JPS60108400A - 分子線結晶成長装置 - Google Patents
分子線結晶成長装置Info
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- JPS60108400A JPS60108400A JP21336783A JP21336783A JPS60108400A JP S60108400 A JPS60108400 A JP S60108400A JP 21336783 A JP21336783 A JP 21336783A JP 21336783 A JP21336783 A JP 21336783A JP S60108400 A JPS60108400 A JP S60108400A
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- Japan
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- molecular beam
- reflector
- crystal growth
- molecular
- heater
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、清浄な超高真空雰囲気中で基板上に原子・
分子・イオンビームを照射するととによシ、結晶成長を
行なわせる分子線結晶成長装置に関する。
分子・イオンビームを照射するととによシ、結晶成長を
行なわせる分子線結晶成長装置に関する。
一般に分子線結晶成長法の原理は、基本的には従来から
汎用されてきた真空蒸着法と同様の原理と考えられる。
汎用されてきた真空蒸着法と同様の原理と考えられる。
従来の真空蒸着法では、高品質のエピタキシャル結晶膜
を作成させることはできないが、分子線結晶成長法では
高速論理素子やオシドエレクトロニクス素子に用いられ
る高品質の結晶薄膜を作成することができる。
を作成させることはできないが、分子線結晶成長法では
高速論理素子やオシドエレクトロニクス素子に用いられ
る高品質の結晶薄膜を作成することができる。
このような分子線結晶成長法の優位性は、「清浄な超高
真空雰囲気」中で結晶成長を行なうことからもたらされ
ている。「清浄な超高真空雰囲気」という意味は、結晶
成長時に結晶を構成する元素と結晶の電気的特性を定め
る添加元素以外の原子・分子が、結晶成長中の膜上に入
射する割合と滞在する時間が極めて小さく、その結果、
結晶に取込まれる量が結晶の電気的・光学的特性に影響
を及はさない程度に少ないことを保証する真空雰囲気と
いうことを意味しているＯ 従って、分子線結晶成長装置として使用される超高真空
装置は炭化水素汚染の少ないドライ排気装置を有してお
シ、真空装置の真空容器には加熱・脱ガスが可能な金属
材料が使われている。又、真空装置内部の治具や機器も
清浄化された高純度の高温耐熱金属、セラミック材料な
どを用いて作られている。
真空雰囲気」中で結晶成長を行なうことからもたらされ
ている。「清浄な超高真空雰囲気」という意味は、結晶
成長時に結晶を構成する元素と結晶の電気的特性を定め
る添加元素以外の原子・分子が、結晶成長中の膜上に入
射する割合と滞在する時間が極めて小さく、その結果、
結晶に取込まれる量が結晶の電気的・光学的特性に影響
を及はさない程度に少ないことを保証する真空雰囲気と
いうことを意味しているＯ 従って、分子線結晶成長装置として使用される超高真空
装置は炭化水素汚染の少ないドライ排気装置を有してお
シ、真空装置の真空容器には加熱・脱ガスが可能な金属
材料が使われている。又、真空装置内部の治具や機器も
清浄化された高純度の高温耐熱金属、セラミック材料な
どを用いて作られている。
ところで従来の分子線結晶成長装置の典型例を示すと第
１図のようになシ、成長させる結晶の構成元素の種類に
