JPS60119449A - Ｘ線光電子分光分析方法ならびにその装置 - Google Patents
Ｘ線光電子分光分析方法ならびにその装置Info
- Publication number
- JPS60119449A JPS60119449A JP58227441A JP22744183A JPS60119449A JP S60119449 A JPS60119449 A JP S60119449A JP 58227441 A JP58227441 A JP 58227441A JP 22744183 A JP22744183 A JP 22744183A JP S60119449 A JPS60119449 A JP S60119449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- slit
- mask
- sample surface
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は軟Ｘ線を励起源とし、試料から放出される光′
電子により試料の元素分析、状態分析等全行なうＸ線分
光分析方法ならびにその装置に関する。
電子により試料の元素分析、状態分析等全行なうＸ線分
光分析方法ならびにその装置に関する。
（０）従来技術
一般に試料界面の分析手段として、オージェ電子分析装
置やＸ線光電子分光分析装置が広く用いられている。オ
ージェ電子分析装置は電子線を励起源とするのでこれを
細く紋ることができ、従って金属などの導体の局部分析
は可能であゐが、セラミック、金属介在物。
置やＸ線光電子分光分析装置が広く用いられている。オ
ージェ電子分析装置は電子線を励起源とするのでこれを
細く紋ることができ、従って金属などの導体の局部分析
は可能であゐが、セラミック、金属介在物。
生体試料などの非導電性試料に対しては、試料帯電が起
るので分析が難しい。一方ＸＭＡ光電子分光分析装置は
Ｘ線を励起源とするので非導電性試料の表面分析が可能
でおるが、Ｘ線を細く紋れないので局部分析が困難であ
る。
るので分析が難しい。一方ＸＭＡ光電子分光分析装置は
Ｘ線を励起源とするので非導電性試料の表面分析が可能
でおるが、Ｘ線を細く紋れないので局部分析が困難であ
る。
このため、従来Ｘａ光電子分光分析装置による局部分析
として、試料表面をマスクで覆いこのマスクの一部に小
孔を形成し、Ｘ線全上記小孔を通して試料に選択的に照
射する。
として、試料表面をマスクで覆いこのマスクの一部に小
孔を形成し、Ｘ線全上記小孔を通して試料に選択的に照
射する。
または試料から放出される光篭子全レンズ系で拡大し、
試料の特定位置を部分選択するなどの手法が考えられて
いる。しかしながら前者の場合はマスク材料からの信号
が分析試料からのそれに重畳され、さらにマスクと試料
との隙間による影響を受けるなどにより測定が難しい。
試料の特定位置を部分選択するなどの手法が考えられて
いる。しかしながら前者の場合はマスク材料からの信号
が分析試料からのそれに重畳され、さらにマスクと試料
との隙間による影響を受けるなどにより測定が難しい。
また後者は光学系の設計の難しさなどにより未だ実用化
されていない。
されていない。
（ハ）目 的
本発明は上述の問題点を解消し、非導電性試料のＸ線励
起による試料表面の局部分析が可能で、さらにこの局部
の集合としての試料表面上の元累や状態の二次元分布が
測定できるようにすること全目的とする。
起による試料表面の局部分析が可能で、さらにこの局部
の集合としての試料表面上の元累や状態の二次元分布が
測定できるようにすること全目的とする。
に）構 成
本発明はこのような目的全達成するため、試料とＸ線源
の間にマスクを置き、このマスクに細い直線状の穴（ス
リット）″を設け、このスＩＪ ツ） ’に通してＸ線
全試料に照射すると共に、このスリットヲ平行移動させ
試料の一次元的データｐを得る。次にスリットまｆｃは
試料を回転させて上述と同様の平行移動を行ない、以下
平行移動と回転を交互に行ない、得ら詐たデータを演算
処理することによシ、試料表面の二次元的データ全得る
ものである。
の間にマスクを置き、このマスクに細い直線状の穴（ス
リット）″を設け、このスＩＪ ツ） ’に通してＸ線
全試料に照射すると共に、このスリットヲ平行移動させ
試料の一次元的データｐを得る。次にスリットまｆｃは
試料を回転させて上述と同様の平行移動を行ない、以下
平行移動と回転を交互に行ない、得ら詐たデータを演算
