JPS62147724A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置の製造方法において、特
に、微細な構造を形成するため、不必要な領域を熱処理
しない様にした製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体集積回路装置の・ｕｌ造工程における熱処
理の方法としては、ｆｆｆｉ炉を用いて適当なガス雰囲
気中で熱を加えていたが、最近は、赤外線やレーザ光を
照射し、短時間に熱処理を行う方法も用いられを様にな
り、半導体ウェハーの表面全域の浅い領域を短時間で熱
処理できる様になって号な。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した赤外線やレーザを半導体ウェハーに照射して熱
処理を行う方法では、全面に一変に照射すると、不必要
な部分にも熱が加えられ、不純物の再分布などが生じ、
微細加工の障害となる。又、これら赤外線やレーザ光を
細くしぼり、必要な部分に極部的に照射する方法をとれ
ば、不必資な部分には熱は与えられないが、照射に多く
の時間を要し、量産効率が悪い。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、赤外線やレ
ーザ等の光を半導体ウェハーの表面に照射して熱処理を
行う際に、必要のない領域に熱が加わらない様、勲射す
る光の反射係数が大縫い膜を熱処理用のマスクとして用
いる工程を有している。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１１ゾは本発明の一実施例の製造方法の流れを示す断
面図である。

ブす、第１図Ａで半導体ウェハー１の表面全体に、照射
光反射膜３を成長させる。この照射光反射膜は、熱処理
用照射光５の波長や強度に応じて、反射係毅を大きくす
る様に材質や膜厚をｙ！釈する。

第１図Ｂで照射光反射膜の上にレジスト４を塗布し、ｍ
１図Ｃで熱処理を行う領域２のパターンを非光。現像す
る。第１図りでレジスト４をマスクとして照射光反射膜
３をエツチングし、熱処理を行うり１゛４域２の上に、
照射光を通す窓を開ける。第１図Ｅで、レジスト４を剥
離した後、照射光反射膜３の上から熱処理用照射光５（
赤外線やレーザ貯）を照射する。この際、照射光反射膜
３に当たった光は大部分反射され、照射光反射膜３のな
い部分の光のみが半導体ウェハー上に効率よく吸収源わ
、熱処理を行う部分２の温度を高め、熱処理を行う。最
後に、第１図Ｆでが射光反射１公３を取り除く、世し１
、との！！Ｑを他に利用する場合は、第１図Ｆの工程は
必要としない。この様な工程に用いる照射光反射膜とし
ては、ｉ膜厚がそれ（１ど厚くなくても充分な反射率を
示し、かつ、ある程度の温度上昇にも耐えられるものが
望ましい。たとえばｐｔをＳｉ基盤上に１３０ＯＡ＋戊
長させた場合の反射率は波長６４３７ＡのＫｒレーザに
対し。

８３係と朦く、（Ｋ、Ｎ、Ｔｖ、に、Ｙ、Ａｈｎ、＋ｎ
ｄＳ　、Ｒ，）＋ｅｒｄ、Ａｐｐｌ　、Ｉ’ｈｙｓ　、
Ｌｅｔｔ　、　３９．９２７（１９８１））又、融点も
１７７２°Ｃと高く、朋射光反射１嘆の１つの例として
考えられる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、赤外線やレーザ光を１璋
肘して熱処ｆｉｔ！を行う際に、熱をカ［１えたくない
領域の表面に、照射光に対する）又射係数の大きい膜を
形成し、ｌ！４４射光を反射する事により、套装な部分
のみ、Ｊｌｊ射光を吸収して熱処理を行い、不必要な熱
の吸収による不純物の再分布や微細パターンの変形を防
止で鍍る効果がある。又、同様の効果を期待して照射光
を細く絞る場合に比べ、量産効率がよく、照射装置も光
を集束する機構が必要でなくなり、構造な藺略化できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ〜第１図Ｆは本発明の主要工程の流れを示す拡
大断面図である。 １・・・・・・半導体ウェハー（表面に種々の微細構造
を有していてもよい）、２・・・・・・熱処理を行う角
域、３・・・・照射光反射膜、４・・・・・フォトレジ
スト膜、５・・・・・熱処理用照射光（赤外線、レーザ
等）、６・・・・・反射光。 代理人　弁理士　　内　原　　　ｓｗ　　　　′：”−
。 １、　　、　、：、、。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 赤外線やレージ等の光を半導体ウェハーに照射して熱処
   理を行う際に、熱を加えたくない領域に、あらかじめ、
   照射する光の反射係数が大きい膜をつけておき、必要な
   領域のみを熱処理する事を特徴とする半導体集積回路装
   置の製造方法。