JPS60118681A - 多孔質ムライト磁器の製造法 - Google Patents
多孔質ムライト磁器の製造法Info
- Publication number
- JPS60118681A JPS60118681A JP58223948A JP22394883A JPS60118681A JP S60118681 A JPS60118681 A JP S60118681A JP 58223948 A JP58223948 A JP 58223948A JP 22394883 A JP22394883 A JP 22394883A JP S60118681 A JPS60118681 A JP S60118681A
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- JP
- Japan
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- porous
- ceramic
- mullite
- mulite
- manufacture
- Prior art date
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- Granted
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- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に熱伝導率が低く、シかも耐熱衝撃性の１ｆ
ｉｔｌだ多孔質ムライト磁器の製造法に関するるもので
ある。
ｉｔｌだ多孔質ムライト磁器の製造法に関するるもので
ある。
高温断熱材としては低い熱伝導率が要求され。
０．０００１ Ｃａｌ ／Ｃｌ１ｌ −ｓｅｃ −℃級
のセラミック７フイバが知られているが、該ファイバの
如き不定形で機械的強度の低いものは実用上不便のため
、定形で低い熱伝導率を呈するセラミックスが要望され
ている。
のセラミック７フイバが知られているが、該ファイバの
如き不定形で機械的強度の低いものは実用上不便のため
、定形で低い熱伝導率を呈するセラミックスが要望され
ている。
また、上記高温断熱材を含む高温用構造材料においては
耐熱衝撃性が要求されるが、該耐熱衝撃性は熱伝導性と
略々比例するため低い熱伝導性を有スる中膨張セラミッ
クスに対して高い耐熱性撃性を付与することは困篠とさ
れていた。
耐熱衝撃性が要求されるが、該耐熱衝撃性は熱伝導性と
略々比例するため低い熱伝導性を有スる中膨張セラミッ
クスに対して高い耐熱性撃性を付与することは困篠とさ
れていた。
本発明は上記セラミックファイバに略々等しい低い熱伝
導率と、セラミックス中高い数値を示すとされるコージ
ライトあるいはβスポジュメン磁器に相等する耐熱衝撃
性を具えた網目状の多孔質ムライト磁器を供給しようと
するものである。
導率と、セラミックス中高い数値を示すとされるコージ
ライトあるいはβスポジュメン磁器に相等する耐熱衝撃
性を具えた網目状の多孔質ムライト磁器を供給しようと
するものである。
実廁例
金属珪素（純度９８％、１５０メツシュ通、三津和化＄
） ２００゜ アルミナ（純度９９．９％、タイミクロンＡＧ。
） ２００゜ アルミナ（純度９９．９％、タイミクロンＡＧ。
大明化学） １０９２ｇ
メチルエチルケトン（溶剤） ’１２０ｙジブチルフタ
レート（ＥＪＩ塑剤） ８０ｇイオネット５−２０ （
分散剤、三洋化成＞、Ｂｙ以上を内容積３１！のアルミ
ナ磁器製ボールミルで２４時間の混合、粉砕した後、バ
インダとしてポリビニルブチラールを１２０ｇ加え更に
２４時間の混合を行なう。
レート（ＥＪＩ塑剤） ８０ｇイオネット５−２０ （
分散剤、三洋化成＞、Ｂｙ以上を内容積３１！のアルミ
ナ磁器製ボールミルで２４時間の混合、粉砕した後、バ
インダとしてポリビニルブチラールを１２０ｇ加え更に
２４時間の混合を行なう。
得られたスラリーを、ドクターブレード法によってポリ
エステルフィルム上にシート成形、１５時間の自然乾燥
によって厚さ４肩のグリーンシートを得た。
エステルフィルム上にシート成形、１５時間の自然乾燥
によって厚さ４肩のグリーンシートを得た。
この厚さ４ｒｒｒｍのシートを各種の条件で焼成−（１
