JPS5999723A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5999723A JPS5999723A JP57210723A JP21072382A JPS5999723A JP S5999723 A JPS5999723 A JP S5999723A JP 57210723 A JP57210723 A JP 57210723A JP 21072382 A JP21072382 A JP 21072382A JP S5999723 A JPS5999723 A JP S5999723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- width
- film
- development
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は微細パターンに適したパターン形成方法に関
するものである。 、 。
するものである。 、 。
半辱体デバイスの高集積度化、高周波化に伴い、サグミ
クロンパターン形成には多大の努、力がつき込まれてい
る。サブミクロンでも＄１ＣＧａＡＳ 、Ｆ”Ｊｉｌｌ
Ｔにおいては、１μｍ以下のゲート長が常識化している
。光学的督着露光方式では０．７μｍ前後のフォ斗レジ
ストのパターンが技術的に限界であり、この限界にひけ
るゲート長を安定に形成する技術力が歩留りに大きな影
響を与えている。従□米この様なサブミク旧ンバクーン
の形成にはガラスマスクの段１昔においてサグミクロン
パターンを形成しておく方法があった。
クロンパターン形成には多大の努、力がつき込まれてい
る。サブミクロンでも＄１ＣＧａＡＳ 、Ｆ”Ｊｉｌｌ
Ｔにおいては、１μｍ以下のゲート長が常識化している
。光学的督着露光方式では０．７μｍ前後のフォ斗レジ
ストのパターンが技術的に限界であり、この限界にひけ
るゲート長を安定に形成する技術力が歩留りに大きな影
響を与えている。従□米この様なサブミク旧ンバクーン
の形成にはガラスマスクの段１昔においてサグミクロン
パターンを形成しておく方法があった。
第１図（ａ）、４２図（ａ） オｌ：び第３図（ａ）Ｉ
ｄｉ来（１り？クミクロ７ ハク、□＝ンが形成された
ガラスマスクを用いて″Ｐ導体基板上にサブミクロンバ
クーンヲノ彪１戊する方法を示す工程図である。第１図
（ａ）において半萼体基板（１）の表關に約３０００
Ｘのボジクィプ本オドレジネトがスピンコータ等を用い
て塗布された仮半萼体基板（１）と共に８０〜９０℃で
全体が設定ｔＡ′度Ｋｆｘる↓うに１５〜３０分間ベー
キングを行なって７すトレジスト中の溶剤、希釈液等を
気化させて現像特性を妨げる物質を取り去り、ボジレジ
ストノ摸（２）力、ぶ形成されている。
ｄｉ来（１り？クミクロ７ ハク、□＝ンが形成された
ガラスマスクを用いて″Ｐ導体基板上にサブミクロンバ
クーンヲノ彪１戊する方法を示す工程図である。第１図
（ａ）において半萼体基板（１）の表關に約３０００
Ｘのボジクィプ本オドレジネトがスピンコータ等を用い
て塗布された仮半萼体基板（１）と共に８０〜９０℃で
全体が設定ｔＡ′度Ｋｆｘる↓うに１５〜３０分間ベー
キングを行なって７すトレジスト中の溶剤、希釈液等を
気化させて現像特性を妨げる物質を取り去り、ボジレジ
ストノ摸（２）力、ぶ形成されている。
次に幅１ｌ−＝０．７μ乎のバク−ンを有するガラスマ
スク（３）をポジレジスト膜（２）に重ねて、紫外縁（
４）を当てる。次いで現像処理を行なうと、ガラスマス
ク（３）のサグミクロンの光透過部分を通って紫外線（
４）が当った部分のポジレジスト膜（２）が中央から除
去され、現像の途中では′ｆ；２図（ａ）に示す形状を
、吐て、最終的には第３図（ａ）に示す様なポジレジス
ト膜（２）のサグミクロンパターンが形成される。以麦
このサグミクロンパターンを用いてエツチング等を行な
う。ここでポジタイプの７オトレジスト金匣用するのは
、ネガタイプと比べて解は度が格段に優れているからで
ある。
スク（３）をポジレジスト膜（２）に重ねて、紫外縁（
４）を当てる。次いで現像処理を行なうと、ガラスマス
ク（３）のサグミクロンの光透過部分を通って紫外線（
４）が当った部分のポジレジスト膜（２）が中央から除
去され、現像の途中では′ｆ；２図（ａ）に示す形状を
、吐て、最終的には第３図（ａ）に示す様なポジレジス
ト膜（２）のサグミクロンパターンが形成される。以麦
