JPS60101979A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPS60101979A JPS60101979A JP58209639A JP20963983A JPS60101979A JP S60101979 A JPS60101979 A JP S60101979A JP 58209639 A JP58209639 A JP 58209639A JP 20963983 A JP20963983 A JP 20963983A JP S60101979 A JPS60101979 A JP S60101979A
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- Japan
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- silicon
- semiconductor layer
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
- H10F10/172—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に成長さぜたシリコン薄膜によって光電
変換を行う光起電力素子に関し、特に入射光の利用効率
を高めて光電変換効率を大幅に向上させることを目的と
したものである。
変換を行う光起電力素子に関し、特に入射光の利用効率
を高めて光電変換効率を大幅に向上させることを目的と
したものである。
一般にシリコンを材料とする太陽電池のことき光起電力
素子は、主として結晶（単結晶、多た非晶質形起電力素
子とがある。この結晶形光起電力素子は光の吸収波長が
主として可視光線域及び可視光線域より長波長域のもの
が発電に寄与し、一方の非晶質形光起電力素子は前記結
晶形の吸収波長域に比べ、主として短波長側、即ち可視
光線域のものが発電に最も寄与することが知られている
。第１図は従来のカラスを基板とした類セル型非晶質光
起電力素子の構造を示す概念的断面図であって、１はガ
ラス基板、２は透明導電膜、３は非晶質からなるＰ型半
導体層、４及び５は非晶質からなる■型及びＮ型半導体
層−であり、基板に順次Ｐ、Ｉ、Ｎの各半導体層３１４
＋ ５が積層されている。更にそのＮ型半導体層５の
上面には、例えばアルミニウムの蒸着膜のような不透明
な金属電極６を被着させて光起電力素子が構成されてい
る。このような光起電力素子は半導体層が非晶質である
ため光の吸収及び電子の拡散距離等を考慮して全体とし
て２０００〜６０００Ａの厚さとなっており、この光起
電力素子の光電変換効率は２〜６％にとどまり、ｌ′型
型置導体層炭化けい素（ＳｉＣ）を混入したヘテロ型に
おいても現状では７〜８％程度が限度とされている。ま
たこの先起ｚｈ力累子が発電に寄与する光の波長域が、
可視光線域が殆んどで、螢光灯が発光する光の波長とは
適合しており室内照明を利用する卓上型電子計算機等の
電源ζこは適している。したがって、波長範囲が、広い
太陽光線により光電変換する光起電力素子としては、太
陽光線の部分的な波長範囲の光を利用するにすきず効果
的な光電変換をさせることができない。
素子は、主として結晶（単結晶、多た非晶質形起電力素
子とがある。この結晶形光起電力素子は光の吸収波長が
主として可視光線域及び可視光線域より長波長域のもの
が発電に寄与し、一方の非晶質形光起電力素子は前記結
晶形の吸収波長域に比べ、主として短波長側、即ち可視
光線域のものが発電に最も寄与することが知られている
。第１図は従来のカラスを基板とした類セル型非晶質光
起電力素子の構造を示す概念的断面図であって、１はガ
