JPS6010246A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6010246A JPS6010246A JP11696783A JP11696783A JPS6010246A JP S6010246 A JPS6010246 A JP S6010246A JP 11696783 A JP11696783 A JP 11696783A JP 11696783 A JP11696783 A JP 11696783A JP S6010246 A JPS6010246 A JP S6010246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- methylhydroxystyrene
- poly
- pattern
- resist pattern
- alpha
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はパターン形成方法、より詳しくは耐プラズマ性
を改良したポジ形レジストパターンの形成方法に係る。
を改良したポジ形レジストパターンの形成方法に係る。
従来技術と問題点
半導体装置の集積度増加の成否は微細加工技術に負うと
ころ大である。このような背景の下で、最近のレゾスト
技術は電子ビーム露光およびドライエツチング可能なレ
ジストの追求を重要な課題としている。ところで、電子
ビーム露光用ポジ形レジストとしてはポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ ）系が高解像度の故に広く用いら
れている。しかしＰＭＭＡ系は直鎖状の高分子物質であ
るために耐プラズマ性に劣るという欠点がある。
ころ大である。このような背景の下で、最近のレゾスト
技術は電子ビーム露光およびドライエツチング可能なレ
ジストの追求を重要な課題としている。ところで、電子
ビーム露光用ポジ形レジストとしてはポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ ）系が高解像度の故に広く用いら
れている。しかしＰＭＭＡ系は直鎖状の高分子物質であ
るために耐プラズマ性に劣るという欠点がある。
発明の目的
本発明は以上の如き従来技術に鑑み、電子ビーム露光に
よって耐プラズマ性に優れたポジ形レジスト／ぞターン
°を得ることを目的とする。
よって耐プラズマ性に優れたポジ形レジスト／ぞターン
°を得ることを目的とする。
発明の構成
そして、上記目的を達成する本発明による／ぐターン形
成方法は、ポリ（α−メチルヒドロキシスチレン）を用
いてポジ形しジスト／臂ターンを得ることを特徴とする
。
成方法は、ポリ（α−メチルヒドロキシスチレン）を用
いてポジ形しジスト／臂ターンを得ることを特徴とする
。
本発明では、レジスト材料においてスチレンを゛骨格と
することによって耐プラズマ性を達成するが、スチレン
の単独重合体はネガ形であるのでα−位置にメチル基を
導入してポジ形（分解形）に変換するとともに、アルカ
リ現像を可能にするためにベンゼン環に水酸基を導入し
たものである。
することによって耐プラズマ性を達成するが、スチレン
の単独重合体はネガ形であるのでα−位置にメチル基を
導入してポジ形（分解形）に変換するとともに、アルカ
リ現像を可能にするためにベンゼン環に水酸基を導入し
たものである。
本発明によって得られる目？ジ形レジストはＰＭＭＡに
較べて同等の解像力（サブミクｐンオーダー）を有しな
がら耐プラズマ性が７〜１０倍に向上する。
較べて同等の解像力（サブミクｐンオーダー）を有しな
がら耐プラズマ性が７〜１０倍に向上する。
ポリ（α−メチルヒドロキシスチレン）は次の化学式で
表わされる。分子量はｕ、１０００〜数１０万が適当で
ある。
表わされる。分子量はｕ、１０００〜数１０万が適当で
ある。
本発明による・ぐターン形成方法では、ポリ（α−メチ
ルヒドロキシスチレン）（Ｉ−適当な溶剤（例えば、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、メチルセロシルゾ、エチルセロソルブ〕に溶解し、
基板上に占−トし、プリベークしてから電子ビームを選
択的に照射する。この電子ビームに代えてＸ線等の高エ
ネルギービームを用いてもよい。電子ビーム照射によっ
てポリ（α−メチルヒドロキシスチレン〕は分解するの
で、非分解部分との溶解度差を利用して、前記と同じよ
うな溶剤あるいは適当なアルカリ（例えば、５ｈｉｐｌ
ａｙ社ＭＦ−３１２などの有機アルカリ塩の水溶液）を
用いて現像する。こうして得られるポジ形ｌメジストｉ
９ターンの上からプラズマエッチ、ングを施せば基板に
・ぞターンが形成される。
ルヒドロキシスチレン）（Ｉ−適当な溶剤（例えば、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、メチルセロシルゾ、エチルセロソルブ〕に溶解し、
基板上に占−トし、プリベークしてから電子ビームを選
択的に照射する。この電子ビームに代えてＸ線等の高エ
ネルギービームを用いてもよい。電子ビーム照射によっ
てポリ（α−メチルヒドロキシスチレン〕は分解するの
で、非分解部分との溶解度差を利用して、前記と同じよ
うな溶剤あるいは適当なアルカリ（例えば、５ｈｉｐｌ
ａｙ社ＭＦ−３１２などの有機アルカリ塩の水溶液）を
用いて現像する。こうして得られるポジ形ｌメジストｉ
９ターンの上からプラズマエッチ、ングを施せば基板に
・ぞターンが形成される。
又、ポリ（α−メチルヒドロキシスチレン）と共に架橋
剤を基板上にコードン、グリベークすることによって架
橋反応を行なわせてから電子ビーム露光してもよい。こ
うすれば、架橋体の溶解度が低下するので現像の際見か
けの感度が向上する（実際は解像度が増す）。架橋剤と
