JPS6010763A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6010763A
JPS6010763A JP58119134A JP11913483A JPS6010763A JP S6010763 A JPS6010763 A JP S6010763A JP 58119134 A JP58119134 A JP 58119134A JP 11913483 A JP11913483 A JP 11913483A JP S6010763 A JPS6010763 A JP S6010763A
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JP
Japan
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gold
bonding pad
aluminum
film
semiconductor device
Prior art date
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JP58119134A
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English (en)
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Takashi Okuda
高 奥田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明明社半導体装置にかかり、と〈Ｋポンディングパッ
ド部の構造に関する。
近年の半導体集積回路装置の進歩は目ざましく、中でも
ＭＯ８型半導体メモリを一例にとれば、１９７５年では
その記憶容量は４にビットが市場を占めていたが１９８
０年には６４にビットにまで進歩している。そして１９
８３年は２５６にビットにまで集積度が向上している。
以上のような進歩のなかで、これら半導体集積回路装置
が使用される環境条件は広範なものに変化して来た。半
導体集積回路装置の信頼性試験として実施される主な内
容は機能試験、環境試験。
耐久性試験に分けられる（第１表）。
本発明は耐久性試験として実施される耐湿性を向上させ
た有効な半導体装置を提供するものである。
半導体装置の上記信頼性試験においては、耐湿性試験は
、熱的環境試験のはんだ耐熱性試験を実施した後に行う
ことが多く、この場合の耐湿性試験成績は試験時間が１
００時間で不良率が１０チにも及び４００時間後は１０
０チに達してし゛まう場合が生じる。この様子を第１図
のデータ（イ）で示す。
従来技術において、上記のように十分の信頼性が得られ
ないのは次のような理由による。すなわち半導体装置は
第２図に示すようにプラスチックパッケージ１とリード
２およびボンディングワイヤー３の境界に沿りて水分が
侵入し、半導体装置４上に設けたアルミニウムからなる
ポンディングパッド５に到達する。そして浸入した水分
は半導体集積回路素子４に存在するすなわち素子基板上
に設けられたリンガラス中のリンと反応してリンガラス
中のリンと反応してリン酸が生成されアルミニウムのポ
ンディングパッド５を腐食する。従来技術の半導体素子
のポンディングパッド近傍を拡大して示したのが第３図
（平面図）および第３図のＡ−１１１さらに拡大したの
が第４図（断面図）である。半導体素子（基板）４上に
アルミニウムの金属配線層７が延在し、この金属配線層
にアルミニウムからなるポンディングパッド５が接続さ
れ、全体をカバーする酸化膜８に開孔を設けてポンディ
ングパッド５を露出させ、このところに金属細線３をボ
ンディングしている。このような構造では前記した理由
によりポンディングパッド５の接合周辺部６が腐食され
る恐れが大である。すなわち、半導体集積回路装置内に
浸入した水分で生成されるリン酸によってポンディング
パッドが腐食されることが不良の原因である。この不良
原因を除去するためには、リン酸によってポンディング
パッドが腐食されないことが必要でアシ、現在のプラス
チックパッケージの形成技術では水分の浸入を防止する
ことは困難である。
本発明の目的はかかる従来技術の欠点を除去した有効な
半導体装置を提供することである。
本発明の特徴はアルミニウムのポンディングパッド上含
金もしくは金を含む膜を被着しここに好ましくは金の金
属細ａ”＋ボンディングした半導体装置にある。このよ
うＫＩＪン酸によって腐食されず、金のボンディングワ
イヤーとの接合が良い金の薄膜をボンディングバヅド表
面に形成すれば、上述の不良は解決される。
第５図に本発明の実施例を示す。尚、第５図で第２図、
第５図と同じ機能のところは同一の符号で示している。
この第５図による実施例ではアルミニウムからなるポン
ディングパッド５０表面に０．１〜１μｍの金をスパッ
タ蒸着したのち、７オ　］トレジストヲ用いた従来のパ
ターン形成技術を用いて、ポンディングパッド部に金の
薄膜９ｆ、形成し、この被膜９に金の金属細線３をボン
ディングしている。
このようにアルミニウム５と金９の二層構造のポンディ
ングパッドを形成することによって第１図（ロ）の如き
試験時間が４００時間後でありても３チ以下の不良率に
改善できる。
第　１　表 ５−
【図面の簡単な説明】
第１図は耐湿性試験成績を示す図、第２図はプラスチッ
ク封止された半導体集積回路装置の断面図、第３図は従
来の半導体集積回路装置の平面図、第４図は第３図のＡ
−Ｂ部の断面図、第５図は本発明の実施例を示す断面図
である。 尚、図において、１・・・・・・プラスチックパッケー
ジ、２・・・・・・リード、３・・・・・・ワイヤー（
金属細線）、４・・・・・・半導体基板（素子）、５・
・・・・・ポンディングパッド、６・・・・・・接続部
周辺のポンディングパッドの部分、７・・・・・・金属
配線層、８・・・・・・酸化膜カバー、９・・・・・・
金薄膜、である。 ６−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アルミニウムの配線層にアルミニウムのポンディングパ
    ッドが接続して設けられ、該アルミニウムのポンディン
    グパッド上に金又は金を含む合金の膜が被着され、該膜
    に金属細線がボンディングされていることを特徴とする
    半導体装置。
JP58119134A 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置 Pending JPS6010763A (ja)

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JP58119134A JPS6010763A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置

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JP58119134A JPS6010763A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置

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JPS6010763A true JPS6010763A (ja) 1985-01-19

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ID=14753773

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JP58119134A Pending JPS6010763A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20131530A1 (it) * 2013-09-17 2015-03-18 St Microelectronics Srl Dispositivo elettronico con elemento di interfaccia bimetallico per wire-bonding

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20131530A1 (it) * 2013-09-17 2015-03-18 St Microelectronics Srl Dispositivo elettronico con elemento di interfaccia bimetallico per wire-bonding
US9184150B2 (en) 2013-09-17 2015-11-10 Stmicroelectronics S.R.L. Electronic device with bimetallic interface element for wire bonding

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