ラス基板、２は透明導電膜、３は非晶質からなるＰ型半
導体層、４及び５は非晶質からなる■型及びＮ型半導体
層−であり、基板に順次Ｐ、Ｉ、Ｎの各半導体層３１４
＋ ５が積層されている。更にそのＮ型半導体層５の
上面には、例えばアルミニウムの蒸着膜のような不透明
な金属電極６を被着させて光起電力素子が構成されてい
る。このような光起電力素子は半導体層が非晶質である
ため光の吸収及び電子の拡散距離等を考慮して全体とし
て２０００〜６０００Ａの厚さとなっており、この光起
電力素子の光電変換効率は２〜６％にとどまり、ｌ′型
型置導体層炭化けい素（ＳｉＣ）を混入したヘテロ型に
おいても現状では７〜８％程度が限度とされている。ま
たこの先起ｚｈ力累子が発電に寄与する光の波長域が、
可視光線域が殆んどで、螢光灯が発光する光の波長とは
適合しており室内照明を利用する卓上型電子計算機等の
電源ζこは適している。したがって、波長範囲が、広い
太陽光線により光電変換する光起電力素子としては、太
陽光線の部分的な波長範囲の光を利用するにすきず効果
的な光電変換をさせることができない。
それ故、前述した問題を解決するために第２図に示す如
く光電変換のためのシリコン薄膜が二重連結された順セ
ルタンデム型光起電力素子が提案されている。第２図は
ガラスを基板としたＩＩＩセルタンデム型光起電力素子
の構造を示す概念的断面図であって、１０はガラス基板
、２゜は透明導電膜、３０，４０．５０は非晶質のシリ
コンからなる第１のＰ、Ｉ、Ｎ型半導体層、３１．４１
．５１は前記第１の半導体層よりもエネ／Ｌ／ −ｆ
−キャップの狭い、非晶質のゲルマニウム等からなる第
２のＰ、１．Ｎ型半導体層、６０は金属電極であり、こ
れらにより順セルタンテム型光起電力素子を構成してい
る。このタンデム型光起電力素子はＰ、Ｉ、Ｎ型半導体
層３０．４０．５０により短波長の可視光線域の光を吸
収し得るようにし、もう１つのＰ、Ｉ。
く光電変換のためのシリコン薄膜が二重連結された順セ
ルタンデム型光起電力素子が提案されている。第２図は
ガラスを基板としたＩＩＩセルタンデム型光起電力素子
の構造を示す概念的断面図であって、１０はガラス基板
、２゜は透明導電膜、３０，４０．５０は非晶質のシリ
コンからなる第１のＰ、Ｉ、Ｎ型半導体層、３１．４１
．５１は前記第１の半導体層よりもエネ／Ｌ／ −ｆ
−キャップの狭い、非晶質のゲルマニウム等からなる第
２のＰ、１．Ｎ型半導体層、６０は金属電極であり、こ
れらにより順セルタンテム型光起電力素子を構成してい
る。このタンデム型光起電力素子はＰ、Ｉ、Ｎ型半導体
層３０．４０．５０により短波長の可視光線域の光を吸
収し得るようにし、もう１つのＰ、Ｉ。
Ｎ型半導体層３１，４１．５１により第１の半導体層で
吸収されないより長波長の光を吸収し得るようにしてお
り、入射した可視光線域の光をＰ 、 Ｉ 、 Ｎ）−
（＋Ｊ半導体層３０，４０．５０及び３１．４１＋５１
で広い波長範囲にわたって吸収して光電変換さぜ、っま
り光電変換効率を高めている。しかし乍ら、この種のタ
ンデム型光起電力素子は薄膜を生成させるに当りシリコ
ン以外の、例えはゲルマニウム、錫等を主成分とする４
！ｌ゛殊なガスを併用する必要があって、薄膜生成装置
や４１，１．ｉ造材料、ガス供給の点で煩雑となり、且
つこれらの特殊ガスは安全衛生上も危険で取扱いが容易
でなく、しかも極めて高価である等実用上程々の問題が
ある。
吸収されないより長波長の光を吸収し得るようにしてお
り、入射した可視光線域の光をＰ 、 Ｉ 、 Ｎ）−
（＋Ｊ半導体層３０，４０．５０及び３１．４１＋５１
で広い波長範囲にわたって吸収して光電変換さぜ、っま
り光電変換効率を高めている。しかし乍ら、この種のタ
