JPS60107530A - 音響光学スペクトラム・アナライザ - Google Patents
音響光学スペクトラム・アナライザInfo
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- JPS60107530A JPS60107530A JP21557183A JP21557183A JPS60107530A JP S60107530 A JPS60107530 A JP S60107530A JP 21557183 A JP21557183 A JP 21557183A JP 21557183 A JP21557183 A JP 21557183A JP S60107530 A JPS60107530 A JP S60107530A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明社、音波によ如光を回折させる光偏向器を用いた
スペクトラム・アナライザに関するものである。
スペクトラム・アナライザに関するものである。
近年光エレクトロニクスの進展に伴い、種々の光信号処
理デバイスが提案されているが、そのなかで音響光学効
果を利用したスペクトラム・アナライザが最近注目され
ている。それはこのスペクトラム・アナライザは、(1
)広帯域である、(2)周波数の異なる複数個の信号を
同時に検知できる、(3)検知確率100%である、(
4)小型軽量(特に集積の場合)である等の特徴を有し
ているためである。
理デバイスが提案されているが、そのなかで音響光学効
果を利用したスペクトラム・アナライザが最近注目され
ている。それはこのスペクトラム・アナライザは、(1
)広帯域である、(2)周波数の異なる複数個の信号を
同時に検知できる、(3)検知確率100%である、(
4)小型軽量(特に集積の場合)である等の特徴を有し
ているためである。
音響光学(以下AQと称す)スペクトラム・アナライザ
の原理はバルク波型、導波型を問わず同一で、音波によ
シ媒体中に生じた周期的な密度の粗密が屈折率グレイテ
ィングの役目をなし光を回折させる現象を利用するもの
である。回折角は音波の周波数に、回折光の強度は音波
のパワーに、それぞれ比例するから、今測定すべき信号
を超音波変換器に印加すれば、各周波数成分に応じて異
なる角度で回折され、この回折光をレンズにより光検出
器アレイ上に収束させると、検出器アレイ上の光の分布
が入力信号の周波数スペクトルを表わしている。
の原理はバルク波型、導波型を問わず同一で、音波によ
シ媒体中に生じた周期的な密度の粗密が屈折率グレイテ
ィングの役目をなし光を回折させる現象を利用するもの
である。回折角は音波の周波数に、回折光の強度は音波
のパワーに、それぞれ比例するから、今測定すべき信号
を超音波変換器に印加すれば、各周波数成分に応じて異
なる角度で回折され、この回折光をレンズにより光検出
器アレイ上に収束させると、検出器アレイ上の光の分布
が入力信号の周波数スペクトルを表わしている。
このようなAOスペクトラム・アナライザの基本性能の
一つとして帯域幅を周波数分解能で割った周波数分解点
数Nがある。バルク音波偏向器を用いた場合、N= 1
000が既に得られておシ、また弾性表面波偏向器を用
いた場合でもN=数百が実現されておシ、近い将来バル
ク波並みの周波数分解点数に到達すると思われる。この
ような高分解能AOスペクトラム・アナライザが実用化
される際に重要なことは光源波長の安定性である。既に
実用化されているバルク波型では光源として専らHe−
Neレーザなどの共振器長の長いレーザが用いられてい
るため、その発振波長は温度に対して安定であった。一
方、半導体レーザは最近の著し込進歩によシ、111”
l実用に供しうるレベルに到達し、装置全体の小型化が
可能になシ9つあるが、高分解能AOスペクトラム・ア
ナライザに用いる場合発振波長の温度依存性が2〜4人
/度と大きく問題であった。
一つとして帯域幅を周波数分解能で割った周波数分解点
数Nがある。バルク音波偏向器を用いた場合、N= 1
000が既に得られておシ、また弾性表面波偏向器を用
いた場合でもN=数百が実現されておシ、近い将来バル
ク波並みの周波数分解点数に到達すると思われる。この
ような高分解能AOスペクトラム・アナライザが実用化
