JPS60444A - ポジ型レジスト材料 - Google Patents
ポジ型レジスト材料Info
- Publication number
- JPS60444A JPS60444A JP10794883A JP10794883A JPS60444A JP S60444 A JPS60444 A JP S60444A JP 10794883 A JP10794883 A JP 10794883A JP 10794883 A JP10794883 A JP 10794883A JP S60444 A JPS60444 A JP S60444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copolymer
- resist
- positive type
- type resist
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（７）発明の技術分野
本発明は、ポジ型レジスト材料に関し、より詳しく述べ
るならば、半導体装置製造での微細加工に使用される頂
、子ビームなどの短波長高エネルギ線用ポジ型レジスト
材料に関するものである。
るならば、半導体装置製造での微細加工に使用される頂
、子ビームなどの短波長高エネルギ線用ポジ型レジスト
材料に関するものである。
（イ）発明の背景
ＩＣ，ＬＳＩ などの半導体装置の高集積化のだめのツ
ブミクロンオーダーの微細加工用に、電子ビーム、Ｘ線
、紫外線などの短波長高エネルギ線を使用したりソグラ
フィ技術が実用化されるようになってきた。電子ビーム
を利用した微細加工においても、レジストはその精度を
左右する最も重要な要因のひとつである。
ブミクロンオーダーの微細加工用に、電子ビーム、Ｘ線
、紫外線などの短波長高エネルギ線を使用したりソグラ
フィ技術が実用化されるようになってきた。電子ビーム
を利用した微細加工においても、レジストはその精度を
左右する最も重要な要因のひとつである。
（つ）従来技術と問題点
通常、レジストには電子ビーム照射により分解反応を起
こすポジ型レジストと架橋反応を起こすネガ型レジスト
とがあシ、それぞれについて種々の材料が提案されてい
る。一般的にポジ型レジストは高解像性に特徴があるが
、一般にそれが分解型の有機高分子（ポリマー）から成
るために、副ドライエツチング性が劣るという欠点を有
している。また、レジストの耐熱性も十分とはいえず、
電子ビーム照射工程あるいはグラズマエッテング又は反
応性スノやツタエツチングなどのドライエツチング工程
でパターンだれ、レジスト膜減り等の好ましくない変化
が生じてしまう。
こすポジ型レジストと架橋反応を起こすネガ型レジスト
とがあシ、それぞれについて種々の材料が提案されてい
る。一般的にポジ型レジストは高解像性に特徴があるが
、一般にそれが分解型の有機高分子（ポリマー）から成
るために、副ドライエツチング性が劣るという欠点を有
している。また、レジストの耐熱性も十分とはいえず、
電子ビーム照射工程あるいはグラズマエッテング又は反
応性スノやツタエツチングなどのドライエツチング工程
でパターンだれ、レジスト膜減り等の好ましくない変化
が生じてしまう。
に）発明の目的
本発明の目的は、耐エツチング性（特に、例プラズマ性
）および耐熱性が良く、さらに現像時に膨潤のない短波
長高エネルギ線用ポジ型レジストを提供するととである
。
）および耐熱性が良く、さらに現像時に膨潤のない短波
長高エネルギ線用ポジ型レジストを提供するととである
。
（３）発明の構成
上述の目的が、α−メチルカルデキシスチレンとメタク
リル酸クロライドとの共重合体からなるポジ型しジスト
相料によって達成される。
リル酸クロライドとの共重合体からなるポジ型しジスト
相料によって達成される。
この共重合体を化学式で示すと、
であり、共重合比（式中のｍ：ｎ）は使用する現像液に
溶解することを考慮して、ｎ ／ （ｍ ＋ ｎ ）Ｘ
１００（％）が数チないし数十チ、好ましくは５ないし
３０％である。また、共重合体の分子量（Ｍｗ）は数十
ないし数十・万であり、好ましくは５０００ないし１０
万である。
溶解することを考慮して、ｎ ／ （ｍ ＋ ｎ ）Ｘ
１００（％）が数チないし数十チ、好ましくは５ないし
３０％である。また、共重合体の分子量（Ｍｗ）は数十
ないし数十・万であり、好ましくは５０００ないし１０
万である。
本発明に係るポジ型レジスト材料はメチルセロソルブ、
メチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系有機溶
媒に溶解するので、このような有機溶媒に溶解させたレ
ジスト溶液を加工基板上に塗布してレジスト層を形成す
ることができ、また、電子ビームなどの露光後に分解し
た部分の溶解除去（現像）にこれらの有機溶媒を使用す
ることができる。
メチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系有機溶
媒に溶解するので、このような有機溶媒に溶解させたレ
ジスト溶液を加工基板上に塗布してレジスト層を形成す
ることができ、また、電子ビームなどの露光後に分解し
た部分の溶解除去（現像）にこれらの有機溶媒を使用す
ることができる。
加工基板上にレジスト層を形成した後で、１２０ないし
１８０℃の温度にてＮ２中でプリベークしてレジスト材
料の熱架橋を起こし、次に短波長高エネルギ線を所定／
４’ターンで照射（露光）する。
１８０℃の温度にてＮ２中でプリベークしてレジスト材
料の熱架橋を起こし、次に短波長高エネルギ線を所定／
４’ターンで照射（露光）する。
そして上述した有機溶媒の現像液あるいはアルカリ現像
液にてレジスト層を現像して、所定のレジストパターン
を形成することができる。
液にてレジスト層を現像して、所定のレジストパターン
を形成することができる。
（２）発明の実施例
以下の実施例によって本発明をさらに説明する。
上述した化学式によシ表わされる共重合体〔ポリ（α−
メチルｐ−カルビキシスチレンーＣ〇−メタクリロイル
クロライド） 、 ｍ ： ｎ ” ９ ： １ ＋Ｍ
Ｗ＝３００００〜３５０００）をメチルセロソルブアセ
テートに溶解して約１５ｗｔ％溶液とした。とのポジ型
レゾスト溶液を加工基板上にスピンコードして１μｍ膜
厚のレジスト層を形成した。
メチルｐ−カルビキシスチレンーＣ〇−メタクリロイル
クロライド） 、 ｍ ： ｎ ” ９ ： １ ＋Ｍ
Ｗ＝３００００〜３５０００）をメチルセロソルブアセ
テートに溶解して約１５ｗｔ％溶液とした。とのポジ型
レゾスト溶液を加工基板上にスピンコードして１μｍ膜
厚のレジスト層を形成した。
１７５℃で１時間のベーク処理でレジスト層を架橋した
。次に、電子線露光装置を用いて加速電圧２０ ｋＶで
電子ビームを所定／ｆターンに照射して、レジスト層の
照射された部分をメチルセロソルブアセテートの現像液
（現像時間：約４分）にて溶媒現像した。膨潤のない鮮
明なポジ型しジストノやターンが得られた。このレジス
トの感度は残膜率８０％（Ｄｇ”８）でＩ Ｘ １０−
５Ｃ／ｃｍ２であシ、０．８μｍのラインアンドスペー
スの解像性でおった。サラに、このレジスト層を２００
℃で３０分間のベーク処理したところパターンのくずれ
は見られなかった。このことから耐熱性の良いことがわ
かる。レジストパターンのある状態で基板をドライエツ
チング処理（例えば、四塩化炭素による反応性スパッタ
エッチ処理）してレジスト層の膜減り速度を評価し、ま
た、酸素プラズマによるレジスト層のアッシング速度を
評価すると、耐ドライエツチング性および耐プラズマ性
が良いことがわかる。すなわち、円筒形プラズマエツチ
ング装置を用い、ｃｃｔ４ ｙス、圧力０．０５ ｔｏ
ｒｒ、２００Ｗで評価したところ、ＰＭＭＡの膜減り速
度は５００Ｘ／ｍｉｎであったら上記レジストでは約１
００１７ｍ１ｎ で約５分の１であった。また、同じ円
筒形プラズマ装置を用い、０２ガス、圧力０．１ ｔｏ
ｒｒ、 ５００Ｗでアッシングすると、ＰＭＭＡの３０
００Ｘ／ｍｌｎに対し、上記レノストは約５００Ｘ／ｍ
ｉｎでおよそ６分の１であった。
。次に、電子線露光装置を用いて加速電圧２０ ｋＶで
電子ビームを所定／ｆターンに照射して、レジスト層の
照射された部分をメチルセロソルブアセテートの現像液
（現像時間：約４分）にて溶媒現像した。膨潤のない鮮
明なポジ型しジストノやターンが得られた。このレジス
トの感度は残膜率８０％（Ｄｇ”８）でＩ Ｘ １０−
５Ｃ／ｃｍ２であシ、０．８μｍのラインアンドスペー
スの解像性でおった。サラに、このレジスト層を２００
℃で３０分間のベーク処理したところパターンのくずれ
は見られなかった。このことから耐熱性の良いことがわ
かる。レジストパターンのある状態で基板をドライエツ
チング処理（例えば、四塩化炭素による反応性スパッタ
エッチ処理）してレジスト層の膜減り速度を評価し、ま
た、酸素プラズマによるレジスト層のアッシング速度を
評価すると、耐ドライエツチング性および耐プラズマ性
が良いことがわかる。すなわち、円筒形プラズマエツチ
ング装置を用い、ｃｃｔ４ ｙス、圧力０．０５ ｔｏ
ｒｒ、２００Ｗで評価したところ、ＰＭＭＡの膜減り速
度は５００Ｘ／ｍｉｎであったら上記レジストでは約１
００１７ｍ１ｎ で約５分の１であった。また、同じ円
筒形プラズマ装置を用い、０２ガス、圧力０．１ ｔｏ
ｒｒ、 ５００Ｗでアッシングすると、ＰＭＭＡの３０
００Ｘ／ｍｌｎに対し、上記レノストは約５００Ｘ／ｍ
ｉｎでおよそ６分の１であった。
（イ）発明の効果
本発明に係るポジ型しジスト椙料は、膨潤がなく、制エ
ツチング性および耐熱性が良いので、短波長高エネルギ
線露光による微細加工ができる。
