JPS6052994A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6052994A JPS6052994A JP58160309A JP16030983A JPS6052994A JP S6052994 A JPS6052994 A JP S6052994A JP 58160309 A JP58160309 A JP 58160309A JP 16030983 A JP16030983 A JP 16030983A JP S6052994 A JPS6052994 A JP S6052994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- magnetic bubble
- magnetic
- gap
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子に関し、特に高密度バブ
ルメモリチップに好適なマイナループのバブル転送特性
の向上に関するものである。
ルメモリチップに好適なマイナループのバブル転送特性
の向上に関するものである。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子におけるマイナル
ープの基本転送パターンを示している。
ープの基本転送パターンを示している。
周知のように、バブル磁性膜上にパーマロイ等の軟磁性
体からなる非対称シェブロンパターンが１列に配列され
て転送路が形成され、左側の転送路りと右側の転送路Ｒ
の２列を閉ループに構成して１つのマイナループが形成
される。この転送パターンに回転磁界ＨＲを矢印１〜１
１の方向に順次加えると磁気バブルはパターン上を転送
されてゆく。図で斜線を施した部分が磁気バブルであシ
、回転磁界ＨＲの矢印の符号と磁気バブルの位置の符号
とは対応している。
体からなる非対称シェブロンパターンが１列に配列され
て転送路が形成され、左側の転送路りと右側の転送路Ｒ
の２列を閉ループに構成して１つのマイナループが形成
される。この転送パターンに回転磁界ＨＲを矢印１〜１
１の方向に順次加えると磁気バブルはパターン上を転送
されてゆく。図で斜線を施した部分が磁気バブルであシ
、回転磁界ＨＲの矢印の符号と磁気バブルの位置の符号
とは対応している。
しかし、従来の転送パターンにおいて、右側の転送路で
は回転磁界ＨＲの方向が７の時に磁気バブルが転送パタ
ーン間のギャップＧ１を渡シ、左側の転送路では回転磁
界ＨＲの方向が３の時に磁気バブルがギャップＧ２を渡
るが、この際の転送特性がギャップＧ１とＧｌＩでは異
なることがわかった。
は回転磁界ＨＲの方向が７の時に磁気バブルが転送パタ
ーン間のギャップＧ１を渡シ、左側の転送路では回転磁
界ＨＲの方向が３の時に磁気バブルがギャップＧ２を渡
るが、この際の転送特性がギャップＧ１とＧｌＩでは異
なることがわかった。
′すなわち、第２図に示すように、転送パターン間のギ
ャップを構成する平行部分の方向を矢印Ａのようにきめ
ると、平行部分の方向がａ、、ａ２゜ａ、方向にある場
合は磁気バブルがギャップで消滅する磁界が高くなシ、
磁気バブルがギャップア消滅しにくくなって転送特性が
良好になるが、ｂ１ｒｂｔｍｂＢ゛方向にある場合は磁
気バブルがギャップで消滅する磁界が低くなって転送特
性は最悪になる。なお、Ｃ１ｓ Ｃ２１ｃｌ方向にある
場合はこれらの中間的力値になる。
ャップを構成する平行部分の方向を矢印Ａのようにきめ
ると、平行部分の方向がａ、、ａ２゜ａ、方向にある場
合は磁気バブルがギャップで消滅する磁界が高くなシ、
磁気バブルがギャップア消滅しにくくなって転送特性が
良好になるが、ｂ１ｒｂｔｍｂＢ゛方向にある場合は磁
気バブルがギャップで消滅する磁界が低くなって転送特
性は最悪になる。なお、Ｃ１ｓ Ｃ２１ｃｌ方向にある
場合はこれらの中間的力値になる。
しかしながら、ａｌ ｔ ａ！ｔ ａＢ方向とす、、ｂ
。
。
、ｂ、方向は互に反対方向になっているので、一方の転
送路の転送パターンの平行部分の方向を例えばａ、方向
に選ぶと他方の転送路の転送ノくターンの平行部分の方
向は１８０°異なったす、方向になってしまう。
送路の転送パターンの平行部分の方向を例えばａ、方向
に選ぶと他方の転送路の転送ノくターンの平行部分の方
向は１８０°異なったす、方向になってしまう。
第３図は平行部分の方向とギャップ部でのノマイアス磁
界マージンとの関係を示す図であるが、ａ方向とｂ方向
とでは転送マージンにΔＨの差が生ずる。このΔＨは具
体的には１０〜２０エルステッドある。
界マージンとの関係を示す図であるが、ａ方向とｂ方向
とでは転送マージンにΔＨの差が生ずる。このΔＨは具
体的には１０〜２０エルステッドある。
このように、磁気バブルがギャップを渡る時、平行部分
の方向によって転送特性が変化するのは、磁気バブルを
保持するバブル磁性膜（ＬＰＢ膜）の特性やイオン打込
み量と深い関係があると考えられる。特に前記ａ、ｂ、
Ｃ方向は、液相エピタキシャル成長によってガーネット
基板上に形成されるバブル磁性膜の結晶方位と密接に関
係している。
の方向によって転送特性が変化するのは、磁気バブルを
保持するバブル磁性膜（ＬＰＢ膜）の特性やイオン打込
み量と深い関係があると考えられる。特に前記ａ、ｂ、
Ｃ方向は、液相エピタキシャル成長によってガーネット
基板上に形成されるバブル磁性膜の結晶方位と密接に関
係している。
このように、従来の磁気バブルメモリ素子においては、
マイナループの転送特性がよくないという問題があった
。
マイナループの転送特性がよくないという問題があった
。
本発明はこのような従来の問題点を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、マイナループの
バブル転送特性が良好な磁気バブルメモリ素子を提供す
ることにある。
れたもので、その目的とするところは、マイナループの
バブル転送特性が良好な磁気バブルメモリ素子を提供す
ることにある。