しては例えばアット化合物があり、数ｗｔ％〜数１０
ｗｔ％混合する。
剤を基板上にコードン、グリベークすることによって架
橋反応を行なわせてから電子ビーム露光してもよい。こ
うすれば、架橋体の溶解度が低下するので現像の際見か
けの感度が向上する（実際は解像度が増す）。架橋剤と
しては例えばアット化合物があり、数ｗｔ％〜数１０
ｗｔ％混合する。
発明の実施例
例１
ベンゼン中にα−メチルヒドロキシスチレンにアゾビス
イソブチリロニＦリル２．５ｗｔ％ｅ添加し、約８０℃
で１０時間加熱して足台させポリ（α−メチルヒドロキ
シスチレン） （分子量約７０００〜１２，０００）を
得た。このポリ（α−メチルヒドロキシスチレン）をメ
チルセ四ソルブア七チー） （ＭＣＡ ）に約２０Ｗｔ
係溶解させ、シリコンウェーハ上に３５００ ｒｐｍで
１８℃厚にスピンコードした後、８５℃で約１時間プリ
ベークした。それから、２０ｋｅｙの加速電圧で電子ビ
ーム露光して・セターニングし、エチルセロソルブで現
像した。
イソブチリロニＦリル２．５ｗｔ％ｅ添加し、約８０℃
で１０時間加熱して足台させポリ（α−メチルヒドロキ
シスチレン） （分子量約７０００〜１２，０００）を
得た。このポリ（α−メチルヒドロキシスチレン）をメ
チルセ四ソルブア七チー） （ＭＣＡ ）に約２０Ｗｔ
係溶解させ、シリコンウェーハ上に３５００ ｒｐｍで
１８℃厚にスピンコードした後、８５℃で約１時間プリ
ベークした。それから、２０ｋｅｙの加速電圧で電子ビ
ーム露光して・セターニングし、エチルセロソルブで現
像した。
感度Ｄｏ ＝４１ Ｘ １０−５Ｃ／ｃｍ”で、サブミ
クロンのノやターンが得られた。
クロンのノやターンが得られた。
次いで、エツチング装置に上記ウェーハを塔載し、ＣＦ
４＋０２ガスを用いてプラズマエツチングを行なった。
４＋０２ガスを用いてプラズマエツチングを行なった。
比較のために、シリコンウェーハにＰＭＭＡレノスト／
母ターンを形成し、同じ装置、同じ条件でプラズマエツ
チングしたところ、ポリ〔α−メチルヒドロキシスチレ
ン〕によるレジストの方が約７倍の耐性を示した。
母ターンを形成し、同じ装置、同じ条件でプラズマエツ
チングしたところ、ポリ〔α−メチルヒドロキシスチレ
ン〕によるレジストの方が約７倍の耐性を示した。
例２
例１のようにして調製したポリ（α−メチルヒドロキシ
スチレン）のメチルセロソルブアセテート溶液に４，４
′−ジアジドカルコンをポリ？−に対して約１０ｗｔ％
の割合で添加した。これを例１同様にシリコンウェーハ
にスピンコードした後、１４０〜１５０℃で１時間以上
ノリベークした。
スチレン）のメチルセロソルブアセテート溶液に４，４
′−ジアジドカルコンをポリ？−に対して約１０ｗｔ％
の割合で添加した。これを例１同様にシリコンウェーハ
にスピンコードした後、１４０〜１５０℃で１時間以上
ノリベークした。
このグリベークによってポリマーは架橋される。
その後再び例１同様に処理した。
そして、’ＬＪｌｌｌ同様に微細（サブミクロン）で耐
プラズマ性（ＰＩｕｉ＋Ｖ［Ａの約７倍）のレノストッ
クターンが得られた。但し、感度がり。＝ ２． ＯＸ
１０−５Ｃ／ｃｍ２に向上した。
プラズマ性（ＰＩｕｉ＋Ｖ［Ａの約７倍）のレノストッ
クターンが得られた。但し、感度がり。＝ ２． ＯＸ
１０−５Ｃ／ｃｍ２に向上した。
例３
例１および例３と同じ処理を繰り返した。但し、この例
では５ｈｉｐｌｅｙ社のＭＦ−３１２（２５ｖｏ１４水
溶液）を用いて現像した。その結果、セルソルブ系溶剤
の場合と同等の高解像力を示した。単独で使用した場合
の感度（Ｄｏ）は、３．２刈０＝ Ｃ／ｃｍ２ｐ架槁剤
を用いた場合は１．２Ｘ１０ Ｃ／１ｙｎ２であった。
では５ｈｉｐｌｅｙ社のＭＦ−３１２（２５ｖｏ１４水
溶液）を用いて現像した。その結果、セルソルブ系溶剤
の場合と同等の高解像力を示した。単独で使用した場合
の感度（Ｄｏ）は、３．２刈０＝ Ｃ／ｃｍ２ｐ架槁剤
を用いた場合は１．２Ｘ１０ Ｃ／１ｙｎ２であった。
発明の効果
以上の説明から明らかな通り、本発明に依り、電子ビー
ム露光で高解像度かつ耐プラズマ性の優れた実用的なポ
ジ形レジスト・ぞターンを得るパターン形成方法が提供
される◎
ム露光で高解像度かつ耐プラズマ性の優れた実用的なポ
ジ形レジスト・ぞターンを得るパターン形成方法が提供
される◎
Claims (1)
- １、ポリ（α−メチルとドロキシスチレン）ヲ用ｎてホ
ゾ形しジストパターンを得ることを特徴とするパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11696783A JPS6010246A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11696783A JPS6010246A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010246A true JPS6010246A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14700180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11696783A Pending JPS6010246A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010246A (ja) |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11696783A patent/JPS6010246A/ja active Pending
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