JPS60106968A - 真空成膜装置用の加熱機構 - Google Patents
真空成膜装置用の加熱機構Info
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- JPS60106968A JPS60106968A JP21401583A JP21401583A JPS60106968A JP S60106968 A JPS60106968 A JP S60106968A JP 21401583 A JP21401583 A JP 21401583A JP 21401583 A JP21401583 A JP 21401583A JP S60106968 A JPS60106968 A JP S60106968A
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- JP
- Japan
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- temperature
- substrate holder
- heater
- heaters
- vacuum
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、真空蒸着装置、スパッタリング装置、プラズ
マＣＶＤ装置等の真空成膜装置用の加熱機構に係り、特
に基板ホルダ上の試料基板を均一に加熱するために好適
な真空成膜装置用の加熱機構に関する。
マＣＶＤ装置等の真空成膜装置用の加熱機構に係り、特
に基板ホルダ上の試料基板を均一に加熱するために好適
な真空成膜装置用の加熱機構に関する。
第１因に従来の真空成膜装置用の加熱機構の一列を示す
。
。
この図に示すものは、真空槽１内に基板ホルダ２とヒー
タ５とが設置されている。前記基板ホルダ２は、回転軸
３と取付フランジ４とを介して真空４１内で、矢印で示
す方向に回転可能に設けられている。前記ヒータ５は、
基板ホルダ２の下方に固定されている。
タ５とが設置されている。前記基板ホルダ２は、回転軸
３と取付フランジ４とを介して真空４１内で、矢印で示
す方向に回転可能に設けられている。前記ヒータ５は、
基板ホルダ２の下方に固定されている。
この加熱機構では、基板ホルダ２を回転させつつヒータ
５により加熱し、基板ホルダ２上の試料基板（図示せず
）を加熱するようになっている。
５により加熱し、基板ホルダ２上の試料基板（図示せず
）を加熱するようになっている。
しかし、この従来の加熱機構では、基板ホルダ２を回転
させながら加熱しても、基板ホルダ２とヒータ５とが離
れているため、ヒータ５自身の温度と基板ホルダ２の温
度とに差が生じ、温度精度が悪い欠点がある。
させながら加熱しても、基板ホルダ２とヒータ５とが離
れているため、ヒータ５自身の温度と基板ホルダ２の温
度とに差が生じ、温度精度が悪い欠点がある。
次に１第２図に従来の真空成膜装置用の加熱機構の他の
例を示す。
例を示す。
この図に示１−ものは、真空槽１１０同部に、回転軸１
３と取付ホルダ１４とを介して基板ホノνダ１２が回転
可能に設けられ、この基板ホルダ１２にヒータ（図示せ
ず）が内蔵されている。前記ヒータのリードは、摺動ブ
ラシ１５ａ 、 １５ｂを用て基板ホルダ１２の外部へ
導出されている。
３と取付ホルダ１４とを介して基板ホノνダ１２が回転
可能に設けられ、この基板ホルダ１２にヒータ（図示せ
ず）が内蔵されている。前記ヒータのリードは、摺動ブ
ラシ１５ａ 、 １５ｂを用て基板ホルダ１２の外部へ
導出されている。
この加熱ｊ虚構においては、基板ホルダ１２とヒータと
が一体となっているため、第１図に示した加熱機構より
も温度精度は同上する。
が一体となっているため、第１図に示した加熱機構より
も温度精度は同上する。
しかし、単に基板ホノνダ１２にヒータを内蔵させただ
けでは、基板ホルダ１２の内１１ＩＩ（中央部）と外側
とで放熱条件が異なるので、高精度の温度分布が得られ
ない欠点がある。また、試料基板の刀Ｕ熱条件は成膜プ
ロセスによっても異なるが、第２図に示す加熱機構で成
膜プロセスに対応する高精度の温度分布が得られない欠
点もある。さらに、ヒータの９−ドを真空槽１１１／：
に設けられた摺動ブラシ１５ａ 、 １５ｂを用いて基
板ホルダ１２の外部へ導出しているため、真空同では摺
