JPS6010794A - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動回路Info
- Publication number
- JPS6010794A JPS6010794A JP12000883A JP12000883A JPS6010794A JP S6010794 A JPS6010794 A JP S6010794A JP 12000883 A JP12000883 A JP 12000883A JP 12000883 A JP12000883 A JP 12000883A JP S6010794 A JPS6010794 A JP S6010794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- output
- emission power
- phase comparator
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体レーザの駆動回路に関する。
〈従来技術〉
近時、半導体レーザの駆動回路には、発光パワーの制御
を可能にすべく、第１図に示すように、同一のパッケー
ジ３の中に半導体レーザ１と、この半導体レーザ１から
の発光パワーの一部を受光して、発光パワーに応じた電
流を外部に出方するフォトダイオード２等を組み込んだ
構造のものが多く用いられている。ところが、この半導
体レーザ１には、発光パワーの最大定格付近で動作させ
た場合、回路中の振幅性ノイズやサージ等の影響を受け
ることによって、最大定格を一瞬でも超過すると、破壊
する性質を有している。また、長時間使用していると次
第如劣化し、定電流駆動を行っていても、発光パワーが
減少するという欠点がある。
を可能にすべく、第１図に示すように、同一のパッケー
ジ３の中に半導体レーザ１と、この半導体レーザ１から
の発光パワーの一部を受光して、発光パワーに応じた電
流を外部に出方するフォトダイオード２等を組み込んだ
構造のものが多く用いられている。ところが、この半導
体レーザ１には、発光パワーの最大定格付近で動作させ
た場合、回路中の振幅性ノイズやサージ等の影響を受け
ることによって、最大定格を一瞬でも超過すると、破壊
する性質を有している。また、長時間使用していると次
第如劣化し、定電流駆動を行っていても、発光パワーが
減少するという欠点がある。
〈発明の目的〉
本発明は、上記欠点に鑑みてなされたもので、回路・中
の振幅性ノイズやサージによる影響が回避され、かつ、
長時間使用による発光パワーの減少を自動的に補正し得
る半導体レーザの駆動回路を提供することを目的として
いる。
の振幅性ノイズやサージによる影響が回避され、かつ、
長時間使用による発光パワーの減少を自動的に補正し得
る半導体レーザの駆動回路を提供することを目的として
いる。
〈発明の構成〉 。
杏発嬰の特徴とするところは、半導体レーザ及びフォト
ダイオー−をフェーズロックループ（以下ＰＩ、’Ｌと
記す）内の一一素として回路構成する ′ものである。
ダイオー−をフェーズロックループ（以下ＰＩ、’Ｌと
記す）内の一一素として回路構成する ′ものである。
本発明は、可変周波数発振器の基準周波数信号と電圧制
御発振器の周波数信号を比較する位相比較器と、この位
相比較器の出力に応じて電流を供給する定電流回路と、
この定電流回路の出力電流によって駆動される半導体レ
ーザと、この半導体レーザと同一のパッケージ内に組み
込まれ、上記半導体レーザの発光パワーを検知する光電
変換素子と、との光電変換素子の検知出力に応じて所定
の周波数信号を出力する電圧制御発振器とを具備し、こ
の電圧制御発振器の出力周波数信号を上記位相比較器に
導入することを特徴としている。
御発振器の周波数信号を比較する位相比較器と、この位
相比較器の出力に応じて電流を供給する定電流回路と、
この定電流回路の出力電流によって駆動される半導体レ
ーザと、この半導体レーザと同一のパッケージ内に組み
込まれ、上記半導体レーザの発光パワーを検知する光電
変換素子と、との光電変換素子の検知出力に応じて所定
の周波数信号を出力する電圧制御発振器とを具備し、こ
の電圧制御発振器の出力周波数信号を上記位相比較器に
導入することを特徴としている。
〈実施例〉
以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第２図は、本発明の半導体レーザ駆動回路を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
可変周波数発振器４からの出力周波数と、電圧制御発振
器（以下ＶＣＯと記す）６からの出力周波数とが位相比
較器５に入力され、両売振器４゜６からの周波数による
位相差に比例した電圧が増幅器７に加えられて、増幅さ
れた出力が低域通過フィルタ８に通される。この低域通
過フィルタ８の出力は、定電流回路９に入力されるが、