処理することによシ、試料表面の二次元的データ全得る
ものである。
演算はＸ線断層撮影装置に用いられるツク・ノクフロジ
エクシ１ン法を用いる。
エクシ１ン法を用いる。
（ホ）実施例
以下本発明を実施例に基いて詳細に説明する。第１図は
本発明の実施例の構成を示す。
本発明の実施例の構成を示す。
（１）は真空室でこの内部にＸ線源（２）、スリット（
３）１分析対象となる試料（４）、試料を乗せる台（５
）を回転させるモータ（６）、スリットｍ＝平行移動さ
せる駆動機構（７）、試料（４）からＸ線によシ励起さ
れて放出される光電子のエネルギーを分離するアナライ
ザ（８）、アナライザ（８）でエネルギー分離（分光う
された光電子を検出する検出器（９）が配置されている
。真空室の外部には検出器（９）からの信号を増幅する
増幅器−，増幅された信号をテジタル値に変換するＡ／
Ｄ変換器０υがあシ、 Ａ／Ｄ変換された信号はｃｐｕ
ＱＱｔ通りメモリ（ｌ）に蓄積される。蓄積されたデ
ータはｃｐｕ（Ｌ′４により演算処理されて二次元分布
像と１７で表示用メモリαΦに出力され、 Ｄ／Ａ変換
変換器金時てＣＲＴ （ｌｆ９に表示される。
３）１分析対象となる試料（４）、試料を乗せる台（５
）を回転させるモータ（６）、スリットｍ＝平行移動さ
せる駆動機構（７）、試料（４）からＸ線によシ励起さ
れて放出される光電子のエネルギーを分離するアナライ
ザ（８）、アナライザ（８）でエネルギー分離（分光う
された光電子を検出する検出器（９）が配置されている
。真空室の外部には検出器（９）からの信号を増幅する
増幅器−，増幅された信号をテジタル値に変換するＡ／
Ｄ変換器０υがあシ、 Ａ／Ｄ変換された信号はｃｐｕ
ＱＱｔ通りメモリ（ｌ）に蓄積される。蓄積されたデ
ータはｃｐｕ（Ｌ′４により演算処理されて二次元分布
像と１７で表示用メモリαΦに出力され、 Ｄ／Ａ変換
変換器金時てＣＲＴ （ｌｆ９に表示される。
モータ（６）及び駆動機構（７）は走査回路Ｑηにより
制御され、走査回路αηはｃｐｕ Ｕにより制御される
。
制御され、走査回路αηはｃｐｕ Ｕにより制御される
。
次に第１図装置の動作及び演算処理について説明する。
第２図は試料金スリット側から見た図であり１台（５）
の回転中心を原点として試料面上に座標軸Ｘ、Ｙを固定
して設定する。
の回転中心を原点として試料面上に座標軸Ｘ、Ｙを固定
して設定する。
スリットを通過したＸ線は試料面のラインＬ上に照射さ
れる。スリットの平行移動によりラインＬも平行移動す
る。ラインＬの位置ｔを、ラインＬが原点を通るときに
ｔ−Ｏとなるように設定し、またラインＬの方向とＹ軸
の成す角度をθとすると、検出器（９）からラインＬの
位置ｔが時間の経過と対応して出力信号ｐ（θ、１）が
出力される。
れる。スリットの平行移動によりラインＬも平行移動す
る。ラインＬの位置ｔを、ラインＬが原点を通るときに
ｔ−Ｏとなるように設定し、またラインＬの方向とＹ軸
の成す角度をθとすると、検出器（９）からラインＬの
位置ｔが時間の経過と対応して出力信号ｐ（θ、１）が
出力される。
検出器の信号ｐ（θ、１）は一定間隔Δを毎にサン１リ
ングされ、またθも一定角度Δθ毎に変化し、メモリに
蓄積されるデータはｐ（ｎ、ｍ）となる。ここでｐ （
ｎ、＋ｎ）はメモリのデータ蓄積エリヤの（ｎ 、 ｍ
）番地のデータであり、ｔ−ｍｂｔ、↓＃；輛θ＝ｎ
Δθ、 ｍ＝−Ｍ、−、Ｍ−１，Ｍ。
ングされ、またθも一定角度Δθ毎に変化し、メモリに
蓄積されるデータはｐ（ｎ、ｍ）となる。ここでｐ （
ｎ、＋ｎ）はメモリのデータ蓄積エリヤの（ｎ 、 ｍ
）番地のデータであり、ｔ−ｍｂｔ、↓＃；輛θ＝ｎ
Δθ、 ｍ＝−Ｍ、−、Ｍ−１，Ｍ。
ｎ＝０．１．２．−、 Ｎ−１，Ｎ Δθ＝ｒｃ （１
８０度）の関係がある。
８０度）の関係がある。
ｐ（ｎ、ｍ）から元の分布工全得る演算処理はフィルタ
ードバノクフロジエクシ■ンと称されるＸ線コンビーー
タ断層撮影（通称ＯＴ）で通常用いられる方法であり、
その演算はコンボリー−ショク（フィルター操作）及び
バックプロジェクシヨンの組合わせである。
ードバノクフロジエクシ■ンと称されるＸ線コンビーー
タ断層撮影（通称ＯＴ）で通常用いられる方法であり、
その演算はコンボリー−ショク（フィルター操作）及び
バックプロジェクシヨンの組合わせである。
まずｐ （ｎ、ｍ）にフィルターをかける（コンポリー
−シリン）操作によって次式の演算をする。
−シリン）操作によって次式の演算をする。
