JPS599808A - 自己回復性誘電体層の製造方法 - Google Patents
自己回復性誘電体層の製造方法Info
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- JPS599808A JPS599808A JP58114120A JP11412083A JPS599808A JP S599808 A JPS599808 A JP S599808A JP 58114120 A JP58114120 A JP 58114120A JP 11412083 A JP11412083 A JP 11412083A JP S599808 A JPS599808 A JP S599808A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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-
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- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/145—Organic dielectrics vapour deposited
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、総合式 （ＣＦ’２）ｎ Ｃ，ｉ中ｎ ＝
２−又は相応する過フルオル化環状アルカンをグロー放
電範囲内に吹き込む形式の、特に多４コンデンサを製造
するだめの、基材へのグロー放電によりガスを重合する
ことによって再生可能な誘電体層を製造する方法に関す
る。
２−又は相応する過フルオル化環状アルカンをグロー放
電範囲内に吹き込む形式の、特に多４コンデンサを製造
するだめの、基材へのグロー放電によりガスを重合する
ことによって再生可能な誘電体層を製造する方法に関す
る。
過フルオル化炭化水素と未置換のジエンとから成る混合
物の形で存在する出発モノマーから高温安定性の誘電体
層を製造する形式のグロー重合体から誘電体層を製造す
る方法は特開昭５５−１１８６２１号公報から公知であ
る。七ツマ−という表現はこの場合比較的低い分子量及
び簡単な構造の分子又は化合物を意味し、これはグロー
放電の影響下にそれ自体又は類似の分子を有する化合物
を作ることによってポリマーの形に変えられる。
物の形で存在する出発モノマーから高温安定性の誘電体
層を製造する形式のグロー重合体から誘電体層を製造す
る方法は特開昭５５−１１８６２１号公報から公知であ
る。七ツマ−という表現はこの場合比較的低い分子量及
び簡単な構造の分子又は化合物を意味し、これはグロー
放電の影響下にそれ自体又は類似の分子を有する化合物
を作ることによってポリマーの形に変えられる。
この場合グロー重合は約０．２〜２ミリバールの圧力下
にまた５ ＭＨ２の印加電圧の周波数で実施する。
にまた５ ＭＨ２の印加電圧の周波数で実施する。
最初に挙げた多ノーコンデンサは、基材上に交互に薄く
蒸着されるか又はスパッタされた金属ノー及びグロー重
合誘電体層を生ぜしめることにより製造される。しかし
公知の高温安定誘電体層にあっては、これが浸ｌＫろう
付は過程に対して敏感でありまたこの場合機械的に損傷
し易いおそれがあることは明らかである。その際蒸着又
はスパッタされた金属箔が設けられている誘電体範囲が
特に危険である。
蒸着されるか又はスパッタされた金属ノー及びグロー重
合誘電体層を生ぜしめることにより製造される。しかし
公知の高温安定誘電体層にあっては、これが浸ｌＫろう
付は過程に対して敏感でありまたこの場合機械的に損傷
し易いおそれがあることは明らかである。その際蒸着又
はスパッタされた金属箔が設けられている誘電体範囲が
特に危険である。
従って本発明の目的は、２５０〜３００℃の温度で貯蔵
した際に短期間の間機械的及び電気的変化に耐え得るだ
けでなく、流動浴への浸漬時における温度衝撃にもほと
んど変化しない、浸漬ろう付は可能な誘電体層の製造方
法を得ることにある。
した際に短期間の間機械的及び電気的変化に耐え得るだ
けでなく、流動浴への浸漬時における温度衝撃にもほと
んど変化しない、浸漬ろう付は可能な誘電体層の製造方
法を得ることにある。
この目的は本発明によれば最初に記載した形式の方法に
おいて、モノマーと同時に７０キサン又はシロキサンの
混合物をグロー放電範囲ｔて吹き込むことによって達成
される。
おいて、モノマーと同時に７０キサン又はシロキサンの
混合物をグロー放電範囲ｔて吹き込むことによって達成
される。
本発明方法の場合、総合式 （ＯＦＢ）ｎのモノマーと
して過フルオル化プロパン、ブテン、ヘキセン、オクテ
ン、デセンを、また相応する過フルオル化環状アルカン
として過フルオル化／クロブタン、／クロヘキサン、ジ
メチルンクロヘキサン並び知人の組成の７０キサン ０月３（ＣＨ３Ｈ８ｉ○）ｎＳｉＨ（ＣＨ３）２ （
ｎ ＝ ２ 、 ３．１又は５） （ＣＨ３）３５ｉＯ８ｉ（Ｃ）（３）３０Ｈ３（（ＣＨ
３）２ＳｉＯ）ｎｓｉ （ｃＨａ）ａ （ｎ ＝ ２
．３゜４又は５） （Ｃ２Ｈ４）３ＳｉＮＨＣＨ３ （（！Ｈ３） ３ ＳｉＮ ＨＣ２Ｈ５（ＣＨ３）３Ｓ