このサグミクロンパターンを用いてエツチング等を行な
う。ここでポジタイプの７オトレジスト金匣用するのは
、ネガタイプと比べて解は度が格段に優れているからで
ある。
ところが、上記のパターン形成力ぬりｉ、パターン露光
に１更用するサグミクロンパターン７）ｉ ４１ 成す
れたガラスマスク（３）全定常的に人手することは現状
でけ内錐であり、またガラスマスク（３）が高１面であ
り、サブミクロンパターン形成方法として適切でないと
いう欠点があった。
に１更用するサグミクロンパターン７）ｉ ４１ 成す
れたガラスマスク（３）全定常的に人手することは現状
でけ内錐であり、またガラスマスク（３）が高１面であ
り、サブミクロンパターン形成方法として適切でないと
いう欠点があった。
この発明は上記従来の方法の欠点を除去するためになさ
れたもので、フォトレジストノｄの表面から深くなるの
につれて現像速度が変１ヒするように、フォトレジスト
に熱処理を加えることによって・バクーン幅を制御でさ
る範囲を太きくし、サグミクロンパターンヲ谷易に形成
できるようにし、サグミクロンパターンをＭする半醇体
装置の量産を可能にすることを目的としている。
れたもので、フォトレジストノｄの表面から深くなるの
につれて現像速度が変１ヒするように、フォトレジスト
に熱処理を加えることによって・バクーン幅を制御でさ
る範囲を太きくし、サグミクロンパターンヲ谷易に形成
できるようにし、サグミクロンパターンをＭする半醇体
装置の量産を可能にすることを目的としている。
この発明は、フォトレジストのンジスト塗布麦ベーキン
グ条件と、現隊条件を詳細に調べた結果、特殊なベーキ
ングを行なうと、レジスト膜の底面からの深さによって
、現は速度に差があることを見出し、これを利用したサ
グミクロンパターン形成技術である。ここでベーキング
の主目的の１つば、紫外線によるフォトレジストの光化
学反応に薔与しｌいか、防害となる物質の除去にあるの
で、フォトレジストの表面ノー／ζけをベーキングする
ことにより、レジストｒｄの表面から深くなるに連れて
、現１象速度ｒ変えることができることに基づいている
。
グ条件と、現隊条件を詳細に調べた結果、特殊なベーキ
ングを行なうと、レジスト膜の底面からの深さによって
、現は速度に差があることを見出し、これを利用したサ
グミクロンパターン形成技術である。ここでベーキング
の主目的の１つば、紫外線によるフォトレジストの光化
学反応に薔与しｌいか、防害となる物質の除去にあるの
で、フォトレジストの表面ノー／ζけをベーキングする
ことにより、レジストｒｄの表面から深くなるに連れて
、現１象速度ｒ変えることができることに基づいている
。
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図（ｂ）、第２図（ｂ）および第３図（ｂ）は一実
施例を示す工程図であり、第１図（ａ） において半導
体基板（１）の表面には従来と同様にスピンコータを用
いて３０００ Ｋの厚みのポジタイプフォトンシストで
あるＡＺ１３５０すなわち感光性樹脂が塗布されている
。この半導体基板（１）をＮ２雰囲気中に置き、レジス
ト上面から、半導体基板（１）の２倍以上の大きさであ
る直径６００ｆｌ の円形１・状均熱帯を有し、７オ
トンジスト表面を１０秒１ｍｌに１０００℃まで加熱可
能な出力状態にした赤外線急速加熱炉を１２秒間点灯し
て急加熱した後、直ちにＮ２ガスを吹き付けて急冷すな
わち熱処理してフォトレジストの表面層のみをベーキン
グしたレジスト膜（２）を得る。
施例を示す工程図であり、第１図（ａ） において半導
体基板（１）の表面には従来と同様にスピンコータを用
いて３０００ Ｋの厚みのポジタイプフォトンシストで
あるＡＺ１３５０すなわち感光性樹脂が塗布されている
。この半導体基板（１）をＮ２雰囲気中に置き、レジス
ト上面から、半導体基板（１）の２倍以上の大きさであ
る直径６００ｆｌ の円形１・状均熱帯を有し、７オ
トンジスト表面を１０秒１ｍｌに１０００℃まで加熱可
能な出力状態にした赤外線急速加熱炉を１２秒間点灯し
て急加熱した後、直ちにＮ２ガスを吹き付けて急冷すな
わち熱処理してフォトレジストの表面層のみをベーキン
グしたレジスト膜（２）を得る。
通常、フォトレジストのペーキンギは、半導体基板（１
）全体が設定温度になる様に十分時間をかけて行なうが
、上記の様に強力な熱源で極く短時間赤外線を照射する
場合は、フォトレジスト表面に当った赤外線が内部に進
