JPS6010086Y2 - ファラデ−旋波子形可逆移相器 - Google Patents
ファラデ−旋波子形可逆移相器Info
- Publication number
- JPS6010086Y2 JPS6010086Y2 JP17287880U JP17287880U JPS6010086Y2 JP S6010086 Y2 JPS6010086 Y2 JP S6010086Y2 JP 17287880 U JP17287880 U JP 17287880U JP 17287880 U JP17287880 U JP 17287880U JP S6010086 Y2 JPS6010086 Y2 JP S6010086Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shifter
- faraday
- reversible phase
- waveform
- ferrimagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はフェイズドアレイレーダに使用するファラデ
ー旋波子形可逆移相器の改良に関するものである。
ー旋波子形可逆移相器の改良に関するものである。
まず、従来のファラデー旋波子形可逆移相器の構造と動
作を説明し、次いでこの考案の詳細な説明をおこなう。
作を説明し、次いでこの考案の詳細な説明をおこなう。
第１図はファラデー旋波子形可逆移相器の構造断面図を
示すものである。
示すものである。
フェリ磁性体１とほぼ等しい比誘電率を持つ誘電体２の
広い一面に所定の抵抗値で、かつ、適当な形状の抵抗膜
３を蒸着し、そしてこの抵抗膜３を挾むように２枚の誘
電体を張り合せる。
広い一面に所定の抵抗値で、かつ、適当な形状の抵抗膜
３を蒸着し、そしてこの抵抗膜３を挾むように２枚の誘
電体を張り合せる。
この誘電体とフェリ磁性体１を接着した後、両端の二面
を除く他の全面を無電解メッキ法、蒸着法などの手法に
より、メッキあるいは蒸着導波管４を形成する。
を除く他の全面を無電解メッキ法、蒸着法などの手法に
より、メッキあるいは蒸着導波管４を形成する。
（以後簡単の為メッキ導波管と呼ぶ）
そして、このメッキ導波管上に永久磁石５とコイル６及
びフェリ磁性体ヨーク７を図示のように配置する。
びフェリ磁性体ヨーク７を図示のように配置する。
さらに全体をシールドパイプ８及び入出力導波管９を導
電性接着剤及び構造接着剤等を用いて電気的及び機械的
に接着する。
電性接着剤及び構造接着剤等を用いて電気的及び機械的
に接着する。
そして整合誘電体１０を両端に接着することによって移
相器は組立てられる。
相器は組立てられる。
次に、移相器の動作原理について説明すると以下のよう
になる。
になる。
第１図英文字記号は同断面図の各部の動作機能を説明す
る為のものであり、Ｍ□９Ｍ２はインピーダンス整合部
、Ｇ１．Ｇ２は円偏波発生器、Ｌｉ、Ｌ２はリニアポラ
ライザー、Ｆはファラデー旋波子である。
る為のものであり、Ｍ□９Ｍ２はインピーダンス整合部
、Ｇ１．Ｇ２は円偏波発生器、Ｌｉ、Ｌ２はリニアポラ
ライザー、Ｆはファラデー旋波子である。
全同図において、左側からの直線偏波入力波ＥＩｎ）右
側への出力波をＥＯｕｔとし無損失を仮定すると Ｅ、、、＝ｅ θＦ θｖ １１Ｅ＋ｎ
””（１）の関係が成立っている。
側への出力波をＥＯｕｔとし無損失を仮定すると Ｅ、、、＝ｅ θＦ θｖ １１Ｅ＋ｎ
””（１）の関係が成立っている。
ここにθ、はラッチングファラデー旋波子部の電気長で
、θＦはその他の部分での固定電気長である。
、θＦはその他の部分での固定電気長である。
したがってθＶを適当に変えることによって適当な移相
量を得ようとするのがこの移相器の動作原理である。
量を得ようとするのがこの移相器の動作原理である。
フェリ磁性体中の残留磁化の強さと方向はコイルに流す
パルス電流の大きさと方向を制御することによって変化
し、その結果としてθＶを変化出来る。
パルス電流の大きさと方向を制御することによって変化
し、その結果としてθＶを変化出来る。