される際に重要なことは光源波長の安定性である。既に
実用化されているバルク波型では光源として専らHe−
Neレーザなどの共振器長の長いレーザが用いられてい
るため、その発振波長は温度に対して安定であった。一
方、半導体レーザは最近の著し込進歩によシ、111”
l実用に供しうるレベルに到達し、装置全体の小型化が
可能になシ9つあるが、高分解能AOスペクトラム・ア
ナライザに用いる場合発振波長の温度依存性が2〜4人
/度と大きく問題であった。
例えば±20℃の温度変動を考えると、波長変化δλは
±(40〜80)人となシ、発振波長λを800OA帯
とするとδλ/λ=0,5〜1% となる。
±(40〜80)人となシ、発振波長λを800OA帯
とするとδλ/λ=0,5〜1% となる。
超音波偏向器の回折角2θは、光の波長(媒体内)をλ
、音波の波長をAとすれば、202λ/Aで与えられる
。したがって今音波の波長Aが変動しないとすれば、δ
θ/θ2δλ/λ−0,5〜1% となシ、回折光は前
述の高分解能AOスペクトラム・アナライザの場合、本
来到達すべき光検出器素子とは異なる検出器素子へ入射
するから周波数を正しく認職しないことになる。さらに
倒向器媒体としてYカッ) LiNb09基板を用いた
場合、音波波長の温度依存性はおよそ−80ppm/度
で、レーザ波長の温度特性の数分の1程度であるが、高
分解能(例えばN=1000)AOスペクトラム・アナ
ライザでは無視できない大きさである。しかも上式から
れかるように、偏向角θの光波長λおよび青波長Aに対
する依存性は、 δθ aλ δA θ λ A で与えられるから、偏向角変動に及はず両成分はその正
負に注意すれば加算され、絶対値はより大きな値になる
ことがわかる。以上説明したように1光源として半導体
レーザを用い、さらに基板としてLiNb0.などを用
いた導波型AOスペクトラム・アナライザの場合、光波
長および青波長の温度依存性のため正しく動作しなくな
る恐れがある。
、音波の波長をAとすれば、202λ/Aで与えられる
。したがって今音波の波長Aが変動しないとすれば、δ
θ/θ2δλ/λ−0,5〜1% となシ、回折光は前
述の高分解能AOスペクトラム・アナライザの場合、本
来到達すべき光検出器素子とは異なる検出器素子へ入射
するから周波数を正しく認職しないことになる。さらに
倒向器媒体としてYカッ) LiNb09基板を用いた
場合、音波波長の温度依存性はおよそ−80ppm/度
で、レーザ波長の温度特性の数分の1程度であるが、高
分解能(例えばN=1000)AOスペクトラム・アナ
ライザでは無視できない大きさである。しかも上式から
れかるように、偏向角θの光波長λおよび青波長Aに対
する依存性は、 δθ aλ δA θ λ A で与えられるから、偏向角変動に及はず両成分はその正
負に注意すれば加算され、絶対値はより大きな値になる
ことがわかる。以上説明したように1光源として半導体
レーザを用い、さらに基板としてLiNb0.などを用
いた導波型AOスペクトラム・アナライザの場合、光波
長および青波長の温度依存性のため正しく動作しなくな
る恐れがある。
本発明の目的は光の波長、超音波波長のうちの一方また
は両方が温度等の影響によシ変動しても被測定信号の周
波数を常に正確に測定できるAOスペクトラム・アナラ
イザを提供することにある。
は両方が温度等の影響によシ変動しても被測定信号の周
波数を常に正確に測定できるAOスペクトラム・アナラ
イザを提供することにある。
本発明の音響光学スペクトラム・アナライザは、半導体
レーザ光源と、超音波変換器に印加される電気信号周波
数に応じて異なる角度で前記半導体光源からの光を回折
させる光偏向器と、該回折光を検知する光検出器アレイ
と、被測定電気信号に既知周波数の信号を重畳してこの
重畳信号を光偏向器に印加する手段と、該既知周波数信
号による回折光が前記光検出器プレイ上の予め定められ
た位置に入射するように前記半導体レーザ光源の波長を
制御する制御器とを備えていることを特徴とするもので
ある。
レーザ光源と、超音波変換器に印加される電気信号周波
数に応じて異なる角度で前記半導体光源からの光を回折
させる光偏向器と、該回折光を検知する光検出器アレイ
と、被測定電気信号に既知周波数の信号を重畳してこの
重畳信号を光偏向器に印加する手段と、該既知周波数信