ｉＮ（０２Ｈ５）２ Ｃ（ＣＨ３）３Ｓｉ ）２ＮＨ 〔（ｃＨａ）３’ｓｉ ）２ＮＣＨ３ ＣＨ３（−（Ｃ！Ｈ３）２ＳｉＮＨ）ｎＳｉ（ＣＨ３）
３ （ｎ＝２．３） ＣＣ２Ｈ５（（！）（３）、２Ｓｉ ） ２ＮＨ（（Ｃ
Ｈ３）３５ｉＮＨ） Ｓｉ （ＣＨ３）２を使用するの
がＭ利である。
して過フルオル化プロパン、ブテン、ヘキセン、オクテ
ン、デセンを、また相応する過フルオル化環状アルカン
として過フルオル化／クロブタン、／クロヘキサン、ジ
メチルンクロヘキサン並び知人の組成の７０キサン ０月３（ＣＨ３Ｈ８ｉ○）ｎＳｉＨ（ＣＨ３）２ （
ｎ ＝ ２ 、 ３．１又は５） （ＣＨ３）３５ｉＯ８ｉ（Ｃ）（３）３０Ｈ３（（ＣＨ
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Ｈ３）３５ｉＮＨ） Ｓｉ （ＣＨ３）２を使用するの
がＭ利である。
優れた実施例では吹き込まれるシロキサンの量は；３〜
１５容量係である。
１５容量係である。
本発明方法で製造した誘電体層は一層高い温度で僅少な
酸化傾向を示し、また浸漬ろう付けでは亀裂を生じない
。
酸化傾向を示し、また浸漬ろう付けでは亀裂を生じない
。
良好な誘電特性を有する５］撓性の温度安定層を得るた
め、本発明の他の実施例では付加的に更にジエン及び／
又はアルカン及び／又はシクロアルカンをグロー放電範
囲に吹き込むことが有利である。
め、本発明の他の実施例では付加的に更にジエン及び／
又はアルカン及び／又はシクロアルカンをグロー放電範
囲に吹き込むことが有利である。
例えば分子量≦８２及び有利には共役二重結合を有ｊる
総合式 ＣｎＨ・Ｃ２・ｎ−２）・のジエン、例えば１
．３−ブタジェン、１．３−ペンタジェン、２−メチル
ブタジェン（１，３）、１．３−ヘキサジエフ、２．４
−ヘキサジエン、２−メチルペ、ンタジエン（１，３）
、２．３−ジメチルブタジェン（１，３）を使用する。
総合式 ＣｎＨ・Ｃ２・ｎ−２）・のジエン、例えば１
．３−ブタジェン、１．３−ペンタジェン、２−メチル
ブタジェン（１，３）、１．３−ヘキサジエフ、２．４
−ヘキサジエン、２−メチルペ、ンタジエン（１，３）
、２．３−ジメチルブタジェン（１，３）を使用する。
総合式（ＯＨ２）ｎのアルカンとしては例えＩｄ ブテ
ン、ペンテン、ヘキセン、ヘゲテン、オクテンの一つ並
びに相応するシクロアルカンを使用することができる。
ン、ペンテン、ヘキセン、ヘゲテン、オクテンの一つ並
びに相応するシクロアルカンを使用することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ａ合式 （Ｃｖ２）ｎ Ｃｎ＝２〜１０ ） ７
）モノマーの過フルオル化炭化水素及び／又は相応する
過フルオル化環状アルカンをグロー放電範囲内に吹き込
む形式の基材へのグロー放電によりガスを重合すること
によって再生可能な誘電体層を製造する方法におりて、
モノマーと同時にシロキサン又はシロキサンの混合物を
グロー放電範囲内に吹き込むことを特徴とする再生可能
な誘電体ノーの製造方法。 ２）次の組成の７０キサン Ｃ！Ｈ３（ＣＩ（３Ｈ８ｉＯ）ｎＳｉＨ（ＯＨ３）２
（ｎ ＝ ２ 。 ３．４又は５） （ＣＨ３）３５ｉＯ８ｉ （ＣＨ３）３０Ｈ３ＣＣＯＨ
３）２Ｂｉｏ）ｎｓｉｃｃＨｓ）ａｃｎ＝２＋
３３．４又は５） （ＣＨ３）３ＳｉＮＨＣ２Ｈ５ （ＣＨａ ）３ＳｉＮ（０２Ｈ５）２ （（０ｆ（３）３Ｓｉ ）２ ＮＨ Ｃ（ＣＨ３）３ Ｓ ｘ ３２ＮｃＨ３ＣＨ３（（Ｃ！
Ｈ３）２Ｓｉ、ＮＨ〕ｎ５ｉ（ＣＨ３）３ （ｎ”＝２
．３ ）ＣＣｚＨｓ（ＯＨ３）２ｓｉ ）２ＮＨ［：
（ＣＨ３）３ＳｉＮＨ）Ｓｉ （Ｃ！Ｈ３）２を使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３）吹き込まれたシロキサンの量が３〜１５芥量乃であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４）付加的にジエン及び／又はアルケン及び／又はシク
ロアルカンをグロー放電範囲に吹き込むことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19823224426 DE3224426A1 (de) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | Verfahren zur herstellung von regenerierfaehigen dielektrikumsschichten durch polymerisation von gasen |
| DE32244266 | 1982-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599808A true JPS599808A (ja) | 1984-01-19 |
| JPH0452564B2 JPH0452564B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=6167234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58114120A Granted JPS599808A (ja) | 1982-06-30 | 1983-06-24 | 自己回復性誘電体層の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4478875A (ja) |
