JPS5996718A - 薄膜半導体の製造方法 - Google Patents
薄膜半導体の製造方法Info
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- JPS5996718A JPS5996718A JP57207376A JP20737682A JPS5996718A JP S5996718 A JPS5996718 A JP S5996718A JP 57207376 A JP57207376 A JP 57207376A JP 20737682 A JP20737682 A JP 20737682A JP S5996718 A JPS5996718 A JP S5996718A
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- Japan
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- thin film
- silicon
- hydrogen
- torr
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明（Ｊシリコンからなる薄膜半導体の２４！造方法
に関する。
に関する。
水素を含む非晶質シリコン膜Ｇ−Ｊ 、、高い光導電性
、優れた耐熱性、高い表面硬度を有し、優ねた電子写真
用感光体として期待されている。しかし−通常の方法で
作られた膜Ｇｊ暗低抵抗率１０１０Ωαと低（０ａｒｌ
ｓｏｎ法による電荷潜像の形成に（ｊ不適当であった。
、優れた耐熱性、高い表面硬度を有し、優ねた電子写真
用感光体として期待されている。しかし−通常の方法で
作られた膜Ｇｊ暗低抵抗率１０１０Ωαと低（０ａｒｌ
ｓｏｎ法による電荷潜像の形成に（ｊ不適当であった。
そこで、高い光導電性を損なうことなく、暗抵抗率を増
加させるためにいくつかの方法が提案されている。例え
ば、５ｉＨｊガス中に微量のＢ２ Ｈｇガス及び０□ガ
スを導入し、グロー放電法で非晶質シリコン膜を堆積さ
せる方法、ＳｉＨ４ガス中にＮ２を混合してグロー放電
法で非晶質シリコン膜を堆積させる方法などが行なわわ
ている。
加させるためにいくつかの方法が提案されている。例え
ば、５ｉＨｊガス中に微量のＢ２ Ｈｇガス及び０□ガ
スを導入し、グロー放電法で非晶質シリコン膜を堆積さ
せる方法、ＳｉＨ４ガス中にＮ２を混合してグロー放電
法で非晶質シリコン膜を堆積させる方法などが行なわわ
ている。
しかしながらこれらの方法でＣｊ２ｊ能的に【ｊ優ねた
非晶質シリコン膜を得ることＧｅ！できるが、膜の成長
速度が通常１００−数百λ／ ｍ ｉ ｎと遅く、電子
写真感光体として必要な膜厚（２０μｍ以Ｄを得るため
に−極めて長時間を有し、生産性が悪いという欠点を有
している。
非晶質シリコン膜を得ることＧｅ！できるが、膜の成長
速度が通常１００−数百λ／ ｍ ｉ ｎと遅く、電子
写真感光体として必要な膜厚（２０μｍ以Ｄを得るため
に−極めて長時間を有し、生産性が悪いという欠点を有
している。
そこで本発明Ｇｊ ％高い光導電性を有し、かつ暗抵抗
率が高く高速成長可能な電子写真感光体として有用な非
晶質シリコン膜からなる薄膜半導体の気された真空室内
に／ Ｘ ／ ０−” トールからＪ Ｘ １０−’
トールの範囲の分圧を有する様に水素ガスと酸素ガスの
混合ガス或い＆ｊ水素ガスと望素ガスの混合ガスを導入
し、該導入ガスと、シリコンを加熱蒸発することにより
得られるシリコン単原子とに加速電子を衝突させて電離
若しく（コ解ｔさせ、かくして生成したガスイオン及び
シリコンイオン１０電界効果によって高エネルギーを付
加させて基材上しこ射突させることによりシリコンＩＦ
を形成させ、更１こ該薄膜を水素プラズマ中で熱処理す
ることを要旨としている。
