JPS60119571A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60119571A JPS60119571A JP22678783A JP22678783A JPS60119571A JP S60119571 A JPS60119571 A JP S60119571A JP 22678783 A JP22678783 A JP 22678783A JP 22678783 A JP22678783 A JP 22678783A JP S60119571 A JPS60119571 A JP S60119571A
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- Japan
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- layer
- photoconductive layer
- photoconductive
- intermediate layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/12—Recording members for multicolour processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は２色電子写真感光体さらに詳しくは導電性基体
表面をＮｉ−Ｂ非品質または合金薄膜で被覆した電子写
真感光体に関する。
表面をＮｉ−Ｂ非品質または合金薄膜で被覆した電子写
真感光体に関する。
従来、導電性基体と光導電層との間に中間層を設けて基
体側からキャリヤの移動を容易に行なわしめることが知
られている。この種の中間層のうち、特に光導電層との
仕事関数との関係に着目した中間層としてＩＪｉ−Ｐ合
金を用いてキャリヤの注入性を改善する方法が提案され
ている《特公昭５１−３５８６４号公報参照》。しかし
ながらＮｉ−Ｐ合金を中間層として）ｌ基質上に設けそ
の上にＡＳ２Ｓｅ３からなる光導電層を設けた感光体の
負帯電特性は一２００ｖ以下であってホ−ルの注入が充
分とはいえない。また、仕事関数が感光層物質以下でＮ
１以上の金属、Ｔｅ以上のカルコゲン物質、Ａ８以上の
粉末および結着樹脂からガる中間層を用いることが提案
されている（特公昭５４−３６８５９号公報参照）。し
かしながら、この方法では結着樹脂を使用するためＡｓ
２Ｓｅ３などの光導電層では形成条件が制約され満足す
べき電気特性が得られないという欠点がある。
体側からキャリヤの移動を容易に行なわしめることが知
られている。この種の中間層のうち、特に光導電層との
仕事関数との関係に着目した中間層としてＩＪｉ−Ｐ合
金を用いてキャリヤの注入性を改善する方法が提案され
ている《特公昭５１−３５８６４号公報参照》。しかし
ながらＮｉ−Ｐ合金を中間層として）ｌ基質上に設けそ
の上にＡＳ２Ｓｅ３からなる光導電層を設けた感光体の
負帯電特性は一２００ｖ以下であってホ−ルの注入が充
分とはいえない。また、仕事関数が感光層物質以下でＮ
１以上の金属、Ｔｅ以上のカルコゲン物質、Ａ８以上の
粉末および結着樹脂からガる中間層を用いることが提案
されている（特公昭５４−３６８５９号公報参照）。し
かしながら、この方法では結着樹脂を使用するためＡｓ
２Ｓｅ３などの光導電層では形成条件が制約され満足す
べき電気特性が得られないという欠点がある。
本発明は上記現状に鑑みてなされたものであって、その
目的は電子写真感光体の基体および光導電層間の整流特
性を改善することである。
目的は電子写真感光体の基体および光導電層間の整流特
性を改善することである。
上記目的を達成するために、本発明は電子写真感光体に
おける中間層としてＮ１−Ｂ非晶質薄膜またはＮ１−Ｂ
合金薄膜を用いることにある。
おける中間層としてＮ１−Ｂ非晶質薄膜またはＮ１−Ｂ
合金薄膜を用いることにある。
本発明の電子写真感光体はＮ１−Ｂ非晶質薄膜またはＮ
１−Ｂ合金薄膜を被覆した導電性基体表面に光導電層を
設けたものを基本とする。また、本発明の電子写真感光
体の別の態様として、光導電層を第１光導電層と第２光
導電層との２層構成にすることができる。第１光導電層
はＮ１−Ｂ非晶質薄膜またはＮ１−Ｂ合金薄膜を被覆し
た導電性基体表面の上に設けられそして第２光導電層は
該第１光導電層の上に設けられる。また、第２光導電層
は可視光領域の一部有彩色光に対し感度を有し且つ他の
有彩色光を透過するものであシ、一方第１光導電層は少
なくともその第２光導電層を透過する有彩色光に対し感
度を有するものである。