号による回折光が前記光検出器プレイ上の予め定められ
た位置に入射するように前記半導体レーザ光源の波長を
制御する制御器とを備えていることを特徴とするもので
ある。
以下本発明について実施例を示す図面を参照しながら説
明する。第1図に本発明による音響光学スペクトラム・
アナライザの一実施例を示す。図においてlは基板であ
る。弾性表面波の励振のために1基板1は圧電性を有し
、かつ良好な光のガイドを形成できる材料が望ましく、
リチウム・ナイオベート(LiNb03)結晶などが適
切な材料である。この基板1上に1ず光導波層2を形成
する。
明する。第1図に本発明による音響光学スペクトラム・
アナライザの一実施例を示す。図においてlは基板であ
る。弾性表面波の励振のために1基板1は圧電性を有し
、かつ良好な光のガイドを形成できる材料が望ましく、
リチウム・ナイオベート(LiNb03)結晶などが適
切な材料である。この基板1上に1ず光導波層2を形成
する。
この場合、導波層2の屈折率が基板1の深さ方向に徐々
に変化するタイプでもステップ状に変化するタイプでも
よい。基板1がLiNb0.の場合Tiを内部に拡散さ
せるか、あるいは内部のLi を外部へ逆拡散(out
diffusion )させることKより、前者の屈
折率分布を得ることができる。一方ステップ状屈折率分
布の例としては基板l上にガラスあるいはAs2S3の
薄膜をスパッタリング等罠より堆積する方法がある。第
1図は基板1が圧電性を有する場合を示している。した
がって被測定電気信号を弾性表面波信号に変換するすだ
れ状変換器3は基板l上に直接形成することができる。
に変化するタイプでもステップ状に変化するタイプでも
よい。基板1がLiNb0.の場合Tiを内部に拡散さ
せるか、あるいは内部のLi を外部へ逆拡散(out
diffusion )させることKより、前者の屈
折率分布を得ることができる。一方ステップ状屈折率分
布の例としては基板l上にガラスあるいはAs2S3の
薄膜をスパッタリング等罠より堆積する方法がある。第
1図は基板1が圧電性を有する場合を示している。した
がって被測定電気信号を弾性表面波信号に変換するすだ
れ状変換器3は基板l上に直接形成することができる。
変換器3は、通常よく知られているフォトリソグラフィ
技術によυなされるので、そのプロセスは省略する。ま
た基板が非圧電体の場合にはZnO等−の圧電薄膜を堆
積した上にすだれ状変換器を形成すればよい。すだれ状
変換器3は従来から知られている傾斜指チャープ電極か
ら成っている。すなわち、広帯域変換特性を実現するた
め電極指のピッチが弾性表面波4の伝搬方向に沿って徐
々に変化するいわゆるチャープ構造であると同時に、入
射光に対してすべての周波数の弾性表面波信号がプラグ
回折条件を満足するように各電極指の配列方向をごくわ
ずかづつ変化させている。さて、アンテナ5で受信され
た被測定電気信号は、ミキサ6によシ局部発振器7の出
力と混合され中間周波数に変換される。被測定周波数領
域がすだれ状変換器の動作周波数域内に含まれる場合は
中間周波への変換操作は不要である。ミキサからの出力
信号は、マルチプレクサ8により発振器9の出力信号と
重畳され、増幅器10で増幅された後すだれ状変換器3
に印加される。一方基板1に端面結合された可変波長半
導体レーザ11からの光12はレンズ13により平行光
にされた後、弾性表面波信号4により回折される。回折
光14はレンズ15により収束し、基板1の端面に設け
られた光検出器アレイ16上に焦点を結ぶ。レンズ13
および15は基板IK窪みを形成するいわゆるジオデシ
ックレンズ、あるいは基板1より屈折率の大きい薄膜を
堆積させるルネプルグレンズ等から成る。既に説明した
ように回折角は超音波変換器3への印加信号周波数に比
例するから光検出器アレイ上の電荷パターンが被迎I定
信号のスペクトラムを表わすことKなる。このスペクト
ラムパターンの一例を第2図の実線で示す。fA゛は、
既知周波数信号のスペクトルを、fムは、被測定信号成
分を表わし、それらの光検出器プレイ上の位置はそれぞ
れxA。
技術によυなされるので、そのプロセスは省略する。ま
た基板が非圧電体の場合にはZnO等−の圧電薄膜を堆
積した上にすだれ状変換器を形成すればよい。すだれ状
変換器3は従来から知られている傾斜指チャープ電極か
