JPS60112695A - 化合物単結晶の引上方法 - Google Patents
化合物単結晶の引上方法Info
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- JPS60112695A JPS60112695A JP58219744A JP21974483A JPS60112695A JP S60112695 A JPS60112695 A JP S60112695A JP 58219744 A JP58219744 A JP 58219744A JP 21974483 A JP21974483 A JP 21974483A JP S60112695 A JPS60112695 A JP S60112695A
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Classifications
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分跨）
本発明は、蒸気圧の高い構成元素（以下、揮発性（Ｉ４
構成素と称す）を有するＩｌｌ −Ｖ族化合物単結晶を
チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と称す）により育成
する装置ηに関するものである。
構成素と称す）を有するＩｌｌ −Ｖ族化合物単結晶を
チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と称す）により育成
する装置ηに関するものである。
（背景技術）
単結晶のＣＺ法による引上げ方法の一つとしで、液体シ
ール相（例、Ｂ２ｏ３副！液）をシール口として用いる
ホットウォール法がある。この方法は第１図に例を示す
ようなイ黄進を持った密閉容Ｒｇ Ｉ内に揮発性構成元
素（例、Ａｓ等）蒸シＣを満たし、その容器１内で引上
げを実施する。図においで、密閉容器１の内部には、原
料融液２を収容したるつぼ３、その上方に回転しながら
引上げる引上軸４が設けられ、引上軸４の下端には種結
晶５が取付けられている。容器ｌは側壁の部分で上、下
に分割され、その開口部および引上軸部にシール部６お
よび７が設けられ、液体シール材（例、Ｂ２Ｏ３融液）
８でシールされている。そして種結晶５を原料融液２の
表面に浸漬し、なじませた後、種結晶５を回転させなが
ら単結晶を引上げる。
ール相（例、Ｂ２ｏ３副！液）をシール口として用いる
ホットウォール法がある。この方法は第１図に例を示す
ようなイ黄進を持った密閉容Ｒｇ Ｉ内に揮発性構成元
素（例、Ａｓ等）蒸シＣを満たし、その容器１内で引上
げを実施する。図においで、密閉容器１の内部には、原
料融液２を収容したるつぼ３、その上方に回転しながら
引上げる引上軸４が設けられ、引上軸４の下端には種結
晶５が取付けられている。容器ｌは側壁の部分で上、下
に分割され、その開口部および引上軸部にシール部６お
よび７が設けられ、液体シール材（例、Ｂ２Ｏ３融液）
８でシールされている。そして種結晶５を原料融液２の
表面に浸漬し、なじませた後、種結晶５を回転させなが
ら単結晶を引上げる。
この方法では、従来密閉容器１として石英を用いていた
ため、例えばＧａＡｓ単結晶引上げの場合、−次式のよ
うな反応により容器の石英と反応し、ＳｉがＧａＡｓ融
液中に混入し、例えばアンドープ半絶縁性基板用単結晶
の製造が困難であった。
ため、例えばＧａＡｓ単結晶引上げの場合、−次式のよ
うな反応により容器の石英と反応し、ＳｉがＧａＡｓ融
液中に混入し、例えばアンドープ半絶縁性基板用単結晶
の製造が困難であった。
４Ｇａ（ｉｎ ＧａＡ＋； ｍｅｌｌ ） ＋５ｉ０２
（Ｓ） ｘ’２Ｇａ２０（ｇ） ＋ Ｓｉ、 （ｉｎ
ＧａＡｓ ｍｅｌｔ ）この石英以外の容器としてパ
イロリティック、ボロンナイトライド（ＰＢＮと称す）
があるが、これ社高価で、かつ加工が困難であるため、
形状が限定され、しかも不透明であるだめ、容器自体が
不透明となり、容器内部の光学的な単結晶の監視が不可
能であった。
（Ｓ） ｘ’２Ｇａ２０（ｇ） ＋ Ｓｉ、 （ｉｎ
ＧａＡｓ ｍｅｌｔ ）この石英以外の容器としてパ
イロリティック、ボロンナイトライド（ＰＢＮと称す）
があるが、これ社高価で、かつ加工が困難であるため、
形状が限定され、しかも不透明であるだめ、容器自体が
不透明となり、容器内部の光学的な単結晶の監視が不可
能であった。
又密閉容器１内に満たされている、例えばＡｓ蒸気等は
引上げ前に予め過剰にチャージされた固体Ａｓ等により
供給されたものであり、引上げ中のＡｓ等の蒸気圧は制
御されていないため、引上単結晶の組成制御ができない