ツチング性および耐熱性が良いので、短波長高エネルギ
線露光による微細加工ができる。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 宵 木 朗
弁理士 西 舘 和 之
弁理士 内 １）幸 男
弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、 α−メチルカルビキシスチレンとメタクリル酸ク
ロライドとの共重合体からなるポジ型レジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10794883A JPS60444A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | ポジ型レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10794883A JPS60444A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | ポジ型レジスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60444A true JPS60444A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14472106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10794883A Pending JPS60444A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | ポジ型レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60444A (ja) |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10794883A patent/JPS60444A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0256031B1 (en) | Method for developing poly(methacrylic anhydride) resists | |
| JPS58187926A (ja) | 放射線ネガ型レジストの現像方法 | |
| JPS60115222A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS587054B2 (ja) | レジスト・パタ−ン形成法 | |
| JPS58118641A (ja) | 微細パタ−ン形成用放射線ポジ型レジスト | |
| JPS5934296B2 (ja) | 電子ビ−ムレジストおよびその使用方法 | |
| JPS60444A (ja) | ポジ型レジスト材料 | |
| JPS62240953A (ja) | レジスト | |
| JPH0480377B2 (ja) | ||
| JPH0330852B2 (ja) | ||
| JPH0377986B2 (ja) | ||
| JP2557817B2 (ja) | 電離放射線感応ネガ型レジスト | |
| JPS60252348A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS5886726A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPS60114575A (ja) | 乾式パタ−ン形成方法 | |
| JPS6259950A (ja) | 電離放射線感応ポジ型レジスト | |
| WO1988009527A2 (en) | Silicon-containing negative resist material, and process for its use in patterning substrates | |
| JPH045178B2 (ja) | ||
| JPH0331250B2 (ja) | ||
| JPS6058462B2 (ja) | ネガ型レジスト材料 | |
| JPH01217341A (ja) | ポジ型電子線レジストのパターン形成方法 | |
| JPS60179737A (ja) | ポジ型レジスト材料 | |
| JPS60138541A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0644153B2 (ja) | 放射線感受性ネガ型レジスト材料 | |
| JPS63273856A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 |