| EP (1) | EP0097945B1 (ja) |
| JP (1) | JPS599808A (ja) |
| BR (1) | BR8303472A (ja) |
| DE (2) | DE3224426A1 (ja) |
| ES (1) | ES523692A0 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3316693A1 (de) * | 1983-05-06 | 1984-11-08 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum herstellen von amorphen kohlenstoffschichten auf substraten und durch das verfahren beschichtete substrate |
| DE3402971A1 (de) * | 1984-01-28 | 1985-08-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Vorrichtung zur beschichtung eines substrates mittels plasma-chemical vapour deposition oder hochfrequenz-kathodenzerstaeubung |
| JP2741804B2 (ja) * | 1991-06-14 | 1998-04-22 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
| US5876753A (en) * | 1996-04-16 | 1999-03-02 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Molecular tailoring of surfaces |
| US8003174B2 (en) * | 2007-12-13 | 2011-08-23 | Asm Japan K.K. | Method for forming dielectric film using siloxane-silazane mixture |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2865795A (en) * | 1951-10-30 | 1958-12-23 | Gen Electric | Insulated electrical conductor and method of making the same |
| FR76669E (fr) * | 1956-06-26 | 1961-11-17 | Radiation Res Corp | électrodes recouvertes de diélectrique |
-
1982
- 1982-06-30 DE DE19823224426 patent/DE3224426A1/de not_active Withdrawn
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58114120A patent/JPS599808A/ja active Granted
- 1983-06-27 EP EP83106250A patent/EP0097945B1/de not_active Expired
- 1983-06-27 DE DE8383106250T patent/DE3376916D1/de not_active Expired
- 1983-06-28 US US06/508,584 patent/US4478875A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-06-29 ES ES523692A patent/ES523692A0/es active Granted
- 1983-06-29 BR BR8303472A patent/BR8303472A/pt not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BR8303472A (pt) | 1984-04-17 |
| EP0097945A3 (en) | 1985-05-22 |
| EP0097945B1 (de) | 1988-06-01 |
| US4478875A (en) | 1984-10-23 |
| EP0097945A2 (de) | 1984-01-11 |
| ES8404102A1 (es) | 1984-04-01 |
| DE3376916D1 (en) | 1988-07-07 |
| JPH0452564B2 (ja) | 1992-08-24 |
| DE3224426A1 (de) | 1984-01-05 |
| ES523692A0 (es) | 1984-04-01 |
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