ンデム型光起電力素子は薄膜を生成させるに当りシリコ
ン以外の、例えはゲルマニウム、錫等を主成分とする４
！ｌ゛殊なガスを併用する必要があって、薄膜生成装置
や４１，１．ｉ造材料、ガス供給の点で煩雑となり、且
つこれらの特殊ガスは安全衛生上も危険で取扱いが容易
でなく、しかも極めて高価である等実用上程々の問題が
ある。
本発明は前述した問題に鑑み、光電変換のための非晶質
シリコン薄膜を多重連結するとともに、光入射側から最
も離れた非晶質シリコン薄膜に微結晶シリコンを混在さ
せることにより、入射光を広い波長範囲にわたって吸収
させるようにして光電変換効率を大幅に向上させ得る光
起電力素子を提案したものである。
シリコン薄膜を多重連結するとともに、光入射側から最
も離れた非晶質シリコン薄膜に微結晶シリコンを混在さ
せることにより、入射光を広い波長範囲にわたって吸収
させるようにして光電変換効率を大幅に向上させ得る光
起電力素子を提案したものである。
以下図面に示した実施例を参照して本発明を詳述する。
第３図は本発明に係る光起電力素子の構造を示した概念
的断面図である。第３図において、１００はガラスから
なる基板、２００は基板１００の上面に生成された透明
導電膜、３００Ａは透明導電膜２００の上面に生成され
た非晶質のシリコンからなるＰ型半導体層、４００Ａは
Ｐ型土導体層３００Ａの上面に生成された非晶質のシリ
コンからなるＪ型゛１６導体ハ【１．５００ＡはＩ型半
導体層４００Ａの上面に生成された非晶質のシリコンか
らなるＮ型半導体層であり、これらが積層されたＰ型、
Ｉ型、Ｎ型半導体層３００Ａ、４００．Ａ、５００Ａに
Ｊ：す、光電変換される第１のシリコン薄膜Ａが形成さ
れている。３００Ｂは第１の半導体層ＡのＮ型半導体層
の土面に生成された非晶質のシリコンからなる１″２１
′４２１′４半導０ＢはＰ型半導体層３００ Ｂの上面
に生成された非晶質のシリコンからなる１型半導体層、
５００Ｂはｌ型半導体層４００ Ｉｓの」二面に生成さ
れた非晶質のシリコンからなるＮ ！ＫＪ半導体層であ
る。そして、これらの積層されたＰ型、Ｉ型、Ｎ型半導
体層３００Ｂ、４００１Ｓ、５００Ｂの夫々ニは粒径が
略２０〜３０ｏＸであり体積比で５〜９８％におよぶ微
結晶シリコンを混在させていて、光電変換される第２の
シリコン薄膜Ｂが形成されている。６００は第２のシリ
コン薄膜ＢＯＮ型）ｈ導体層５０ （ｌ Ｂの上面にア
ルミニウムを蒸着させた不透明の金属電極であり、これ
らによって本発明に係る光起電力素子が構成されている
。
的断面図である。第３図において、１００はガラスから
なる基板、２００は基板１００の上面に生成された透明
導電膜、３００Ａは透明導電膜２００の上面に生成され
た非晶質のシリコンからなるＰ型半導体層、４００Ａは
Ｐ型土導体層３００Ａの上面に生成された非晶質のシリ
コンからなるＪ型゛１６導体ハ【１．５００ＡはＩ型半
導体層４００Ａの上面に生成された非晶質のシリコンか
らなるＮ型半導体層であり、これらが積層されたＰ型、
Ｉ型、Ｎ型半導体層３００Ａ、４００．Ａ、５００Ａに
Ｊ：す、光電変換される第１のシリコン薄膜Ａが形成さ
れている。３００Ｂは第１の半導体層ＡのＮ型半導体層
の土面に生成された非晶質のシリコンからなる１″２１
′４２１′４半導０ＢはＰ型半導体層３００ Ｂの上面
に生成された非晶質のシリコンからなる１型半導体層、
５００Ｂはｌ型半導体層４００ Ｉｓの」二面に生成さ
れた非晶質のシリコンからなるＮ ！ＫＪ半導体層であ
る。そして、これらの積層されたＰ型、Ｉ型、Ｎ型半導
体層３００Ｂ、４００１Ｓ、５００Ｂの夫々ニは粒径が
略２０〜３０ｏＸであり体積比で５〜９８％におよぶ微
結晶シリコンを混在させていて、光電変換される第２の
