JPS5997780A - 抵抗溶接方法 - Google Patents
抵抗溶接方法Info
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- JPS5997780A JPS5997780A JP57207559A JP20755982A JPS5997780A JP S5997780 A JPS5997780 A JP S5997780A JP 57207559 A JP57207559 A JP 57207559A JP 20755982 A JP20755982 A JP 20755982A JP S5997780 A JPS5997780 A JP S5997780A
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- Japan
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- welding
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- voltage
- plate
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K11/00—Resistance welding; Severing by resistance heating
- B23K11/34—Preliminary treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Resistance Welding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
る1対の被溶接部材の抵抗溶接方法に関する。
ジュメット線は鉄とニッケルとの合金線に銅被覆してな
る複合線を表部酸化してほう砂付けしたもので、表面に
酸化物被膜を有している。このジュメット線をたとえば
高出力型の螢光ランプ用口金に溶接する場合には、ジュ
メット線と口金側壁とを重合し、この重合部を1対の電
極間で押圧しながら通電するいわゆる抵抗溶接方法が採
用されている。
る複合線を表部酸化してほう砂付けしたもので、表面に
酸化物被膜を有している。このジュメット線をたとえば
高出力型の螢光ランプ用口金に溶接する場合には、ジュ
メット線と口金側壁とを重合し、この重合部を1対の電
極間で押圧しながら通電するいわゆる抵抗溶接方法が採
用されている。
ジュメット線表面の酸化物被膜は非導電性であるため、
′電極とジュメット線との間およびジュメット線と口金
側壁との間の電気抵抗は数十にΩもあシ、通常の溶接電
圧では電流は全く流れないか、あるいは極端に少ないた
め、溶接不良が多発し、品質が不安定であった。 ″ 〔発明の目的〕 ジュメット線など表面に非導電性被膜を有する製品の得
られる溶接方法を提供することを目的とする。
′電極とジュメット線との間およびジュメット線と口金
側壁との間の電気抵抗は数十にΩもあシ、通常の溶接電
圧では電流は全く流れないか、あるいは極端に少ないた
め、溶接不良が多発し、品質が不安定であった。 ″ 〔発明の目的〕 ジュメット線など表面に非導電性被膜を有する製品の得
られる溶接方法を提供することを目的とする。
抵抗溶接に際し、通電部分にまず高電圧または高周波電
圧を印加して非導電性被膜を破壊し、そののち溶接電流
を通電して安定した溶接を行なう方法である。
圧を印加して非導電性被膜を破壊し、そののち溶接電流
を通電して安定した溶接を行なう方法である。
本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
実施例1
本実施例はジュメット線側面と高出力型けい光ランプ用
口金を模擬する金属板とを重ね合せ溶接する方法でその
詳細を第1図に示す。図中、(1)はジュメット線、(
2)はこのジュメット線(1)に溶接する金属板、(3
) 、 (4)はこれらジュメット線(1)と金属板(
2)とを上下から圧接する1対の電極、(5)はジュメ
ット線(1)と上側電極(3)との間に高電圧小電流の
前処理電圧を印加する前処理′電源、(6)はこの電源
(5)と上側電極(3)との間に介挿したスイッチ、(
力は?ユメット線(1)と金属板(2)との間に高電圧
小電流の前処理電圧を印加する前処理電源、(8)はこ
の電源(力と金属板(2)との間に介挿したスイッチ、
(9)は両電極(3) 、 (4)間に低電圧大電流の
溶接電流を所定時間供給する溶接電源、(10)はこの
電源(9)と上側電極(3)との間に介挿したスイッチ
である。そして、ジュメット線(1)は第2図に示すよ
うに、複合線(1a)表面に酸、化銅からなる非導電性
被膜(1b)を形成しである。そして、金属板(2)は
非導電性被膜を有しない。
口金を模擬する金属板とを重ね合せ溶接する方法でその
詳細を第1図に示す。図中、(1)はジュメット線、(
2)はこのジュメット線(1)に溶接する金属板、(3
) 、 (4)はこれらジュメット線(1)と金属板(
2)とを上下から圧接する1対の電極、(5)はジュメ
ット線(1)と上側電極(3)との間に高電圧小電流の
前処理電圧を印加する前処理′電源、(6)はこの電源