動ブラシ１５ａ 、 １５ｂの摩擦係数が大気に比較し
て大幅に大きくなＬ したがって摩耗が微しくなる。
けでは、基板ホルダ１２の内１１ＩＩ（中央部）と外側
とで放熱条件が異なるので、高精度の温度分布が得られ
ない欠点がある。また、試料基板の刀Ｕ熱条件は成膜プ
ロセスによっても異なるが、第２図に示す加熱機構で成
膜プロセスに対応する高精度の温度分布が得られない欠
点もある。さらに、ヒータの９−ドを真空槽１１１／：
に設けられた摺動ブラシ１５ａ 、 １５ｂを用いて基
板ホルダ１２の外部へ導出しているため、真空同では摺
動ブラシ１５ａ 、 １５ｂの摩擦係数が大気に比較し
て大幅に大きくなＬ したがって摩耗が微しくなる。
その摩耗粉が真空槽１１Ｐｊに浮遊するため、膜質に影
響を与え、良質の膜が得られないという欠点があった。
響を与え、良質の膜が得られないという欠点があった。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点をなくし、基板ホ
ルダを成膜プロセスに合わせて、高精度の温度分布に加
熱でき、しかも導電部材等の摩耗粉の発生を防止し得る
真空成膜装置用の加熱機構を提供するにある。
ルダを成膜プロセスに合わせて、高精度の温度分布に加
熱でき、しかも導電部材等の摩耗粉の発生を防止し得る
真空成膜装置用の加熱機構を提供するにある。
本発明は、真壁槽内に基板ホルダを設置し、この基板ホ
ルダなヒータにより加熱し、基板ホルダを介して試料基
板を加熱しつつこの試料基板に膜を形成するＸを成Ｍ装
置において、前記基板ホノνダの内部に、ヒータを基板
ホルダの直径方向にＩ！ｌ隔をおいて複数個配列し、ヒ
ータ列間に複数個の温度検出器を配置し、前記ヒータと
温度検出器のリードを基板ホルダの回転軸のＰ」部を通
して真空槽の外部に導出するとともに、ヒータのリード
を、各温度検出器から入力する温度直に基づいて、当該
温度検出器の近傍のヒータを個別如温度制御する制御装
置に接続したところに特徴を有するもので、この構成に
より前記目的をすべて達成することができたものである
。
ルダなヒータにより加熱し、基板ホルダを介して試料基
板を加熱しつつこの試料基板に膜を形成するＸを成Ｍ装
置において、前記基板ホノνダの内部に、ヒータを基板
ホルダの直径方向にＩ！ｌ隔をおいて複数個配列し、ヒ
ータ列間に複数個の温度検出器を配置し、前記ヒータと
温度検出器のリードを基板ホルダの回転軸のＰ」部を通
して真空槽の外部に導出するとともに、ヒータのリード
を、各温度検出器から入力する温度直に基づいて、当該
温度検出器の近傍のヒータを個別如温度制御する制御装
置に接続したところに特徴を有するもので、この構成に
より前記目的をすべて達成することができたものである
。
以下、本発明の一実施例を第３図および第４図によシ説
明する。
明する。
真空４１Ｆ２１は、真空排気系（図示せず）によシ減圧
し得るようになっている。この真空槽２１内には、基板
ホルダ２２が設置されており、真空槽２１の底板にはモ
ータおよび摺動ブラシを支持するプラク、ト２８が取９
付けられている。
し得るようになっている。この真空槽２１内には、基板
ホルダ２２が設置されており、真空槽２１の底板にはモ
ータおよび摺動ブラシを支持するプラク、ト２８が取９
付けられている。
前ｈピ基板ホルダ２２は、第４図に示すように、基板ホ
ルダペース２３と、上板２４とを一体に結合して構成さ
れている。また、基板ホノシダ２２０基板ホルダペース
２５には中空の回転軸２５が設けられ、この回転軸２５
は取付ブラシ２６を介して真空槽２１の底板に支持され
ている。前記回転軸２５には、中空筒状の′電流導入端
子２７が連結され、この電流導入端子２７は前記プラケ
ット２８に取シ付けられたモータ２９に連結されている
。
ルダペース２３と、上板２４とを一体に結合して構成さ
れている。また、基板ホノシダ２２０基板ホルダペース
２５には中空の回転軸２５が設けられ、この回転軸２５
は取付ブラシ２６を介して真空槽２１の底板に支持され
ている。前記回転軸２５には、中空筒状の′電流導入端
子２７が連結され、この電流導入端子２７は前記プラケ
ット２８に取シ付けられたモータ２９に連結されている
。
前記基板ホルダ２２０基板ホルダベース２３ト上板２４
１［には、リング状のヒータ３０ａ〜３ｏｉカ基板ホノ
νダ２２と同心状にかつ半径方向に間隔をおいて配列さ