シリコン薄膜Ｂが形成されている。６００は第２のシリ
コン薄膜ＢＯＮ型）ｈ導体層５０ （ｌ Ｂの上面にア
ルミニウムを蒸着させた不透明の金属電極であり、これ
らによって本発明に係る光起電力素子が構成されている
。
前述した第１及び第２のシリコン薄膜は、公知であるプ
ラズマＣＶＤ法によって生成させる。
ラズマＣＶＤ法によって生成させる。
先ずガラス板からなる基板１００を図示しない蒸着装置
に収容し、電子ビームでインジュームと錫との酸化物で
あるＩＴＯ膜を基板ｌｏｏ上に蒸着させて透明導電膜２
００を形成させる。
に収容し、電子ビームでインジュームと錫との酸化物で
あるＩＴＯ膜を基板ｌｏｏ上に蒸着させて透明導電膜２
００を形成させる。
続いて、蒸着装置から基板１００を取り出して、グロー
放電により薄膜生成させる図示しない真空容器内に収容
し、この真空容器内に供給した所定のガスに高電圧を印
加してグロー放電させることにより透明導電膜２００上
にｌゝ型、Ｎ型。
放電により薄膜生成させる図示しない真空容器内に収容
し、この真空容器内に供給した所定のガスに高電圧を印
加してグロー放電させることにより透明導電膜２００上
にｌゝ型、Ｎ型。
Ｎ型の各半導電体層３００Ａ、４０ＯＡ、５００Ａを順
次生成させ、第１のシリコン薄膜Ａが形成される。Ｐ型
半導体層３００Ａ及びＮ型半導体ｌ−の生成には、夫々
モノシラン（Ｓ＋ＬＩ４）にジボラン（Ｂ２Ｉ−１６）
あるいはホスフィン（１）■Ｉ３）を添加したものを用
い、Ｎ型半導体層の生成にはモノシラン（Ｓｉｌ−Ｉ４
）を用いる。このようにして生成された第１のシリコン
薄膜Ａは太陽光線の短波長寄りの可視光線域を広範囲に
良く吸収することができる。
次生成させ、第１のシリコン薄膜Ａが形成される。Ｐ型
半導体層３００Ａ及びＮ型半導体ｌ−の生成には、夫々
モノシラン（Ｓ＋ＬＩ４）にジボラン（Ｂ２Ｉ−１６）
あるいはホスフィン（１）■Ｉ３）を添加したものを用
い、Ｎ型半導体層の生成にはモノシラン（Ｓｉｌ−Ｉ４
）を用いる。このようにして生成された第１のシリコン
薄膜Ａは太陽光線の短波長寄りの可視光線域を広範囲に
良く吸収することができる。
一方、微結晶シリコンを混在させる第２のシリコン薄膜
Ｂは、第１のシリコン薄膜へを形成した状態で基板１０
０を真空容器中に収容し、第１のシリコン薄膜Ｂを形成
した場合に対し、水素ガスで稀釈するとともにグロー放
電を発生させるための′電力を高くして低速度でＰ、１
゜Ｎの各半導体層を生成させる。例えば１３．５６ＭＨ
ｚの高周波宙、圧を放電電極に印加した場合、２０Ｗの
電力で第１のシリコン薄膜Ａを生成させたのに対し、モ
ノシランガスを水素ガスで稀釈して１００Ｗの電力に高
め徐々に１）ｉＪ記各半導体層を生成させることにより
各半導体層に粒径６０〜７０Ａの微結晶シリコンを混在
させた状態が得られ、第１のシリコン薄膜Ａの上にＰ型
。
Ｂは、第１のシリコン薄膜へを形成した状態で基板１０
０を真空容器中に収容し、第１のシリコン薄膜Ｂを形成
した場合に対し、水素ガスで稀釈するとともにグロー放
電を発生させるための′電力を高くして低速度でＰ、１
゜Ｎの各半導体層を生成させる。例えば１３．５６ＭＨ
ｚの高周波宙、圧を放電電極に印加した場合、２０Ｗの
電力で第１のシリコン薄膜Ａを生成させたのに対し、モ
ノシランガスを水素ガスで稀釈して１００Ｗの電力に高
め徐々に１）ｉＪ記各半導体層を生成させることにより
各半導体層に粒径６０〜７０Ａの微結晶シリコンを混在
させた状態が得られ、第１のシリコン薄膜Ａの上にＰ型
。
■型、Ｎ型の各半導体層３００ Ｂ 、 ４００ Ｂ
。
。
５００Ｂを順次生成させて第２のシリコン薄膜Ｂを生成
させる。またＰ型、■型、Ｎ型の各半導体層３００ Ｂ