定電流回路９は、上記位相比較器５の出力に比例した電
流を出力し、半導体レーザ１０はこの定電流回路９から
の電流の供給を受けて発光する。
器（以下ＶＣＯと記す）６からの出力周波数とが位相比
較器５に入力され、両売振器４゜６からの周波数による
位相差に比例した電圧が増幅器７に加えられて、増幅さ
れた出力が低域通過フィルタ８に通される。この低域通
過フィルタ８の出力は、定電流回路９に入力されるが、
定電流回路９は、上記位相比較器５の出力に比例した電
流を出力し、半導体レーザ１０はこの定電流回路９から
の電流の供給を受けて発光する。
そして、上記半導体レーザ１０と同一パッケージに組み
込まれた光電変換素子１１、例えばフォトダイオードは
、この半導体レーザ１０の発光の一部を受けて、発光パ
ワーに比例した電流を電圧に変換し、この出力は、所定
のレベルまで増幅する増幅器１２に入力される。この増
幅器１２の出力は、ＶＣＯ６に入力されることによって
出力周波数信号となり、上記位相比較器５に帰還される
。 １次に、動作について説明する。
込まれた光電変換素子１１、例えばフォトダイオードは
、この半導体レーザ１０の発光の一部を受けて、発光パ
ワーに比例した電流を電圧に変換し、この出力は、所定
のレベルまで増幅する増幅器１２に入力される。この増
幅器１２の出力は、ＶＣＯ６に入力されることによって
出力周波数信号となり、上記位相比較器５に帰還される
。 １次に、動作について説明する。
上記位相比較器５は、入力される可変周波数発振器４の
位相が進んだ時、す外わち、ＶＣＯ（ｉの位相が遅れた
時には、出力される電圧が増加する方向に変動し、逆忙
、位相が遅れた時、すなわち、ＶＣＯ６の位相が進んだ
時には、出力電圧が減少する方向に変・動する動作を示
す。いま、可変周波数発振器４が所定の周波数で発振し
、第２図□に示す位相比較器５とＶＣＯ６とを中心とし
た半導体ンーザ駆動回路が、ＰＩＪＴＪとしてロックイ
ン゛状態になった場合、ＶＣＯ６は入力信号に同期して
いるので、上記位相比較器５からは一定の電圧が発生す
る。そして、この定電圧は定電流回路９を経て半導体レ
ーザ１０に供給されるから、この半導体レーザ１０は一
定の発光パワーを維持できる。
位相が進んだ時、す外わち、ＶＣＯ（ｉの位相が遅れた
時には、出力される電圧が増加する方向に変動し、逆忙
、位相が遅れた時、すなわち、ＶＣＯ６の位相が進んだ
時には、出力電圧が減少する方向に変・動する動作を示
す。いま、可変周波数発振器４が所定の周波数で発振し
、第２図□に示す位相比較器５とＶＣＯ６とを中心とし
た半導体ンーザ駆動回路が、ＰＩＪＴＪとしてロックイ
ン゛状態になった場合、ＶＣＯ６は入力信号に同期して
いるので、上記位相比較器５からは一定の電圧が発生す
る。そして、この定電圧は定電流回路９を経て半導体レ
ーザ１０に供給されるから、この半導体レーザ１０は一
定の発光パワーを維持できる。
次に１この状態において、可変周波数発振器４の出力周
波数を高くした場合は、ＶＣＯ６からの出力周波数の位
相が遅れ、位相比較器５の出力電圧は増加する。従って
、定電流回路９から半導体レーザ１０に供給される電流
は増加し、発光パワーは増大する。そして、半導体レー
ザ１０の発光パワーの一部を受光する光電変換素子１１
の出力電流が増加し、増幅器７の出力電圧も上昇して、
ＶＣＯ６への入力電圧は増加する。
波数を高くした場合は、ＶＣＯ６からの出力周波数の位
相が遅れ、位相比較器５の出力電圧は増加する。従って
、定電流回路９から半導体レーザ１０に供給される電流
は増加し、発光パワーは増大する。そして、半導体レー
ザ１０の発光パワーの一部を受光する光電変換素子１１
の出力電流が増加し、増幅器７の出力電圧も上昇して、
ＶＣＯ６への入力電圧は増加する。
ところで、上記ＶＣＯ６は入力電圧に比例して出力周波
数を変化させるので、入力電圧が高くなれば、出力周波
数も必然的に高くなり、結局、上記可変周波数発振器４
の出力周波数信号と位相において一致することになる。
数を変化させるので、入力電圧が高くなれば、出力周波
数も必然的に高くなり、結局、上記可変周波数発振器４
の出力周波数信号と位相において一致することになる。
すなわち、この作用は可変周波数発振器４の周波数を高
くすれば、半導体レーザ１０の発光パワーが増加し、逆
に、上記可変周波数発振器４０周波数を低くすれば、半
導体レーザ１Ｇの発光パワーが減少することを示してい
る。従って、半導体レーザ１０の発光パワーは、可変周
波数発振器４の周波数を増減することによって制御可能
なことが判る。
くすれば、半導体レーザ１０の発光パワーが増加し、逆
に、上記可変周波数発振器４０周波数を低くすれば、半
導体レーザ１Ｇの発光パワーが減少することを示してい
る。従って、半導体レーザ１０の発光パワーは、可変周
波数発振器４の周波数を増減することによって制御可能
なことが判る。
以上、可変周波数発振器４０周波数を変化させた場合に