行するのに連れて吸収され、したがって表面層が最も高
い温度に昇温され、表面から深くなるのに従って昇温さ
れる温度が低くなっている状態になり、この状態で加熱
が停止されるので、フォトレジストの表面層のみベーキ
ングされたレジスト、戻（２）が得られる。このレジス
ト膜（２）に、１２＝０．９μｍの光透過部分を有する
ガラスマスク（３）を重ねて紫外線（４）を当てて露光
する。ここで７オトンジストが表面層のみベーキングさ
れたときに表面層の溶剤、希釈液等は気化されて取り去
られているのに対し、表面層から床くなるに連れて浴剤
、希釈液等の残在ｌよは多くなっている。
）全体が設定温度になる様に十分時間をかけて行なうが
、上記の様に強力な熱源で極く短時間赤外線を照射する
場合は、フォトレジスト表面に当った赤外線が内部に進
行するのに連れて吸収され、したがって表面層が最も高
い温度に昇温され、表面から深くなるのに従って昇温さ
れる温度が低くなっている状態になり、この状態で加熱
が停止されるので、フォトレジストの表面層のみベーキ
ングされたレジスト、戻（２）が得られる。このレジス
ト膜（２）に、１２＝０．９μｍの光透過部分を有する
ガラスマスク（３）を重ねて紫外線（４）を当てて露光
する。ここで７オトンジストが表面層のみベーキングさ
れたときに表面層の溶剤、希釈液等は気化されて取り去
られているのに対し、表面層から床くなるに連れて浴剤
、希釈液等の残在ｌよは多くなっている。
溶剤、希釈液咎は光化学反応を妨害するか、寄与しない
物質なので、表面層では紫外線により光化学反応が進む
か、内部になるほど光化学反応は未完成状態となってい
る。すなわちこの時点でンジストノ莫（２）は、表面か
ら深くなるすこつれて現・隊速度が遅くなるように熱処
理および露光が施された状態になっている。
物質なので、表面層では紫外線により光化学反応が進む
か、内部になるほど光化学反応は未完成状態となってい
る。すなわちこの時点でンジストノ莫（２）は、表面か
ら深くなるすこつれて現・隊速度が遅くなるように熱処
理および露光が施された状態になっている。
欠いて専用現１＆！液で現１よを開始すると、従来と同
様に露光部の中央からレジスト膜（２）が除去され始め
、籾像の途中では第２図（りに示すように、すり林状パ
ターンとなっている。しかしレジスト膜（２）の表面か
ら深くなるに連れてレジスト膜（２）の現１象速度は遅
くなっているので、第２図（ａ）に示す従来のパターン
と比べて半導体基板＜１）と接する箇所の開口が小さく
なっている。さ？に現像を続、けるき、従来と同様にレ
ジスト膜（２）の囲ロバクーンは大きくなっていく。従
来の方法では半導体基板（１）と接する箇所の現像速度
は速いため、現像牟、轡中、で停止させて半郁体基板（
１）と接する画性の開□口幅を露光した１１ｇ１１より
小さく、しかも再現性よく形成することは困禰であり、
結局、露光領域のレジス１□１ ト膜（２）を全て除去する方法でなければ再現性よく１
鵬 開口−１１を有するパターンが得られなかったが、この
実施例の方法によれば半導体基板（１）と接する両所の
ｕｌ」口が拡がる速度は従来より遅いために任意の開口
幅で現像を停止させることかでさ、すなわちパターン幅
を制御できる範囲が、広くなっており、約３０秒現像し
た時点で現像を停止させることにより、第３図（１））
に示すレジスト膜（２）の表向では１２＝Ｑ、９μｍの
開口を持ち、半導体基板（１）と接する両所では１ｌ＝
Ｑ、７μｍの所望の開口を有するレジスト！（２）のパ
ターンを再現性よく形成することができる。
様に露光部の中央からレジスト膜（２）が除去され始め
、籾像の途中では第２図（りに示すように、すり林状パ
ターンとなっている。しかしレジスト膜（２）の表面か
ら深くなるに連れてレジスト膜（２）の現１象速度は遅
くなっているので、第２図（ａ）に示す従来のパターン
と比べて半導体基板＜１）と接する箇所の開口が小さく
なっている。さ？に現像を続、けるき、従来と同様にレ
ジスト膜（２）の囲ロバクーンは大きくなっていく。従
来の方法では半導体基板（１）と接する箇所の現像速度
は速いため、現像牟、轡中、で停止させて半郁体基板（
１）と接する画性の開□口幅を露光した１１ｇ１１より
小さく、しかも再現性よく形成することは困禰であり、
結局、露光領域のレジス１□１ ト膜（２）を全て除去する方法でなければ再現性よく１
鵬 開口−１１を有するパターンが得られなかったが、この