、 ４００ Ｂ 、 ５００ Ｂの生成には、第１の
シリコン薄膜Ａの各半導体層３００Ａ。
させる。またＰ型、■型、Ｎ型の各半導体層３００ Ｂ
、 ４００ Ｂ 、 ５００ Ｂの生成には、第１の
シリコン薄膜Ａの各半導体層３００Ａ。
４００Ａ、５００Ａの夫々の生成に用いたモノシラン（
り＋１１４）に多量の水素ガス（Ｈ２）を添加して稀釈
したものを用いる。更に微結晶シリコンの混入割合は薄
膜生成時間を適宜選択することにより所定１着で混在さ
せることができる。このようにして生成された微結晶シ
リコンが混在した第２のシリコン薄膜Ｂは太陽光線の赤
外線域寄りの長波長光を広い範囲で良く吸収することが
できる。また微結晶シリコンの混在により、金属電極で
反射した光は容易にこの薄膜内を通過し得るので、反射
光は再び微結晶シリコンを混在させたシリコン薄膜で吸
収され発電に寄与できる。更に微結晶シリコンが混在し
たことによりこのシリコン薄膜の内部抵抗が低下して薄
膜内部での電力損失が低下する。
り＋１１４）に多量の水素ガス（Ｈ２）を添加して稀釈
したものを用いる。更に微結晶シリコンの混入割合は薄
膜生成時間を適宜選択することにより所定１着で混在さ
せることができる。このようにして生成された微結晶シ
リコンが混在した第２のシリコン薄膜Ｂは太陽光線の赤
外線域寄りの長波長光を広い範囲で良く吸収することが
できる。また微結晶シリコンの混在により、金属電極で
反射した光は容易にこの薄膜内を通過し得るので、反射
光は再び微結晶シリコンを混在させたシリコン薄膜で吸
収され発電に寄与できる。更に微結晶シリコンが混在し
たことによりこのシリコン薄膜の内部抵抗が低下して薄
膜内部での電力損失が低下する。
このようにして、第１のシリコン薄膜への光吸収波長領
域と第２のシリコン薄膜Ｂの光吸収波長領域とにより、
従来の狭い光吸収波長領域を大幅に増大させることがで
き、また内部抵抗の低下及び反射光の再吸収等の相乗効
果か得られて、本発明による光起電力素子の光電変換効
率を、従来の非晶質シリコンの光起電力素子の６％から
略９％程度まで上昇させることができる。
域と第２のシリコン薄膜Ｂの光吸収波長領域とにより、
従来の狭い光吸収波長領域を大幅に増大させることがで
き、また内部抵抗の低下及び反射光の再吸収等の相乗効
果か得られて、本発明による光起電力素子の光電変換効
率を、従来の非晶質シリコンの光起電力素子の６％から
略９％程度まで上昇させることができる。
なお、本実施例によれば、微結晶シリコンを生成するた
めにモノシランを水素ガスにより稀釈したため微結晶シ
リコンには水素を含んでいるが、弗素等の他のハロゲン
元素を含んでいる微結晶シリコンも用いることができる
。また、微結晶シリコンは光入射側から最も離れたシリ
コン声ｆ膜の全体に混在させたが、少なくとも薄膜の１
つの゛ヒ導体層に混在させればよい。
めにモノシランを水素ガスにより稀釈したため微結晶シ
リコンには水素を含んでいるが、弗素等の他のハロゲン
元素を含んでいる微結晶シリコンも用いることができる
。また、微結晶シリコンは光入射側から最も離れたシリ
コン声ｆ膜の全体に混在させたが、少なくとも薄膜の１
つの゛ヒ導体層に混在させればよい。
されｆ・・
史に、基板はガラス板に限定−一、ステンレススチール
等の金属板を使用することができ、ガラス板を用いた場
合と同様の効果が得られる。
等の金属板を使用することができ、ガラス板を用いた場
合と同様の効果が得られる。
史に、シリコン１ｉｌｊ膜の連結は二重のみに限定され
るものではない。
るものではない。
本実施例における薄膜の構造は類タイプとしたが、逆タ
イプでも同様に実施できるのは勿論である。
イプでも同様に実施できるのは勿論である。