対応した数の分子線発生セル３と、この分子線発生セル
２から放出させられた分子、原子が入射・滞積する基板
保持機構部１が主要な構成部分である。尚、清浄な雰囲
気を作るために分子線発生セル３と基板保持機構部１の
周囲にガス吸着機能を有する冷却シーラウド２が張ルめ
ぐらされている場合もある。
１図のようになシ、成長させる結晶の構成元素の種類に
対応した数の分子線発生セル３と、この分子線発生セル
２から放出させられた分子、原子が入射・滞積する基板
保持機構部１が主要な構成部分である。尚、清浄な雰囲
気を作るために分子線発生セル３と基板保持機構部１の
周囲にガス吸着機能を有する冷却シーラウド２が張ルめ
ぐらされている場合もある。
尚、図中４はシャッタ、５は熱反射リフレクタ、６は加
熱ヒータ、７は坩堝、８は熱電対、９は熱電対保護体、
１０は原子・分子線原料である。
熱ヒータ、７は坩堝、８は熱電対、９は熱電対保護体、
１０は原子・分子線原料である。
さて、上記従来の分子線結晶成長装置において使用され
ている、原子２分子を発生する分子線発生セルβを拡大
して示すと、第２図のように構成されている。即ち、ノ
々イロリテツク・ポロンナイトライドのような耐反応性
の高純度材料からなる坩堝７内には、原子・分子線原料
１０が充填されている。この原子・分子線原料１０を加
熱し蒸発あるいは昇華させるための加熱ヒータ６が、上
記坩堝７の外周に巻かれておシ、主に熱輻射線によシ坩
堝７を加熱するＯ史に、熱効率を高めるために、加熱ヒ
ータ６の外側には、高純度の高温耐熱金属である例えば
タンタル箔などを数重ねにしだ熱反射リフレクタ５が設
けられている。又、上記坩堝７の底部外側には、熱電対
保護体９が配設され、この熱電対保護体９の先端に設け
た熱電対８が坩堝７の底面に接触している。
ている、原子２分子を発生する分子線発生セルβを拡大
して示すと、第２図のように構成されている。即ち、ノ
々イロリテツク・ポロンナイトライドのような耐反応性
の高純度材料からなる坩堝７内には、原子・分子線原料
１０が充填されている。この原子・分子線原料１０を加
熱し蒸発あるいは昇華させるための加熱ヒータ６が、上
記坩堝７の外周に巻かれておシ、主に熱輻射線によシ坩
堝７を加熱するＯ史に、熱効率を高めるために、加熱ヒ
ータ６の外側には、高純度の高温耐熱金属である例えば
タンタル箔などを数重ねにしだ熱反射リフレクタ５が設
けられている。又、上記坩堝７の底部外側には、熱電対
保護体９が配設され、この熱電対保護体９の先端に設け
た熱電対８が坩堝７の底面に接触している。
第２図に示した従来構造のタンタル箔熱反射リフレクタ
５を備えた分子線発生セルグを加熱した場合、分子線発
生セル２から放出するガスの分析結果を第３図に示す。
５を備えた分子線発生セルグを加熱した場合、分子線発
生セル２から放出するガスの分析結果を第３図に示す。
第３図（ａ）は加熱前のパックグラウンドでオシ、超高
真空特有の水素分子強度の大きな質量分析パターンが見
られる。分子線発生セル？を６００℃に昇温加熱すると
、第３図（ｂ）に見られるようにＨ２，Ｈ２ＯｒＣＯな
どのガス放出量が増加しておシ、更に１３２０℃に昇温
すると、吸着水分は可成シ除去されるが、ＣＯは依然と
して残留している。これらの不純物ガスは、加熱ヒータ
６を包囲する熱反射リフレクタ５から放出されるのが大
部分である。
真空特有の水素分子強度の大きな質量分析パターンが見
られる。分子線発生セル？を６００℃に昇温加熱すると
、第３図（ｂ）に見られるようにＨ２，Ｈ２ＯｒＣＯな
どのガス放出量が増加しておシ、更に１３２０℃に昇温
すると、吸着水分は可成シ除去されるが、ＣＯは依然と
して残留している。これらの不純物ガスは、加熱ヒータ
６を包囲する熱反射リフレクタ５から放出されるのが大
部分である。
熱反射リフレクタ５の内側箔は加熱ヒータ６の輻射熱に
よシ高温脱ガス作用を受けるが、外側箔はりフレフタ箔