実施例の方法によれば半導体基板（１）と接する両所の
ｕｌ」口が拡がる速度は従来より遅いために任意の開口
幅で現像を停止させることかでさ、すなわちパターン幅
を制御できる範囲が、広くなっており、約３０秒現像し
た時点で現像を停止させることにより、第３図（１））
に示すレジスト膜（２）の表向では１２＝Ｑ、９μｍの
開口を持ち、半導体基板（１）と接する両所では１ｌ＝
Ｑ、７μｍの所望の開口を有するレジスト！（２）のパ
ターンを再現性よく形成することができる。
なおここで現像を停止させずに続けると、半導体基板（
１）と接する箇所の開口はさらに大きくなり、最後には
パターンに傾斜面は無くなり幅１２の・（クーンとなっ
てしま口巧以後、このレジスト膜（２）の幅１１め写シ
゛１ミ〉口しバ表二ンを４り川して半導体基板（１）
”ＣＤ ｊ−”／チレグ等の元埋を行謄う。
１）と接する箇所の開口はさらに大きくなり、最後には
パターンに傾斜面は無くなり幅１２の・（クーンとなっ
てしま口巧以後、このレジスト膜（２）の幅１１め写シ
゛１ミ〉口しバ表二ンを４り川して半導体基板（１）
”ＣＤ ｊ−”／チレグ等の元埋を行謄う。
、１ところで浴剤、布釈液等が」二記の光１ヒ学反応を
妨害するか、寄与しない物質になっていることは′
□ポジタイプフォトレジストを塗布し、７オ？ｖ”）
：Ｘ、Ｆ、ｆｉ而を８゜〜９ｏ−ｃに。、７〜２秒とい
う瞬間的に昇温可能層赤外線急速加熱炉を用いて炉の点
灯時間す慕ムち昇温時間を変えてベー 、。
妨害するか、寄与しない物質になっていることは′
□ポジタイプフォトレジストを塗布し、７オ？ｖ”）
：Ｘ、Ｆ、ｆｉ而を８゜〜９ｏ−ｃに。、７〜２秒とい
う瞬間的に昇温可能層赤外線急速加熱炉を用いて炉の点
灯時間す慕ムち昇温時間を変えてベー 、。
キ・し置この門しシストＪ模（２）′ｆ：全而全光露光
ｚ・きの膜ベリ重盪示ら 換算しｒｃ Ｗ ”４ ａ Ｋ示す昇温時間と、視床速
度の関係から分る。第一図におい□て、炉と試料の距離
は４０＝、試ｉ表面の昇温渠祥はｉｏｏ℃／秒、試料雰
面穢であｉ・流量は１１７ｍ’ｉｎである。昇温時性は
炉の投了プロレ゛ラムでｉ易に％えられる。第４図に□
よ八ば炉の点灯時間１〜２秒ｒｔｆＪ後で、現１ｉＪ！
、４度を□２〜トレジストの膜厚、現像条件等によって
適宜選びイ号る。
ｚ・きの膜ベリ重盪示ら 換算しｒｃ Ｗ ”４ ａ Ｋ示す昇温時間と、視床速
度の関係から分る。第一図におい□て、炉と試料の距離
は４０＝、試ｉ表面の昇温渠祥はｉｏｏ℃／秒、試料雰
面穢であｉ・流量は１１７ｍ’ｉｎである。昇温時性は
炉の投了プロレ゛ラムでｉ易に％えられる。第４図に□
よ八ば炉の点灯時間１〜２秒ｒｔｆＪ後で、現１ｉＪ！
、４度を□２〜トレジストの膜厚、現像条件等によって
適宜選びイ号る。
なお上記実施例では１００℃に昇温させるのに１秒（昇
温速度ｒ１００ψ少）としたが、これと同じ温度に上昇
させるのに０．５〜２秒の範囲であれば使用口」“能で
ある。０．５秒より短かいと、フォトレジスト表面にこ
げつき現・隊が現われることがある。逆に、長ずざると
フォトレジストの厚みによっては、表面層だけをベーキ
ングすることが困難となり、レジストＪ漢が深くなる方
向に対する現像速度に顕著な差力樋くなる。またフォト
レジ□、ス′１トはＡＺ１３５０としたがＰＭＭＡ等の
他の７オトレジストでもよく、さらに電子ビーム等の□
紫外線以外のエネルギー、泉用レジストであってもよい
。ノ臭厚は３０００る１μｍ１１１Ｈ＆の他の露光であ
ってもよい。、さらにまたマスクはガラスマスクでめっ
たが、８１基門、Ｘ線露光用マスク等の曲のマスクでも
よく、またマスクをメ）」いない描画であってもよい。
温速度ｒ１００ψ少）としたが、これと同じ温度に上昇
させるのに０．５〜２秒の範囲であれば使用口」“能で
ある。０．５秒より短かいと、フォトレジスト表面にこ
げつき現・隊が現われることがある。逆に、長ずざると
フォトレジストの厚みによっては、表面層だけをベーキ
ングすることが困難となり、レジストＪ漢が深くなる方
向に対する現像速度に顕著な差力樋くなる。またフォト
レジ□、ス′１トはＡＺ１３５０としたがＰＭＭＡ等の
他の７オトレジストでもよく、さらに電子ビーム等の□
紫外線以外のエネルギー、泉用レジストであってもよい
。ノ臭厚は３０００る１μｍ１１１Ｈ＆の他の露光であ
ってもよい。、さらにまたマスクはガラスマスクでめっ
たが、８１基門、Ｘ線露光用マスク等の曲のマスクでも
よく、またマスクをメ）」いない描画であってもよい。