れており、ヒータ３０ｂと５０ｃの間に温度検出器５１
ａが配置され、またヒータ３０ｇとｌｈＱ間には温度検
出器３１ｂが配置されている。
１［には、リング状のヒータ３０ａ〜３ｏｉカ基板ホノ
νダ２２と同心状にかつ半径方向に間隔をおいて配列さ
れており、ヒータ３０ｂと５０ｃの間に温度検出器５１
ａが配置され、またヒータ３０ｇとｌｈＱ間には温度検
出器３１ｂが配置されている。
前記ヒータ５０ａ 〜５０ｄ １３０ｅ 〜３０ｉ ）
９−ド５２ａ、５２ｂと、温度検出器５１ａ、３１ｂの
リード３３ａ。
９−ド５２ａ、５２ｂと、温度検出器５１ａ、３１ｂの
リード３３ａ。
３５ｂとは、中空の回転軸２５を通って前記電流導入端
子２７に接続されている。さらに、電流導入端子２７に
おいて＃記９−ド５２ａ、５２ｂ Ｋ接続されたヒータ
用の９−ド５４ａ、５４ｂは、電流導入端子２７の内部
に挿通され、かっ′Ｈｔ、流導入流子入端子外周面に固
着されたスリ、プリング３６ａ 、 ３６ｂに接続され
、また電流導入端子２７において前記リード５５ａ 、
５５ｂに接続された温度検出、器用のリード５５ａ
、 ５５ｂは、電流導入端子２７の内部に挿通され、か
つ電流導入端子２７の外周面忙固着されたスリップリン
グ５７ａ 、 ５７ｂに接続されている。そして、前記
ヒータ用のスリ、プリング５６ａ 、 ５６ｂには、前
記プラク、ト２８に取シ付けられたヒータ用の摺動ブラ
シ５８ａ 、 ５８ｂが嵌合され、前記温度検出器用の
スリ、プリング３７ａ５７ｂには、同じプラケツト２８
に収り付けられた温度検出器用の摺動ブラシ５９ａ 、
５９ｂが嵌合されている。
子２７に接続されている。さらに、電流導入端子２７に
おいて＃記９−ド５２ａ、５２ｂ Ｋ接続されたヒータ
用の９−ド５４ａ、５４ｂは、電流導入端子２７の内部
に挿通され、かっ′Ｈｔ、流導入流子入端子外周面に固
着されたスリ、プリング３６ａ 、 ３６ｂに接続され
、また電流導入端子２７において前記リード５５ａ 、
５５ｂに接続された温度検出、器用のリード５５ａ
、 ５５ｂは、電流導入端子２７の内部に挿通され、か
つ電流導入端子２７の外周面忙固着されたスリップリン
グ５７ａ 、 ５７ｂに接続されている。そして、前記
ヒータ用のスリ、プリング５６ａ 、 ５６ｂには、前
記プラク、ト２８に取シ付けられたヒータ用の摺動ブラ
シ５８ａ 、 ５８ｂが嵌合され、前記温度検出器用の
スリ、プリング３７ａ５７ｂには、同じプラケツト２８
に収り付けられた温度検出器用の摺動ブラシ５９ａ 、
５９ｂが嵌合されている。
前記ヒータ用の摺動ブラシ５Ｂａ 、 ５８ｂは、制御
装置４０の温度制御＃４１ａ 、 ４１ｂｉＣ！Ｊ−ド
４５ａ４５ｂを介して接続され、また温度検出器用の摺
動ブラシ５９ａ 、 ５９ｂは、制御装置４０の温度検
出指示部４２ａ 、 ４２ｂに９−ド４４ａ 、 ４４
ｂを介して接続されている。
装置４０の温度制御＃４１ａ 、 ４１ｂｉＣ！Ｊ−ド
４５ａ４５ｂを介して接続され、また温度検出器用の摺
動ブラシ５９ａ 、 ５９ｂは、制御装置４０の温度検
出指示部４２ａ 、 ４２ｂに９−ド４４ａ 、 ４４
ｂを介して接続されている。
ｌＩ記制御装置４０は、温度検出器３１ａ 、 ５１ｂ
から温度検出指示部４２ａ 、 ４２ｂを通じて基板ホ
ルダ２２における温度検出器設置位置の温度値を入力し
、この温度値に基づき、成膜プロセスに合わせて谷温度
制ｔＩＩｌｌ器４１ａ 、 ４１ｂにリード４５ａ。
から温度検出指示部４２ａ 、 ４２ｂを通じて基板ホ
ルダ２２における温度検出器設置位置の温度値を入力し
、この温度値に基づき、成膜プロセスに合わせて谷温度
制ｔＩＩｌｌ器４１ａ 、 ４１ｂにリード４５ａ。
４５ｂを通じて各別に指令を送シ、一方の温度制御器４
１ａを通じて温度検出６３１２の近傍のヒータ５０ａ〜
ｌｄを温度制御し、他方の温度側＃器４１ｂを通じて温
度検出器５１ｂの近傍のヒータ３０ｅ〜５０ｉを温度制
御し得るように構成されている。
１ａを通じて温度検出６３１２の近傍のヒータ５０ａ〜
ｌｄを温度制御し、他方の温度側＃器４１ｂを通じて温
度検出器５１ｂの近傍のヒータ３０ｅ〜５０ｉを温度制
御し得るように構成されている。
前記実施例の加熱機構は、次のように使用され、作用す
る。
る。
すなわち、モータ２９を駆動し、電流導入端子２７およ
び回転軸２５を介して基体ホルダ２２を回転させる。
び回転軸２５を介して基体ホルダ２２を回転させる。
