ｉ１こある。これら荷電されていない粒子（ｊ
電界加速効果が及はす、運卯・エネルギーがＪ摩来イオ
ンに比べて小さい。こうした非荷電状態の粒子群に対し
、別途イオン化あるいＣｊ活性化を高めて、よりシリコ
ンと水素、猿素等の反応性を晶めるために基板上の膜表
面シこ電子線を照射する第二電子発生装貯ｆ８１を作動
させる。該電子発生装置（８１Ｇｊ、フィラメント（ロ
）、メツシュｘ 極ｅｔａ及びガード電極鏝から構成さ
れており、本実施例でＩｊ、メツシュ屯１端ｊ基板電ｔ
！Ｉ＋！（９）＋１：対し、電源（１６）により負の直
流電位が印加さね、逆１こフィラメント但υ（こ対して
もコミ源α５）をこより相対的に正電位シこなるよう１
こ直流電位が印加さねている。電源（１→から供給され
た電力１こより加熱されたフィラメント６υに熱電子を
多量１こ放出し、こわら熱電子Ｏゴメッシュ電極輸とフ
ィラメント侶υの間の電界作用によって加速引出ししさ
れ、更【こメツシュ電極翰と基板電極（９）の電界作用
１Ｊよって該電子線Ｇｊ基板（ｔＯ）の表面に到達する
。基板面に到達した電子Ｃｊ、前述した基板膜表面昏こ
到達した中性粒子（Ｓｉ、＋２、ＮＨ３，１（、Ｎ等）
をイオン化、若しく＆Ｊ高エネルギー状態（こ励起する
。゛この結果として、シリコンと水素、アンモニアＶと
の反応性が高まり、高濃度の水素、窒素が取り込まれつ
つ次第１こ非晶質シリコン膜が形成される。尚、本実ｔ
ｍ例においてＧｊ ％フィラメント侶Ｄ）、： Ｇｊ
２０〜１００Ｗの電力が供給さね、またメツシュ電杼０
４Ｇづ、基板電極（９）しこ対し、Ｏ，０Ｏ３Ｖ〜／Ｋ
Ｖ の負の直流電位を印加させるのが好ましい０電源
（１５） ）こより印力目される電位（ｊガード電極（
へ）及びフィラメントの構造形状をこより異なるが通常
ｊＯ−！；ＯＯＶが好ましい。
本実施例において好適な照射条件〔Ｊ１基板表面（１０
１に到達する電子のもつエネルギーの範囲がＳ〜１００
０θ■となることである（Ｓｉ、Ｈ％Ｈ２％ＮＨ３のイ
オン化ポテンシャルｉＪ各々、ｒ、 、２、／３． ｊ
−２／夕、’Ｉｓ １０−２ｅＶであり、気体状態の水
素分子Ｈ２の電離能率Ｓθが、Ｓｅ＞ハ ０イオン／ｃ
ｍｔｏｒｒ となるの＆ｊ、電子エネルギーが２０〜
ｑ００ｅ■のときであり、＋２のＳｅの最大値５ｅ＝５
イオン／αｔｏｒｒ４ｊ電子エネルギーが８０〜１００
ｅＶのとき得られる）。
１に到達する電子のもつエネルギーの範囲がＳ〜１００
０θ■となることである（Ｓｉ、Ｈ％Ｈ２％ＮＨ３のイ
オン化ポテンシャルｉＪ各々、ｒ、 、２、／３． ｊ
−２／夕、’Ｉｓ １０−２ｅＶであり、気体状態の水
素分子Ｈ２の電離能率Ｓθが、Ｓｅ＞ハ ０イオン／ｃ
ｍｔｏｒｒ となるの＆ｊ、電子エネルギーが２０〜
ｑ００ｅ■のときであり、＋２のＳｅの最大値５ｅ＝５
イオン／αｔｏｒｒ４ｊ電子エネルギーが８０〜１００
ｅＶのとき得られる）。
本実側例で＆ｊ第二電子発生装置として、丘Ｓ）単な構
造のものを挙げたが、他に、いわゆる′電子銃と電子レ
ンズで構成される装［解を使用し、細径ビームを基板表
面で走査してもよい。
造のものを挙げたが、他に、いわゆる′電子銃と電子レ
ンズで構成される装［解を使用し、細径ビームを基板表
面で走査してもよい。
次シこ図に示す装’Ｉｔを用いて非晶質シリコン膜を形
成する具体例を記す。
成する具体例を記す。
図に示される装置を用い高純度＠Ｃ，９９９９９９％以
上）を電子ビーム蒸発源（４）のルツボＯ〃に人わ、基
板面としてガラス板 （米国コーニング祉ｐ７０！；９
ガラス）を用い、それを基板ホルダー（９）に取り付け
、基板（１０）を２２０ ’Ｃに保って下記の条件で基
板ｕＯ）の表面に厚さ３１ｔｍの蒸着層を形成させた。
上）を電子ビーム蒸発源（４）のルツボＯ〃に人わ、基
板面としてガラス板 （米国コーニング祉ｐ７０！；９
ガラス）を用い、それを基板ホルダー（９）に取り付け
、基板（１０）を２２０ ’Ｃに保って下記の条件で基
板ｕＯ）の表面に厚さ３１ｔｍの蒸着層を形成させた。
作製条件
（１）混合ガス導入前の圧力 ： ２×７０″ トー
ル（２） アンモニアと水素のｍ合比： ／：ｏ、
５（３）？μ合カスの分圧 ： ｑ×１０−”
トール（４）イオン化゛屯圧（電源（ロ））） ：３
００Ｖ（５）イオン化電流 ： 、２
Ｑ Ｑ ｍ Ａ−（６）イオン加ｄ尻ＦＦ、： ０．
ｊ；Ｋｖ（７）基板温度 ： ２００
°Ｃ（８） 蒸＠速度 ： ２０００