本発明はこのような目的を達成するために、転送パター
ン図のギャップを構成する平行部分の方向を隣シあり転
送路間で１８００からずれて形成するようにしたもので
ある。
ン図のギャップを構成する平行部分の方向を隣シあり転
送路間で１８００からずれて形成するようにしたもので
ある。
以下、本発明を実施例によシ詳細に説明する。
第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る磁気バブルメモリ
素子の各実施例におけるマイナループの左右転送路のパ
ターンを示している。
素子の各実施例におけるマイナループの左右転送路のパ
ターンを示している。
第４図（ａ）においては、左側の転送路りのギャップを
構成する平行部分の方向は第１図と同じであるが、右側
の転送路Ｒのギャップを構成する平行部分の方向は第１
図と異なっている。すなわち、左側の平行部分の方向を
ａ方向とすると、右側の平行部分の方向はａより１８０
０異なるｂ方向を避け、このｂよυ約３０°異なる方向
に設定されている。これによって、転送特性が向上する
。
構成する平行部分の方向は第１図と同じであるが、右側
の転送路Ｒのギャップを構成する平行部分の方向は第１
図と異なっている。すなわち、左側の平行部分の方向を
ａ方向とすると、右側の平行部分の方向はａより１８０
０異なるｂ方向を避け、このｂよυ約３０°異なる方向
に設定されている。これによって、転送特性が向上する
。
第４図（ｂ）においては、左右各転送路のパターンのギ
ャップを構成する平行部分の方向を第１図のものよシは
それぞれ傾けた非対称シェブロンを用いている。したが
って、平行部分の各方向は１８０゜にはなっていない。
ャップを構成する平行部分の方向を第１図のものよシは
それぞれ傾けた非対称シェブロンを用いている。したが
って、平行部分の各方向は１８０゜にはなっていない。
第４図（Ｃ）においては、左右各転送路のパターンのギ
ャップを構成する平行部分の方向を、第２図、１３Ｈｃ
示したマージンの広い最適方向のａＳｒａ、に合わせた
ものである。
ャップを構成する平行部分の方向を、第２図、１３Ｈｃ
示したマージンの広い最適方向のａＳｒａ、に合わせた
ものである。
第４図（ｄ）においては、ギャップが平行部分で構成さ
れていない場合に適用した実施例である。このような例
でも十分な効果は得られる。
れていない場合に適用した実施例である。このような例
でも十分な効果は得られる。
又、平行部分の方向とギャップの転送特性が上記各実施
例と異なる場合でも本発明は適用可能である。
例と異なる場合でも本発明は適用可能である。
以上述べたように、本発明に係る磁気バブルメモリ素子
によると、マイナループの転送路上で磁気バブルがパタ
ーンのギャップを渡る時の特性が向上するため、例えば
従来に比して５・〜１０エルステッド転送マージンがよ
くなり、素子の製造歩留、性能が向上する効果がある。
によると、マイナループの転送路上で磁気バブルがパタ
ーンのギャップを渡る時の特性が向上するため、例えば
従来に比して５・〜１０エルステッド転送マージンがよ
くなり、素子の製造歩留、性能が向上する効果がある。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子のマイナループの
基本転送パターン図、第２図はギャップ平行部分の方向
を示すパターン図、第３図は平行部分の方向とギャップ
でのバイアス磁界マージンとの関係を示す図、第４図（
ａ）〜（ｄ）は本発明に係る磁気バブルメモリ素子の各
実施例におけるマイナループの基本転送バター７図であ
る。 １〜１１１Ｉ・・０回転磁界の方向、Ｌ ＊ ＃ ＠
＠左側の転送路、Ｒ−・・・右側の転送路。 代理人 弁理士 高 橋 明 呑 第１図 第２図 ’ｂ＋ 第３図 ０、ａ２ Ｇ３ ｂ、ｂ２ ｂ３ Ｃ，ｃ２ Ｃ３
基本転送パターン図、第２図はギャップ平行部分の方向
を示すパターン図、第３図は平行部分の方向とギャップ
でのバイアス磁界マージンとの関係を示す図、第４図（
ａ）〜（ｄ）は本発明に係る磁気バブルメモリ素子の各
実施例におけるマイナループの基本転送バター７図であ
る。 １〜１１１Ｉ・・０回転磁界の方向、Ｌ ＊ ＃ ＠
＠左側の転送路、Ｒ−・・・右側の転送路。 代理人 弁理士 高 橋 明 呑 第１図 第２図 ’ｂ＋ 第３図 ０、ａ２ Ｇ３ ｂ、ｂ２ ｂ３ Ｃ，ｃ２ Ｃ３
Claims (1)
- 磁気バブルの記憶部と々るマイナループを構成する軟磁
性体から々る基本転送パターンからなる転送路を複数列
有する磁気バブルメモリ素子において、転送パターン間
のギャップを構成する平行部分の方向を、隣りあう転送
路間で１８０°からずれて形成したことを特徴とする磁
気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160309A JPS6052994A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160309A JPS6052994A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052994A true JPS6052994A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15712167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58160309A Pending JPS6052994A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052994A (ja) |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP58160309A patent/JPS6052994A/ja active Pending
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