一方、制御装置４０を通じて温度制御器４１ａ。
４１ｂを作動させ、リード４５ａ 、 ４３ｂ−摺動ブ
ラシ３８ａ 、 ３８ｂ、 Ｍスリ、プリング３６ａ
、 ６６ｂ−＋９−ド３４ａ 、 ３４ｂ−＋リード５
２ａ 、 ５２ｂを通じてヒータ３０ａ 〜ｌｄ 、
３０ｅ 〜３０ｉ ｉｃ給電し、ヒータ５０ａ 〜ｌｄ
、 ５０ｅＳ−５０ｉＫ点弧し、基板ホルダ２２を加
熱し、この基板ホルダ２２上に載置された試料基板（図
示せず）を加熱する。
ラシ３８ａ 、 ３８ｂ、 Ｍスリ、プリング３６ａ
、 ６６ｂ−＋９−ド３４ａ 、 ３４ｂ−＋リード５
２ａ 、 ５２ｂを通じてヒータ３０ａ 〜ｌｄ 、
３０ｅ 〜３０ｉ ｉｃ給電し、ヒータ５０ａ 〜ｌｄ
、 ５０ｅＳ−５０ｉＫ点弧し、基板ホルダ２２を加
熱し、この基板ホルダ２２上に載置された試料基板（図
示せず）を加熱する。
その間、＠度検出４５１ａ 、 ３１ｂによシ基板ホル
ダ２２における温度検出器設置の温度を検出し。
ダ２２における温度検出器設置の温度を検出し。
その温度値を９−ド３５ａ 、 ３３ｂ −＊ ９−ド
ロ５ａ。
ロ５ａ。
３５ｂ −スリップ９ング５７ａ 、 ５７ｂ−４摺動
ブラシ３９ａ 、 ３９ｂ −＋ ９−ド４４ａ 、
４４ｂを通じて温度検出指示部４２ａ 、 ４２ｂに送
る。ついで、制御装置４０に゛しいて温度検出指示＊
４２ａ 、 ４２ｂから温度値を敗シ込み、この温度値
に基づき、成膜プロセスに合わせて各温度側＠１４１ａ
、 ４１ｂに指令を送シ、一方の温度側ｗｈ器４１ａ
ｉＣより前述の舶１！経路を通じて温度検出ｄ５１ａ
の近傍のヒータ５０ａ〜３０ｄが温度制御され、他方の
温度側ｔ４Ｊａ４１ｂにより前述の経路を通じて温度検
出９５１ｂの近傍のヒータ５０ｅ〜ｓｏｉが温度制御さ
れる。
ブラシ３９ａ 、 ３９ｂ −＋ ９−ド４４ａ 、
４４ｂを通じて温度検出指示部４２ａ 、 ４２ｂに送
る。ついで、制御装置４０に゛しいて温度検出指示＊
４２ａ 、 ４２ｂから温度値を敗シ込み、この温度値
に基づき、成膜プロセスに合わせて各温度側＠１４１ａ
、 ４１ｂに指令を送シ、一方の温度側ｗｈ器４１ａ
ｉＣより前述の舶１！経路を通じて温度検出ｄ５１ａ
の近傍のヒータ５０ａ〜３０ｄが温度制御され、他方の
温度側ｔ４Ｊａ４１ｂにより前述の経路を通じて温度検
出９５１ｂの近傍のヒータ５０ｅ〜ｓｏｉが温度制御さ
れる。
したが９て、前記基板ホルダ２２を成膜プロセスに合わ
せて、高精度の温度分布に加熱することができる。
せて、高精度の温度分布に加熱することができる。
そして、ヒータ用のリード５２ａ 、 ５２ｂおよび３
４ａ 、 ３４ｂと、温度検出器用のリード５５ａ、５
５ｂおよび３５ａ 、 ５５ｂとを、回転軸２５および
′眠流導入肩子２７の内部を通し、真空槽２１の外部に
設けられた電流導入端子２７の外周面に固着されたスリ
、プリング３６ａ 、 ５６ｂ 、 ５７ａ 、 ５７
ｂに接続し、このスリップリング６６ａ 、 ５６ｂ
、 ５７ａ 。
４ａ 、 ３４ｂと、温度検出器用のリード５５ａ、５
５ｂおよび３５ａ 、 ５５ｂとを、回転軸２５および
′眠流導入肩子２７の内部を通し、真空槽２１の外部に
設けられた電流導入端子２７の外周面に固着されたスリ
、プリング３６ａ 、 ５６ｂ 、 ５７ａ 、 ５７
ｂに接続し、このスリップリング６６ａ 、 ５６ｂ
、 ５７ａ 。
３７ｂに真空槽２１の外部において摺動ブラシ３８ａ。
５８ｂ 、 ５９ａ 、 ５９ｂを嵌合しているので、
導電部材の摩耗粉が真空槽内で浮遊する不具合を完全に
解消することができる。
導電部材の摩耗粉が真空槽内で浮遊する不具合を完全に
解消することができる。
なお、本発明においては、各部の具体的な構造は図面に
示す実施例に限らず、所期の機能を発揮し得る構造であ
ればよいｂ 〔発明の効果〕 以上説明した本発明によれば、基板ホルダの内部に、ヒ
ータを基板ホルダの直径方向に間隔をおいて複数個配列
し、ヒータ列間に複数個の温度検出器を配置し、各温度
検出器から入力する温度値に基づき、制御装置を介して
当該温度検出器の近傍のヒータを個別に温度側−するよ
うに構成しているので、基板ホルダな成膜プロセスに合
わせて、高精度の温度分布に加熱し得る効果がある。
示す実施例に限らず、所期の機能を発揮し得る構造であ
ればよいｂ 〔発明の効果〕 以上説明した本発明によれば、基板ホルダの内部に、ヒ