率が高く高速成長可能な電子写真感光体として有用な非
晶質シリコン膜からなる薄膜半導体の気された真空室内
に／ Ｘ ／ ０−” トールからＪ Ｘ １０−’
トールの範囲の分圧を有する様に水素ガスと酸素ガスの
混合ガス或い＆ｊ水素ガスと望素ガスの混合ガスを導入
し、該導入ガスと、シリコンを加熱蒸発することにより
得られるシリコン単原子とに加速電子を衝突させて電離
若しく（コ解ｔさせ、かくして生成したガスイオン及び
シリコンイオン１０電界効果によって高エネルギーを付
加させて基材上しこ射突させることによりシリコンＩＦ
を形成させ、更１こ該薄膜を水素プラズマ中で熱処理す
ることを要旨としている。
以Ｆ１本発明方法を詳述する。第１図及び第２図ＧＪ本
発明方法を実施するための装置を示す。第１図において
、（ＩＨ−ｊ真空槽で、非晶質シリコン薄膜を得るため
のものである。この槽（１）内に形成された真空室＋２
１ ＧＪ排気口（３）に連結された排気系装置（図示さ
ねていない）！こより／ Ｘ ／ ０−６までの高真空
１こ胡気されることが可能になっており、そして真空室
（２目こ（ｊ電子ビーム蒸発源（４）（電源回路等に図
示さねていない）、ループ状のガス導入管（５）、電子
発生装置（６）、基材ホルダー（７）及びそｆ＋ ｉ、
：取付けらねた基材（８）が設置されている。真腋槽（
１）の外方１こ（Ｊ１電子発生装ｆｋ Ｉｉ ！ＩＪ作
させるだめの電源［９） ０．０）及びその回ｆ各、基
材ホルダーに電圧を印加するため電源（１１）及びその
回路、ループ状ガス導入管＋５１ ）、：バルブ（ロ）
）〜０→により流量Ｎ節μ」能に接続された水素、酸素
或いｃｅｌ窒素が充填されたボン”＜ ０５） （＋６
）が設置さねている。第２図Ｇｊ ％第１図の装置で形
成されたシリコン薄膜をプラズマ処理するためのもので
ある。真空ｗＪＱυ内の真空室＠＋Ｊ排気口（ハ）に連
結された排気系装置（図示さねていない）によって／×
１０−６トールまでの高真空に排気されることが可能に
なっており、真空室＠１こ（ｊガス導入管■、プラズマ
発生のための電極（■（１）、シリコン薄膜が蒸着され
た基材（イ）及び基材（５）を加熱するためのヒーター
＠（電源等＆ｊ図示されていない）が段置されている。
発明方法を実施するための装置を示す。第１図において
、（ＩＨ−ｊ真空槽で、非晶質シリコン薄膜を得るため
のものである。この槽（１）内に形成された真空室＋２
１ ＧＪ排気口（３）に連結された排気系装置（図示さ
ねていない）！こより／ Ｘ ／ ０−６までの高真空
１こ胡気されることが可能になっており、そして真空室
（２目こ（ｊ電子ビーム蒸発源（４）（電源回路等に図
示さねていない）、ループ状のガス導入管（５）、電子
発生装置（６）、基材ホルダー（７）及びそｆ＋ ｉ、
：取付けらねた基材（８）が設置されている。真腋槽（
１）の外方１こ（Ｊ１電子発生装ｆｋ Ｉｉ ！ＩＪ作
させるだめの電源［９） ０．０）及びその回ｆ各、基
材ホルダーに電圧を印加するため電源（１１）及びその
回路、ループ状ガス導入管＋５１ ）、：バルブ（ロ）
）〜０→により流量Ｎ節μ」能に接続された水素、酸素
或いｃｅｌ窒素が充填されたボン”＜ ０５） （＋６
）が設置さねている。第２図Ｇｊ ％第１図の装置で形
成されたシリコン薄膜をプラズマ処理するためのもので
ある。真空ｗＪＱυ内の真空室＠＋Ｊ排気口（ハ）に連
結された排気系装置（図示さねていない）によって／×
１０−６トールまでの高真空に排気されることが可能に
なっており、真空室＠１こ（ｊガス導入管■、プラズマ
発生のための電極（■（１）、シリコン薄膜が蒸着され
た基材（イ）及び基材（５）を加熱するためのヒーター
＠（電源等＆ｊ図示されていない）が段置されている。
真空槽Ｑυの夕［方にＩｊ、プラズマを発生させるため
の電源翰と、ガス導入管（ハ）に、バルブ（至）シこよ
り流新調＃…能に接続された水素が充填されたボンベ０
