JPS60106181A - 光導電体の製造方法 - Google Patents
光導電体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60106181A JPS60106181A JP58214526A JP21452683A JPS60106181A JP S60106181 A JPS60106181 A JP S60106181A JP 58214526 A JP58214526 A JP 58214526A JP 21452683 A JP21452683 A JP 21452683A JP S60106181 A JPS60106181 A JP S60106181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductor
- cadmium
- thin film
- cadmium sulfide
- atmosphere containing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/12—Active materials
- H10F77/123—Active materials comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or HgCdTe
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の属する分野の説明
本発明は、硫化カドミウム、セレン化カドミウムおよび
これらの混晶などからなる光導電体薄膜の製造方法に関
する。
これらの混晶などからなる光導電体薄膜の製造方法に関
する。
（２） 従来の技術の説明
硫化カドミウム、セレン化カドミウムおよびこれらの混
晶からなる光導電体を用いて光センサを形成するに当っ
ては、前記光導電体材料を蒸着。
晶からなる光導電体を用いて光センサを形成するに当っ
ては、前記光導電体材料を蒸着。
スパッター或いは化学的析出法などにより、絶縁基板上
に薄膜として被着し、適当な感度、応答速度などの性能
を与えるために酸素或いはカドミウムを含むハロゲンガ
ス雰囲気中にて加熱活性化処理２行い然る後、その表面
に蒸着などの方法により電極を形成する。
に薄膜として被着し、適当な感度、応答速度などの性能
を与えるために酸素或いはカドミウムを含むハロゲンガ
ス雰囲気中にて加熱活性化処理２行い然る後、その表面
に蒸着などの方法により電極を形成する。
この製造方法によれは、表面が加熱活性化処理の影響を
受け導電率の不必要な変動を引き起し、該光導電体薄膜
表面に電極を被着しオーミック接触を形成することが困
難となるなどの欠点があった。
受け導電率の不必要な変動を引き起し、該光導電体薄膜
表面に電極を被着しオーミック接触を形成することが困
難となるなどの欠点があった。
（３）発明の目的
本発明は、カドミウムを含むハロゲンガス雰囲気中にて
加熱活性化処理された後、引き続き硫化カドミウムを含
む不活性ガス雰囲気中にてさらに熱処理を行うことによ
り光導電体の表面を電極形成後において良好なオーミッ
ク接触が容易に再現性良く形成される光導電体の製造方
法を提供することを目的としたものである。
加熱活性化処理された後、引き続き硫化カドミウムを含
む不活性ガス雰囲気中にてさらに熱処理を行うことによ
り光導電体の表面を電極形成後において良好なオーミッ
ク接触が容易に再現性良く形成される光導電体の製造方
法を提供することを目的としたものである。
（４）発明の構成および作用の説明
本発明の実施例を述べると、まず公知の方法例えは、硫
化カドミウムを蒸着、スパッター或いは化学的析出方法
などによシ、ガラス或いはセラミック基板に薄膜状態に
被着する。尚薄膜を形成する際に適当微量な銅を添加す
る。
化カドミウムを蒸着、スパッター或いは化学的析出方法
などによシ、ガラス或いはセラミック基板に薄膜状態に
被着する。尚薄膜を形成する際に適当微量な銅を添加す
る。
次いでセレン化カドミウムを前記硫化カドミウム薄膜上
に蒸着或いはスパッターなどの方法で積層する。
に蒸着或いはスパッターなどの方法で積層する。
これを硫化カドミウム粉末に例えは塩化カドミウム粉末
を適量加え混合した＠不と石英或いはセラミックなどか
らなる容器中に半密閉状態となるように封じ込め５００
℃〜６００℃で加熱する。
を適量加え混合した＠不と石英或いはセラミックなどか
らなる容器中に半密閉状態となるように封じ込め５００
℃〜６００℃で加熱する。
この処理により、硫化カドミウム、セレン化カドミウム
は塩化カドミウム粉末より発生する塩素ガスが融剤とし
て働き固溶体比し焼結された光導電体薄膜を形成する。
は塩化カドミウム粉末より発生する塩素ガスが融剤とし
て働き固溶体比し焼結された光導電体薄膜を形成する。
又同時に塩素ガスが添加され光感度特性が大幅に向上す
る。
る。
次に、上記活性化熱処理と同様な方法により、硫化カド
ミウム粉末のみを容器に入れ、不活性ガス中にて活性化
熱処理温度よシも若干低い４５０℃〜５００℃の温度で
加熱する。
ミウム粉末のみを容器に入れ、不活性ガス中にて活性化
熱処理温度よシも若干低い４５０℃〜５００℃の温度で
加熱する。
この処理は、上記活性化処理Ｈより、光導電体薄膜中な
らび表面上に導入され過剰に融剤として残留する塩素を
熱脱離させ先に添加させた銅イ：４−ンに対し塩素イオ
ンの中加量のバランスを適切にすると共にセレン過剰に
なり易く不安定な薄膜表面を硫化カドミウム蒸気に曝す
ことにより固播体の本来状態に近づけたものである。
らび表面上に導入され過剰に融剤として残留する塩素を
熱脱離させ先に添加させた銅イ：４−ンに対し塩素イオ
ンの中加量のバランスを適切にすると共にセレン過剰に
なり易く不安定な薄膜表面を硫化カドミウム蒸気に曝す
ことにより固播体の本来状態に近づけたものである。
次いで、光導電体薄膜表面にニクロムを蒸着などによシ
被着する。又必要に応じ金などを積層し所望の形状の電
極を形成する。
被着する。又必要に応じ金などを積層し所望の形状の電
極を形成する。
（５）効果の説明
以上説明したように、本発明は、活性化処理後の光導電
体に硫化カドミウムを含む不活性ガス雰囲気中で再度加
熱処理を行い活性化処理時に添加された薄膜中に融剤と
して過剰に残留する塩素イオンを脱離させることにより
光導電特性就中光応答速度を大幅に向上させると共に、
電極形成時において良好なオーミック接触を形成する大
きな利点を有するものである。
体に硫化カドミウムを含む不活性ガス雰囲気中で再度加
熱処理を行い活性化処理時に添加された薄膜中に融剤と
して過剰に残留する塩素イオンを脱離させることにより
光導電特性就中光応答速度を大幅に向上させると共に、
電極形成時において良好なオーミック接触を形成する大
きな利点を有するものである。
Claims (1)
- 硫化カドミウム、セレン化カドミウムおよヒコれらの混
晶などからなる光導電体薄膜をカドミウムを含むハロゲ
ンガス雰囲気中で活性化処理した後、カドミウムを含む
不活性ガス雰囲気中にて前記活性化処理温度よりも低い
温度で熱処理することを特徴とする光導電体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214526A JPS60106181A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光導電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214526A JPS60106181A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光導電体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106181A true JPS60106181A (ja) | 1985-06-11 |
Family
ID=16657178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214526A Pending JPS60106181A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光導電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106181A (ja) |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP58214526A patent/JPS60106181A/ja active Pending
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