JPH0452564B2 - - Google Patents
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- JPH0452564B2 JPH0452564B2 JP58114120A JP11412083A JPH0452564B2 JP H0452564 B2 JPH0452564 B2 JP H0452564B2 JP 58114120 A JP58114120 A JP 58114120A JP 11412083 A JP11412083 A JP 11412083A JP H0452564 B2 JPH0452564 B2 JP H0452564B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/015—Special provisions for self-healing
-
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- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/145—Organic dielectrics vapour deposited
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一般式（CF2）o〔式中ｎ＝２〜10〕
のモノマー過フルオル化炭化水素及び／又は相応
する過フルオル化環状アルカンをグロー放電範囲
内に吹き込む形式の、特に多層コンデンサを製造
するための、基材へのグロー放電によりガスを重
合することによつて自己回復性誘電体層を製造す
る方法に関する。
のモノマー過フルオル化炭化水素及び／又は相応
する過フルオル化環状アルカンをグロー放電範囲
内に吹き込む形式の、特に多層コンデンサを製造
するための、基材へのグロー放電によりガスを重
合することによつて自己回復性誘電体層を製造す
る方法に関する。
過フルオル化炭化水素と未置換のジエンとから
成る混合物の形で存在する出発モノマーから高温
安定性の誘電体層を製造する形式のグロー重合体
から誘電体層を製造する方法は特開昭55−118621
号公報から公知である。モノマーという表現はこ
の場合比較的低い分子量及び簡単な構造の分子又
は化合物を意味し、これはグロー放電の影響下に
それ自体又は類似の分子を有する化合物を作るこ
とによつてポリマーの形に変えられる。
成る混合物の形で存在する出発モノマーから高温
安定性の誘電体層を製造する形式のグロー重合体
から誘電体層を製造する方法は特開昭55−118621
号公報から公知である。モノマーという表現はこ
の場合比較的低い分子量及び簡単な構造の分子又
は化合物を意味し、これはグロー放電の影響下に
それ自体又は類似の分子を有する化合物を作るこ
とによつてポリマーの形に変えられる。
この場合グロー重合は約0.2〜２ミリバールの
圧力下にまた5MHzの印加電圧の周波数で実施す
る。
圧力下にまた5MHzの印加電圧の周波数で実施す
る。
最初に挙げた多層コンデンサは、基材上に交互
に薄く蒸着されるか又はスパツタされた金属層及
びグロー重合誘電体層を生ぜしめることにより製
造される。しかし公知の高温安定誘電体層にあつ
ては、これが浸漬ろう付け過程に対して敏感であ
りまたこの場合機械的に損傷し易いおそれがある
ことは明らかである。その際蒸着又はスパツタさ
れた金属箔が設けられている誘電対範囲が特に危
険である。
に薄く蒸着されるか又はスパツタされた金属層及
びグロー重合誘電体層を生ぜしめることにより製
造される。しかし公知の高温安定誘電体層にあつ
ては、これが浸漬ろう付け過程に対して敏感であ
りまたこの場合機械的に損傷し易いおそれがある
ことは明らかである。その際蒸着又はスパツタさ
れた金属箔が設けられている誘電対範囲が特に危
険である。
従つて本発明の目的は、250〜300℃の温度で貯
蔵した際に短期間の間機械的及び電気的変化に耐
え得るだけでなく、流動浴への浸漬時における温
度衝撃にもほとんど変化しない、浸漬ろう付け可
能な誘電体層の製造方法を得ることにある。
蔵した際に短期間の間機械的及び電気的変化に耐
え得るだけでなく、流動浴への浸漬時における温
度衝撃にもほとんど変化しない、浸漬ろう付け可
能な誘電体層の製造方法を得ることにある。
この目的は本発明によれば最初に記載した形式
の方法において、モノマーと同時にシロキサン又
はシロキサンの混合物をグロー放電範囲に吹き込
むことによつて達成される。
の方法において、モノマーと同時にシロキサン又
はシロキサンの混合物をグロー放電範囲に吹き込
むことによつて達成される。
本発明方法の場合、一般式（CF2）oのモノマー
として過フルオル化プロベン、ブテン、ヘキセ
ン、オクテン、デセンを、また相応する過フルオ
ル化環状アルカンとして過フルオル化シクロブタ
ン、シクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン
を、並びにシロキサンとして次の群から選択され
るシロキサン CH3（CH3HSiO）oSiH（CH3）2（ｎ＝２、３、４
又は５） （CH3）3SiOSi（CH3）3 CH3〔（CH3）2SiO〕oSi（CH3）3（ｎ＝２、３、４
又は５） （CH3）3SiNHCH3 （CH3）3SiNHC2H5 （CH3）3SiN（C2H5）2 〔（CH3）3Si〕2NH 〔（CH3）3Si〕2NCH3 CH3〔（CH3）2SiNH〕oSi（CH3）3（ｎ＝２、３） 〔C2H5（CH3）2Si〕2NH 〔（CH3）3SiNH〕Si（CH3）2 を使用するのが有利である。
