JPS59213165A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS59213165A
JPS59213165A JP58087310A JP8731083A JPS59213165A JP S59213165 A JPS59213165 A JP S59213165A JP 58087310 A JP58087310 A JP 58087310A JP 8731083 A JP8731083 A JP 8731083A JP S59213165 A JPS59213165 A JP S59213165A
Authority
JP
Japan
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metal
substrate
contact
electrode
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP58087310A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Haneda
尚志 羽田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS59213165A publication Critical patent/JPS59213165A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に係シ特にその金属電極構造に関す
るものである。
従来Ｉ／ｉ第１図に示される様に半導体基板１に電極を
設ける場合、外周部に絶縁膜２を設はコンタクト部分か
ら絶縁膜上にオーバーシップして金属電極３，４を形成
するのが通常である。ここでたとえば高信頼度を必要と
する半導体装置の場合、直接会等の金属を設けず、半導
体基板との間にチタン及び白金等の薄膜４を設けている
。しかし、この薄膜がコンタクト部と絶縁膜部との段差
で５の様な段切れもしくは不着の状態となシ金等゛の金
属電極３と半導体基板１が接触し例えば高温で金等と半
導体基板が反応し不良となるといった欠点があった。
本発明の目的はかかる欠点を除去し、良好な金属電極を
有する半導体装置を提供することである。
本発明の半導体装置紘半導体主面の外周部に設けられた
絶縁膜とコンタクト部との段差部に金属電極を形成しな
いか、あるいは前述のチタン等の薄膜のみを形成する方
法によシ金等の最上部電極と半導体基板との直接接触を
防止する構造をとっている。その後よく知られているよ
うに半導体基板露出を防止するためのパシベーション層
を設ける。
本発明は前述の構造から半導体基板と金等の電極が直接
接触しないことによシたとえば高温での装置の使用等に
対する信頼性が向上する効果がある。
第２図は本発明の第１の実施例であシ半導体基板１に絶
縁膜２が通常設けられるが金属電極３′。
４′が絶縁膜２上にオーバーラツプして形成されずに基
板のコンタクト部７の平担部上のみに形成されている。
第３図は本発明の第２の実施例であシチタン等の全縮４
″は絶縁膜２上に延長されているが金等の金属電極３“
は段差部には形成されない。この構造によれば５の様な
チタン等の金属４″の段切部が発生しても金属電極３″
の金等と基板１は接触することはない。
このようにして本発明によれば金属の段差部の段切れ等
による金等の高温マ半導体と反応する金属の直接接触を
防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装彎の断面図、第２図は本発明の
第１の実施例の断面図であシ第３図は本発明の第２の実
施例の断面図である。 ここで、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶
縁膜、３、３’、　３″・・・・・・金等の金属電極　
４　、４’＋　４ｒｒ・・・・・・チタン等の金属、５
・・・・・・段切れ等の不良部、６・・・・・・ノくシ
ベーション膜、７・・・・・・コンタクト部、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数の金属を積層した電極を有する半導体装置において
    、半導体基板主面の段差部に該積層金属の一部もしくは
    全部を形成せず、平担部のみに形成された金属電極を有
    することを特徴とする半導体装置。
JP58087310A 1983-05-18 1983-05-18 半導体装置 Pending JPS59213165A (ja)

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JP58087310A JPS59213165A (ja) 1983-05-18 1983-05-18 半導体装置

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JP58087310A JPS59213165A (ja) 1983-05-18 1983-05-18 半導体装置

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JP58087310A Pending JPS59213165A (ja) 1983-05-18 1983-05-18 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5378926A (en) * 1991-09-30 1995-01-03 Hughes Aircraft Company Bonding of integrated circuit chip to carrier using gold/tin eutectic alloy and refractory metal nitride barrier layer to block migration of tin through via holes
US5910684A (en) * 1995-11-03 1999-06-08 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry
US6091150A (en) * 1996-09-03 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry comprising electrically insulative material over interconnect line tops, sidewalls and bottoms

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