また上記実施例では熱処理は赤外線による急速加熱であ
ったが、１風等による他の急加熱であつさら←上記壺施
糟では加熱後の急冷却ｔ／ｉＮｚ吹付であったが他の冷
却用ガスを用いてもよく、また液体吹付等の他の急冷却
でもよく、さらに急冷却を行なわない熱処理であっても
同様に所期の目的を達し得る。
ったが、１風等による他の急加熱であつさら←上記壺施
糟では加熱後の急冷却ｔ／ｉＮｚ吹付であったが他の冷
却用ガスを用いてもよく、また液体吹付等の他の急冷却
でもよく、さらに急冷却を行なわない熱処理であっても
同様に所期の目的を達し得る。
ところで上記実施例ではフォトレジストはポジタイプと
したがネガタイプにも利用できる′ことは言うまでもな
い。ネガタイプフォトレジストを用いてバタ」ンを形成
する方法を第５図および第６図に示す工程図を用いて説
り］する。第５図において、半導体基板（１）上にポジ
タイプフォトレジストの場合と、同様にしてム布および
ベーキングされて形成きれたレジスト、漠（５）に、
４．１１＝Ｑ、７μｍのバクンを有子るガラスマうり（
３）を重ねて紫外線（４）を照射する。次いで現像処理
を行なうと、従来のベーキングを行なったレジスト膜（
５）の場合は残しパターンが第６図（ａ）に示すように
台形状パターンになる傾向があり、半導体基板（１）と
接する置所では所望の幅１１が帰られず１μｍ以上の幅
の１３となり、したがって微細パターンが得られず、解
像力も悪かった。しかしこの発明の方法でベーキングを
施したレジスト膜（５）の場合は、ポジレジストとは逆
に表面から深くなるに連れて現像速度が速くなるので、
第６図（１））に示すように従来と比べてパターン側面
の傾斜を小さくすることができ、すなわちパターン幅を
制御１１できる範囲を大きくすることができ、所望の幅
１１のパターンを容易に得ることができｔパターンを微
細化させ、現像力を向上させることができる。
したがネガタイプにも利用できる′ことは言うまでもな
い。ネガタイプフォトレジストを用いてバタ」ンを形成
する方法を第５図および第６図に示す工程図を用いて説
り］する。第５図において、半導体基板（１）上にポジ
タイプフォトレジストの場合と、同様にしてム布および
ベーキングされて形成きれたレジスト、漠（５）に、
４．１１＝Ｑ、７μｍのバクンを有子るガラスマうり（
３）を重ねて紫外線（４）を照射する。次いで現像処理
を行なうと、従来のベーキングを行なったレジスト膜（
５）の場合は残しパターンが第６図（ａ）に示すように
台形状パターンになる傾向があり、半導体基板（１）と
接する置所では所望の幅１１が帰られず１μｍ以上の幅
の１３となり、したがって微細パターンが得られず、解
像力も悪かった。しかしこの発明の方法でベーキングを
施したレジスト膜（５）の場合は、ポジレジストとは逆
に表面から深くなるに連れて現像速度が速くなるので、
第６図（１））に示すように従来と比べてパターン側面
の傾斜を小さくすることができ、すなわちパターン幅を
制御１１できる範囲を大きくすることができ、所望の幅
１１のパターンを容易に得ることができｔパターンを微
細化させ、現像力を向上させることができる。
以上のようにこの発明によれば、基板に破着されたフォ
トレジストの表面から深くなるにつれて現歇速度が変化
するようにフォトレジストＶＣ熱処理を施すようにした
ので、バクーン寸法利１卸に幅を持たせることができ、
サグミクロンパターンを容易に形成することができ、サ
グミクロンパターンを容易に形成することができ、サグ
ミクロンパターンを有する半導体装置を量産することが
できるという効果がある。
トレジストの表面から深くなるにつれて現歇速度が変化
するようにフォトレジストＶＣ熱処理を施すようにした
ので、バクーン寸法利１卸に幅を持たせることができ、
サグミクロンパターンを容易に形成することができ、サ
グミクロンパターンを容易に形成することができ、サグ
ミクロンパターンを有する半導体装置を量産することが
できるという効果がある。
第１図（ａ）、第２図（ａ）、第３図Ｌａ）は従来のポ
ジタイプフォトンシストパターン形成方法を示す工程図
、第１図（ｂ）、第２図（ｂ）、第３図（ｂ）はこの発
明の一実施例を示す工程図、第４図はポジタイプフォト
レジストの現１譲特性を示す図、第５図はネカリイプレ
ジスト１漠露光方法を示す図、第６図（ａ）は従来のネ
ガタイプフォトレジストパターンを示す所面図、第６図