〃が設置されている。
の電源翰と、ガス導入管（ハ）に、バルブ（至）シこよ
り流新調＃…能に接続された水素が充填されたボンベ０
〃が設置されている。
基材（８）として（：１１材質、形状共しこ特に限定さ
れるものでなく、高分子材料、セラミック材狙或いＧｊ
金属材料のいづわでも良く、形状もフィルム状、薄板状
或いＧｊドラム状のものであっても良い。
れるものでなく、高分子材料、セラミック材狙或いＧｊ
金属材料のいづわでも良く、形状もフィルム状、薄板状
或いＧｊドラム状のものであっても良い。
また、第１文の蒸着装置と第２図のプラズマ装置＆ｊ１
゛必ずしも別々の真至槽である必要（ｊなく、開閉シャ
ッター等で分離された２つの真空室を有する同一の真空
槽であってもよく、こうすることにより、蒸着プロセス
７Ｊ）らプラズマ処理プロセスへ真空を破ることなく移
ることができる。
゛必ずしも別々の真至槽である必要（ｊなく、開閉シャ
ッター等で分離された２つの真空室を有する同一の真空
槽であってもよく、こうすることにより、蒸着プロセス
７Ｊ）らプラズマ処理プロセスへ真空を破ることなく移
ることができる。
第１図及び第２同条こ示される装置を一用いて薄膜半導
体を製造するにｉ：Ｊｓ基材（８）を基材ホルダー（７
）に取り付け、電子ビーム蒸発源（４）にシリコンを供
給し、次いで排気口（３）から排気を行ない、真空室（
２）を／ Ｘ ／ ０” トール以下の高真空となし
、ｇ空度が安定した所でループ状のガス導入管（５）よ
り、バルブ（Ｌ２）〜＠）を調節しながら水素と酸素或
い（ｊ水素と窒素の混合ガスを、分圧が／×１０−５ト
ールがらｓ×ｉｏ’ トールの範囲になる様導入する
。ここで、混合ガスの容量の割合０ゴ、水素／、０【こ
対し酸素或い（ゴ智素が０．０７ないし０．５であるの
が好ましい。
体を製造するにｉ：Ｊｓ基材（８）を基材ホルダー（７
）に取り付け、電子ビーム蒸発源（４）にシリコンを供
給し、次いで排気口（３）から排気を行ない、真空室（
２）を／ Ｘ ／ ０” トール以下の高真空となし
、ｇ空度が安定した所でループ状のガス導入管（５）よ
り、バルブ（Ｌ２）〜＠）を調節しながら水素と酸素或
い（ｊ水素と窒素の混合ガスを、分圧が／×１０−５ト
ールがらｓ×ｉｏ’ トールの範囲になる様導入する
。ここで、混合ガスの容量の割合０ゴ、水素／、０【こ
対し酸素或い（ゴ智素が０．０７ないし０．５であるの
が好ましい。
次いで、電子ビーム蒸発源（４）を動作させてシリコン
を蒸気化させ、該シリコンの原子状粒子と導入された混
合ガスを電子発生装置（６）からの高速電子９こより電
離若しくＧ：ｌ解！せしめてイオン化させる。尚、電子
発生装置＋６１Ｇｊ、フィラメント（６１）、メツシュ
状電諷＃３罎、ガード電極６つから構成されており、電
源ｔｌＯ） ）こより負の直流電位を与えられたフィラ
メント（６１）に電源（９）により交流電流を通電し加
熱せしめ熱電子を発生させると共Ｆこメツシュ状電極−
を接地することにより上記熱電子を電界加速させて高速
電子を発生する様になっている。
を蒸気化させ、該シリコンの原子状粒子と導入された混
合ガスを電子発生装置（６）からの高速電子９こより電
離若しくＧ：ｌ解！せしめてイオン化させる。尚、電子
発生装置＋６１Ｇｊ、フィラメント（６１）、メツシュ
状電諷＃３罎、ガード電極６つから構成されており、電
源ｔｌＯ） ）こより負の直流電位を与えられたフィラ
メント（６１）に電源（９）により交流電流を通電し加
熱せしめ熱電子を発生させると共Ｆこメツシュ状電極−
を接地することにより上記熱電子を電界加速させて高速
電子を発生する様になっている。
前記の如くしてイオン化されたガスイオン及びシリコン
イオンに対し、基材ホルダー（７）に′准源（］■）に
より負の直流電圧を印加することで高エネルギーを付与
し、基材（８）の表面をこ入射せしめかくして薄膜半導