ので、不純物、固有欠陥、結晶欠陥の少ない高品質の単
結晶を製造することが困難であった。
引上げ前に予め過剰にチャージされた固体Ａｓ等により
供給されたものであり、引上げ中のＡｓ等の蒸気圧は制
御されていないため、引上単結晶の組成制御ができない
ので、不純物、固有欠陥、結晶欠陥の少ない高品質の単
結晶を製造することが困難であった。
（発明の開示）
本発明は、上述の問題点を解決するため成されたもので
、密閉容器から原料融液への電気的に活性な不純物の汚
染がなく、密閉容器内の揮発性構成元素の蒸気圧を制御
して原料融液の組成を制御し、かつ引上げ中の単結晶を
Ｘ線透視により監視することにより、不純物、結晶欠陥
の少ない高品質の化合物単結晶を製造し得る引上方法を
提供せんとするものである。
、密閉容器から原料融液への電気的に活性な不純物の汚
染がなく、密閉容器内の揮発性構成元素の蒸気圧を制御
して原料融液の組成を制御し、かつ引上げ中の単結晶を
Ｘ線透視により監視することにより、不純物、結晶欠陥
の少ない高品質の化合物単結晶を製造し得る引上方法を
提供せんとするものである。
本発明は、密閉容器内に単結晶育成部が収容され、該容
器の軸部および／′又は開口部が液体シール材によりシ
ールされ、該容器内部を化合物の揮発性構成元素蒸気囲
気とじてチョクラルスキー法により化合物単結晶を引上
げる方法において、前記密閉容器内に前記揮発性構成元
素蒸気を供給するためのリザーバーを設け、核部の温度
制御により前記密閉容器内の前記構成元素蒸気圧を制御
し、前記密閉容器の少なくとも前記構成元素蒸気に曝さ
れる部分が前記化合物構成元素と同族の元素より成る材
質から構成され、前記密閉容器を含むホットゾーン全体
が前記単結晶のＸ線吸収係数の１／２以下のＸ線吸収係
数を有する材料から成り、かつ前記材料の厚みを、前記
ホットゾーン全体のＸ線透過率が６０チ以」二になるよ
うな厚みとし、引」二げ中の小結晶をＸ線透視により監
視することを特徴とする化合物単結晶の引上方法である
。
器の軸部および／′又は開口部が液体シール材によりシ
ールされ、該容器内部を化合物の揮発性構成元素蒸気囲
気とじてチョクラルスキー法により化合物単結晶を引上
げる方法において、前記密閉容器内に前記揮発性構成元
素蒸気を供給するためのリザーバーを設け、核部の温度
制御により前記密閉容器内の前記構成元素蒸気圧を制御
し、前記密閉容器の少なくとも前記構成元素蒸気に曝さ
れる部分が前記化合物構成元素と同族の元素より成る材
質から構成され、前記密閉容器を含むホットゾーン全体
が前記単結晶のＸ線吸収係数の１／２以下のＸ線吸収係
数を有する材料から成り、かつ前記材料の厚みを、前記
ホットゾーン全体のＸ線透過率が６０チ以」二になるよ
うな厚みとし、引」二げ中の小結晶をＸ線透視により監
視することを特徴とする化合物単結晶の引上方法である
。
本発明により育成される単結晶は、揮発性］７４成元素
を有する化合物、例えば周期律表のＩＩ −Ｖ族化合物
（例、ＧｆｌＡｓ 、 ＧａＰ 、 ＩｎＡｓ 、 Ｉ
ｎＰ等）より成る単結晶である。
を有する化合物、例えば周期律表のＩＩ −Ｖ族化合物
（例、ＧｆｌＡｓ 、 ＧａＰ 、 ＩｎＡｓ 、 Ｉ
ｎＰ等）より成る単結晶である。
以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。第
２図は本発明方法の実施例を説明するための縦断面図で
ある。図において第１図と同一の符号はそれぞれ同一の
部分を示す。本発明に用いられる単結晶引上装置は第１
図と同様なポットウオール法による装置であるが、これ
に限定されるものではない。密閉容器１の内部には、化
合物の揮発性構成元素（例、Ａｓ等）を供給するための
リザーバー９が設けられる。そしてこの部分の温度をリ
ザーバー加熱用ヒーター＋ ＯＶＣより単結晶用」二げ
部の温度とは独立して制御することにより、密閉容器１
内の構成元素の蒸気圧を制御し、これにより引上げ中の
原料融液２の化学ｉｉＹ論的組成からのずれを防ｌ卜す
る。
２図は本発明方法の実施例を説明するための縦断面図で
ある。図において第１図と同一の符号はそれぞれ同一の
部分を示す。本発明に用いられる単結晶引上装置は第１
図と同様なポットウオール法による装置であるが、これ
に限定されるものではない。密閉容器１の内部には、化
合物の揮発性構成元素（例、Ａｓ等）を供給するための
リザーバー９が設けられる。そしてこの部分の温度をリ
ザーバー加熱用ヒーター＋ ＯＶＣより単結晶用」二げ
部の温度とは独立して制御することにより、密閉容器１
内の構成元素の蒸気圧を制御し、これにより引上げ中の
原料融液２の化学ｉｉＹ論的組成からのずれを防ｌ卜す