しｍ１ｎ（９）電源（Ｌ５）の電位差 ：
３００Ｖ（１０）電源（１〜の′電位差
： ２００Ｖかくして得らハたシリコンＮ、τ膜を
Ｘ ＩＱ回折で解析した結果、非晶質であった。そして
、該光・膜の特性を調べた結果、次の通りであつ、電子
写真感光体としてｆｆ１ｆ１かものであった。
ル（２） アンモニアと水素のｍ合比： ／：ｏ、
５（３）？μ合カスの分圧 ： ｑ×１０−”
トール（４）イオン化゛屯圧（電源（ロ））） ：３
００Ｖ（５）イオン化電流 ： 、２
Ｑ Ｑ ｍ Ａ−（６）イオン加ｄ尻ＦＦ、： ０．
ｊ；Ｋｖ（７）基板温度 ： ２００
°Ｃ（８） 蒸＠速度 ： ２０００
しｍ１ｎ（９）電源（Ｌ５）の電位差 ：
３００Ｖ（１０）電源（１〜の′電位差
： ２００Ｖかくして得らハたシリコンＮ、τ膜を
Ｘ ＩＱ回折で解析した結果、非晶質であった。そして
、該光・膜の特性を調べた結果、次の通りであつ、電子
写真感光体としてｆｆ１ｆ１かものであった。
暗抵抗率 ： ３×１０１３Ωｍ
光照射下での抵抗率 ： タ×１０９Ωα（光照射条件
：Ｈｅ−Ｎｅレーザ−３００μｗＡｉ）〔比較例〕 具体例と同様の条件で、電子発生装置（８）からの電子
を基板（１０）の膜表面に照射せずにジルコン薄膜を形
成させたところ、 暗抵抗率 ： ｇ×ｉｏ８Ωｃｔｎ 光照射下での抵抗率 ： １ｌｘｉｏ８ Ω（７）で
あり、特性的に劣るものであった。
：Ｈｅ−Ｎｅレーザ−３００μｗＡｉ）〔比較例〕 具体例と同様の条件で、電子発生装置（８）からの電子
を基板（１０）の膜表面に照射せずにジルコン薄膜を形
成させたところ、 暗抵抗率 ： ｇ×ｉｏ８Ωｃｔｎ 光照射下での抵抗率 ： １ｌｘｉｏ８ Ω（７）で
あり、特性的に劣るものであった。
本発明の＠成牛導体の製造方法ｔ３ 、上述の通りであ
り、高真空の条件下でシリコンイオン及び特定のガスイ
オンに高エネルギーを付与させて電極基板上に射突さゼ
、更に基板上の膜表面に電子を照射させて非荷電状態で
膜表面に到達したＳｊ１京子、及び特定のガス分子、＃
痺゛トしたガス原子をイオン化若しく Ｆｊ高エネルギ
ー状態をこ励起し、シリコンとガス成分原子との反応性
を高めること１こより、従来の高真空下イオンブレーテ
ィングプロセスでｔｊ ％低水素濃度（高々１０％）の
非晶質シリコン膜しか得られなかった欠点を解消し、ま
た、新たに水素とアンモニアの混合ガスを使用すること
で、Ｓｉを高速蒸発させる条件下でも高い水素及び窒素
濃度を有する非晶質シリコン膜を得ることが容易なるも
のである。また、このようにして得られた膜（Ｊ１高濃
度水素、窒素の効果１こより従来一般に得られた膜より
も、ｉｊるかに高い暗抵抗（約１ｏ１３Ω（，７ｎ以上
）、高光電導度（／ ０”Ωｆｉ ｃｔ”以上）が得ら
れ、特１こ電子写真用感光体として優れた特性が得られ
る。加えて、高真空下でのイｔンプレーテイングである
ことから、従来のグロー放電法での製膜Ｅこ比べて、不
純物の混入も少なく、条件のル１ｊ御性も濠ねており、
また、本製造方法の連続化、大面私化も容易である。
り、高真空の条件下でシリコンイオン及び特定のガスイ
オンに高エネルギーを付与させて電極基板上に射突さゼ
、更に基板上の膜表面に電子を照射させて非荷電状態で
膜表面に到達したＳｊ１京子、及び特定のガス分子、＃
痺゛トしたガス原子をイオン化若しく Ｆｊ高エネルギ
ー状態をこ励起し、シリコンとガス成分原子との反応性
を高めること１こより、従来の高真空下イオンブレーテ
ィングプロセスでｔｊ ％低水素濃度（高々１０％）の
非晶質シリコン膜しか得られなかった欠点を解消し、ま
た、新たに水素とアンモニアの混合ガスを使用すること
で、Ｓｉを高速蒸発させる条件下でも高い水素及び窒素
濃度を有する非晶質シリコン膜を得ることが容易なるも
のである。また、このようにして得られた膜（Ｊ１高濃
度水素、窒素の効果１こより従来一般に得られた膜より
も、ｉｊるかに高い暗抵抗（約１ｏ１３Ω（，７ｎ以上
）、高光電導度（／ ０”Ωｆｉ ｃｔ”以上）が得ら
れ、特１こ電子写真用感光体として優れた特性が得られ
る。加えて、高真空下でのイｔンプレーテイングである
ことから、従来のグロー放電法での製膜Ｅこ比べて、不
純物の混入も少なく、条件のル１ｊ御性も濠ねており、
また、本製造方法の連続化、大面私化も容易である。
図Ｃコ本発明方法を実Ｉ和する一例としての装置の、牌
成図である。 （１）・・・真空賽器 （ｌＯ）・・・電極基