Ｌｂ）はこの発明の応用例を示す萌面図である。 図に訃いて（１）は半導体基板、（２）、（５）は感光
性樹脂である。 なお、図中、同一符号は同一°またはイ・目当部分を示
す。 代 理 人 葛 野 侶 −第１図 （ａ ） ｔ６ ） 第２図 （α）（Ｊ−） 第３図 第４図 θ５５Ｉ、θ Ｉ、５ ２．０ 秒 ファの、占汀時ｙａ 第５図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ５７−２１０７２８号２
、発明の名称 パターン形成゛方法 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 奄 明細書第５疫第１１行に［゛ベーキンギ」とあるのを１
ベーキング」と訂正する。 以上 １３
ジタイプフォトンシストパターン形成方法を示す工程図
、第１図（ｂ）、第２図（ｂ）、第３図（ｂ）はこの発
明の一実施例を示す工程図、第４図はポジタイプフォト
レジストの現１譲特性を示す図、第５図はネカリイプレ
ジスト１漠露光方法を示す図、第６図（ａ）は従来のネ
ガタイプフォトレジストパターンを示す所面図、第６図
Ｌｂ）はこの発明の応用例を示す萌面図である。 図に訃いて（１）は半導体基板、（２）、（５）は感光
性樹脂である。 なお、図中、同一符号は同一°またはイ・目当部分を示
す。 代 理 人 葛 野 侶 −第１図 （ａ ） ｔ６ ） 第２図 （α）（Ｊ−） 第３図 第４図 θ５５Ｉ、θ Ｉ、５ ２．０ 秒 ファの、占汀時ｙａ 第５図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ５７−２１０７２８号２
、発明の名称 パターン形成゛方法 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 奄 明細書第５疫第１１行に［゛ベーキンギ」とあるのを１
ベーキング」と訂正する。 以上 １３
Claims (3)
- （１）基板に被着された感光性樹脂をその表面から深く
なるにつれてベーキンギの程度が出場くなるように熱処
理する工程、と、面記熱処理した感光、性樹脂にパター
ンを露光したのち現ｌ砿する工・程とを宮むパターン形
成方法。 - （２）熱処理は赤外線による急加熱を含む脣岬請求の範
囲第１項に記載のパターン形成方法。 - （３）熱処理は加熱後の急冷却を含む峙杼請求の範囲第
２項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57210723A JPS5999723A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57210723A JPS5999723A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999723A true JPS5999723A (ja) | 1984-06-08 |
Family
ID=16594030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57210723A Pending JPS5999723A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999723A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162330A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| US4753866A (en) * | 1986-02-24 | 1988-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Method for processing an interlevel dielectric suitable for VLSI metallization schemes |