る。
次に、密閉容器ｌを構成する月質としで、少なくとも揮
発ｊｌＪＨｇ成元素蒸気ＶＣｌ］ｌされる部分（内面等
）が引」−げる化合物単結晶の構成元素と等電子的な同
族元素より成る材質（例、ボロンナイトライド（ＢＮと
称す）、ＰＢＮ等上から成るもので、これら（例、ＩＩ
Ｎ、ＰＢＮ等）の単体又はこれらのコーティングを施し
たグラファイト、石英等が用いられる。
発ｊｌＪＨｇ成元素蒸気ＶＣｌ］ｌされる部分（内面等
）が引」−げる化合物単結晶の構成元素と等電子的な同
族元素より成る材質（例、ボロンナイトライド（ＢＮと
称す）、ＰＢＮ等上から成るもので、これら（例、ＩＩ
Ｎ、ＰＢＮ等）の単体又はこれらのコーティングを施し
たグラファイト、石英等が用いられる。
これにより密閉容器から原料融液への電気的に活性な不
純物の汚染が防止される。
純物の汚染が防止される。
さらに、密閉容器ｌを含むホットゾーン全体（外側チャ
ンバー、密閉容器１、サセプター、るつぼ３等）を構成
する材料のＸ線吸収係数が引上げ単結晶のＸ線吸収係数
のＩ／２以下となるようにホットゾーン全体の材質、厚
みを選ぶ。同時に、ホットゾーン全体のＸ線透過率が６
０％以」二になるような厚みにする。このようにホット
ゾーン全体を構成するのは、不透明な密閉容器１内の単
結晶監視をＸ線透視により可能にするためである。ホッ
トゾーン全体を構成する材料のＸ線吸収係数が単結晶の
それの】／２を越えると、Ｘ線透視による引上げ結晶の
外形の透視がきわめて困難になる。
ンバー、密閉容器１、サセプター、るつぼ３等）を構成
する材料のＸ線吸収係数が引上げ単結晶のＸ線吸収係数
のＩ／２以下となるようにホットゾーン全体の材質、厚
みを選ぶ。同時に、ホットゾーン全体のＸ線透過率が６
０％以」二になるような厚みにする。このようにホット
ゾーン全体を構成するのは、不透明な密閉容器１内の単
結晶監視をＸ線透視により可能にするためである。ホッ
トゾーン全体を構成する材料のＸ線吸収係数が単結晶の
それの】／２を越えると、Ｘ線透視による引上げ結晶の
外形の透視がきわめて困難になる。
又ホラ１−ゾーン全体のＸ線透過率が６０チ未満では透
視像のコントラヌトがきわめて低下し、Ｘ線検出器の十
分な検出感度が得られない。
視像のコントラヌトがきわめて低下し、Ｘ線検出器の十
分な検出感度が得られない。
に設置したＸ線検出器により検出する。
（実施例）
第十図に示すような単結晶引」二装置を用い、アンドー
プ半絶縁性ＧａＡｓ単結晶をＣＺ法により引上げた。
プ半絶縁性ＧａＡｓ単結晶をＣＺ法により引上げた。
外側チャンバーとして外？１２８０ ｍｍのステ〜ンレ
ス鋼（ＳＵＳ３０４．厚み４ ｔａｕｔ ）製のものを
用い、その内部にｎＮ製の外径１５０ ａｍ、厚み６朋
の密閉容器１を設け、液体シール材８としてＢ２Ｏ３融
液を用いた。
ス鋼（ＳＵＳ３０４．厚み４ ｔａｕｔ ）製のものを
用い、その内部にｎＮ製の外径１５０ ａｍ、厚み６朋
の密閉容器１を設け、液体シール材８としてＢ２Ｏ３融
液を用いた。
るつぼ３としてｐｎＮ製のものを用い、るつぼ加熱用発
熱体として厚み８ ｍｍのカーボンヒーターを使用した
。
熱体として厚み８ ｍｍのカーボンヒーターを使用した
。
密閉容器ｌ内のリバーブ−９に約５０９の週刊Ａｓをチ
ャージし、引上げ中、この部分の温度を約６１７°Ｃに
保持して密閉容器ｌ内のＡｓ蒸気圧を約１気圧に保持し
た。
ャージし、引上げ中、この部分の温度を約６１７°Ｃに
保持して密閉容器ｌ内のＡｓ蒸気圧を約１気圧に保持し
た。
炉内の単結晶監視には、Ｘ線透過装置（Ｘ線管電圧＋
０５ｋＶ 、 ２ ｍ＋Ａ ）を使用し、第３図に示す
ような単結晶モニター画面により監視した。図において
、１１は原料融液、１２は種結、晶、Ｉ３は単結晶、１
４はＰＢＮ製るつぼ壁である。
０５ｋＶ 、 ２ ｍ＋Ａ ）を使用し、第３図に示す
ような単結晶モニター画面により監視した。図において
、１１は原料融液、１２は種結、晶、Ｉ３は単結晶、１
４はＰＢＮ製るつぼ壁である。
引上げた単結晶は直径約２″、長さ９０ｔｘｍ、重量１
．１にりであった。
．１にりであった。
得られた単結晶についてＳ ＸＭＳ分析を行なった所、
不純物濃度はすべて１×１０１５ｃｍ−３以下で、比抵
抗は＋０８（’ＤＦ以上の良好な半絶縁性を示しだ。
不純物濃度はすべて１×１０１５ｃｍ−３以下で、比抵
抗は＋０８（’ＤＦ以上の良好な半絶縁性を示しだ。
因みに従来の方法ではＳｉが６ Ｘ ］ ］０１６ａｍ
−３程度まれでおり、ｎ型で、比抵抗が１０２Ωσ程度
であった。
−３程度まれでおり、ｎ型で、比抵抗が１０２Ωσ程度
であった。
又〆融ＫＯＨによシエツチピット密度（ＥＰＤ）を測定