このような移相器をフエイズドアイレーダ等に用いる場
合挿入損失（Ｌｆ）が小さく、耐電力の大きなものが求
められる。
合挿入損失（Ｌｆ）が小さく、耐電力の大きなものが求
められる。
この考案はこの点に着目して、上記問題点の解決をはか
ろうとするものである。
ろうとするものである。
移相器にパルス状のマイクロ波電力を加え、その尖頭値
を増していくと、ある電力Ｐ１から急速に挿入損失が増
加する。
を増していくと、ある電力Ｐ１から急速に挿入損失が増
加する。
この様子を第２図に示している。
これは、マイクロ波の周波数の半分の周波数をもつスピ
ン波が励起され、マイクロ波電力が一様歳差運動を通し
、あるいは直接そのスピン波励起に費やされるためであ
る。
ン波が励起され、マイクロ波電力が一様歳差運動を通し
、あるいは直接そのスピン波励起に費やされるためであ
る。
フェリ磁性体１の上記耐電力を向上させる方法として
（イ） 結晶粒度を小さくすること
（ロ） Ｈｏ３＋等の稀土類イオンを加える等が考え
られている。
られている。
第３図はＹＩＧ系のフェリ磁性体に稀土類イオンである
Ｈｏを添加した場合の耐電力特性の改善の様子を示した
ものであるが、ＨＯを増やしてゆくにつれて第４図にに
示す如く挿入損失（Ｌｆ）が増加してくるという欠点が
あった。
Ｈｏを添加した場合の耐電力特性の改善の様子を示した
ものであるが、ＨＯを増やしてゆくにつれて第４図にに
示す如く挿入損失（Ｌｆ）が増加してくるという欠点が
あった。
次にファラデー旋波子形可逆移相器が他の非可逆移相器
に比較して同じフェリ磁性体を使用しているにもかかわ
らず耐電力が低くなる理由は、フェリ磁性体の比誘電率
が比較的大きい（＝１３〜１５）為、フェリ磁性体１を
含むメッキ導波管４内を不要のマイクロ波高姿モードを
伝播させないよう第１図の寸法アに制約を与えている為
である。
に比較して同じフェリ磁性体を使用しているにもかかわ
らず耐電力が低くなる理由は、フェリ磁性体の比誘電率
が比較的大きい（＝１３〜１５）為、フェリ磁性体１を
含むメッキ導波管４内を不要のマイクロ波高姿モードを
伝播させないよう第１図の寸法アに制約を与えている為
である。
寸法アが小さくなると、メッキ導波管４内のＲＦ高周波
磁界が強くなり、その結果、前述のスピン波励起がはじ
まり、移相器の挿入損失（Ｌｆ）が増大することになる
。
磁界が強くなり、その結果、前述のスピン波励起がはじ
まり、移相器の挿入損失（Ｌｆ）が増大することになる
。
寸法アを大きくする為には、フェリ磁性体１を含むメッ
キ導波管の実効比誘電率を低下させればよい。
キ導波管の実効比誘電率を低下させればよい。
第５図はこの考案によるファラデー旋波子形可逆移相器
の構造断面図を示すものである。
の構造断面図を示すものである。
１はフェリ磁性体、２は誘電体、３は抵抗膜、４はメッ
キ導波管、５は磁石、６はコイル、７はフェリ磁性体ヨ
ーク、８はシールドパイプ、９は入出力導波管、１０は
整合誘電体、１１はフェリ磁性体の軸方向にもうけられ
た貫通孔である。
キ導波管、５は磁石、６はコイル、７はフェリ磁性体ヨ
ーク、８はシールドパイプ、９は入出力導波管、１０は
整合誘電体、１１はフェリ磁性体の軸方向にもうけられ
た貫通孔である。
以上のようにフェリ磁性体１に貫通孔１１を設けること
によりフェリ磁性体１及び貫通孔１１を含むメッキ導波
管４内の実効比誘電率は貫通孔１１がない従来の構造の
ものにくらべてさがる。
によりフェリ磁性体１及び貫通孔１１を含むメッキ導波
管４内の実効比誘電率は貫通孔１１がない従来の構造の
ものにくらべてさがる。
したがって、メッキ導波管４内を不要のマイクロ波高姿
モードを伝播させない為の寸法アを従来のものより大き
くすることができる。
モードを伝播させない為の寸法アを従来のものより大き
くすることができる。
その結果、メッキ導波管４内のＲＦ高周波磁界を弱くす
ることができ、耐電力を向上させることができる。
ることができ、耐電力を向上させることができる。
以上のように、この考案によれば、フェリ磁性体１に貫
通孔１１をもうけることにより耐電力の向上をはかるこ