自身の熱反射作用によシ低い温度に保たれておシ、脱ガ
゛ス作用を受け難い。
よシ高温脱ガス作用を受けるが、外側箔はりフレフタ箔
自身の熱反射作用によシ低い温度に保たれておシ、脱ガ
゛ス作用を受け難い。
低温部のりフレフタ箔の脱ガス時間は材質にもよるが、
極めて長い時間を要する・ −例えば、厚さ０．１間の
タンタル箔の放出ガスが５チに減少する時間は、２００
℃で２．８Ｘ１０”（１１５日）となる。
極めて長い時間を要する・ −例えば、厚さ０．１間の
タンタル箔の放出ガスが５チに減少する時間は、２００
℃で２．８Ｘ１０”（１１５日）となる。
従来の分子線発生セル旦では、こうした問題を高純度タ
ンタル箔の使用によシ克月艮しようと試みてきたが、よ
シ有効な清浄イし処理は超高真空中における加熱脱ガス
である。而も、大気汚染の少ない分子線結晶成長装置内
部での清浄イし処理が、よシ望ましいと云える。し力）
シ、上Ｂ己のようなりフレフタ低温部の脱ガス問題カニ
解決されていないだめ、所望の高純度分子線発生セルは
未だ得られていカい。ちなみに化合物半導体ＧａＡａを
１μｍ／Ｉｌｒの速度で成長させる場合に取込まれるＣ
Ｏ不純物濃度を１０１３個Ａ−以下にするには、不純物
ガスを１Ｏ−１５Ｔｏｒｒ以下の分圧に抑えなければな
らない。実際には、付着係数の問題があシ、入射不純物
全音トカ；取込まれる訳けではないが、活性なＡｔを含
むＱ ａＡｔＡ ８の場合などは、ＧａＡｓよシ深刻な
影響を受けている場合が多い。
ンタル箔の使用によシ克月艮しようと試みてきたが、よ
シ有効な清浄イし処理は超高真空中における加熱脱ガス
である。而も、大気汚染の少ない分子線結晶成長装置内
部での清浄イし処理が、よシ望ましいと云える。し力）
シ、上Ｂ己のようなりフレフタ低温部の脱ガス問題カニ
解決されていないだめ、所望の高純度分子線発生セルは
未だ得られていカい。ちなみに化合物半導体ＧａＡａを
１μｍ／Ｉｌｒの速度で成長させる場合に取込まれるＣ
Ｏ不純物濃度を１０１３個Ａ−以下にするには、不純物
ガスを１Ｏ−１５Ｔｏｒｒ以下の分圧に抑えなければな
らない。実際には、付着係数の問題があシ、入射不純物
全音トカ；取込まれる訳けではないが、活性なＡｔを含
むＱ ａＡｔＡ ８の場合などは、ＧａＡｓよシ深刻な
影響を受けている場合が多い。
−・・・１ 偏→１ｒ山Ｑｕｒ出イスの権めて少ない分
子線発生セルを有する分子線結晶成長装置を提供するこ
とである◎ 〔発明の概要〕 この発明は、分子線発生セルの熱反射リフレクタに強制
冷却機能を付加することにょシ、放出不純物ガスの低減
化を図った分子線結晶成長装置である。
子線発生セルを有する分子線結晶成長装置を提供するこ
とである◎ 〔発明の概要〕 この発明は、分子線発生セルの熱反射リフレクタに強制
冷却機能を付加することにょシ、放出不純物ガスの低減
化を図った分子線結晶成長装置である。
この発明の分子線結晶成長装置も、従来と同様に、基板
保持機構部に対向して複数の分子線発生セルが配設され
、必要に応じ清浄な雰囲気を作るために、上記基板保持
機構部と分子線発生セルの周囲には、ガス吸着機能を有
する冷却シュラウドが設けられている。
保持機構部に対向して複数の分子線発生セルが配設され
、必要に応じ清浄な雰囲気を作るために、上記基板保持
機構部と分子線発生セルの周囲には、ガス吸着機能を有
する冷却シュラウドが設けられている。
上記分子線発生セルは、この発明では第４図に示すよう
に構成され、従来例（第２図）と同一箇所は同一符号を
付すことにする。即ち、・やイロリテック・ポロンナイ
トライド（Ｐ −ＢＮ ）のような耐反応性の高純度材
料からなる坩堝７内には、原子・分子線原料１ｏが充填
されている。
に構成され、従来例（第２図）と同一箇所は同一符号を
付すことにする。即ち、・やイロリテック・ポロンナイ
トライド（Ｐ −ＢＮ ）のような耐反応性の高純度材
