SU567159A1 - Способ фотоочувствлени полупроводниковых пленок - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к технике изготовлени  тонкопленочных фоторезисторов, примен емых в устройствах электроники, автоматики и телемеханики, в частности к электрографическим способам.

Известен снособ фотоочувствлени  полупроводниковых пленок, нанесенных на диэлектрические подложки, путем введени  в них очувствл ющих веществ, например солей меди и кадми , и термической обраоотки 1.

Основной недостаток известного способа фотоочувствлени  заключаетс  в том, что дл  изменени  количества вводимых в полупроводниковую пленку очувствл ющих веществ необходимо измен ть содержание этих примесей во всем объеме вещества, наход щегос  в реакторе.

Кроме того, известный способ фотоочувствЛени  требует применени  термообработки при высокой температуре, при которой происходит диффузи  в пленку неконтролируемых примесей из подложки, ухудщающих качество фотоочувствлени .

Целью изобретени   вл етс  улучшение качества фотоочувствлени .

Это достигаетс  тем, что введение очувствл ющих веществ осуществл ют напылением их из водных растворов или вакуумным напылением , при этом температура термической обработки составл ет 200°-400°С.

Таким образом, введение очувствл ющих веществ с их термической обраОоткой осуществл ют в атмосфере, содержащей тазоооразные галоиды серебра и меди, лиОо путем напылени  очувствл ющих веществ из водных раствором, либо вакуумным напылением, после чего производ т термическую ооработку в инертной атмосфере при температуре 200- .

Например, в случае, фотоочувствлени  пленок из соединении на их поверхность нанос т смесь солей меди и кадми , содержащую в своем составе св занные медь и кадмий в пропорции от 1 ;20 до 1:200, в количестве 1-а% массы пленки.

Способ может быть реализован следующим образом.

Пленки полупроводника нанос т термическим испарением CdS или CdSe или их смеси в вакууме на стекло, предварительно покрытое провод щим слоем двуокиси олова. Толщину пленок полупроводника выбирают 1 - 20 мк, Температуру подложек при напылении довод т до ШО-2UO°C. После этого провод т очувствление пленок одним из двух способов. 1. Подложку с пленкой полупроводника нагревают до температуры 120-140 С и пульверизуют водным растворОхМ солей CdC и СиСЬ, содержащих CdCb 107о, СиСЬ от 0,1 до 1%. Пульверизацию продолжают 1-5 сек

в зависимости от толщины пленки и ее начальной температуры. Это делаетс  дл  создани  на поверхности пленки сло  лигатур.ы и быстрого испарени  воды, разрушающе действующей на холодную пленку. После нанесени  лигатуры проводитс  первый отжиг в течение нескольких минут, затем остаток лигатуры удал етс  спиртом и проводитс  второй отжиг. Оба отжига провод тс  в атмосфере инертного газа {Аг, Не) или на воздухе при температуре 280-300°С.

2. После напылени  полупроводниковой пленки и остывани  подложки до комнатной температуры на поверхность пленки в вакууме напыл етс  слой лигатуры (смесь солей CdCU и СиСЬ) из кварцевого тигл  при медленном нагреве. Навеска смеси солей беретс  из расчета, чтобы на поверхности полупроводника образовалс  слой лигатуры, содержащий 0,01-0,05% СиСЬ и 1-8% CdCb. После этого проводитс  отжиг пленки в инертном газе или на воздуха при температуре 280°-300° в течение 1-2 час.

Во всех случа х изготовленные при отжиге в инертной атмосфере резисторы получают темновое сопротивление 5-10 ом и световое сопротивление 5-10 см. При очувствлении отжигом на воздухе получаютс  рези-сторы с темновым сопротивлением 10 ом, а световым 5-10 при освещенности 100лк.

Предмет изобретени 

Способ фотоочувствлени  полупроводниковых пленок путем введени  в них очувствл ющих веществ, например солей меди и кадми , отличающийс  тем, что, с целью улучшени  качества фотоочувствлени , введекие .очувствл ющих веществ осуществл ют напылением их из водных растворов или вакуумным напылением, при этом температура термической обработки составл ет 200- 400С°.

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе1 . Патент ФРГ № 1597840, кл. 57е 5/08, 1971.