JPS60116013A - 基準電位安定化回路 - Google Patents
基準電位安定化回路Info
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- JPS60116013A JPS60116013A JP58224812A JP22481283A JPS60116013A JP S60116013 A JPS60116013 A JP S60116013A JP 58224812 A JP58224812 A JP 58224812A JP 22481283 A JP22481283 A JP 22481283A JP S60116013 A JPS60116013 A JP S60116013A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発廚は基準電位安定化回路に関する。
半導体集積回路において、内部に基準電位発生回路をも
ち、この基準電位を利用して外部入力信号のレベルを判
定する技術は一般によく知られている。この基準電位は
半導体集積回路に印加される電Ts、電圧(以下VDD
と呼ぶ)をGND電位に対して分圧することで得られる
が、内部信号線等との容蓋結合によりノイズをうけて、
基準電位が過渡的変動を示す危険性がある。このノイズ
を吸収するため基準電位発生回路の出力部とGND線間
に、安定化容量を付加する技術は、これも広く知られて
いる。ところが近年、半導体集積回路の大規模化が進み
、その動作時に生ずる大過渡電流によりGND電位が、
主としてリード線等のりアクタンスによって、過渡的な
電位変動を示す傾向にある。
ち、この基準電位を利用して外部入力信号のレベルを判
定する技術は一般によく知られている。この基準電位は
半導体集積回路に印加される電Ts、電圧(以下VDD
と呼ぶ)をGND電位に対して分圧することで得られる
が、内部信号線等との容蓋結合によりノイズをうけて、
基準電位が過渡的変動を示す危険性がある。このノイズ
を吸収するため基準電位発生回路の出力部とGND線間
に、安定化容量を付加する技術は、これも広く知られて
いる。ところが近年、半導体集積回路の大規模化が進み
、その動作時に生ずる大過渡電流によりGND電位が、
主としてリード線等のりアクタンスによって、過渡的な
電位変動を示す傾向にある。
従って対GND容量による安定化をはかってきた基準電
位は、やはり予期せぬ過渡的変動を示すことになる。
位は、やはり予期せぬ過渡的変動を示すことになる。
本発明の目的は、これら過渡的な基準電位変動を減少さ
せるための基準電位の安定化回路を得ることにある。
せるための基準電位の安定化回路を得ることにある。
本発明は基準電位発生回路の出力部に、対GNDのみで
なく対VDDK対しCも安定化容量を接続し、過渡的な
基準電位変動を減少させることを特徴とする。
なく対VDDK対しCも安定化容量を接続し、過渡的な
基準電位変動を減少させることを特徴とする。
更に本発明は上記の2種の安定化容量の容量比(対GN
D容量:対■DD容量)を基準電位の分圧比((VDD
−基準電位):(基準電位−〇ND電位)〕に等しくな
る様に定めたことを%敵とする。
D容量:対■DD容量)を基準電位の分圧比((VDD
−基準電位):(基準電位−〇ND電位)〕に等しくな
る様に定めたことを%敵とする。
以下本発明について図面を診照し詳細に説明する。
本発明の一実施例を第1図に示す。
VDDrGND間に構成された基準電位発生回路(通常
は分圧回路)の出力端子1かも基準電位(以下VREF
と呼ぶ)が出力される。この出力端子とVDD間に第1
の安定化容量C,,出子端子端子ND間に第2の安定化
容量C2を接続する。
は分圧回路)の出力端子1かも基準電位(以下VREF
と呼ぶ)が出力される。この出力端子とVDD間に第1
の安定化容量C,,出子端子端子ND間に第2の安定化
容量C2を接続する。
こうすることによりVREFはVDD 、 GNDの2
つの固定電位に対して容量をもつことになる。従っ゛C
過渡的なGND篭位の変動も、2つの容置の直列接続に
より分圧されて、その影響を減少させることができる。
つの固定電位に対して容量をもつことになる。従っ゛C
過渡的なGND篭位の変動も、2つの容置の直列接続に
より分圧されて、その影響を減少させることができる。
さて、VDDは、ある範囲内での′rJL諒変動が認め
られている。従って、GND電位変動の影響を対VDD
giitで緩和したとしても、VDDの変動がVREF
に悪影響をおよぼしてはならない。この目的のために2
つの安定化容量の容量比を調整する。
られている。従って、GND電位変動の影響を対VDD
giitで緩和したとしても、VDDの変動がVREF
に悪影響をおよぼしてはならない。この目的のために2
つの安定化容量の容量比を調整する。
VDDが△VDD変動した時、通常の分圧回路を用いた
基準電位発生回路においてはVREFの変動分△VRE
Fには下の関係がある △VREP−に△VDD ・・・(1)ここで k =
VREF/VDD ・・・(2)半導体集積回路にお
いては△■DDは許容範囲内であればそれに伴なう△V
REFをも許容するべく設計は行なわれる。
基準電位発生回路においてはVREFの変動分△VRE
Fには下の関係がある △VREP−に△VDD ・・・(1)ここで k =
VREF/VDD ・・・(2)半導体集積回路にお
いては△■DDは許容範囲内であればそれに伴なう△V
REFをも許容するべく設計は行なわれる。
従って対VDD容量の△VDDによるVREFに対する
影響が△VREF以下であれば対■DD容量の付加によ
る悪影響はない。
影響が△VREF以下であれば対■DD容量の付加によ
る悪影響はない。
このことから2つの安定化11蛍C+ + 02の望ま
しい容量比を定める。
しい容量比を定める。
成源変動を△VDDとし、容置結合によるVREFの変
化を△VREF’とすると、 ところが(3)式よりCIが小さければたしかに△VR
EF’は小さくなるが、それではGND電位の温渡的変
動の緩和効果が減る。
化を△VREF’とすると、 ところが(3)式よりCIが小さければたしかに△VR
EF’は小さくなるが、それではGND電位の温渡的変
動の緩和効果が減る。
望ましい関係となる。
従って C,: C2= VREF : VDD −V
REFが得られる、望ましい容量比となる。
REFが得られる、望ましい容量比となる。
以上詳細に説明した通り、不発明によれば半導体集積回
路における基準電位発生回路を内部信号との容気結合に
よるノイズからも、大電流の存在による() N D
fi、位の過渡的変動からもその影留乞緩和し、安定化
させることかできる。
路における基準電位発生回路を内部信号との容気結合に
よるノイズからも、大電流の存在による() N D
fi、位の過渡的変動からもその影留乞緩和し、安定化
させることかできる。
第1図は本発明の実施例を示す図である。
10・・・・・・、基準電位発生回路、1・・・・・・
出力端子、C,、C2・・・・・・安定化容量。
出力端子、C,、C2・・・・・・安定化容量。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 20安定化容量を接続して、過渡的な基準電位変動を減
少させることを%畝とした基準電位安定化回路。 (2)前記第1.第2の安定化容量の容景比が、第1項
の基準電位安定化回路であって (第1の安定化容量):(第2の安定化容量)−(基準
電位−〇ND電位):(VDD−基準電位)となる様に
定められたことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
に記載の基準電位安定化回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224812A JPS60116013A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 基準電位安定化回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224812A JPS60116013A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 基準電位安定化回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116013A true JPS60116013A (ja) | 1985-06-22 |
Family
ID=16819587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58224812A Pending JPS60116013A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 基準電位安定化回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116013A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253007A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Nec Corp | バイアス回路 |
| JPS6355616U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP58224812A patent/JPS60116013A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253007A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Nec Corp | バイアス回路 |
| JPS6355616U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 |
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