ら成っている。すなわち、広帯域変換特性を実現するた
め電極指のピッチが弾性表面波4の伝搬方向に沿って徐
々に変化するいわゆるチャープ構造であると同時に、入
射光に対してすべての周波数の弾性表面波信号がプラグ
回折条件を満足するように各電極指の配列方向をごくわ
ずかづつ変化させている。さて、アンテナ5で受信され
た被測定電気信号は、ミキサ6によシ局部発振器7の出
力と混合され中間周波数に変換される。被測定周波数領
域がすだれ状変換器の動作周波数域内に含まれる場合は
中間周波への変換操作は不要である。ミキサからの出力
信号は、マルチプレクサ8により発振器9の出力信号と
重畳され、増幅器10で増幅された後すだれ状変換器3
に印加される。一方基板1に端面結合された可変波長半
導体レーザ11からの光12はレンズ13により平行光
にされた後、弾性表面波信号4により回折される。回折
光14はレンズ15により収束し、基板1の端面に設け
られた光検出器アレイ16上に焦点を結ぶ。レンズ13
および15は基板IK窪みを形成するいわゆるジオデシ
ックレンズ、あるいは基板1より屈折率の大きい薄膜を
堆積させるルネプルグレンズ等から成る。既に説明した
ように回折角は超音波変換器3への印加信号周波数に比
例するから光検出器アレイ上の電荷パターンが被迎I定
信号のスペクトラムを表わすことKなる。このスペクト
ラムパターンの一例を第2図の実線で示す。fA゛は、
既知周波数信号のスペクトルを、fムは、被測定信号成
分を表わし、それらの光検出器プレイ上の位置はそれぞ
れxA。
X[Iである。これらの信号スペクトラムは、光検出器
アレイと一体化された読み出し回路で時系列信号として
取り出される。
アレイと一体化された読み出し回路で時系列信号として
取り出される。
回折角2θと媒体中の光の波長λ、弾性表面波波長Aの
厳密な関係は次式で与えられる。
厳密な関係は次式で与えられる。
λ (1)
sinθ:′77
し九がってθ(1の場合sinθにOと置けるから(1
1式は次のように書ける。
1式は次のように書ける。
λ
θ# −iy (21
さらに音波−光相互作用領域から光検出器アレイまでの
距離をLとすると、アレイ上の信号スペクトルの位置x
(0次回折光の端面での位置を基準とする)は Lλ Lλ x ”’t 2θL # −7−=−V−f = Of
(3)となる。上式かられかるように、光検出器アレ
イ上の入力信号のスペクトル位置Xは入力周波数fに比
例し、その比例係数Cは光源の波長λおよび弾性表面波
の伝搬速度■の関数である。したかって今何らかの原因
例−えば温度変動によって、λあるいはVが変化すると
、第2図の実線で示すように信号スペクトルfhr f
Bは同図の点線の如く移動してそれぞれX i、 +
X B’ K生じ、正しい周波数を測定されない恐れが
ある。しかるに本実施例では既知周波数fAのスペクト
ルが予め定められた位置−xK生ずるように1 すなわ
ち(3)式の比例係数が常に一定となるように、半導体
レーザ光波の波長λを制御するものである。制御信号発
生回路17は位置誤差xA′−xAに比例した補正信号
を発生させる機能を有し、アレイ出力読み出し回路、時
間計数回路、誤差信号に比例した電流発生回路を含む。
距離をLとすると、アレイ上の信号スペクトルの位置x
(0次回折光の端面での位置を基準とする)は Lλ Lλ x ”’t 2θL # −7−=−V−f = Of
(3)となる。上式かられかるように、光検出器アレ
イ上の入力信号のスペクトル位置Xは入力周波数fに比
例し、その比例係数Cは光源の波長λおよび弾性表面波
の伝搬速度■の関数である。したかって今何らかの原因
例−えば温度変動によって、λあるいはVが変化すると
、第2図の実線で示すように信号スペクトルfhr f
Bは同図の点線の如く移動してそれぞれX i、 +
X B’ K生じ、正しい周波数を測定されない恐れが
ある。しかるに本実施例では既知周波数fAのスペクト
ルが予め定められた位置−xK生ずるように1 すなわ
ち(3)式の比例係数が常に一定となるように、半導体
レーザ光波の波長λを制御するものである。制御信号発
生回路17は位置誤差xA′−xAに比例した補正信号
を発生させる機能を有し、アレイ出力読み出し回路、時
間計数回路、誤差信号に比例した電流発生回路を含む。
光検出器プレイの出力は読み出し回路により時間軸波形