として過フルオル化プロベン、ブテン、ヘキセ
ン、オクテン、デセンを、また相応する過フルオ
ル化環状アルカンとして過フルオル化シクロブタ
ン、シクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン
を、並びにシロキサンとして次の群から選択され
るシロキサン CH3（CH3HSiO）oSiH（CH3）2（ｎ＝２、３、４
又は５） （CH3）3SiOSi（CH3）3 CH3〔（CH3）2SiO〕oSi（CH3）3（ｎ＝２、３、４
又は５） （CH3）3SiNHCH3 （CH3）3SiNHC2H5 （CH3）3SiN（C2H5）2 〔（CH3）3Si〕2NH 〔（CH3）3Si〕2NCH3 CH3〔（CH3）2SiNH〕oSi（CH3）3（ｎ＝２、３） 〔C2H5（CH3）2Si〕2NH 〔（CH3）3SiNH〕Si（CH3）2 を使用するのが有利である。
優れた実施例では吹き込まれるシロキサンの量
は３〜15容量％である。
は３〜15容量％である。
本発明方法で製造した誘電体層は一層高い温度
で僅少な酸化傾向を示し、また浸漬ろう付けでは
亀裂を生じない。
で僅少な酸化傾向を示し、また浸漬ろう付けでは
亀裂を生じない。
良好な誘電特性を有する可撓性の温度安定層を
得るため、本発明の他の実施例では付加的に更に
ジエン及び／又はアルカン及び／又はシクロアル
カンをグロー放電範囲に吹き込むことが有利であ
る。
得るため、本発明の他の実施例では付加的に更に
ジエン及び／又はアルカン及び／又はシクロアル
カンをグロー放電範囲に吹き込むことが有利であ
る。
例えば分子量≦82及び有利には共役二重結合を
有する一般式CoH(2o=2)のジエン、例えば1.3−ブ
タジエン、1.3−ペンタジエン、２−メチルブタ
ジエン（１、３）、1.3−ヘキサジエン、2.4−ヘ
キサジエン、２−メチルペンタジエン（１、３）、
2.3−ジメチルブタジエン（１、３）を使用する。
一般式（CH2）oのアルカンとしては例えばブテ
ン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オクテンの
一つ並びに相応するシクロアルカンを使用するこ
とができる。
有する一般式CoH(2o=2)のジエン、例えば1.3−ブ
タジエン、1.3−ペンタジエン、２−メチルブタ
ジエン（１、３）、1.3−ヘキサジエン、2.4−ヘ
キサジエン、２−メチルペンタジエン（１、３）、
2.3−ジメチルブタジエン（１、３）を使用する。
一般式（CH2）oのアルカンとしては例えばブテ
ン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オクテンの
一つ並びに相応するシクロアルカンを使用するこ
とができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（CF2）o〔ｎ＝２〜10〕のモノマーの
過フルオル化炭化水素及び／又は相応する過フル
オル化環状アルカンをグロー放電範囲内に吹き込
む形式の、グロー放電によりガスを重合すること
によつて基板上に自己回復性誘電体層を製造する
方法において、前記モノマーの過フルオル化炭化
水素及び／又は相応する過フルオル化環状アルカ
ンと同時にシロキサン又はシロキサンの混合物を
グロー放電範囲内に吹き込むことを特徴とする自
己回復性誘電体層の製造方法。 ２ シロキサンとして次の群から選択されるシロ
キサン： CH3（CH3HSiO）oSiH（CH3）2（ｎ＝２、３、４
又は５）、 （CH3）3SiOSi（CH3）3、 CH3〔（CH3）2SiO〕oSi（CH3）3（ｎ＝２、３、４
又は５）、 （CH3）3SiNHCH3、 （CH3）3SiNHC2H5、 （CH3）3SiN（C2H5）2、 〔（CH3）3Si〕2NH、 〔（CH3）3Si〕2NCH3、 CH3〔（CH3）2SiNH〕oSi（CH3）3（＝２、３）、 〔C2H5（CH3）2Si〕2NH、 〔（CH3）3SiNH〕Si（CH3）2 を使用することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ３ 吹き込まれたシロキサンの量が３〜15容量％
であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の方法。 ４ 付加的にジエン及び／又はアルケン及び／又
はシクロアルカンをグロー放電範囲に吹き込むこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE32244266 | 1982-06-30 | ||
| DE19823224426 DE3224426A1 (de) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | Verfahren zur herstellung von regenerierfaehigen dielektrikumsschichten durch polymerisation von gasen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599808A JPS599808A (ja) | 1984-01-19 |