(5)と上側電極(3)との間に介挿したスイッチ、(
力は?ユメット線(1)と金属板(2)との間に高電圧
小電流の前処理電圧を印加する前処理電源、(8)はこ
の電源(力と金属板(2)との間に介挿したスイッチ、
(9)は両電極(3) 、 (4)間に低電圧大電流の
溶接電流を所定時間供給する溶接電源、(10)はこの
電源(9)と上側電極(3)との間に介挿したスイッチ
である。そして、ジュメット線(1)は第2図に示すよ
うに、複合線(1a)表面に酸、化銅からなる非導電性
被膜(1b)を形成しである。そして、金属板(2)は
非導電性被膜を有しない。
つぎに、溶接工程を説明する。まず、第2図示のように
、ジュメット線(1)と金属板(2)とを重合し、これ
を両電極(3) 、 (4)間で挟圧する。そして、両
前処理電源(5) 、 (力のスイッチ(6>’ 、
(8)を投入する。すると、第3図示のように、上側電
極(3)とジュメット線(1)の複合線(1a)との間
および複合線(1a)と金属板(2)との間に高電圧が
印加され、この電圧によって非導電性被膜(1b)が局
部的に破壊されて孔(ICXIC)が形成される。しか
しながら、この前処理の電流が小さいので、複合線(1
a)はほとんど溶融しない。そこで、スイッチ(6)
、 (8)を切シ、溶接電源(9)のスイッチ(10)
を投入する。すると、ジュメット線(1)の非導電性被
膜(1b)の絶縁性が既に破壊されているので、溶接電
流は上側電極(3)→複合廉1a)→金属板(2)→下
側電極(4)に通流し、このときのジュール熱によって
複合線(1a)と金属板(2)との接触部が溶融し、電
流が切れれば冷却固化して第4図示のように溶接部(1
d)を形成する。
、ジュメット線(1)と金属板(2)とを重合し、これ
を両電極(3) 、 (4)間で挟圧する。そして、両
前処理電源(5) 、 (力のスイッチ(6>’ 、
(8)を投入する。すると、第3図示のように、上側電
極(3)とジュメット線(1)の複合線(1a)との間
および複合線(1a)と金属板(2)との間に高電圧が
印加され、この電圧によって非導電性被膜(1b)が局
部的に破壊されて孔(ICXIC)が形成される。しか
しながら、この前処理の電流が小さいので、複合線(1
a)はほとんど溶融しない。そこで、スイッチ(6)
、 (8)を切シ、溶接電源(9)のスイッチ(10)
を投入する。すると、ジュメット線(1)の非導電性被
膜(1b)の絶縁性が既に破壊されているので、溶接電
流は上側電極(3)→複合廉1a)→金属板(2)→下
側電極(4)に通流し、このときのジュール熱によって
複合線(1a)と金属板(2)との接触部が溶融し、電
流が切れれば冷却固化して第4図示のように溶接部(1
d)を形成する。
このように、本溶接方法によれば、溶接に先立って高電
圧小電流の前処理電圧を印加して非導電性被膜(1b)
を破壊してから溶接電流を通流するので、溶接時の接触
部の電気抵抗が小さく、かつその値もほぼ一定している
ので、麦際に通流する溶接電流もほぼ一定で、したがっ
て溶接電流の過不足に起因する溶接不良がほとんどなく
なった。しかも、前処理において、電流が小さいのでた
んに非導電性被膜(1b)を破壊するだけで、溶接が起
らないので、非導電性被膜(1b)の絶縁性による溶接
の過不足を生じることがない。
圧小電流の前処理電圧を印加して非導電性被膜(1b)
を破壊してから溶接電流を通流するので、溶接時の接触
部の電気抵抗が小さく、かつその値もほぼ一定している
ので、麦際に通流する溶接電流もほぼ一定で、したがっ
て溶接電流の過不足に起因する溶接不良がほとんどなく
なった。しかも、前処理において、電流が小さいのでた
んに非導電性被膜(1b)を破壊するだけで、溶接が起
らないので、非導電性被膜(1b)の絶縁性による溶接
の過不足を生じることがない。
実施例2
本実施例はジュメット線とモリブデン線とを突合せ溶接
してウェルズを製造する方法で、この詳細を第5図に示
す。■はジュメット線、(12+はこのジュメット線仕
りに端面相互を圧接させたモリブデン線、(13) 、
C14)はこれらジュメット線(11)およびモリブ
デン線(121のそれぞれの周面を把持する導電チャッ
ク、(5)はジュメット線(11)とチャック(L3)
との間に高電圧小電流の前処理電圧を印加する前処理電
源、(6)はこの電源(5)とチャック(13>との間
に介挿したスイッチ、(9)は両チャックα3 、 (
14)間に低電圧大電流の溶接電流を所定時間供給する
溶接電源、(10)はこの電源(9)とチャック(13
との間に介挿したスイッチである。
してウェルズを製造する方法で、この詳細を第5図に示
す。■はジュメット線、(12+はこのジュメット線仕
りに端面相互を圧接させたモリブデン線、(13) 、
C14)はこれらジュメット線(11)およびモリブ
デン線(121のそれぞれの周面を把持する導電チャッ
ク、(5)はジュメット線(11)とチャック(L3)
との間に高電圧小電流の前処理電圧を印加する前処理電
源、(6)はこの電源(5)とチャック(13>との間
に介挿したスイッチ、(9)は両チャックα3 、 (
14)間に低電圧大電流の溶接電流を所定時間供給する
溶接電源、(10)はこの電源(9)とチャック(13