ータを基板ホルダの直径方向に間隔をおいて複数個配列
し、ヒータ列間に複数個の温度検出器を配置し、各温度
検出器から入力する温度値に基づき、制御装置を介して
当該温度検出器の近傍のヒータを個別に温度側−するよ
うに構成しているので、基板ホルダな成膜プロセスに合
わせて、高精度の温度分布に加熱し得る効果がある。
また、本発明によれば、前記ヒータと温度検出器の９−
ドを基板ホルダの回転軸の内部を通して真空槽の外部に
導出し、制御装置に接続しているので、真空槽内で導電
部材の摩耗粉が浮遊する不具合を完全に解消し得る効果
がある。
ドを基板ホルダの回転軸の内部を通して真空槽の外部に
導出し、制御装置に接続しているので、真空槽内で導電
部材の摩耗粉が浮遊する不具合を完全に解消し得る効果
がある。
さらに、本発明によれば、基板ホルダを高精度に温度分
布に加熱できることと、Ｘ望檀内での導電部材の摩耗粉
の浮遊をなくし得ることが相俟ち、試料基板に良質の膜
を形成し得る効果もめる。
布に加熱できることと、Ｘ望檀内での導電部材の摩耗粉
の浮遊をなくし得ることが相俟ち、試料基板に良質の膜
を形成し得る効果もめる。
第１因は従来の真空成膜装置の加熱機構の一例を示す縦
断面図、第２図は従来のこの種加熱機構の例を示す縦断
面図、第３図および第４図は本発明の一実施例を示すも
ので、その第３図は一部破断正面図、第４図は基板ホル
ダとこれの付属部材の拡大縦断正面図である。 ２１・・・真空槽、２２・・・基板ホノνダ、２５・・
・基板ホノνダの回転軸、２７・・・電流導入端子、２
９・・・基板ホルダのモータ、５０ａ〜３０ｉ・・・ヒ
ータ、３１ａ。 ３１ｂ＝・・温度検出器、５２ａ、 ３２ｂ、 ３４ａ
、 ３４ｂ−・・ヒータ用の９−ド、５３ａ、 ３３ｂ
、 ３５ａ、 ３５ｂ 一温度検出器用のリード、 ５
６ａ、５６ｂ・・・ヒータ用のスリップリング、５７ａ
、５７ｂ・・・温度検出器用のスリップ９ング、 ５８
ａ、５８ｂ・・・ヒータ用の摺動プラン、３９３ ｗ
５９ｉ）・・・温度検出用の摺動ブラシ、４０・・・制
御装置、４１ａ、４１ｂ・・・温度制＃器、４２ａ、４
２ｂ 一温度検出指示部。 第１図 第２図 第３図
断面図、第２図は従来のこの種加熱機構の例を示す縦断
面図、第３図および第４図は本発明の一実施例を示すも
ので、その第３図は一部破断正面図、第４図は基板ホル
ダとこれの付属部材の拡大縦断正面図である。 ２１・・・真空槽、２２・・・基板ホノνダ、２５・・
・基板ホノνダの回転軸、２７・・・電流導入端子、２
９・・・基板ホルダのモータ、５０ａ〜３０ｉ・・・ヒ
ータ、３１ａ。 ３１ｂ＝・・温度検出器、５２ａ、 ３２ｂ、 ３４ａ
、 ３４ｂ−・・ヒータ用の９−ド、５３ａ、 ３３ｂ
、 ３５ａ、 ３５ｂ 一温度検出器用のリード、 ５
６ａ、５６ｂ・・・ヒータ用のスリップリング、５７ａ
、５７ｂ・・・温度検出器用のスリップ９ング、 ５８
ａ、５８ｂ・・・ヒータ用の摺動プラン、３９３ ｗ
５９ｉ）・・・温度検出用の摺動ブラシ、４０・・・制
御装置、４１ａ、４１ｂ・・・温度制＃器、４２ａ、４
２ｂ 一温度検出指示部。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 真空槽内に基板ホルダを設置し、この基板ホルダなヒー
タ罠よシ加熱し１．基板ホルダを介して試料基板を加熱
しつつこの試料基板に膜を形成する真空成膜装置におい
て、前記基板ホルダの内部に、ヒータな基板ホルダの直
径方向に間隔をおいて複数個配列し、ヒータ列間に複数
個の温度検出器を配置し、前記ヒータと温度検出器の９
−ドを基板ホルダの回転軸の同郡を通して真空槽の外部
に導出するとともに、ヒータのリードを、各温度検出器
から入力する温度値に基づいて、当該温度検出器の近傍
のヒータを個別に温度制御する制御装置に接続したこと
を特徴とする真空成膜装置用の加熱機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21401583A JPS60106968A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 真空成膜装置用の加熱機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21401583A JPS60106968A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 真空成膜装置用の加熱機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106968A true JPS60106968A (ja) | 1985-06-12 |