ついて説明したが、次に、上記可変周波数発振器４の発
振周波数を所定値に設定して、上記半導体レーザ１０の
発光パワーが一定値になるよう釦連続動作させた場合を
示す。この状態においては、可変周波数発振器４の周波
数を変化させない限り、位相比較器５の出力は一定であ
り、定電流回路９への入力電圧も一定となるので、半導
体レーザ１０への供給電流も一定に保たれる。従って、
半導体レーザ１０からの発光パワーは一定値に制御され
る。
ついて説明したが、次に、上記可変周波数発振器４の発
振周波数を所定値に設定して、上記半導体レーザ１０の
発光パワーが一定値になるよう釦連続動作させた場合を
示す。この状態においては、可変周波数発振器４の周波
数を変化させない限り、位相比較器５の出力は一定であ
り、定電流回路９への入力電圧も一定となるので、半導
体レーザ１０への供給電流も一定に保たれる。従って、
半導体レーザ１０からの発光パワーは一定値に制御され
る。
ところで、上記半導体レーザ１０への供給電流が一定に
保たれているにも拘らず、半導体レーザ１０自身が劣化
して発光パワーが減少した場合、この発光パワーを受け
る光電変換素子１１の出力は、劣化に比例して減少する
ので、ＶＣＯ６への入力電圧も必然的に減少し、このＶ
ＣＯＢからの出力位相は遅れてくる。すなわち、ｖｃｏ
６の出力周波数が下がってくることになる。そして、こ
のＶＣＯ（３の位相が遅れると、位相比較器５の出力は
反比例して増加し、結果として、半導体レーザ１０に供
給する電流が増加する。従って、半導体レーザ１０から
の発光パワーは増大し、最初の設定値、すなわち、半導
体レーザ１０の劣化前の値になるよう釦制御されてゆく
。以上の作用から、半導体レーザ１０が劣化して発光パ
ワーが減少しても、半導体レーザ１０への供給電流が増
加し、発光パワーは劣化前と同値に保たれることが判る
。
保たれているにも拘らず、半導体レーザ１０自身が劣化
して発光パワーが減少した場合、この発光パワーを受け
る光電変換素子１１の出力は、劣化に比例して減少する
ので、ＶＣＯ６への入力電圧も必然的に減少し、このＶ
ＣＯＢからの出力位相は遅れてくる。すなわち、ｖｃｏ
６の出力周波数が下がってくることになる。そして、こ
のＶＣＯ（３の位相が遅れると、位相比較器５の出力は
反比例して増加し、結果として、半導体レーザ１０に供
給する電流が増加する。従って、半導体レーザ１０から
の発光パワーは増大し、最初の設定値、すなわち、半導
体レーザ１０の劣化前の値になるよう釦制御されてゆく
。以上の作用から、半導体レーザ１０が劣化して発光パ
ワーが減少しても、半導体レーザ１０への供給電流が増
加し、発光パワーは劣化前と同値に保たれることが判る
。
次に、本発明による半導体レーザ駆動回路の具体的な実
施例を示す。
施例を示す。
第３図において、可変抵抗器１３はＶＣＯ８ｉ４への入
力電圧を設定する抵抗であり、上記Ｖ Ｃ０１１４の出
力が位相比較器１５及び低域通過フィルタ１６に入力さ
れる。ＰＮＰ型トランジスタ１７゜１８によって、定電
流回路が構成されてなる。レーザ１９は、第１図に示す
パッケージ３内に、半導体レーザ１とフォトダイオード
２すなわち、光電変換素子が組み込まれた構造となって
いる。上記フォトダイオード２には、第３図に示す通り
、出力電流を電圧に変換するための負荷抵抗２０が接続
されている。この負荷抵抗２０の出力電圧は、反転型増
幅器２１によって増幅される。上記反転型増幅器２１の
出力電圧を受けて、ｖＣ０２２２が動作する構成となっ
ている。 １ 以下、動作について説明する。
力電圧を設定する抵抗であり、上記Ｖ Ｃ０１１４の出
力が位相比較器１５及び低域通過フィルタ１６に入力さ
れる。ＰＮＰ型トランジスタ１７゜１８によって、定電
流回路が構成されてなる。レーザ１９は、第１図に示す
パッケージ３内に、半導体レーザ１とフォトダイオード
２すなわち、光電変換素子が組み込まれた構造となって
いる。上記フォトダイオード２には、第３図に示す通り
、出力電流を電圧に変換するための負荷抵抗２０が接続
されている。この負荷抵抗２０の出力電圧は、反転型増
幅器２１によって増幅される。上記反転型増幅器２１の
出力電圧を受けて、ｖＣ０２２２が動作する構成となっ
ている。 １ 以下、動作について説明する。
いま、可変抵抗器１３で設定された値により、レーザ１
９が一定のパワーで発光している場合、この可変抵抗器
１３を可変して出力電圧を下げてゆくと、ｖｃｏ、１４
の入力電圧は減少し、出力周波数が減少してゆく。この
時、上記ｖｃｏ、１４の位相は、ｖｃｏ２２２の位相に
対して遅れるので、この信号を受ける位相比較器１５及
び低域通過フィルタ１６の出力電圧は減少する。そして
、２つのＰＮＰ型トランジスタ１７．１８で構成される
定電流回路の出力電流は増加し、負荷抵抗２０から発生
する電圧は増加して、反転型増幅器２１の出力電圧は逆
に減少してゆく。そして、この出力電圧はＶＣＯ２２２
への入力電圧を下げることになるから、ｖｃｏ、２２の