ここでＦはフィルターであり、たとえば次のシｘ ７
・ｏ −カン（Ｂｈｅｆｆ ＆ＬＯｇａｎ ）の７４
ルターである。
・ｏ −カン（Ｂｈｅｆｆ ＆ＬＯｇａｎ ）の７４
ルターである。
通常のフィルターの他に解像方向上のため高周波音強調
したフィルタを用いることも可能である。
したフィルタを用いることも可能である。
次ニバックブロジエクシ■ン（逆投影）を次式のとおり
行なう。
行なう。
ｎ＝Ｑ
ここで（ｐ’（ｎ、ｍ））は
ｍ＝ ｔ／Δｔ＝（ｊ ｃｏｓθ十ｋｓｉｎθ） ／Δ
ｔとし９割り切れない場合は直線補間を行なうことを意
味する。ただしＪ、には−Ｍから十Ｍまでの整数である
。
ｔとし９割り切れない場合は直線補間を行なうことを意
味する。ただしＪ、には−Ｍから十Ｍまでの整数である
。
このようにして得られた分布工（ｊ、ｋ＞は画像メモリ
α（に送られ、Ｉ）／Ａｉ換器Ｏｎ経てＣＲＴｏＱに光
示される。
α（に送られ、Ｉ）／Ａｉ換器Ｏｎ経てＣＲＴｏＱに光
示される。
（へ）効 果
以上述べた本発明においては、従来のマスクに小孔を開
けて小孔を通して試料を選択的に照射する場合に比較し
て試料照射領域が拡大される。従って信号も大きくなり
、ＳＡ比が向上するため、従来においてはマスク材料か
らの信号に埋もれて検出できなかり几小さな信号も検出
可能になｐ、スリツト幅を小さくして解像力を向上する
ことができる。また実施例において述べたように、フィ
ルターの選択によって解像力の向上を行なうことができ
る。このように本発明により非導電性の試料のＸ線励起
による局部分析及び二次元分布測定ができるという優れ
た効果が得られる。
けて小孔を通して試料を選択的に照射する場合に比較し
て試料照射領域が拡大される。従って信号も大きくなり
、ＳＡ比が向上するため、従来においてはマスク材料か
らの信号に埋もれて検出できなかり几小さな信号も検出
可能になｐ、スリツト幅を小さくして解像力を向上する
ことができる。また実施例において述べたように、フィ
ルターの選択によって解像力の向上を行なうことができ
る。このように本発明により非導電性の試料のＸ線励起
による局部分析及び二次元分布測定ができるという優れ
た効果が得られる。
第１図は本発明の実施例の構成図、第２図は試料面とＸ
線照射及び検出データの関係を示す図である。 （１）・・・真空室 （２）・・・Ｘ線源 （３）・・
・スリット（４）・・・試料（５）・・・台 （６）・
・・モータ（７）・・・駆動機構
線照射及び検出データの関係を示す図である。 （１）・・・真空室 （２）・・・Ｘ線源 （３）・・
・スリット（４）・・・試料（５）・・・台 （６）・
・・モータ（７）・・・駆動機構
Claims (2)
- （１） 直線状のスリットを通して試料表面１！−Ｘ線
で照射し、前記スリットによる直線状照射領域を平行移
動させ、前記直線状照射領域を試料表面に対して回転さ
せて、試料表面から放出される光電子の量を測足し、検
出信号を演算処理することにより試料面の２次元分布像
を得ること全特徴とするＸ線光電子分光分析方法。 - （２） 試料とＸ線源の間に設けられた直線状スリット
と、前記スリットヲその方向が平行移動するよう駆動す
る駆動機構と、前記スリット又は試料を回転させるモー
タと、検出信号を蓄積するメモリと、前記メモリに蓄積
されたデータにフィルターをかけるコンポリー−シー７
演Ｎ機構と、このコンポリー−シロン演算機構からの出
力をノくソクフ〜ロジエクシロンするバックグロジエク
ション演算機構と、前記演算の結果を蓄積する画像メモ
リと、前記画像メモリの内容を表示する表示機構を有す
るＸ線光電子分光分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227441A JPH0672852B2 (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Ｘ線光電子分光分析方法ならびにその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227441A JPH0672852B2 (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Ｘ線光電子分光分析方法ならびにその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60119449A true JPS60119449A (ja) | 1985-06-26 |