した所、単結晶のフロント部からバック部を通じ、平均
ＥＰＤは６０００〜８０００ ｃｍ−２程度であった。
した所、単結晶のフロント部からバック部を通じ、平均
ＥＰＤは６０００〜８０００ ｃｍ−２程度であった。
又基板のホール移動度μは室温で４５００−／Ｖ３ と
高い値を示した。
高い値を示した。
（発明の効果）
上述のように構成された本発明の単結晶の引上方法は次
のような効果がある。
のような効果がある。
（イ）前記密閉容器内に前記揮発性構成元素蒸気を供給
するためのりザーバーを設け、該部■温度制御により前
記密閉容器内の前記構成元素蒸気圧を精密に制御できる
ため、引上げ中の原料融液の化学量論的組成からのずれ
が無くなるので、結晶欠陥、固有欠陥の少ない高品質な
単結晶の製造が可能である。
するためのりザーバーを設け、該部■温度制御により前
記密閉容器内の前記構成元素蒸気圧を精密に制御できる
ため、引上げ中の原料融液の化学量論的組成からのずれ
が無くなるので、結晶欠陥、固有欠陥の少ない高品質な
単結晶の製造が可能である。
（ロ）前記密閉容器の少なくとも前記構成元素蒸気に曝
される部分が前記化合物構成元素と同族の元素より成る
材質から構成されるため、密閉容器から原料融液への電
気的に活性な不純物（例、８１等）の汚染がなく、不純
物の汚染の少ない単結晶を製造し得る。
される部分が前記化合物構成元素と同族の元素より成る
材質から構成されるため、密閉容器から原料融液への電
気的に活性な不純物（例、８１等）の汚染がなく、不純
物の汚染の少ない単結晶を製造し得る。
ｅ→前記密閉容器を含むホラ１−ゾーン全体が前記単結
晶のＸ線吸収係数の１／２以下のＸ線吸収係数を有する
拐判から成り、かつ前記材料の厚みを、前記ホットゾー
ン全体のＸ線透過率が６０％以上になるような厚みとす
るため、炉内の引上げ中の単結晶のＸ線透視による監視
が容易にできるので、単結晶引上作業が容易である。
晶のＸ線吸収係数の１／２以下のＸ線吸収係数を有する
拐判から成り、かつ前記材料の厚みを、前記ホットゾー
ン全体のＸ線透過率が６０％以上になるような厚みとす
るため、炉内の引上げ中の単結晶のＸ線透視による監視
が容易にできるので、単結晶引上作業が容易である。
ある。
第２図は本発明方法の実施例を説明するだめの縦断面図
である。
である。
第３図は本発明の実施例における単結晶のモニター画面
を示す図である。
を示す図である。
ｌ・・密閉容器、２．ＩＩ・・原料融液、３・るつぼ、
４・・・引上軸、５．１２・・・種結晶、６，７・・・
シール部、８・・・液体シー／Ｖ ＩＪ、９・リザーバ
ー、１０・・リザーバー加熱用ヒーター、１３−・・単
結晶、１４・・・ＰＢＮ製るつぼ壁。
４・・・引上軸、５．１２・・・種結晶、６，７・・・
シール部、８・・・液体シー／Ｖ ＩＪ、９・リザーバ
ー、１０・・リザーバー加熱用ヒーター、１３−・・単
結晶、１４・・・ＰＢＮ製るつぼ壁。
Claims (2)
- （１）密閉容器内に単結晶育成部が収容され、該容器の
軸部および／又は開口部が液体シール拐によりシールさ
れ、該容器内部を化合物の揮発性構成元素蒸気囲気とし
てチョクラルスキー法により化合物単結晶を引」−げる
方法において、前記密閉容器内に前記揮発性構成元素蒸
気を供給するためのリザーバーを設け、核部の温度制御
により前記密閉容器内の前記構成元素蒸気圧を制御し、
前記密閉容器の少なくとも前記構成元素蒸気ＶＣ曝され
る部分が前記化合物構成元素と同族の元素より成る拐質
から構成され、前記密閉容器を含むホラ１−ゾーン全体
が前記単結晶のＸ線吸収係数の１／２以下のＸ線吸収係
数を有する材料から成り、かつ前記拐粗の厚みを、前記
ホットゾーン全体のＸ線透過率が６０吸以上になるよう
な厚みとし、引上げ中の単結晶をＸ線透視により監視す
ることを特徴とする化合物単結晶の引上方法。 - （２）密閉容器を構成する材質が、ポロンナイトライド
（ＢＮ） 、パイロリティックボロンナイ１−ライド（
Ｐ ＢＮ ）、又はＢＮもしくはＰＢＮコーティングを
施しだグラファイトもしくは石英である特許請求の範囲
第１項記載の化合物単結晶の引上方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219744A JPS60112695A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 化合物単結晶の引上方法 |
| US06/671,080 US4596700A (en) | 1983-11-22 | 1984-11-13 | Apparatus for producing single crystal |