体である非晶質シリコン薄膜を形成させる。ここで高エ
ネルギーとして【Ｊ運動エネルギーが常温において／
ＱｏＶから５ Ｋ ｅ Ｖまでの範囲であり、好ましく
Ｇ；１１００ｅｖ から２ ＫｅＶ である次１こ
非晶質シリコン薄膜が形成さねた基材を真空室（イ）の
電＃ｌｊ（イ）上１こ配置し、排気ロハヤから／×／σ
５トール以下の高真空【こ排気する。真空室（イ）の貞
空度が安定してから、ガス導入管（ハ）よりバルブ（ト
）を４３節しながら水素ガスを分圧０．ｌトールからＳ
トールの範囲シこなる様導入する。次いで電漣一番こよ
り電極稗と電極輪の間に直流電界を生じゼしめプ、ラズ
マを発生させる。この時印加させる電圧として＋＊ ｓ
ｏ ｏ ｖから３ＫＶであるのが好ましい。
イオンに対し、基材ホルダー（７）に′准源（］■）に
より負の直流電圧を印加することで高エネルギーを付与
し、基材（８）の表面をこ入射せしめかくして薄膜半導
体である非晶質シリコン薄膜を形成させる。ここで高エ
ネルギーとして【Ｊ運動エネルギーが常温において／
ＱｏＶから５ Ｋ ｅ Ｖまでの範囲であり、好ましく
Ｇ；１１００ｅｖ から２ ＫｅＶ である次１こ
非晶質シリコン薄膜が形成さねた基材を真空室（イ）の
電＃ｌｊ（イ）上１こ配置し、排気ロハヤから／×／σ
５トール以下の高真空【こ排気する。真空室（イ）の貞
空度が安定してから、ガス導入管（ハ）よりバルブ（ト
）を４３節しながら水素ガスを分圧０．ｌトールからＳ
トールの範囲シこなる様導入する。次いで電漣一番こよ
り電極稗と電極輪の間に直流電界を生じゼしめプ、ラズ
マを発生させる。この時印加させる電圧として＋＊ ｓ
ｏ ｏ ｖから３ＫＶであるのが好ましい。
また、プラズマ処理中、基材＠＆ｊヒーター＠【こよっ
てｉｏｏ”ｃからｓ００℃までの恥囲の湿度に保たれて
いる。かくして、特性の優ねた薄膜半導体を得る。
てｉｏｏ”ｃからｓ００℃までの恥囲の湿度に保たれて
いる。かくして、特性の優ねた薄膜半導体を得る。
第１．２図シこ示した装置を用いてシリコン薄膜を形成
する具体例を次に記す。
する具体例を次に記す。
第１図に示される装置を用い、高純度シリコン塊（ワタ
、９９９９％以上）を電子ビーム蒸発源（４）に人ね、
基材（８）としてガラス板（米国コーニング社製７０Ｓ
９ガラス）を用い、基材ホルダー（７）１こ取り付は下
記の条件で基材（８）の表面１こ厚さ２μｍの蒸着層を
形成させた。
、９９９９％以上）を電子ビーム蒸発源（４）に人ね、
基材（８）としてガラス板（米国コーニング社製７０Ｓ
９ガラス）を用い、基材ホルダー（７）１こ取り付は下
記の条件で基材（８）の表面１こ厚さ２μｍの蒸着層を
形成させた。
混合ガス導入前の圧力 ： ２×７０” トール水
素と酸素の混合比 ： ｉ：ｏ、ｏｓ混合ガスの分圧
−７×／び５ ｃ−ルイオン化電圧： ３００Ｖ イオン化屯流： ２００ｍＡ イオン加速電圧： ３００ｖ 基材の湿度 ： 、！ＳＯ°Ｃ 蒸ＭＷ度 ： 、２ｏｏｏ＾／ ｍ ｉ ｎかく
して得られたシリコン薄膜を、第２図に示される装置を
用いて下記の条件でプラズマ処理を行った。
素と酸素の混合比 ： ｉ：ｏ、ｏｓ混合ガスの分圧
−７×／び５ ｃ−ルイオン化電圧： ３００Ｖ イオン化屯流： ２００ｍＡ イオン加速電圧： ３００ｖ 基材の湿度 ： 、！ＳＯ°Ｃ 蒸ＭＷ度 ： 、２ｏｏｏ＾／ ｍ ｉ ｎかく
して得られたシリコン薄膜を、第２図に示される装置を
用いて下記の条件でプラズマ処理を行った。
水素導入前の圧力 ： ２×１０” トール水素分
圧 ：（７，，２）−ル 印加電圧 ： ／ＫＶ 放電電流 ： ５ｍ人 基材の湿度 ： ３００°Ｃ 処理時間 ： ３０分 かくして得られたシリコン薄膜をｘ腺［口１折で解析し
た結果非晶質であり、特性ＧＪ ’Ｆ ＆！のｉ車りで
あった 暗抵抗率 ：ｇ×１０１４Ωα 光照射下での抵抗率 −乙Ｘ１０１°Ωａｎ（照射条件