との間に介挿したスイッチである。
つぎに、溶接方法を説明する。まず、前処理電源(5)
のスイッチ(6)を投入する。すると、チャック<13
1とジュメット線α9周面との間に高電圧が印加され、
この電圧によって、ジュメット線(Ll)局面の非導電
性被膜(第2図参照)’(lb)が局部的に破壊されて
、電気抵抗が著く小さくなる。しかし、前述の実施例と
同様複合線(1a)はほとんど溶融しない。
のスイッチ(6)を投入する。すると、チャック<13
1とジュメット線α9周面との間に高電圧が印加され、
この電圧によって、ジュメット線(Ll)局面の非導電
性被膜(第2図参照)’(lb)が局部的に破壊されて
、電気抵抗が著く小さくなる。しかし、前述の実施例と
同様複合線(1a)はほとんど溶融しない。
そこで、スイッチ(6)を切シ、溶接電源(9)のスイ
ツテ(10)を投入する。すると、ジュメット線(11
)の非導電性被膜(1b)の絶縁性が既に破壊されてい
るので、溶接電流が、チャック(13)→複合線(1a
)→モリブデン線aり→チャックIを直流し、このとき
のジュール熱によって複合線(1a)とモリブデン線(
1渇との突合せ部が溶融し、電流が切れれば冷却固化し
て溶接が完了する。
ツテ(10)を投入する。すると、ジュメット線(11
)の非導電性被膜(1b)の絶縁性が既に破壊されてい
るので、溶接電流が、チャック(13)→複合線(1a
)→モリブデン線aり→チャックIを直流し、このとき
のジュール熱によって複合線(1a)とモリブデン線(
1渇との突合せ部が溶融し、電流が切れれば冷却固化し
て溶接が完了する。
この場合も、溶接に先立って高電圧小電流の前処理電圧
によって非導電性被膜(1b)を破壊してチャック(1
3)と複合線(1a)との間を電気抵抗を小さくしてか
ら溶接電流を直流するので、溶接電流の過不足に起因す
る溶接不良がなくなった。なお、ジュメット線圓の非導
電性被膜(1b)の絶縁破壊部分は微小なピンホール状
に形成されるので、ガラスの封着に際し気密性を損うこ
とがない。
によって非導電性被膜(1b)を破壊してチャック(1
3)と複合線(1a)との間を電気抵抗を小さくしてか
ら溶接電流を直流するので、溶接電流の過不足に起因す
る溶接不良がなくなった。なお、ジュメット線圓の非導
電性被膜(1b)の絶縁破壊部分は微小なピンホール状
に形成されるので、ガラスの封着に際し気密性を損うこ
とがない。
実施例3
本実施例はニッケル線とタングステン線とを突合せ溶接
してネオン管用電極を製造する方法で、タングステン線
端面に厚い酸化被膜を有する場合に適し、その詳細を第
6図に示す。(21)はニッケル線、(2榎はこのニッ
ケル線Cυに端面相互を圧接させたタングステン線、(
13) 、 (14)はこれらニッケル線Cυおよびタ
ングステン線(2つのそれぞれの局面を杷持する導電チ
ャック、(5)は両チャックα3)、α荀間に高電圧小
電流の前処理電圧を印加する前処理電源、(6)はこの
電源(5)とチャック(13)との間に介挿したスイッ
チ、(9)は両チャック(13) 、αa間に低電圧大
電流の溶接電流を所定時間供給する溶接電源、(10)
はこの電源(9)とチャック(1′5との間に介挿した
スイッチである。そして、タングステン線曽は少なくと
も端面に酸化物からなる非導電性被膜を有している。
してネオン管用電極を製造する方法で、タングステン線
端面に厚い酸化被膜を有する場合に適し、その詳細を第
6図に示す。(21)はニッケル線、(2榎はこのニッ
ケル線Cυに端面相互を圧接させたタングステン線、(
13) 、 (14)はこれらニッケル線Cυおよびタ
ングステン線(2つのそれぞれの局面を杷持する導電チ
ャック、(5)は両チャックα3)、α荀間に高電圧小
電流の前処理電圧を印加する前処理電源、(6)はこの
電源(5)とチャック(13)との間に介挿したスイッ
チ、(9)は両チャック(13) 、αa間に低電圧大
電流の溶接電流を所定時間供給する溶接電源、(10)
はこの電源(9)とチャック(1′5との間に介挿した
スイッチである。そして、タングステン線曽は少なくと
も端面に酸化物からなる非導電性被膜を有している。
つぎに、溶接方法を説明する。まず、前処理電源(5)
のスイッチ(6)を投入する。すると両線Cυ、曽の接
触部に高電圧が印加され、この電圧によってタングステ
ン線(2り端面の非導電性被膜が局部的に破壊されて電
気抵抗が著く小さくなる。しかし、前述の実施例同様接
触部の溶融は生じない。そこで、スイッチ(6)を切り
、溶接電源(9)のスイッチCl0)を投入する。する
と、溶接電流がチャック(13)→ニッケル線圓→タン
グステン線(24→チヤツク(14)に通流し、このと
きジュール熱によってニッケル線(21)とタングステ
ン線@との突合せ部が溶融し、電流が切れれば冷却固化
して溶接が完了する。
のスイッチ(6)を投入する。すると両線Cυ、曽の接
触部に高電圧が印加され、この電圧によってタングステ
ン線(2り端面の非導電性被膜が局部的に破壊されて電
気抵抗が著く小さくなる。しかし、前述の実施例同様接
触部の溶融は生じない。そこで、スイッチ(6)を切り
、溶接電源(9)のスイッチCl0)を投入する。する
と、溶接電流がチャック(13)→ニッケル線圓→タン