として読み出される。したがって予め定められた時刻に
発生させたパルスをスタートパルスとし、上記fAのス
ペクトルによる出力パルスをトップパルスとして時間計
数回路を動作させることにより、スタートパルスからの
時間を計測し、次いでこの時間とスペクトルfAが基準
の位置xAKある場合の基準時間(既知)と比較するこ
とにより fAの位置誤差x; xAを正負の符号を含
めて知ることができる。この誤差信号を用いて半導体レ
ーザ11の波長を制御する。本目的に適した半導体レー
ザとしては例えば骨間結合キャビティ(01eaved
−0oupl ed −0avi ty )レーザが
あり、この場合非発光レーザへの注入電流■1を前記誤
差信号により制御することによってレーザ光の波長を制
御できる。波長チューニングレイト約26人/m人、チ
ーーニング範囲約300人が実現されており、本目的に
適していることがわかる。
として読み出される。したがって予め定められた時刻に
発生させたパルスをスタートパルスとし、上記fAのス
ペクトルによる出力パルスをトップパルスとして時間計
数回路を動作させることにより、スタートパルスからの
時間を計測し、次いでこの時間とスペクトルfAが基準
の位置xAKある場合の基準時間(既知)と比較するこ
とにより fAの位置誤差x; xAを正負の符号を含
めて知ることができる。この誤差信号を用いて半導体レ
ーザ11の波長を制御する。本目的に適した半導体レー
ザとしては例えば骨間結合キャビティ(01eaved
−0oupl ed −0avi ty )レーザが
あり、この場合非発光レーザへの注入電流■1を前記誤
差信号により制御することによってレーザ光の波長を制
御できる。波長チューニングレイト約26人/m人、チ
ーーニング範囲約300人が実現されており、本目的に
適していることがわかる。
本実施例においては既知周波数f のスペクトルが光検
出器アレイ上の予め定められた位置xAに常に入射する
ように、すなわち比例係数Cが一定であるように制御さ
れるため、比例係数Cの変動の原因が光の波長以外の、
例えば弾性表面波速度の変化によるものであっても最終
的に正しく補正されることは明らかである。
出器アレイ上の予め定められた位置xAに常に入射する
ように、すなわち比例係数Cが一定であるように制御さ
れるため、比例係数Cの変動の原因が光の波長以外の、
例えば弾性表面波速度の変化によるものであっても最終
的に正しく補正されることは明らかである。
本実施例では既知周波数の信号は連続波であるためその
周波数を測定周波数領域外に設定することが測定信号と
の区別上望ましいが、一般に光源の波長および弾性表面
波の伝搬速度の変化は時間に対してゆるやかであるため
、既知周波数信号の光検出器アレイ上の位置を常時検知
する必要はなく時々測定すればよい。したがってこの場
合は測定周波数領域内に前記参照信号fAを設定するこ
とも可能である。
周波数を測定周波数領域外に設定することが測定信号と
の区別上望ましいが、一般に光源の波長および弾性表面
波の伝搬速度の変化は時間に対してゆるやかであるため
、既知周波数信号の光検出器アレイ上の位置を常時検知
する必要はなく時々測定すればよい。したがってこの場
合は測定周波数領域内に前記参照信号fAを設定するこ
とも可能である。
以上の実施例で示した音響光学スペクトラム・アナライ
ザは導波型タイプであるが、必ずしもこれに限定される
ことはなく、本発明はバルク波型の音響光学スペクトラ
ムアナライザでも成υ立つ。
ザは導波型タイプであるが、必ずしもこれに限定される
ことはなく、本発明はバルク波型の音響光学スペクトラ
ムアナライザでも成υ立つ。
第1図は本発明による音響光学スペクトラム・アナライ
ザの一実施例を示す斜視図で、lは基板、2は光導波層
、3はすだれ状変換器、4は弾性表面波、5はアンテナ
、6はミキサ、7,9 は発振器、8はマルチブレフサ
、10は増幅器、11け可変波長半導体レーザ、12.
14はいずれも導波光で14は回折光、13.15はレ
ンズ、16は光検出器アレイ、17は制御信号発生回路
である。 第2図は光検出器アレイ上での信号スペクトラムパター
ンの一例であり、fAは既知周波数信号のスペクトラム
・f が入力信号のスペクトラムである。 fi図 第2図 検出器上の位置
ザの一実施例を示す斜視図で、lは基板、2は光導波層