| JPH0672852B2 JPH0672852B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=16860910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58227441A Expired - Lifetime JPH0672852B2 (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Ｘ線光電子分光分析方法ならびにその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672852B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS505093A (ja) * | 1972-12-11 | 1975-01-20 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58227441A patent/JPH0672852B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS505093A (ja) * | 1972-12-11 | 1975-01-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0672852B2 (ja) | 1994-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5402460A (en) | Three-dimensional microtomographic analysis system | |
| EP0753140A1 (en) | Method for ge-xrf x-ray analysis of materials, and apparatus for carrying out the method | |
| JP2793818B2 (ja) | 表面分析方法およびその装置 | |
| JP3699998B2 (ja) | 蛍光ｘ線ホログラフィー装置、蛍光ｘ線ホログラフィーおよび局所構造解析方法 | |
| CN114486965A (zh) | 一种测量表面法向衍射信号的方法、装置及存储介质 | |
| Sakurai et al. | Neutron visualization of inhomogeneous buried interfaces in thin films | |
| JPS60119449A (ja) | Ｘ線光電子分光分析方法ならびにその装置 | |
| JP2002529699A (ja) | Ｘ線光学基準チャネルを有するｘ線回折装置 | |
| JP2000046759A (ja) | Ｘ線検査方法およびｘ線検査装置 | |
| Gurker | Element mapping by a scanning X‐ray system | |
| JP2968460B2 (ja) | Ｘ線分析方法 | |
| JP2002062270A (ja) | 電子線を用いた表面分析装置における面分析データ表示方法 | |
| JPH1151883A (ja) | 蛍光ｘ線分析装置および方法 | |
| JPH05340894A (ja) | Ｋ吸収端差分法を用いたｘ線画像撮影装置並びにｘ線ｃｔ装置 | |
| JPH08105846A (ja) | Ｘ線分析装置 | |
| JP3375007B2 (ja) | 軟ｘ線顕微鏡 | |
| JP3677232B2 (ja) | 表面元素分布分析装置及びそれを用いた表面元素分布分析方法。 | |
| JPH0560702A (ja) | Ｘ線を用いた断層像撮像方法及び装置 | |
| JPH06235704A (ja) | 単色ｘ線ｃｔ装置 | |
| JPS6353456A (ja) | 単色ｘ線画像計測装置 | |
| CN116046816A (zh) | 一种光谱信号接收装置及接收方法 | |
| JP3367999B2 (ja) | Ｘ線定量分析方法及び装置 | |
| JP2957482B2 (ja) | 表面分析法およびその装置 | |
| JPS61256243A (ja) | 単色ｘ線断層撮影装置 | |
| JPH0954052A (ja) | Ｘ線分析方法およびｘ線分析装置 |