時間保持）して得た試料の緒特性を他のセラミック組成
物の一般的特性値と共に表１に示す。
時間保持）して得た試料の緒特性を他のセラミック組成
物の一般的特性値と共に表１に示す。
前表から明らかにされるように１本発明によってに’Ｎ
した試′４４Ｎα１〜６及びＮα１１〜１６は実に気孔
率５５％以上の多孔質構造のムライト組織で。
した試′４４Ｎα１〜６及びＮα１１〜１６は実に気孔
率５５％以上の多孔質構造のムライト組織で。
該多孔質構造は代表例として挙げた試料ＮＱ２及びＮｏ
１４の顕微鏡写真（Ｘ５０００）を示す第１図及び第
２図によって示される通り、針状結晶が空間的に網目状
に形成され、ムライト本来の高い耐熱性と、セラミック
ファイバに略々匹敵する低熱伝導性（断熱性）を具え乍
らも高い機械的強度を具えている。
１４の顕微鏡写真（Ｘ５０００）を示す第１図及び第
２図によって示される通り、針状結晶が空間的に網目状
に形成され、ムライト本来の高い耐熱性と、セラミック
ファイバに略々匹敵する低熱伝導性（断熱性）を具え乍
らも高い機械的強度を具えている。
従って、炉材、バーナーノズル、アーク断熱板等の高温
断熱材料を初め、上記特性に加えてコージライト、βス
ボジュメン等低膨張性磁器と同等の耐熱衝撃性をも具え
ているため、外部からの圧縮空気を燃焼室に導くに先立
って高温に予熱し。
断熱材料を初め、上記特性に加えてコージライト、βス
ボジュメン等低膨張性磁器と同等の耐熱衝撃性をも具え
ているため、外部からの圧縮空気を燃焼室に導くに先立
って高温に予熱し。
燃焼室内において燃料を噴射、燃焼させてタービンを作
動させた後、高温の排ガスの熱エネルギーの一部を上記
の燃焼室に導かれる圧縮空気へ回収して大気中に放出す
る特に温度差の大きいガスタービンのハニカム構造型を
初め各種の熱交換器の材料として著効を奏し、また最大
９２％にも達する気孔率を有する網目状の構造体は炉材
、生化学反応触媒担体としてのバイオセラミック、液体
クロマトグラフ用吸着シート等広い範囲に亘って有効で
あるが、出発原料が同一でも水素ガス、アンモニア分解
ガスの露点が１０゛Ｃを超えた試料Ｎα７及びＮα１７
は粒子状の結晶構造を呈し、参考例として挙げたムライ
ト磁器に近寄った諸特性値を示した。
動させた後、高温の排ガスの熱エネルギーの一部を上記
の燃焼室に導かれる圧縮空気へ回収して大気中に放出す
る特に温度差の大きいガスタービンのハニカム構造型を
初め各種の熱交換器の材料として著効を奏し、また最大
９２％にも達する気孔率を有する網目状の構造体は炉材
、生化学反応触媒担体としてのバイオセラミック、液体
クロマトグラフ用吸着シート等広い範囲に亘って有効で
あるが、出発原料が同一でも水素ガス、アンモニア分解
ガスの露点が１０゛Ｃを超えた試料Ｎα７及びＮα１７
は粒子状の結晶構造を呈し、参考例として挙げたムライ
ト磁器に近寄った諸特性値を示した。
本発明においてＡｌ２Ｏ３と反応してムライトを生成す
る５ｓ０２源として金属珪素Ｓｉを使用すると共に。
る５ｓ０２源として金属珪素Ｓｉを使用すると共に。
水蒸気露点１０°Ｃ以下の還元性雰囲気中において焼成
する理由は、出発原料の金属珪素Ｓｉが焼成雰囲気中の
水蒸気によってＳｉＯと５ｉ０２に酸化し、後者５ｉ０
２がＡｔ２０３と反応してムライトを生成するが露点を
低くすれば５ｉ０２の濃度が低い状態でＡｌ２Ｏ３と反
応するので反応に時間を要して網目状結晶構造のムライ
トを生成し、該５ｉ０２と平衡するＳｉＯはＳｉ０２が
Ａ１２０３６反応して減少するに伴って５ｉｏ２．とな
って逐次遊離のＡｌ ２０ ａと反応して網目状結晶構
造のムライトを生成し、この反応は水蒸気露点が１０℃
以下に限定することによって得られることが実験的に確
かめられたからである。
する理由は、出発原料の金属珪素Ｓｉが焼成雰囲気中の
水蒸気によってＳｉＯと５ｉ０２に酸化し、後者５ｉ０
２がＡｔ２０３と反応してムライトを生成するが露点を
低くすれば５ｉ０２の濃度が低い状態でＡｌ２Ｏ３と反
応するので反応に時間を要して網目状結晶構造のムライ
トを生成し、該５ｉ０２と平衡するＳｉＯはＳｉ０２が
Ａ１２０３６反応して減少するに伴って５ｉｏ２．とな
って逐次遊離のＡｌ ２０ ａと反応して網目状結晶構
造のムライトを生成し、この反応は水蒸気露点が１０℃
以下に限定することによって得られることが実験的に確