板（８）・・・別途の電子線発生装置（第二電子発生装
置）特許出１如人 積水化学工業株式会社 代表者 藤沼基利
成図である。 （１）・・・真空賽器 （ｌＯ）・・・電極基
板（８）・・・別途の電子線発生装置（第二電子発生装
置）特許出１如人 積水化学工業株式会社 代表者 藤沼基利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 υ １０”トール以下の高真空をこ排気された真空容器
内ＧこざＸ１０”）−ルから／ Ｘ ／ ０−５トール
の範囲の分圧を有するよう【こ水素とアンモニアの混合
ガスを導入し、該導入されたガスと、シリコンを加熱蒸
発することシこより得られるシリコン単原子と【こ加Ｍ
’Ｗ子を衝突させて電離若しく Ｃｔ解離し、かくし
て生成したガスイオン及びシリコンイオンシこ電界効果
（こより高エネルギーを付与させて電極基板に射突させ
ると同時に、該電極板表面をこ到達したシリコン原子及
び電極基板表面をこ到達したシリコン及び電極基板表顛
近傍のガス分子並びに解Ｈｉｔ原子と【こ、別途の電子
線発生装置より引き出された加速電子を衝突させること
をこより活性化を施して、非晶質シリコンから成る薄膜
を形成することを特徴とする薄膜半導体の製造方法。 ２） アンモニアガスと水素ガスの分圧の割合が、アン
モニアガス／、 Ｏｉこ対し０．０／ないし・／・
０であることを特徴とする特許請求の範囲第１項をこ記
載の薄膜半導体の製造方法０３）電子線発生装置より引
き出された加速電子の電極基板到達時のエネルギーが５
乃至１０ＯＯｅＶの範囲であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項もしくＯｊ第２項に記載の薄膜半歩体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207378A JPS5996720A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 薄膜半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207378A JPS5996720A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 薄膜半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996720A true JPS5996720A (ja) | 1984-06-04 |
| JPH0113213B2 JPH0113213B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=16538731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57207378A Granted JPS5996720A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 薄膜半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5436035A (en) * | 1991-12-05 | 1995-07-25 | Alusuisse-Lonza Services Ltd. | Coating a substrate surface with a permeation barrier |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP57207378A patent/JPS5996720A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5436035A (en) * | 1991-12-05 | 1995-07-25 | Alusuisse-Lonza Services Ltd. | Coating a substrate surface with a permeation barrier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0113213B2 (ja) | 1989-03-03 |
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