とができる。
通孔１１をもうけることにより耐電力の向上をはかるこ
とができる。
又、前記稀土類イオンとこの考案の手法を併用すること
によりシステムの要求にかなった挿入損失と耐電力を有
するファラデー旋波子形可逆移相器を実現することがで
る。
によりシステムの要求にかなった挿入損失と耐電力を有
するファラデー旋波子形可逆移相器を実現することがで
る。
第１図は従来のファラデー旋波子形可逆移相器の構造断
面図、第２図はこの移相器の入力電力Ｐ、ｎに対する挿
入損失（Ｌｆ）の様子を示す図、第３図はＨｏ添加量に
対する耐電力の変化の様子を示す図、第４図はＨｏの添
加量に対する挿入損失（Ｌｆ）の変化の様子を示す図、
第５図はこの考案によるファラデー旋波子形可逆移相器
の構造断面図である。 図中、１はフェリ磁性体、２は誘電体、３は抵抗膜、４
はメッキ導波管、５は永久磁石、６はコイル、７はフェ
リ磁性体ヨーク、８はシールドパイプ、９は入出力導波
管、１０は貫通孔である。 なお、図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。
面図、第２図はこの移相器の入力電力Ｐ、ｎに対する挿
入損失（Ｌｆ）の様子を示す図、第３図はＨｏ添加量に
対する耐電力の変化の様子を示す図、第４図はＨｏの添
加量に対する挿入損失（Ｌｆ）の変化の様子を示す図、
第５図はこの考案によるファラデー旋波子形可逆移相器
の構造断面図である。 図中、１はフェリ磁性体、２は誘電体、３は抵抗膜、４
はメッキ導波管、５は永久磁石、６はコイル、７はフェ
リ磁性体ヨーク、８はシールドパイプ、９は入出力導波
管、１０は貫通孔である。 なお、図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。
Claims (1)
- フェリ磁性体、誘電体、抵抗膜、永久磁石、コイル、フ
ェリ磁性体ヨーク、メッキ導波管、シールドパイプ、整
合誘電体、及び入出力導波管から威る、ファラデー旋波
子形可逆移相器において、上記フェリ磁性体の長軸方向
に貫通孔を設けたことを特徴とするファラデー旋波子形
可逆移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17287880U JPS6010086Y2 (ja) | 1980-12-02 | 1980-12-02 | ファラデ−旋波子形可逆移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17287880U JPS6010086Y2 (ja) | 1980-12-02 | 1980-12-02 | ファラデ−旋波子形可逆移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5794202U JPS5794202U (ja) | 1982-06-10 |
| JPS6010086Y2 true JPS6010086Y2 (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=29531157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17287880U Expired JPS6010086Y2 (ja) | 1980-12-02 | 1980-12-02 | ファラデ−旋波子形可逆移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010086Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-12-02 JP JP17287880U patent/JPS6010086Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5794202U (ja) | 1982-06-10 |
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