以上詳述したように本発明の光起電力素子は、光電変換
のための非晶質シリコンの半導体層からなるシリコン１
ｊ１７膜を多重連結して、光入射側から最も離れたシリ
コン薄膜の少なくとも１つの半導体層に微結晶シリコン
を混在させたことにより、太陽光線の吸収波長域を増大
させることができる。また入射した太陽光線は光入射側
と反対側に設けた金属電極で反射して微結晶シリコンを
混在させたシリコン膜に再入射した太陽光線を再び吸収
して入射した太陽光線を完全に吸収し光電変換させるこ
とができる。更に微結晶シリコンを混在させたことによ
りシリコン薄膜の電気抵抗を低下させることができる。
のための非晶質シリコンの半導体層からなるシリコン１
ｊ１７膜を多重連結して、光入射側から最も離れたシリ
コン薄膜の少なくとも１つの半導体層に微結晶シリコン
を混在させたことにより、太陽光線の吸収波長域を増大
させることができる。また入射した太陽光線は光入射側
と反対側に設けた金属電極で反射して微結晶シリコンを
混在させたシリコン膜に再入射した太陽光線を再び吸収
して入射した太陽光線を完全に吸収し光電変換させるこ
とができる。更に微結晶シリコンを混在させたことによ
りシリコン薄膜の電気抵抗を低下させることができる。
従って、入射した太陽光線の光電変換効率を大幅に上昇
させることが可能となり、また微結晶シリコンを混在さ
せたシリコン薄膜はその内部での電力損失を低減させ得
て光電変換効率をこの機能によっても高めることができ
る。更に製造に際しては安全衛生上で問題となる４へ１
°殊なガスを使用せずプラズマＣＶＤ法によるため生産
設備の大幅な改造を必要とせす安全で安価に光起電力素
子を生産できる等、産業上に寄与するところが大きい。
させることが可能となり、また微結晶シリコンを混在さ
せたシリコン薄膜はその内部での電力損失を低減させ得
て光電変換効率をこの機能によっても高めることができ
る。更に製造に際しては安全衛生上で問題となる４へ１
°殊なガスを使用せずプラズマＣＶＤ法によるため生産
設備の大幅な改造を必要とせす安全で安価に光起電力素
子を生産できる等、産業上に寄与するところが大きい。
第１図及び第２図は従来の光起電力素子の構造を示す概
念的１（１１面図、第３図は本発明に係る光起電力素子
の４１１４造を示す概念的断面図である。 １．１０，１００・・・基板 ２ 、２０ 、２００・
・・透明導電膜 ３，３０，３１．３０ＯＡ。 ３００Ｂ・・・Ｐ型半導体層 ４．４０．４１゜４０Ｏ
Ａ、４００１３・・・【型半導体層 ５．５０゜５１．
５００Δ、５００Ｂ・・・Ｎ型半導体層 ６．・６０
、６００ ・・・金属電極 Ａ・・・第１のシリコン薄
膜 １１・・・第２のシリコン薄膜代理人 弁理士 中
外 宏 第１Ｆ〕 第２凶 第８図 手前にネ山正￥；！、：（自発） １、小暑の表示 昭和５８年特許願第２０９６３９Ｄ ２、発明の名称 光起電力素子 ３、補正づる者 事１！１どの関係 特許出願人 大阪市淀用区１１１１１１２丁目１番１゛１シ］（０２
Ｇ） 大阪変圧器株式会ン１ ４、代理人 １．１ 所 〒５３２ 大阪市淀用区０．１１１１２丁
目１１１ｉ ｉ ｉシ〕５、補正の対象 明細呂の発明
の詳細な説明の）閘Ｇ 、 ？＋ｌｉ ｉｌ−の内容 明細謁を下記の通りΔ］’ ＩＴ−５する。 （１）第１０頁第１ ！：＋ ｆ−ｊの１−Ｃふノる。 」の゛）入に［Ｊた第′１のシリニ１シ博ＩＩ！ＩＩＩ
△と第２のシリ′：］ン薄１１！４１３どが１萌接りる
棉稈面に金属の０１）化１０を介ｎさゼ（ｔ）Ｊ−い。 」を追加りる。 以上
念的１（１１面図、第３図は本発明に係る光起電力素子
の４１１４造を示す概念的断面図である。 １．１０，１００・・・基板 ２ 、２０ 、２００・