| US5096802A (en) * | 1990-11-09 | 1992-03-17 | Hewlett-Packard Company | Holes and spaces shrinkage |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP57210723A patent/JPS5999723A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162330A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| US4753866A (en) * | 1986-02-24 | 1988-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Method for processing an interlevel dielectric suitable for VLSI metallization schemes |
| US5096802A (en) * | 1990-11-09 | 1992-03-17 | Hewlett-Packard Company | Holes and spaces shrinkage |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5258266A (en) | Method of forming minute patterns using positive chemically amplifying type resist | |
| US5158861A (en) | Method of forming minute patterns using chemically amplifying type resist | |
| JPH04176123A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62147724A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2831757B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH02177420A (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JPS61116838A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JP2583988B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62193248A (ja) | レジスト塗布・ベ−ク装置 | |
| JPH1083947A (ja) | レジストパターン形成方法およびその装置 | |
| JPH01105537A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS62219520A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| US5498769A (en) | Method for thermally treating resist film and forming undercut pattern | |
| JPS6352410A (ja) | 半導体装置の製造方法および加熱処理装置 | |
| JPH02148830A (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JPS56111221A (en) | Formation on mask for etching | |
| JPH05267154A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS62255951A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63164319A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH01149044A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0637071A (ja) | 半導体装置のコンタクトホール径の調整方法 | |
| JPS63115337A (ja) | フオトレジストの処理方法 | |
| JPS59121923A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01284851A (ja) | フォトレジスト膜形成方法 | |
| JPH02177421A (ja) | ウエハ周辺露光装置 |