| JPH0452564B2 true JPH0452564B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=6167234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58114120A Granted JPS599808A (ja) | 1982-06-30 | 1983-06-24 | 自己回復性誘電体層の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4478875A (ja) |
| EP (1) | EP0097945B1 (ja) |
| JP (1) | JPS599808A (ja) |
| BR (1) | BR8303472A (ja) |
| DE (2) | DE3224426A1 (ja) |
| ES (1) | ES523692A0 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3316693A1 (de) * | 1983-05-06 | 1984-11-08 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum herstellen von amorphen kohlenstoffschichten auf substraten und durch das verfahren beschichtete substrate |
| DE3402971A1 (de) * | 1984-01-28 | 1985-08-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Vorrichtung zur beschichtung eines substrates mittels plasma-chemical vapour deposition oder hochfrequenz-kathodenzerstaeubung |
| JP2741804B2 (ja) * | 1991-06-14 | 1998-04-22 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
| US5876753A (en) * | 1996-04-16 | 1999-03-02 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Molecular tailoring of surfaces |
| US8003174B2 (en) * | 2007-12-13 | 2011-08-23 | Asm Japan K.K. | Method for forming dielectric film using siloxane-silazane mixture |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2865795A (en) * | 1951-10-30 | 1958-12-23 | Gen Electric | Insulated electrical conductor and method of making the same |
| FR76669E (fr) * | 1956-06-26 | 1961-11-17 | Radiation Res Corp | électrodes recouvertes de diélectrique |
-
1982
- 1982-06-30 DE DE19823224426 patent/DE3224426A1/de not_active Withdrawn
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58114120A patent/JPS599808A/ja active Granted
- 1983-06-27 DE DE8383106250T patent/DE3376916D1/de not_active Expired
- 1983-06-27 EP EP83106250A patent/EP0097945B1/de not_active Expired
- 1983-06-28 US US06/508,584 patent/US4478875A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-06-29 BR BR8303472A patent/BR8303472A/pt not_active IP Right Cessation
- 1983-06-29 ES ES523692A patent/ES523692A0/es active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0097945A3 (en) | 1985-05-22 |
| DE3224426A1 (de) | 1984-01-05 |
| EP0097945B1 (de) | 1988-06-01 |
| DE3376916D1 (en) | 1988-07-07 |
| JPS599808A (ja) | 1984-01-19 |
| ES8404102A1 (es) | 1984-04-01 |
| US4478875A (en) | 1984-10-23 |
| EP0097945A2 (de) | 1984-01-11 |
| BR8303472A (pt) | 1984-04-17 |
| ES523692A0 (es) | 1984-04-01 |
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