グステン線(24→チヤツク(14)に通流し、このと
きジュール熱によってニッケル線(21)とタングステ
ン線@との突合せ部が溶融し、電流が切れれば冷却固化
して溶接が完了する。
この場合も、溶接に先立って高電圧小電流の前処理電圧
によって非導電性被膜を破壊して両線圓。
によって非導電性被膜を破壊して両線圓。
曽の接触抵抗を小さくしてから溶接電流を通流するので
、溶接電流の過不足に起因する溶接不良がなくなった。
、溶接電流の過不足に起因する溶接不良がなくなった。
なお、本発明において、被溶接部材は線体に限らず、板
体などでもよく、これら部材のうち少なくとも一方が溶
接電流を通流する部分に非導電性被膜を有する場合には
総て適用できる。
体などでもよく、これら部材のうち少なくとも一方が溶
接電流を通流する部分に非導電性被膜を有する場合には
総て適用できる。
また、前処理電圧は高周波電圧でもよい。
本発明の抵抗溶接方法は少なくとも一方が非導電性被膜
を有する1対の被溶接部材を抵抗溶接する工程において
、溶接電流を通流する部分に予め高電圧または高周波電
圧を印加して非導電性被膜を破壊し、そののち通電部分
に溶接電流を通流して溶接するので、溶接時の通電部分
の電気抵抗が小さく、したがって、溶接電流のばらつき
が小さく、したがって、溶接電流の過不足に起因する溶
接不良がなくなシ、高品質の製品が安定的に製造できる
ようになった。
を有する1対の被溶接部材を抵抗溶接する工程において
、溶接電流を通流する部分に予め高電圧または高周波電
圧を印加して非導電性被膜を破壊し、そののち通電部分
に溶接電流を通流して溶接するので、溶接時の通電部分
の電気抵抗が小さく、したがって、溶接電流のばらつき
が小さく、したがって、溶接電流の過不足に起因する溶
接不良がなくなシ、高品質の製品が安定的に製造できる
ようになった。
第1図は本発明の抵抗溶接方法の第1の実施例の説明図
、第2図ないし第4図は同じく製造方法を工程別に説明
する要部拡大説明図、第5図は第2の実施例の説明図、
第6図は第3の実施例の説明図である。 (1) 、(2)、(Ll)、(121,+21)、t
2L・被溶接部材(1b)・・・非導電性酸化膜 (5)、(力・・前処理電源 (9)・・・・・・溶接電源 代理人 弁理士 井 上 −男 第 1 図 第 2 図 $ 3 図 第
4 間第5図 第 6 図 手続補正力(自発) 昭和 年 月 日 特許庁長官 若 杉和 夫殿 1、事件の表示 昭和57年特ff願第207559号 2、発明の名称 抵抗溶接方法 3、 補正をする者 事件との関−係 特許出願人 (307)東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒144 東京都大田区蒲田4丁目41@11号 第−津野田ピル 弁上特許事務所内 5、 補正の対象 一1明細書の特許請求の範囲の欄 B、明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 人、・ 別紙のとおり。 BJI) 第3ページ5行目から6行目「そののち」
を削除する。 f’2) 第9ページ13行目「でもよい。」のつぎ
(二次の文乞補充する。 「なお、前処理電圧の印加と溶接電源の投入とを同時に
行なっても上述の各実施例と同様な作用効果がある。」 (3)同ページ下から2行目「そののち」を削除する。 以上 特許請求の範囲 (1)少なくとも一方が非導電性被膜を有する1対の被
溶接部材を1対の電極間において重合し通電して抵抗溶
接する工程において、上記通電部分間に予め高電圧また
は高周波電圧を印加して上記非導電性被膜を破壊し、上
記通電部分間に溶接電流を通流して溶接することを特徴
とする抵抗溶接方法。 (2)通電部分は被溶接部材の溶接予定部であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の抵抗溶接方法。 (3)通電部分は被溶接部材と電極との接触部分である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の抵抗溶接
方法。
、第2図ないし第4図は同じく製造方法を工程別に説明
する要部拡大説明図、第5図は第2の実施例の説明図、
第6図は第3の実施例の説明図である。 (1) 、(2)、(Ll)、(121,+21)、t
2L・被溶接部材(1b)・・・非導電性酸化膜 (5)、(力・・前処理電源 (9)・・・・・・溶接電源 代理人 弁理士 井 上 −男 第 1 図 第 2 図 $ 3 図 第
4 間第5図 第 6 図 手続補正力(自発) 昭和 年 月 日 特許庁長官 若 杉和 夫殿 1、事件の表示 昭和57年特ff願第207559号 2、発明の名称 抵抗溶接方法 3、 補正をする者 事件との関−係 特許出願人 (307)東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒144 東京都大田区蒲田4丁目41@11号 第−津野田ピル 弁上特許事務所内 5、 補正の対象 一1明細書の特許請求の範囲の欄 B、明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 人、・ 別紙のとおり。 BJI) 第3ページ5行目から6行目「そののち」
