JPS60117486A - 磁気バブルメモリ素子の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は電子計算装置等の記憶装置として用いられる磁
気バブルメモリに関し、特にその素子作製法に関するも
のである。

技術の背景 磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行なう
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有し
ている。このような磁気バブルメモリ装置においては最
近の情報量の増加、装置の小型化要求などにより記憶密
度の増加がめられている・このため最近はバブル転送路
をイオン注入法によシ形成し、記憶密度を高度化する方
法が用いられている。このイオン注入法は、第１図ａの
平面図及び第１図すの断面図に示す如くガドリニウム・
ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）基板１の上に液相エピ
タキシャル成長せた磁性ガーネットのバブル用結晶２に
対しバブル転送用パターン３以外の領域４に水素、ネオ
ン、ヘリウム等のイオンを注入するのである。このよう
にイオン注入によ）パターン３を形成した素子は、イオ
ンが注入された領域４の磁化容易軸方向が矢印Ａの如く
面内方向と一致し、パターン３の非イオン注入領域の磁
化容易軸方向は矢印Ｂの如くもとの！ま面内方向と垂直
である。従ってバブル５は回転磁界によってパターン３
の周縁に沿って転送される。そしてこのパター７３は円
形や四角形をその一部が重なるようにして列状に配列し
た形状であるため、ギャップを必要とした従来のパーマ
ロイパターンに比し寸法精度が緩くとも良く、従ってパ
ターンが小さくでき高密度化が実現される。ところがこ
のようなイオン注入による磁気バブルメモリ素子は隣接
するバブル転送路間の相互作用によりバブルのエラーを
生ずることがあった。

従来技術と問題点 従来、このバブル転送路間の相互作用を小さくするため
には第２■及び第３図に示す如き方法が用いられていた
。両図においてａは平面図、ｂはａ図のｂ−ｂ線におけ
る断面図であり、６はバブル結晶、７はイオン注入領域
、８は非イオン注入領域のバブル転送路、９はスペーサ
、１０はマスクをそれぞれ示している。

第２図に示す方法はアニール時にスペーサ９の一部を取
除き溝９ａを作り、第３図に示す方法は転送路間８間に
イオン注入時のマスク材１０′を薄く残し、溝９ａのエ
ツジによる歪、又はイオン注入の浅い部分７ａにより転
送路間の相互作用を小さくするのであるが、前者はスペ
ーサの一部取除き工程が加わり、その際高い位置合わせ
精度が必要であるという欠点があり、後者は膜厚の再現
性が悪いという欠点があった。

発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、バブル転送路間の相互
作用を簡単な作製法で抑えることができる磁気バブルメ
モリ素子の作製方法を提供することを目的とするもので
ある。

発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル結晶にイ
オン注入によってバブル転送路を形成する磁気バブルメ
モリ素子の作製方法において、バブル転送パターンのマ
スク形成後、転送路に対して直角の２方向から磁気バブ
ル結晶表面の法線に対して６０°以上の角度でイオン注
入を行なうことを特徴とする磁気バブルメモリ素子の作
製方法を提供することによって達成される。

発明の実施例 以下、本発明実施例を図面によって詳述する。

第４図乃至第６図は本発明による磁気バブルメモリ素子
の作製方法を説明するだめの図であり、それぞれａは平
面図、ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。各図
において、１１は磁気バブル結晶、１２はバブル転送路
、１３はバブル転送路形成用マスクパターン、１４は注
入イオン、１５．１６．１７はイオン注入部分をそれぞ
れ示す０ 本実施例は先ず第４図の如くバブル転送路の直角右方向
（矢印Ａ）よシ磁気バブル結晶１１表面の法線に対して
６０°以上の浅い角度でイオン１４を注入する。その結
果マスクパターン１３の影になった部分はイオン注入さ
れず、マスクパターン１３の右側１５の部分にのみイオ
ン注入される。

次に同様にして第５図の如く左方向（矢印Ｂ）よ〕イオ
ン注入を行なうと、マスクパターン１３の左側１６の部
分のみにイオン注入される。最後に第６図の如くバブル
転送路間の中央の上記２回のイオン注入で注入されなか
った部分１７についてバブル結晶に垂直に浅く注入を行
なうのである。

この結果第７図に示す如くイオン注入層１５゜１６．１
７は隣接するバブル転送路１２間の中央が浅くなった形
状となる。

とのようにイオン注入された磁気バブルメモリ素子は、
隣接する転送路間中央のイオン注入の浅い部分をバブル
が通過しにくいため、転送路間を飛び移るエラーがなく
なシ、良好な転送マージンが得られることになる。

発明の効果 以上、詳細に説明したように本発明の磁気バブルメモリ
素子の作製方法は、浅い角度でイオン注入を行なうとマ
スクパターンの影になる部分にイオン注入されないこと
と、またイオン注入バブル素子は対向するパターンの形
状が同じであることを利用し、転送路に直角の２方向よ
ｐ浅い角度でイオン注入することによシ隣接する転送路
間中央にイオン注入量の異なる部分を形成したものであ
って、簡単な作製法によってバブルのエラーを防止可能
とした効果大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のイオン注入法を説明するだめの図、第２
図及び第３図は従来のバブル転送路間の相互作用防止方
法を説明するための図、第４図乃至第６図は本発明の磁
気バブルメモリ素子の作製方法を説明するための図、第
７図は本発明方法により形成された磁気バブルメモリ素
子の断面図である。 図面において、１１は磁気バブル結晶、１２はバブル転
送路、１３はバブル転送路形成用マスクパターン、１４
は注入イオン、１５，１６．１７はイオン注入部分をそ
れぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士　青　木　朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士　山　口　昭　之 （７） 第１図 第２図　（ＣＩ） ｎ 第３図 （Ｃ１） ０ （ｂ） ／Ｑ　６　’／ 第４図 （ＣＩ） （ｂ） ］Ｌ 第５図 （Ｃ１） ｐ （ｂ） （ｂ） １ム １６１２　１６　１２ 第７図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、磁気バブル結晶にイオン注入によってバブル転送路
   を形成する磁気バブルメモリ素子の作製方法ニおいて、
   バブル転送パターンのマスク形成後、転送路に対して直
   角の２方向から磁気バブル結晶表面の法線に対して６０
   °以上の角度でイオン注入を行なうことを特徴とする磁
   気バブルメモリ素子の作製方法。