JPS5999436A - マスク製造方法 - Google Patents
マスク製造方法Info
- Publication number
- JPS5999436A JPS5999436A JP57208476A JP20847682A JPS5999436A JP S5999436 A JPS5999436 A JP S5999436A JP 57208476 A JP57208476 A JP 57208476A JP 20847682 A JP20847682 A JP 20847682A JP S5999436 A JPS5999436 A JP S5999436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- temperature
- pattern
- substrate
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はマスクの製造方法に関し、更に詳しくは高精度
かつ低欠陥のマスクパターンを有するマスクの作成方法
に蘭する。
かつ低欠陥のマスクパターンを有するマスクの作成方法
に蘭する。
近年、半纏体果禎回路等の高密度化・高集積化のすう勢
の中で、これらの同体素子を製造する際に使用されるマ
スクには、一層の高精度及び高品質が要請されている。
の中で、これらの同体素子を製造する際に使用されるマ
スクには、一層の高精度及び高品質が要請されている。
なかでも、電子ビームリソグラフィーによるマスク製造
技術は微細マスクパターンを容易に、且つ高速に形成で
きるため、活発に検討されてりる。
技術は微細マスクパターンを容易に、且つ高速に形成で
きるため、活発に検討されてりる。
従来、成子ビームによりマスクを製造する方法としては
、次のような方法が採用されている。即ち、酸化クロム
膜、クロム膜、又はこれらの多重層膜等から成る遮蔽膜
を有するマスク基村上に、先ずｉｄ子ビームレジスト膜
を被株する。次いで、該レジスト膜の所望部分に”成子
ビームをパターン状に描画する。更に、レジスト膜の４
子ビ一ム照射部と未照射部の溶剤に対する溶解性の差を
利用して、現象処理を施し、いずれかの領域だけを現像
除去してレジストパターンを形成する。そして、得られ
たレジストパターンを保護膜として、膨出する遮蔽膜層
をエツチング液により蝕刻して所望のマスクパターンを
形成する。
、次のような方法が採用されている。即ち、酸化クロム
膜、クロム膜、又はこれらの多重層膜等から成る遮蔽膜
を有するマスク基村上に、先ずｉｄ子ビームレジスト膜
を被株する。次いで、該レジスト膜の所望部分に”成子
ビームをパターン状に描画する。更に、レジスト膜の４
子ビ一ム照射部と未照射部の溶剤に対する溶解性の差を
利用して、現象処理を施し、いずれかの領域だけを現像
除去してレジストパターンを形成する。そして、得られ
たレジストパターンを保護膜として、膨出する遮蔽膜層
をエツチング液により蝕刻して所望のマスクパターンを
形成する。
レジスト材料は、通常適当な溶剤に溶解した後に、これ
を塗布溶液として、例えばスピンコート法により、基板
上に０．２〜２μｍの厚さで塗布される。次いで溶剤除
去及、び基板との密着性向上を目的として加熱処理（シ
リベーク）が施される。加熱処理は所定温度に保たれた
オープン中に基板をノツ［定時間保持することによりな
される。しかる後基板全オーブンより取り出し室温にお
いて空冷させるのが一般的である。
を塗布溶液として、例えばスピンコート法により、基板
上に０．２〜２μｍの厚さで塗布される。次いで溶剤除
去及、び基板との密着性向上を目的として加熱処理（シ
リベーク）が施される。加熱処理は所定温度に保たれた
オープン中に基板をノツ［定時間保持することによりな
される。しかる後基板全オーブンより取り出し室温にお
いて空冷させるのが一般的である。
しかしながら上記方法によるベーキング処理にはオーブ
ン内温度分布のムラがさけられずパターン精度への影響
が懸念され−Ｃいた。殊に一層の高精度が硬水される現
在の技術にあってはもはや遇する事のできない問題とな
っている。同様のことは冷却過程にもいえるのであって
基板上の温度不均一は加熱−冷却工程を通して極力さけ
ねはならない。レジスト塗膜面の温度ムラは特に冷却過
程において高分子鎖の構造変化に影響を与え、感度ムラ
を誘起するのでパターン精度にとって好ましくないもの
である。
ン内温度分布のムラがさけられずパターン精度への影響
が懸念され−Ｃいた。殊に一層の高精度が硬水される現
在の技術にあってはもはや遇する事のできない問題とな
っている。同様のことは冷却過程にもいえるのであって
基板上の温度不均一は加熱−冷却工程を通して極力さけ
ねはならない。レジスト塗膜面の温度ムラは特に冷却過
程において高分子鎖の構造変化に影響を与え、感度ムラ
を誘起するのでパターン精度にとって好ましくないもの
である。
これは加熱した高分子を冷却していくとガラス転移温度
以下になると拡散速度が冷却速度に追随できなくなり、
分子の配列がその臨界温度の平衡状態を保存したまま凍