| CA000468322A CA1238839A (en) | 1983-11-22 | 1984-11-21 | Apparatus for producing single crystal |
| DE8484114131T DE3472117D1 (en) | 1983-11-22 | 1984-11-22 | Apparatus for production of a single crystal and monitoring of the production |
| EP84114131A EP0146002B1 (en) | 1983-11-22 | 1984-11-22 | Apparatus for production of a single crystal and monitoring of the production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219744A JPS60112695A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 化合物単結晶の引上方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112695A true JPS60112695A (ja) | 1985-06-19 |
| JPH0567599B2 JPH0567599B2 (ja) | 1993-09-27 |
Family
ID=16740305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58219744A Granted JPS60112695A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 化合物単結晶の引上方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4596700A (ja) |
| EP (1) | EP0146002B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60112695A (ja) |
| CA (1) | CA1238839A (ja) |
| DE (1) | DE3472117D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60226492A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-11 | Toshiba Corp | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
| JPS60264390A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の育成方法 |
| DE68917052T2 (de) * | 1988-08-19 | 1994-12-22 | Mitsubishi Materials Corp | Verfahren zur Einkristallzüchtung von zersetzbaren Halbleiter-Verbindungen. |
| EP0355747B1 (en) * | 1988-08-19 | 1994-07-27 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for monocrystalline growth of dissociative compound semiconductors |
| US5158750A (en) * | 1990-06-06 | 1992-10-27 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Boron nitride crucible |
| US7604240B2 (en) * | 2002-09-16 | 2009-10-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Capillary seal for a burn chamber |
| JP4565877B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2010-10-20 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS508144U (ja) * | 1973-05-23 | 1975-01-28 | ||