１−Ｂ合金薄膜を被覆した導電性基体表面に光導電層を
設けたものを基本とする。また、本発明の電子写真感光
体の別の態様として、光導電層を第１光導電層と第２光
導電層との２層構成にすることができる。第１光導電層
はＮ１−Ｂ非晶質薄膜またはＮ１−Ｂ合金薄膜を被覆し
た導電性基体表面の上に設けられそして第２光導電層は
該第１光導電層の上に設けられる。また、第２光導電層
は可視光領域の一部有彩色光に対し感度を有し且つ他の
有彩色光を透過するものであシ、一方第１光導電層は少
なくともその第２光導電層を透過する有彩色光に対し感
度を有するものである。
次に、図面を参照して本発明の電子写真感光圧について
具体的に説明する。
具体的に説明する。
第１図に示すように、本発明の電子写真感光体は導電性
基体１の上に中間層２を設けさらにその上に光導電層３
を設けたものが基本構成である。導電性基体としては例
えばＡｌ、ステンレススチールなどの金属板、５ｎ０２
、Ｉｎ２Ｏ５などの金属酸化物あるいはこれら金属また
は金属酸化物を被覆したプラスチックフィルム、紙また
は布などを用いることができる。中間層はＮｉ −Ｂ非
晶質薄膜またはＮ１−Ｂ合金薄膜からなる。中間層は例
えば蒸着法、スパッタリング法など通常の方法によって
形成することができるが、工業的には無電解メッキ法が
最も有利である。中間層の膜厚は５ｏｏｏＡ〜１０μ好
ましくは１μ〜５μの範囲にある。例えばアルカリ性ニ
ッケルメッキ液を用いる場合、Ｎ１−Ｂの還元析出反応
は以下の反応式で表わすことができる。
基体１の上に中間層２を設けさらにその上に光導電層３
を設けたものが基本構成である。導電性基体としては例
えばＡｌ、ステンレススチールなどの金属板、５ｎ０２
、Ｉｎ２Ｏ５などの金属酸化物あるいはこれら金属また
は金属酸化物を被覆したプラスチックフィルム、紙また
は布などを用いることができる。中間層はＮｉ −Ｂ非
晶質薄膜またはＮ１−Ｂ合金薄膜からなる。中間層は例
えば蒸着法、スパッタリング法など通常の方法によって
形成することができるが、工業的には無電解メッキ法が
最も有利である。中間層の膜厚は５ｏｏｏＡ〜１０μ好
ましくは１μ〜５μの範囲にある。例えばアルカリ性ニ
ッケルメッキ液を用いる場合、Ｎ１−Ｂの還元析出反応
は以下の反応式で表わすことができる。
４ＮｉＣｔ２ ＋ＮａＢＯ２＋ ８ＮａＯＨ−＋４Ｎｉ
＋ＮａＢＯ２＋ ８ＮａＣ４＋ ６Ｈ２０４ＮｉＣ１
２＋２ＮａＢＨ４＋６ＮａＯＨ→２Ｎｉ２Ｂ＋Ｈ２，、
＋ｌ８ＮａＣｌ＋、６Ｈ２０得られたＮ１−Ｂ膜の構造
は非晶質であるが、非晶質でも整流性は大巾に改善され
て所望の電気特性を得ることができる。メッキ後、Ｎ１
−Ｂ膜に後処理を施すとＮｉ −Ｂ合金となるが非晶質
膜と同等の整流性を維持し且つ導電性基体との密着性の
向上およびＮ１−Ｂ膜中の応力の解放などを図ることが
可能となる。また、光導電層としてはＳｅ系憑光層を用
いることができ、その代表的な例としてはＳｅ％５ｅＴ
ｅ、 Ａｓ２Ｓｅ３．５ｅ−Ｂｉ、５ｅ−８ｂなどをあ
げることができる。
＋ＮａＢＯ２＋ ８ＮａＣ４＋ ６Ｈ２０４ＮｉＣ１
２＋２ＮａＢＨ４＋６ＮａＯＨ→２Ｎｉ２Ｂ＋Ｈ２，、
＋ｌ８ＮａＣｌ＋、６Ｈ２０得られたＮ１−Ｂ膜の構造
は非晶質であるが、非晶質でも整流性は大巾に改善され
て所望の電気特性を得ることができる。メッキ後、Ｎ１
−Ｂ膜に後処理を施すとＮｉ −Ｂ合金となるが非晶質
膜と同等の整流性を維持し且つ導電性基体との密着性の
向上およびＮ１−Ｂ膜中の応力の解放などを図ることが
可能となる。また、光導電層としてはＳｅ系憑光層を用
いることができ、その代表的な例としてはＳｅ％５ｅＴ
ｅ、 Ａｓ２Ｓｅ３．５ｅ−Ｂｉ、５ｅ−８ｂなどをあ
げることができる。
第２図は本発明による電子写真感光体の別の態様を示す
ものであって、導電性基体１の上に中間層２を設けさら
にその上に第１光導電層４および第２光導電層５を設け
たものである。第１光導電層は上記光導電層と同様にＳ
ｅ系感光層であって、その膜厚は１０〜１５０μ好まし
くは５０〜１２０μの範囲にある。また、第２光導電層
としては正または負の帯電下あるいは両極性帯電下で可
視光領域の一部有彩色光によシ導体化するような光導電
性部材が用いられる。特に両極性帯電下で光導電性を示
す材料としてはフタロシアニン顔料、アゾ顔料のような
有機顔料、ピリリウム系染料およびこれら染料と樹脂と
の共晶錯体、電荷移動錯体などをあげることができる。
ものであって、導電性基体１の上に中間層２を設けさら
にその上に第１光導電層４および第２光導電層５を設け
たものである。第１光導電層は上記光導電層と同様にＳ
ｅ系感光層であって、その膜厚は１０〜１５０μ好まし