料からなる坩堝７内には、原子・分子線原料１ｏが充填
されている。
この坩堝７の外周には加熱ヒータ６が巻かれている◎と
の加熱ヒータ６は上記原子・分子線原料１０を加熱し蒸
発あるいは昇華させるためのもので、主に熱輻射線によ
シ坩堝７を加熱するが、この発明では図示のようにヒー
タ保持体１３に保持されている。このヒータ保持体１３
はパイロリテック・ボロンナイトライド（Ｐ−ＢＮ）か
らなシ、内面に螺旋状溝を有し、との溝内に上記加熱ヒ
ータ１６が固定されている。この加熱ヒータ６つまシヒ
ータ保持体１３の外側には、熱反射リフレクタ１２が配
設されている。この熱反射リフレクタ１２は熱反射機能
と強制冷却機能を有し、第５図に示すように構成されて
いる。即ち、２重構造の有−底筒状にして、底部２３に
は両端に冷却媒体供給パイプ１８と冷却媒体排出パイプ
１９が取付けられている。更に、底部２３には中央に熱
電対保持体用透孔２０、その両側に加熱ヒータ用透孔２
ノ、リフレクタ支持体用透孔２２がそれぞれ穿設されて
いる。
の加熱ヒータ６は上記原子・分子線原料１０を加熱し蒸
発あるいは昇華させるためのもので、主に熱輻射線によ
シ坩堝７を加熱するが、この発明では図示のようにヒー
タ保持体１３に保持されている。このヒータ保持体１３
はパイロリテック・ボロンナイトライド（Ｐ−ＢＮ）か
らなシ、内面に螺旋状溝を有し、との溝内に上記加熱ヒ
ータ１６が固定されている。この加熱ヒータ６つまシヒ
ータ保持体１３の外側には、熱反射リフレクタ１２が配
設されている。この熱反射リフレクタ１２は熱反射機能
と強制冷却機能を有し、第５図に示すように構成されて
いる。即ち、２重構造の有−底筒状にして、底部２３に
は両端に冷却媒体供給パイプ１８と冷却媒体排出パイプ
１９が取付けられている。更に、底部２３には中央に熱
電対保持体用透孔２０、その両側に加熱ヒータ用透孔２
ノ、リフレクタ支持体用透孔２２がそれぞれ穿設されて
いる。
そして第４図に示すように、上記熱電対保護体用透孔２
０には棒状の熱電対保護体９が貫通して挿入され、との
熱電対保護体９の先端に設けた熱電対８が上記坩堝７の
底面に接している・又、上記加熱ヒータ用透孔２１には
上記加熱ヒータ６の一端が貫通して挿入され、この一端
は更に加熱ヒータ用電流供給体１４に接続されている。
０には棒状の熱電対保護体９が貫通して挿入され、との
熱電対保護体９の先端に設けた熱電対８が上記坩堝７の
底面に接している・又、上記加熱ヒータ用透孔２１には
上記加熱ヒータ６の一端が貫通して挿入され、この一端
は更に加熱ヒータ用電流供給体１４に接続されている。
又、上記リフレクタ支持体用透孔２２には、リフレクタ
支持体１５が貫通して挿入されている。
支持体１５が貫通して挿入されている。
既述のように、上記熱反射リフレクタ１２は２重構造の
筒状であるため内壁と外壁との間の空胴内には、冷却媒
体供給ノ９イゾ１８よシ後述のような冷却媒体１６が充
填され、冷却媒体排出パイｆ１９よシ排出されるように
なっている・この結果、動作時には、加熱ヒータ６から
の熱輻射線は熱反射リフレクタ１２の内面１７によシ反
射され、坩堝７の加熱エネルギーとして用いられる。反
射されずに内面１７で吸収された熱エネルギーは、冷却
媒体１６によシ熱交換されて外部へ運ばれ、熱反射リフ
レクタ１２の温度上昇を抑制することができる。
筒状であるため内壁と外壁との間の空胴内には、冷却媒
体供給ノ９イゾ１８よシ後述のような冷却媒体１６が充
填され、冷却媒体排出パイｆ１９よシ排出されるように
なっている・この結果、動作時には、加熱ヒータ６から
の熱輻射線は熱反射リフレクタ１２の内面１７によシ反
射され、坩堝７の加熱エネルギーとして用いられる。反
射されずに内面１７で吸収された熱エネルギーは、冷却
媒体１６によシ熱交換されて外部へ運ばれ、熱反射リフ
レクタ１２の温度上昇を抑制することができる。
上記の場合、使用される冷却媒体１６は水、液体窒素、