、3はすだれ状変換器、4は弾性表面波、5はアンテナ
、6はミキサ、7,9 は発振器、8はマルチブレフサ
、10は増幅器、11け可変波長半導体レーザ、12.
14はいずれも導波光で14は回折光、13.15はレ
ンズ、16は光検出器アレイ、17は制御信号発生回路
である。 第2図は光検出器アレイ上での信号スペクトラムパター
ンの一例であり、fAは既知周波数信号のスペクトラム
・f が入力信号のスペクトラムである。 fi図 第2図 検出器上の位置
Claims (1)
- 半導体レーザ光源と、超音波変換器に印加される電気信
号の周波数に応じて異なる角度に1前記半導体レーザ光
源からの光を回折させる光偏向器と、該回折光を検出す
る光検出器アレイと、被測定電気信号に既知周波数の信
号を重畳し、この重畳した信号を前記光偏向に印加する
手段と、該既知周波数信号による回折光が前記光検出器
アレイ上の予め定められた位置に入射するように1前記
半導体レーザ光源の波長を制御する制御器とを有するこ
とを特徴とする音響光学スペクトラム・アナライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21557183A JPS60107530A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 音響光学スペクトラム・アナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21557183A JPS60107530A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 音響光学スペクトラム・アナライザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107530A true JPS60107530A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16674633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21557183A Pending JPS60107530A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 音響光学スペクトラム・アナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107530A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61265231A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ実装装置 |
| JPS6373162A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-02 | Nec Corp | 導波型光・音響スペクトラムアナライザの製造方法 |
| WO2010001852A1 (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-07 | 日本電気株式会社 | 光変調器 |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP21557183A patent/JPS60107530A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61265231A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ実装装置 |
| JPS6373162A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-02 | Nec Corp | 導波型光・音響スペクトラムアナライザの製造方法 |
| WO2010001852A1 (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-07 | 日本電気株式会社 | 光変調器 |
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