出力周波数は必然的に減少し、結果的に、ＶＣＯ１１４
の・出力周波数と位相において一致して、レーザ１９の
発光パワーが増加したところで回路全体が安定すること
になる。同様に、上記可変抵抗器１３を可変して出力電
圧を上げると、レーザ１９の発光パワーが減少したとこ
ろで回路全体が安定する。
９が一定のパワーで発光している場合、この可変抵抗器
１３を可変して出力電圧を下げてゆくと、ｖｃｏ、１４
の入力電圧は減少し、出力周波数が減少してゆく。この
時、上記ｖｃｏ、１４の位相は、ｖｃｏ２２２の位相に
対して遅れるので、この信号を受ける位相比較器１５及
び低域通過フィルタ１６の出力電圧は減少する。そして
、２つのＰＮＰ型トランジスタ１７．１８で構成される
定電流回路の出力電流は増加し、負荷抵抗２０から発生
する電圧は増加して、反転型増幅器２１の出力電圧は逆
に減少してゆく。そして、この出力電圧はＶＣＯ２２２
への入力電圧を下げることになるから、ｖｃｏ、２２の
出力周波数は必然的に減少し、結果的に、ＶＣＯ１１４
の・出力周波数と位相において一致して、レーザ１９の
発光パワーが増加したところで回路全体が安定すること
になる。同様に、上記可変抵抗器１３を可変して出力電
圧を上げると、レーザ１９の発光パワーが減少したとこ
ろで回路全体が安定する。
なお、この実施例は、定電流回路にＰＮＰ型トー ９
− ランジスタ１７．１８を用いているので、第２図に示す
ブロック図で説明した動作とは逆になっている。すなわ
ち、第２図に示した回路では、可変周波数発振器４の出
力周波数を上昇させると、半導体レーザ１０の発光パワ
ーが増加したが、第３図に示す回路では、ｖｃｏ、１４
の周波数を高くした時に、レーザ１９の発光パワーが減
少する構成となっている。しかし、動作原理は同一であ
り、従って、同様の作用を生じ、回路全体の制御特性も
全く変るところはない。
− ランジスタ１７．１８を用いているので、第２図に示す
ブロック図で説明した動作とは逆になっている。すなわ
ち、第２図に示した回路では、可変周波数発振器４の出
力周波数を上昇させると、半導体レーザ１０の発光パワ
ーが増加したが、第３図に示す回路では、ｖｃｏ、１４
の周波数を高くした時に、レーザ１９の発光パワーが減
少する構成となっている。しかし、動作原理は同一であ
り、従って、同様の作用を生じ、回路全体の制御特性も
全く変るところはない。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザの
駆動回路に発生する振幅性のインパルス的なノイズ等が
半導体レーザに入力され女いので半導体レーザの破壊が
回避される。また、半導体レーザを最大定格出力付近で
使用する場合、特に１半導体レーザの破壊に対して効力
を発揮する。さらに、長時間使用によって半導体レーザ
が劣化し、発光パワーが減少しても、容易に補正される
から、安定した発光パワーを得ることができるという多
−１０− 大な効果がある。
駆動回路に発生する振幅性のインパルス的なノイズ等が
半導体レーザに入力され女いので半導体レーザの破壊が
回避される。また、半導体レーザを最大定格出力付近で
使用する場合、特に１半導体レーザの破壊に対して効力
を発揮する。さらに、長時間使用によって半導体レーザ
が劣化し、発光パワーが減少しても、容易に補正される
から、安定した発光パワーを得ることができるという多
−１０− 大な効果がある。
第１図は半導体レーザとフォトダイオードが同一のパッ
ケージに組み込まれた構成を示す回路図、第２図は本発
明の一実施例を示す半導体レーザ駆動回路のブロック図
、第３図は本発明の具体的実施例を示す回路図である。 ４・・可変周波数発振器、 ５・・位相比較器、 ６・・電圧制御発振器、 ７・・増幅器、 ８・・低域通過フィルタ、 １２・・増幅器、 ９・・定電流回路、 １０・・半導体レーザ、 １１・・光電変換素子。 特許出願人 シャープ株式会社 代 理 人 弁理士西１） 新 −１１−
ケージに組み込まれた構成を示す回路図、第２図は本発
明の一実施例を示す半導体レーザ駆動回路のブロック図
、第３図は本発明の具体的実施例を示す回路図である。 ４・・可変周波数発振器、 ５・・位相比較器、 ６・・電圧制御発振器、 ７・・増幅器、 ８・・低域通過フィルタ、 １２・・増幅器、 ９・・定電流回路、 １０・・半導体レーザ、 １１・・光電変換素子。 特許出願人 シャープ株式会社 代 理 人 弁理士西１） 新 −１１−
Claims (1)
- 可変周波数発振器の基準周波数信号と電圧制御発振器の
周波数信号を比較する位相比較器と、この位相比較器の
出力に応じて電流を供給する定電流回路さ、この定電流
回路の出力電流によって駆動される半導体レーザと、こ
の半導体レーザと同一パッケージ内に組み込まれ１．−
起生導体レーザの発光パワーを検知する光電変換素子と
、この光電変換素子の検知出力に応じて所定の周波数信
号を出力する電圧制御発振器とを具備し、この電圧制御