いずれも使用できる。液体窒素を使用すれば、冷却機能
に不純物ガスの低温吸着機能を付加することができる。
いずれも使用できる。液体窒素を使用すれば、冷却機能
に不純物ガスの低温吸着機能を付加することができる。
従来、分子線発生セル３の熱反射リフレクタ５が単なる
熱反射効率を高める機能しか有し得なかったのに比較し
、この発明による低温吸着機能は分子線発生セルを積極
的に清浄化する機能を伺加したことになるＯ 上記リフレクタ１２の材質は、高熱伝導率を有する高純
度材質、例えば銅のような金属が選ばれるが、坩堝７の
加熱温度によっては、タンタル、モリブデン、ステンレ
スのような金属を用いるととも可能である。即ち、従来
の分子線発生セル！のりフレフタ５の材質は高温耐熱性
という特性からもつほらタンタル、モリブデンの高温耐
熱金属に種類が限定されていたが、この発明では強制冷
却機能を付加したので、リフレクタ１２の材質は必ずし
も耐熱性を要求するものではなく、従来のりフレフタ５
の材質に比較し、よシ自由度の高い材質の選択が可能と
なった。
熱反射効率を高める機能しか有し得なかったのに比較し
、この発明による低温吸着機能は分子線発生セルを積極
的に清浄化する機能を伺加したことになるＯ 上記リフレクタ１２の材質は、高熱伝導率を有する高純
度材質、例えば銅のような金属が選ばれるが、坩堝７の
加熱温度によっては、タンタル、モリブデン、ステンレ
スのような金属を用いるととも可能である。即ち、従来
の分子線発生セル！のりフレフタ５の材質は高温耐熱性
という特性からもつほらタンタル、モリブデンの高温耐
熱金属に種類が限定されていたが、この発明では強制冷
却機能を付加したので、リフレクタ１２の材質は必ずし
も耐熱性を要求するものではなく、従来のりフレフタ５
の材質に比較し、よシ自由度の高い材質の選択が可能と
なった。
又、上記り７レクタ１２の内面（熱反射面）１２は、従
来と同様に鏡面加工処理を施すことによシ、反射率を高
めることができる。従来、分子線発生セル！のりフレフ
タ５の鏡面状態は、熱酸化、熱変成などの作用にょシ変
化し、反射率が低下する場合が多かったが、この発明の
分子線発生セルのりフレフタ１２は強制冷却機能が付加
されているため、熱的な劣化を抑制することが可能とな
シ、高反射率を有する鏡面状態を保持することができる
ようになった。
来と同様に鏡面加工処理を施すことによシ、反射率を高
めることができる。従来、分子線発生セル！のりフレフ
タ５の鏡面状態は、熱酸化、熱変成などの作用にょシ変
化し、反射率が低下する場合が多かったが、この発明の
分子線発生セルのりフレフタ１２は強制冷却機能が付加
されているため、熱的な劣化を抑制することが可能とな
シ、高反射率を有する鏡面状態を保持することができる
ようになった。
又、上記のように分子線発生セルのりフレフタ１２は強
制冷却されているため、高反射率を有する材料の被覆加
工処理が可能となった。従来の分子線発生セル！のり７
レクタ５は、高温状態において蒸発・昇華、熱歪・劣化
・反応の小さい材質しか扱えなかったため、もっばらタ
ンタル、モリブデンのみの母材で構成され、高反射率材
料の被覆加工処理は殆どなされていない。
制冷却されているため、高反射率を有する材料の被覆加
工処理が可能となった。従来の分子線発生セル！のり７
レクタ５は、高温状態において蒸発・昇華、熱歪・劣化
・反応の小さい材質しか扱えなかったため、もっばらタ
ンタル、モリブデンのみの母材で構成され、高反射率材
料の被覆加工処理は殆どなされていない。
しかしとの発明では、分子線発生セルのりフレフタ１２
の内面１７に高反射率被膜（図示せず）が形成されてい
る。この場合、高反射率被膜の材質は％ Ａｕ ｒ Ａ
ｌ１ Ａｇ ＋ ＭｇＯ、ＴｉＮ２等の高反射率を有す
る金属、酸化物、窒化物の単層又は多層膜が選ばれてい
る。この高反射率被膜処理を施すことによシ、反射率に