結するためガラス転移温度近傍に２ける温度均一性が極
めて重要であるからである。）゛リベークはその目的か
らしてもレジストポリマーのガラス転移温度に比べれば
かなり高い温度で行なわれる。したがってその冷却過程
においてガラス転移温度近傍まで達するのに時間を要し
マスク基板面内の温度ムラを作り易いという状況にあり
た。
以下になると拡散速度が冷却速度に追随できなくなり、
分子の配列がその臨界温度の平衡状態を保存したまま凍
結するためガラス転移温度近傍に２ける温度均一性が極
めて重要であるからである。）゛リベークはその目的か
らしてもレジストポリマーのガラス転移温度に比べれば
かなり高い温度で行なわれる。したがってその冷却過程
においてガラス転移温度近傍まで達するのに時間を要し
マスク基板面内の温度ムラを作り易いという状況にあり
た。
本発明は上記した欠点を解決せんとして為されたもので
あり、その目的はベーキング処理におけるマスク面内の
温度不均一を解消し、高精度かつ低欠陥のマスクパター
ンを有するマスクの作成方法を提供するにある。
あり、その目的はベーキング処理におけるマスク面内の
温度不均一を解消し、高精度かつ低欠陥のマスクパター
ンを有するマスクの作成方法を提供するにある。
本発明者らは、上記欠点を解消するだめに鋭意検討を重
ねた結果、レジストポリマーを塗布したマスク基板を２
度グリベークすることにより目的が達成されることを見
い出し、本発明を完成させるに至った。
ねた結果、レジストポリマーを塗布したマスク基板を２
度グリベークすることにより目的が達成されることを見
い出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明のマスク製造方法は、マスク基板上にレジ
ストポリマーを被覆し、所望のパターンを形成する工程
において前記マスク基板を通常の方法でグリベークした
後、該レジストポリマーのガラス転移温度より１０℃以
上離れていない温度で２回目のプリベークを行なうこと
を＋！ｆ徴とするものである。
ストポリマーを被覆し、所望のパターンを形成する工程
において前記マスク基板を通常の方法でグリベークした
後、該レジストポリマーのガラス転移温度より１０℃以
上離れていない温度で２回目のプリベークを行なうこと
を＋！ｆ徴とするものである。
本発明方法を使用すればグリベークにおける冷却過程で
のレジストポリマーガラス転移温度近傍のマスク基板面
内温度を均一に保持することが可能であり、高精度のパ
ターンを得ることができる。
のレジストポリマーガラス転移温度近傍のマスク基板面
内温度を均一に保持することが可能であり、高精度のパ
ターンを得ることができる。
以下において、図面を参照してこの発明の１実施例を説
明する。第１図において１は透明ガラスノル板２上にク
ロム／酸化クロム膜３を蒸着形成してなるマスク基板で
ある。このマスク基板１にポリメチルメタクリレート４
をスピンコード法により、約５０００にの厚さに塗布し
た後グリベーク処理を行なう。処理は１７０℃で６０分
行なった。その後マスク基板をオーブンから取り出し室
温放置で冷却させた。続いて１１０°Ｃにおいて６０分
第２回目のプリベークを行ない同様に冷却した。
明する。第１図において１は透明ガラスノル板２上にク
ロム／酸化クロム膜３を蒸着形成してなるマスク基板で
ある。このマスク基板１にポリメチルメタクリレート４
をスピンコード法により、約５０００にの厚さに塗布し
た後グリベーク処理を行なう。処理は１７０℃で６０分
行なった。その後マスク基板をオーブンから取り出し室
温放置で冷却させた。続いて１１０°Ｃにおいて６０分
第２回目のプリベークを行ない同様に冷却した。
以下通常の手法により、４子ビームによるパターンの描
画、現像、エツチングと行ないマスク基板を完成した。
画、現像、エツチングと行ないマスク基板を完成した。
このような方法により作成したマスクパターンの４μ線
幅に対する寸法精度は±０．１μ以内と極めて良好であ
り３０枚試作畠精度のマスクを安定的に作成することが
できた。ちなみに比較すれば第１回のグリベークの後、
成子ビームによるパターンの描画を行ない、第２回目の
グリベークを省いたサンプルにおいては４μパターンの
寸法精度は３０枚のマスク試作で最大±０．４μとすこ
ぶる悪い結果であり歩留りが良くなかった。
幅に対する寸法精度は±０．１μ以内と極めて良好であ
り３０枚試作畠精度のマスクを安定的に作成することが
できた。ちなみに比較すれば第１回のグリベークの後、
成子ビームによるパターンの描画を行ない、第２回目の
グリベークを省いたサンプルにおいては４μパターンの
寸法精度は３０枚のマスク試作で最大±０．４μとすこ
ぶる悪い結果であり歩留りが良くなかった。
これは第２回のグリベーク温度がレジストポリマーのガ
ラス転移温度に比べてわずかに高いだけであるため冷却
初期における大きな温度降下がありたちまちガラス転移
温度以下となるためマスク基板面内で温度ムラを生じる
ことがないためと思われる。ぞしてその効果を有する最
大温度差は１０’０であった。一方、第２回のプリベー
クだけで９１期の目的を達成しようとすることも考えら
れる。