| JPS57170891A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-21 | Toshiba Corp | Manufacture of single crystal |
| JPS5849699A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＣａＡｓ単結晶への硼素のド−ピング方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA729096A (en) * | 1966-03-01 | Radio Corporation Of America | Method of growing crystals | |
| FR1379178A (fr) * | 1962-12-10 | 1964-11-20 | Rca Corp | Procédé de préparation de cristaux |
| NL6512921A (ja) * | 1965-10-06 | 1967-04-07 | ||
| FR1568042A (ja) * | 1968-01-18 | 1969-05-23 | ||
| NL6917398A (ja) * | 1969-03-18 | 1970-09-22 | ||
| US3857679A (en) * | 1973-02-05 | 1974-12-31 | Univ Southern California | Crystal grower |
| EP0138292B1 (en) * | 1983-08-06 | 1987-10-14 | Sumitomo Electric Industries Limited | Apparatus for the growth of single crystals |
| DE3472577D1 (en) * | 1983-08-31 | 1988-08-11 | Japan Res Dev Corp | Apparatus for growing single crystals of dissociative compounds |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP58219744A patent/JPS60112695A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-13 US US06/671,080 patent/US4596700A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-21 CA CA000468322A patent/CA1238839A/en not_active Expired
- 1984-11-22 EP EP84114131A patent/EP0146002B1/en not_active Expired
- 1984-11-22 DE DE8484114131T patent/DE3472117D1/de not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS508144U (ja) * | 1973-05-23 | 1975-01-28 | ||
| JPS57170891A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-21 | Toshiba Corp | Manufacture of single crystal |
| JPS5849699A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＣａＡｓ単結晶への硼素のド−ピング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4596700A (en) | 1986-06-24 |
| EP0146002B1 (en) | 1988-06-15 |
| EP0146002A3 (en) | 1985-12-27 |
| DE3472117D1 (en) | 1988-07-21 |
| JPH0567599B2 (ja) | 1993-09-27 |
| EP0146002A2 (en) | 1985-06-26 |
| CA1238839A (en) | 1988-07-05 |
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