かめられたからである。
しかして、水蒸気露点の下限は量産面から一５°Ｃ程度
である。
である。
前表は出発原料として金属珪素とアルミナを用い、ムラ
イトの理論組成が得られるよう秤量したが、常法に従っ
て焼結促進剤としてＣａＯ、ＭｇＯ等の少量を配合する
ことができ、また最終生成物中に遊離Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ
Ｏ２が存在してもそれらがムライトに対して８％５以内
の範囲内にあれば許容される。
イトの理論組成が得られるよう秤量したが、常法に従っ
て焼結促進剤としてＣａＯ、ＭｇＯ等の少量を配合する
ことができ、また最終生成物中に遊離Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ
Ｏ２が存在してもそれらがムライトに対して８％５以内
の範囲内にあれば許容される。
また、出発原料としてＳｉＯ□源として金属珪素Ｓｉは
動かせないが、Ａｌ２Ｏ３源としてはアルミナゾル。
動かせないが、Ａｌ２Ｏ３源としてはアルミナゾル。
水ｍ化アルミニウム等アルミニウム化合物を使用するこ
とができ、焼成ガスも一酸化炭素ガスと窒素ガスの混合
ガス等地の還元性ガスを用いてもよい。
とができ、焼成ガスも一酸化炭素ガスと窒素ガスの混合
ガス等地の還元性ガスを用いてもよい。
更に実施例は出発原料の粉末をスラリとし、こｊをドク
ターブレード法によってグリーンシートを製作した場合
について・示したが、スラリの状態における鋳込み成型
−系土状としてローリング成型、あるいはスラリを噴霧
乾燥によって造粒して行なうプレス成型等、目的に応じ
て成形法を選択することができる。
ターブレード法によってグリーンシートを製作した場合
について・示したが、スラリの状態における鋳込み成型
−系土状としてローリング成型、あるいはスラリを噴霧
乾燥によって造粒して行なうプレス成型等、目的に応じ
て成形法を選択することができる。
図面は本発明によって得られた網目状の多孔質ムライト
磁器の顕微鏡写真（Ｘ５０００）で、第１図は前掲の表
１の試料Ｎα２．第２図は同じ（表１の試料Ｎα１４を
代表例として示した。 特許出願人 日本特殊陶業株式会社 代理人 今 井 ｄ１°■［曹 ｌ ゛・、ｊ 図面の；ン：貿内ＩＦに変更なし） 第２図 手 続 補 正 書 （方式） 昭和５９年３月ｌり日 １、事件の表示 昭和５８年特許願 第２２３９４８号 ２発明の名称 多孔質ムライト磁器の製造法 ａ補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号氏名 （４５
４）日本特殊陶業株式会社代表者小川修次 生代理人 住 所 郵便番号 ４６′ｌ Ｇ補正の対象 明細書中、「図面の簡単な説明」の欄、および「図面」
。 ７補正の内存 （１）明細書第８頁第５行目、図面の簡単な説明の欄を
下記の通り訂正します。 「第１図は本発明の多孔質ムライト磁器の結晶構造の電
子顕微鏡写真（倍率５０００倍）、第２図は本発明の他
の実施例による多孔質ムライト磁器の結晶構造の電子顕
微鏡写真（倍率５０００倍）である。」 （２）図面第１図、第２図を別紙の通り訂正します。 手続補正書（自発） 昭和５９年６月７９日 り事件の表示 昭和５８年特許願 第２２８９４８号 ２発明の名称 多孔質ムライト磁器の製造法 ａ補正をする者 事件との関係 特許出願人 （４５４）日本特殊陶業株式会社 代表者小川修次 生代理人 （〒４６７） 五補正の対象 明細書中、発明の詳細な説明の欄。 Ｇ補正の内容 （１）ｇＡ細書第２頁第８行目から同第４行目までを下
記の通り訂正します。 「有するセラミックスに対して高い耐熱衝撃性を付与す
ることは困難とされていた。」以上
磁器の顕微鏡写真（Ｘ５０００）で、第１図は前掲の表
１の試料Ｎα２．第２図は同じ（表１の試料Ｎα１４を
代表例として示した。 特許出願人 日本特殊陶業株式会社 代理人 今 井 ｄ１°■［曹 ｌ ゛・、ｊ 図面の；ン：貿内ＩＦに変更なし） 第２図 手 続 補 正 書 （方式） 昭和５９年３月ｌり日 １、事件の表示 昭和５８年特許願 第２２３９４８号 ２発明の名称 多孔質ムライト磁器の製造法 ａ補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号氏名 （４５