ラス転移温度に比べてわずかに高いだけであるため冷却
初期における大きな温度降下がありたちまちガラス転移
温度以下となるためマスク基板面内で温度ムラを生じる
ことがないためと思われる。ぞしてその効果を有する最
大温度差は１０’０であった。一方、第２回のプリベー
クだけで９１期の目的を達成しようとすることも考えら
れる。
しかしながら高温における第１回目のプリベークはレジ
ストポリマーのマスク基板への密着性を高める上では重
要で必るため逆にこれを省くとパターン精度やその他の
プロセス条件に悪影響を与えることがわかった。
ストポリマーのマスク基板への密着性を高める上では重
要で必るため逆にこれを省くとパターン精度やその他の
プロセス条件に悪影響を与えることがわかった。
尚、上記実施例では諷子線レジストのポリメチルメタク
リレートを使用した場合について説明したが、これに限
定するものではなく、他のレジストを使用する場合にも
適用でき、まだＸ線あるいは紫外線によるマスク作成の
場合にも適用できる。
リレートを使用した場合について説明したが、これに限
定するものではなく、他のレジストを使用する場合にも
適用でき、まだＸ線あるいは紫外線によるマスク作成の
場合にも適用できる。
以上のように本発明によればレジスト被膜をグリベーク
する際に２度行なうこととし、しかも第２回目はレジス
トポリマーのガラス転移温度と１０°Ｃ以上離れていな
い温度において行なうことによりマスク面内の温度ムラ
を解消し寸法精度の高いパターン形成を可能ならしめた
。
する際に２度行なうこととし、しかも第２回目はレジス
トポリマーのガラス転移温度と１０°Ｃ以上離れていな
い温度において行なうことによりマスク面内の温度ムラ
を解消し寸法精度の高いパターン形成を可能ならしめた
。
第１図は本発明に係るマスク製造工程を説明するための
図である。 １・・・マスク基板、２・・・ガラス基板、３・・・ク
ロム／酸化クロム膜、 ４・・・ポリメチルメタクリレート。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
図である。 １・・・マスク基板、２・・・ガラス基板、３・・・ク
ロム／酸化クロム膜、 ４・・・ポリメチルメタクリレート。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
Claims (2)
- （１）マスク基板上にレジストポリマーを被覆し、所望
のパターンを形成する工程において、前記マスク基板を
２度グリベークすることを特徴とするマスク製造方法。 - （２）前記プリベークにおいて第２回目のグリベーク温
度と該レジストポリマーのガラス転移温度が１０′Ｏ以
上離れていないことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のマスク製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208476A JPS5999436A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | マスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208476A JPS5999436A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | マスク製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999436A true JPS5999436A (ja) | 1984-06-08 |
Family
ID=16556799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57208476A Pending JPS5999436A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | マスク製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999436A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0333849A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Sony Corp | フォトマスクの製造方法 |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP57208476A patent/JPS5999436A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0333849A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Sony Corp | フォトマスクの製造方法 |
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