発振器の出力周波数信号を上記位相比較器に導入するこ
とを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12000883A JPS6010794A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12000883A JPS6010794A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010794A true JPS6010794A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14775617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12000883A Pending JPS6010794A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010794A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180233U (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-16 | ||
| JPS636317A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Maruei Sangyo Kk | 煙道内面の防▲蝕▼法 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP12000883A patent/JPS6010794A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180233U (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-16 | ||
| JPS636317A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Maruei Sangyo Kk | 煙道内面の防▲蝕▼法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4433308A (en) | PLL Detection circuit | |
| US4524335A (en) | Pulse-width modulation circuit with carrier signal frequency control | |
| JPH05504025A (ja) | レーザダイオード制御回路 | |
| KR20010041772A (ko) | 위상 검출기 | |
| KR100433634B1 (ko) | 전압 제어 발진기를 위한 적응형 루프 이득 제어 회로 | |
| US6975175B2 (en) | Charge pump | |
| JPS6010794A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| US6188739B1 (en) | Modified third order phase-locked loop | |
| JPS62109406A (ja) | 発振回路 | |
| US3386046A (en) | Automatic gain control circuit | |
| JPH05119856A (ja) | 半導体定電圧発生回路 | |
| JPH0535344A (ja) | 安定化電源回路 | |
| JP2638923B2 (ja) | 送信機出力制御回路 | |
| US20020021178A1 (en) | Phase-locked loop circuit having rate-of-change detector | |
| JPH0295016A (ja) | Ｐｌｌ回路 | |
| JPS6175580A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2656546B2 (ja) | 位相同期発振器 | |
| JPH046281B2 (ja) | ||
| KR0162845B1 (ko) | 고주파 캐리어 발진회로 | |
| JPH10270946A (ja) | 発振回路 | |
| JPS6253961B2 (ja) | ||
| JPH08139617A (ja) | Ａｍｅ送信機の送信出力制御回路 | |
| JPH0113238B2 (ja) | ||
| Dvornikov et al. | On the problem of oscillator phase-noise reduction | |
| JPH08265069A (ja) | 電力偏差補正方法及び電力偏差補正装置 |