波長選択性をもたせることもでき、効率的に熱輻射エネ
ルギーを反射させることができる。単に、単層被膜処理
を施すだけでも、白熱温度からの輻射エネルギーの９３
〜９８チを反射させることも可能である。そして、この
発明では、分子線発生セルのりフレフタ１２は強制冷却
されているため、高反射率被膜の高温による面状態の変
化、被膜組成の変化を避けることができるため、所望の
反射率を保持することができる。
の内面１７に高反射率被膜（図示せず）が形成されてい
る。この場合、高反射率被膜の材質は％ Ａｕ ｒ Ａ
ｌ１ Ａｇ ＋ ＭｇＯ、ＴｉＮ２等の高反射率を有す
る金属、酸化物、窒化物の単層又は多層膜が選ばれてい
る。この高反射率被膜処理を施すことによシ、反射率に
波長選択性をもたせることもでき、効率的に熱輻射エネ
ルギーを反射させることができる。単に、単層被膜処理
を施すだけでも、白熱温度からの輻射エネルギーの９３
〜９８チを反射させることも可能である。そして、この
発明では、分子線発生セルのりフレフタ１２は強制冷却
されているため、高反射率被膜の高温による面状態の変
化、被膜組成の変化を避けることができるため、所望の
反射率を保持することができる。
この発明によれば、分子線発生セルの熱反則リフレクタ
１２に強制冷却機能を伺加しているため、次のような優
れた効果がイ０られる。
１２に強制冷却機能を伺加しているため、次のような優
れた効果がイ０られる。
■ リフレクタ１２が高温にならず、従って分子線結晶
成長装置の内部に放出される不純物ガス量を低減できる
。
成長装置の内部に放出される不純物ガス量を低減できる
。
■ 分子線結晶成長装置内を「清浄な超高真空雰囲気」
に保持できるため、高品質の結晶を成長させることがで
きる。
に保持できるため、高品質の結晶を成長させることがで
きる。
■ リフレクタ１２の使用材質が高温耐熱材質でなくて
もよく、自由に選択できることになる。
もよく、自由に選択できることになる。
■ リフレクタ１２の熱劣化による反射率の低下を防ぐ
ことができる。
ことができる。
■ リフレクタ１２の内面１７に、耐熱材質にとられれ
ずに、高反射率被膜処理を施すことができる。 ゛ ■ 高反射率増加と、不純物ガスの放出低域と、不純物
ガスの吸着という３つの機能を持たせることができる。
ずに、高反射率被膜処理を施すことができる。 ゛ ■ 高反射率増加と、不純物ガスの放出低域と、不純物
ガスの吸着という３つの機能を持たせることができる。
第１図は従来及びこの発明を説明するために用いる分子
線結晶成長装置を示す断面図、第２図は従来の分子線結
晶成長装置に使用されている分子線発生セルを示す断面
図、第３図は従来の分子線発生セルから放出されたガス
の質量分析結果を示す特性曲線図、第４図はこの発明の
一実施例に係る分子線結晶成長装置に使用する分子線発
生セルを示す断面図、第５図は第４図の分子線発生セル
の要部（熱反射リフレクタ）を示す斜視図である。 ６・・・加熱ヒータ、７・・・坩堝、８・・・熱電対、
９・・・熱電対保護体、１０・・・原子・分子線原料、
１ノ・・・熱伝導遮蔽リング、１２・・・熱反射リフレ
クタ、１３・・・ヒータ保持体、１４・・・加熱ヒータ
用電流供給体、１５・・・リフレクタ支持体、１６・・
・冷却媒体、１８・・・冷却媒体供給パイプ、１９・・
・冷却媒体排出パイプ、２０・・・熱電対保護体用透孔
、２ノ・・・加熱ヒータ用透孔、２２・・・リフレクタ
支持体用透孔。 出願人代理人 弁理士、： Ｍ（°江 武 彦第１図 第２図 第４図 第５図 ７
線結晶成長装置を示す断面図、第２図は従来の分子線結
晶成長装置に使用されている分子線発生セルを示す断面
図、第３図は従来の分子線発生セルから放出されたガス
の質量分析結果を示す特性曲線図、第４図はこの発明の
一実施例に係る分子線結晶成長装置に使用する分子線発
生セルを示す断面図、第５図は第４図の分子線発生セル