を削除する。 f’2) 第9ページ13行目「でもよい。」のつぎ
(二次の文乞補充する。 「なお、前処理電圧の印加と溶接電源の投入とを同時に
行なっても上述の各実施例と同様な作用効果がある。」 (3)同ページ下から2行目「そののち」を削除する。 以上 特許請求の範囲 (1)少なくとも一方が非導電性被膜を有する1対の被
溶接部材を1対の電極間において重合し通電して抵抗溶
接する工程において、上記通電部分間に予め高電圧また
は高周波電圧を印加して上記非導電性被膜を破壊し、上
記通電部分間に溶接電流を通流して溶接することを特徴
とする抵抗溶接方法。 (2)通電部分は被溶接部材の溶接予定部であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の抵抗溶接方法。 (3)通電部分は被溶接部材と電極との接触部分である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の抵抗溶接
方法。
Claims (3)
- (1)少なくとも一方が非導電性被膜を有する1対の被
溶接部材を1対の電極間において重合し通電して抵抗溶
接する工程において、上記通電部分間に予め高電圧また
は高周波電圧を印加して上記非導電性被膜を破壊し、そ
ののち上記通電部分間に溶接電流を通流して溶接するこ
と・を特徴とする抵抗溶接方法。 - (2)通電部分は被溶接部材の溶接予定部であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の抵抗溶接方法。 - (3)通電部分は被溶接部材と電極との接触部分である
ことを特徴とする特許請求の範臣第1項記載の抵抗溶接
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207559A JPS5997780A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 抵抗溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207559A JPS5997780A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 抵抗溶接方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997780A true JPS5997780A (ja) | 1984-06-05 |
| JPH0246309B2 JPH0246309B2 (ja) | 1990-10-15 |
Family
ID=16541737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57207559A Granted JPS5997780A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 抵抗溶接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5997780A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS635450U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | ||
| JPS63299870A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Aitetsuku Kk | 突き合わせ溶接方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104742A (ja) * | 1974-01-25 | 1975-08-19 | ||
| JPS5742622U (ja) * | 1980-08-25 | 1982-03-08 |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP57207559A patent/JPS5997780A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104742A (ja) * | 1974-01-25 | 1975-08-19 | ||
| JPS5742622U (ja) * | 1980-08-25 | 1982-03-08 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS635450U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | ||
| JPS63299870A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Aitetsuku Kk | 突き合わせ溶接方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0246309B2 (ja) | 1990-10-15 |
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