・・透明導電膜 ３，３０，３１．３０ＯＡ。 ３００Ｂ・・・Ｐ型半導体層 ４．４０．４１゜４０Ｏ
Ａ、４００１３・・・【型半導体層 ５．５０゜５１．
５００Δ、５００Ｂ・・・Ｎ型半導体層 ６．・６０
、６００ ・・・金属電極 Ａ・・・第１のシリコン薄
膜 １１・・・第２のシリコン薄膜代理人 弁理士 中
外 宏 第１Ｆ〕 第２凶 第８図 手前にネ山正￥；！、：（自発） １、小暑の表示 昭和５８年特許願第２０９６３９Ｄ ２、発明の名称 光起電力素子 ３、補正づる者 事１！１どの関係 特許出願人 大阪市淀用区１１１１１１２丁目１番１゛１シ］（０２
Ｇ） 大阪変圧器株式会ン１ ４、代理人 １．１ 所 〒５３２ 大阪市淀用区０．１１１１２丁
目１１１ｉ ｉ ｉシ〕５、補正の対象 明細呂の発明
の詳細な説明の）閘Ｇ 、 ？＋ｌｉ ｉｌ−の内容 明細謁を下記の通りΔ］’ ＩＴ−５する。 （１）第１０頁第１ ！：＋ ｆ−ｊの１−Ｃふノる。 」の゛）入に［Ｊた第′１のシリニ１シ博ＩＩ！ＩＩＩ
△と第２のシリ′：］ン薄１１！４１３どが１萌接りる
棉稈面に金属の０１）化１０を介ｎさゼ（ｔ）Ｊ−い。 」を追加りる。 以上
Claims (1)
- １、光電変換のための非晶質シリコン半導体層からなる
シリコン薄膜が多重連結されており、光入射側から最も
離れた前記シリコン研膜の少なくとも１つの半導体層に
微結晶シリコンが混在している光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209639A JPS60101979A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209639A JPS60101979A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101979A true JPS60101979A (ja) | 1985-06-06 |
Family
ID=16576115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58209639A Pending JPS60101979A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101979A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62189764A (ja) * | 1986-02-15 | 1987-08-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| US5479043A (en) * | 1992-04-15 | 1995-12-26 | Picogiga Societe Anonyme | Multispectral photovoltaic component |
| WO2001057933A1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Kaneka Corporation | Hybrid thin-film photoelectric transducer and transparent laminate for the transducer |
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-
1983
- 1983-11-07 JP JP58209639A patent/JPS60101979A/ja active Pending
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