Family
ID=16648857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21401583A Pending JPS60106968A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 真空成膜装置用の加熱機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106968A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3534214A1 (de) * | 1984-09-25 | 1986-04-03 | Hiroshi Tokio/Tokyo Teramachi | X-y-tisch mit linearmotor-antrieb |
| US5231690A (en) * | 1990-03-12 | 1993-07-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heaters for use in semiconductor-producing apparatus and heating units using such wafer heaters |
| US5306895A (en) * | 1991-03-26 | 1994-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member for chemical apparatus using halogen series corrosive gas |
| JP2017208374A (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台システム、基板処理装置及び温度制御方法 |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP21401583A patent/JPS60106968A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3534214A1 (de) * | 1984-09-25 | 1986-04-03 | Hiroshi Tokio/Tokyo Teramachi | X-y-tisch mit linearmotor-antrieb |
| US5231690A (en) * | 1990-03-12 | 1993-07-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heaters for use in semiconductor-producing apparatus and heating units using such wafer heaters |
| US5490228A (en) * | 1990-03-12 | 1996-02-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating units for use in semiconductor-producing apparatuses and production thereof |
| US5306895A (en) * | 1991-03-26 | 1994-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member for chemical apparatus using halogen series corrosive gas |
| JP2017208374A (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台システム、基板処理装置及び温度制御方法 |
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