４）日本特殊陶業株式会社代表者小川修次 生代理人 住 所 郵便番号 ４６′ｌ Ｇ補正の対象 明細書中、「図面の簡単な説明」の欄、および「図面」
。 ７補正の内存 （１）明細書第８頁第５行目、図面の簡単な説明の欄を
下記の通り訂正します。 「第１図は本発明の多孔質ムライト磁器の結晶構造の電
子顕微鏡写真（倍率５０００倍）、第２図は本発明の他
の実施例による多孔質ムライト磁器の結晶構造の電子顕
微鏡写真（倍率５０００倍）である。」 （２）図面第１図、第２図を別紙の通り訂正します。 手続補正書（自発） 昭和５９年６月７９日 り事件の表示 昭和５８年特許願 第２２８９４８号 ２発明の名称 多孔質ムライト磁器の製造法 ａ補正をする者 事件との関係 特許出願人 （４５４）日本特殊陶業株式会社 代表者小川修次 生代理人 （〒４６７） 五補正の対象 明細書中、発明の詳細な説明の欄。 Ｇ補正の内容 （１）ｇＡ細書第２頁第８行目から同第４行目までを下
記の通り訂正します。 「有するセラミックスに対して高い耐熱衝撃性を付与す
ることは困難とされていた。」以上
Claims (1)
- 金属珪素とアルミニウム化合物の混合粉末を主体とする
成形体を、露点１０℃以下の水素ガスあるいはアンモニ
ア分解ガス等の還元性雰囲気によって焼成することを特
徴とした網目状の多孔質ムライト磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223948A JPS60118681A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 多孔質ムライト磁器の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223948A JPS60118681A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 多孔質ムライト磁器の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60118681A true JPS60118681A (ja) | 1985-06-26 |
| JPH0148231B2 JPH0148231B2 (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=16806204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58223948A Granted JPS60118681A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 多孔質ムライト磁器の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60118681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313412U (ja) * | 1986-02-27 | 1988-01-28 | ||
| JP2003342076A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-03 | Ngk Insulators Ltd | 複合材料の製造方法 |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58223948A patent/JPS60118681A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313412U (ja) * | 1986-02-27 | 1988-01-28 | ||
| JP2003342076A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-03 | Ngk Insulators Ltd | 複合材料の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148231B2 (ja) | 1989-10-18 |
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