：Ｈｅ−Ｈｅレーザー３００ ＩＩＷ／ＣｆｆＬ’）
〔比較例／〕 具体例／と同一の条件で厚さ２μｍの蒸着層？を形成さ
せ、プラズマ処理を行なわなしＡで、特性を調べた所Ｆ
記の通りであった。
圧 ：（７，，２）−ル 印加電圧 ： ／ＫＶ 放電電流 ： ５ｍ人 基材の湿度 ： ３００°Ｃ 処理時間 ： ３０分 かくして得られたシリコン薄膜をｘ腺［口１折で解析し
た結果非晶質であり、特性ＧＪ ’Ｆ ＆！のｉ車りで
あった 暗抵抗率 ：ｇ×１０１４Ωα 光照射下での抵抗率 −乙Ｘ１０１°Ωａｎ（照射条件
：Ｈｅ−Ｈｅレーザー３００ ＩＩＷ／ＣｆｆＬ’）
〔比較例／〕 具体例／と同一の条件で厚さ２μｍの蒸着層？を形成さ
せ、プラズマ処理を行なわなしＡで、特性を調べた所Ｆ
記の通りであった。
暗抵抗率 二よ×ｌ０１１Ωα
光照射下での抵抗率 二 乙×１０９Ωｍ〔具体例！〕
混合ガスを水素と窒素（混合比／：０．２＞ に貧え
、具１ぐ例／と同一の条件で蒸着及びプラズマ処理を行
なった。膜厚２μｍ の試料をＸ線回折で？１析した結
果非晶質で、特性ｆ：ｊ下記の通りであった。
、具１ぐ例／と同一の条件で蒸着及びプラズマ処理を行
なった。膜厚２μｍ の試料をＸ線回折で？１析した結
果非晶質で、特性ｆ：ｊ下記の通りであった。
暗抵抗率 ： ３Ｘ１０１３Ωｍ
光照射下での抵抗率 ：２Ｘ１０”Ωα〔比較例２〕
具体例２においてプラズマ処理を行なわなし）薄膜の特
性（コ下記の通りであった。−暗抵抗率： 乙×１０１
０ΩＯマ 光照射Ｆの抵抗率 二 ８×１０１０ΩＣ″Ｉｎ以上説
明したよう（こ本発明方法！ｊ１シリコン薄膜を高遼吸
４長で作成した後水素プラズマ中で熱処理するものであ
るから、ダングリングボンドを著しく減少させることが
でき、光照射シこより抵抗率が著しく下るという鈍ねた
特性を有するシリコン薄膜を得ることができるのである
。従って本発明の方法によりば鮎単に高品質の薄膜半導
体を得ることができ、特に電子写真感光体のｔＪｌ！造
に好逆である。
性（コ下記の通りであった。−暗抵抗率： 乙×１０１
０ΩＯマ 光照射Ｆの抵抗率 二 ８×１０１０ΩＣ″Ｉｎ以上説
明したよう（こ本発明方法！ｊ１シリコン薄膜を高遼吸
４長で作成した後水素プラズマ中で熱処理するものであ
るから、ダングリングボンドを著しく減少させることが
でき、光照射シこより抵抗率が著しく下るという鈍ねた
特性を有するシリコン薄膜を得ることができるのである
。従って本発明の方法によりば鮎単に高品質の薄膜半導
体を得ることができ、特に電子写真感光体のｔＪｌ！造
に好逆である。
第１図Ｇｊ非晶質シリフン薄膜を得るための装置の構成
図、第２図（ゴシリコン薄膜をプラズマ処理するための
装置の構成園である。 （イ）・・・真空室 ＋８１１ンの・・・基材特許
串腋１人 稍水化学工業株式会社代表者 第沼基利
図、第２図（ゴシリコン薄膜をプラズマ処理するための
装置の構成園である。 （イ）・・・真空室 ＋８１１ンの・・・基材特許
串腋１人 稍水化学工業株式会社代表者 第沼基利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＩＯ−６トール以下の高真空【こ排気された真空室
内に／×１０１トールからｌＸ１０−’ トールの範
囲の分圧を有する様に水素ガスと酸素ガスの混合ガス或
いＧｊｊ素ガスと窒素ガスの混合ガスを導入し、該導入
ガスと、シリフンを加熱蒸発することシこより得られる
シリコン単原子とに加′ｆＡＡ電子を衝突させて電離若
しく輻解離させ、かくして生成したガスイオン及びシリ
コンイオンに電界効果によって高エネルギーを付与させ
て基材上条こ射突させることによりシリコン薄膜を形成
させ、更に該薄膜を水素プラズマ中で熱処理することを
特徴とする薄膜半導体の製造方法。 ２）混合ガスρ容景の割合が水素／、０をこ対し酸素或
いは窒素が０．０／ないしＯｏｊであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の薄膜半導体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207376A JPS5996718A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 薄膜半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207376A JPS5996718A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 薄膜半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996718A true JPS5996718A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16538697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57207376A Pending JPS5996718A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 薄膜半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5436035A (en) * | 1991-12-05 | 1995-07-25 | Alusuisse-Lonza Services Ltd. | Coating a substrate surface with a permeation barrier |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138916A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Formation of amorphous thin film |
| JPS577116A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of amorphous silicon thin film |
| JPS5754930A (en) * | 1980-09-20 | 1982-04-01 | Minolta Camera Co Ltd | Exposure controlling circuit of camera |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP57207376A patent/JPS5996718A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138916A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Formation of amorphous thin film |
| JPS577116A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of amorphous silicon thin film |
| JPS5754930A (en) * | 1980-09-20 | 1982-04-01 | Minolta Camera Co Ltd | Exposure controlling circuit of camera |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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