の要部（熱反射リフレクタ）を示す斜視図である。 ６・・・加熱ヒータ、７・・・坩堝、８・・・熱電対、
９・・・熱電対保護体、１０・・・原子・分子線原料、
１ノ・・・熱伝導遮蔽リング、１２・・・熱反射リフレ
クタ、１３・・・ヒータ保持体、１４・・・加熱ヒータ
用電流供給体、１５・・・リフレクタ支持体、１６・・
・冷却媒体、１８・・・冷却媒体供給パイプ、１９・・
・冷却媒体排出パイプ、２０・・・熱電対保護体用透孔
、２ノ・・・加熱ヒータ用透孔、２２・・・リフレクタ
支持体用透孔。 出願人代理人 弁理士、： Ｍ（°江 武 彦第１図 第２図 第４図 第５図 ７
Claims (2)
- （１）少なくとも、基板保持機構部と、内部に原子・分
子線原料を充填した坩堝の外周に加熱ヒータを巻回し、
この加熱ヒータの外側に筒状の熱反射リフレクタを設け
てなる分子線発生セルとを複数個対向して配設した分子
線結晶成長装置において、 上記熱反射リフレクタに強制冷却手段を付加したことを
特徴とする分子線結晶成長装置。 - （２）上記熱反射リフレクタの内面に、高反射率を有す
る金属、酸化金属、窒化金属の単層又は多層膜からなる
高反射率被膜を形成した特許請求の範囲第１項記載の分
子線結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21336783A JPS60108400A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21336783A JPS60108400A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 分子線結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60108400A true JPS60108400A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16638004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21336783A Pending JPS60108400A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60108400A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4944246A (en) * | 1988-03-30 | 1990-07-31 | Rohm Co., Ltd. | Molecular beam epitaxy apparatus |
| US5007372A (en) * | 1987-12-04 | 1991-04-16 | Research Development Corporation | Vacuum depositing apparatus |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP21336783A patent/JPS60108400A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5007372A (en) * | 1987-12-04 | 1991-04-16 | Research Development Corporation | Vacuum depositing apparatus |
| US4944246A (en) * | 1988-03-30 | 1990-07-31 | Rohm Co., Ltd. | Molecular beam epitaxy apparatus |
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