くは５０〜１２０μの範囲にある。また、第２光導電層
としては正または負の帯電下あるいは両極性帯電下で可
視光領域の一部有彩色光によシ導体化するような光導電
性部材が用いられる。特に両極性帯電下で光導電性を示
す材料としてはフタロシアニン顔料、アゾ顔料のような
有機顔料、ピリリウム系染料およびこれら染料と樹脂と
の共晶錯体、電荷移動錯体などをあげることができる。
すなわち、第２光導電層は正または負のコロナ帯電を施
したときに電位保持能を有する素材で構成され且つ特定
波長の光で導体化する性質を有している。また、第２光
導電層は第２図に示すように単層であってもよいが特に
これに限定されるものではなく本発明の別の態様として
第３図に示すように電荷発生層６と電荷輸送層７の２層
にすることもできる。第２光導電層の膜厚は単層の場合
５〜６０μ程度が適切であり。
したときに電位保持能を有する素材で構成され且つ特定
波長の光で導体化する性質を有している。また、第２光
導電層は第２図に示すように単層であってもよいが特に
これに限定されるものではなく本発明の別の態様として
第３図に示すように電荷発生層６と電荷輸送層７の２層
にすることもできる。第２光導電層の膜厚は単層の場合
５〜６０μ程度が適切であり。
２層の場合電荷発生層は０．１〜５μ程度そして電荷輸
送層は５〜５０μ程度が適切である。なお、本発明では
第１光導電層と第２光導電層との間に新たな層を設けて
電荷のリークを防止する等の機能向上を図ってもよい。
送層は５〜５０μ程度が適切である。なお、本発明では
第１光導電層と第２光導電層との間に新たな層を設けて
電荷のリークを防止する等の機能向上を図ってもよい。
第２光導電層の形成にあたって結着剤を用いる場合には
その材料としては例えばポリエチレン、ポリスチレン、
ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、エポキ
シ、ウレタン、シリコーン、アルキッドなどの樹脂を用
いることができる。結着剤には可塑剤を併用できるが、
その添加量は結着剤に対し３層゛重量％ｉでが適当であ
る。可塑剤としてはジブチルフタレート、ジオクチルフ
タレートなどの一般に樹脂の可塑剤として用いられるも
のをそのまま使用できる。
その材料としては例えばポリエチレン、ポリスチレン、
ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、エポキ
シ、ウレタン、シリコーン、アルキッドなどの樹脂を用
いることができる。結着剤には可塑剤を併用できるが、
その添加量は結着剤に対し３層゛重量％ｉでが適当であ
る。可塑剤としてはジブチルフタレート、ジオクチルフ
タレートなどの一般に樹脂の可塑剤として用いられるも
のをそのまま使用できる。
以下に比較例とともに実施例を掲げて本発明をさらに説
明するが本発明はこれに限定されるものではない。
明するが本発明はこれに限定されるものではない。
実施例 １
本発明品−１のＮ１−Ｂ中間層を設けたものと。
従来のＮ１−Ｐ中間層を設けたもの（比較品Ａ−１）お
よび中間層のないもの（比較品Ｂ−１）の３種の試料を
作製し基体からのキャリヤの注入性を比較した。以下に
試料作製法と特性値を示す。
よび中間層のないもの（比較品Ｂ−１）の３種の試料を
作製し基体からのキャリヤの注入性を比較した。以下に
試料作製法と特性値を示す。
本発明品−に表面が平滑なアルミニウム板をトリクレン
脱脂の後、ニッケルーホウ累無電解浴、 ＷＭＦ−１５
Ｐ （ワールドメタルフイニツシーン′グ社製）にて約
１μの膜厚のＮ１およびＢをＡｌ板上に析出させた。得
られたＮ１−Ｂ膜を湯洗、乾燥の後３５０℃で６時間熱
処理した。この後、Ａｓ２Ｓｅ３光導電層を真空蒸着法
でＮｉ −Ｂ中間層上に設は本発明品とした。蒸着条件
は、基板温度２００℃、真空度２〜５ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ、ボート温度４７０℃、蒸着速度１μ７ｍｉ
ｎおよび膜厚６０μとした。
脱脂の後、ニッケルーホウ累無電解浴、 ＷＭＦ−１５
Ｐ （ワールドメタルフイニツシーン′グ社製）にて約
１μの膜厚のＮ１およびＢをＡｌ板上に析出させた。得
られたＮ１−Ｂ膜を湯洗、乾燥の後３５０℃で６時間熱
処理した。この後、Ａｓ２Ｓｅ３光導電層を真空蒸着法
でＮｉ −Ｂ中間層上に設は本発明品とした。蒸着条件
は、基板温度２００℃、真空度２〜５ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ、ボート温度４７０℃、蒸着速度１μ７ｍｉ
ｎおよび膜厚６０μとした。
比較品Ａ−に本発明品と同様なアルミニウム板をトリク
レン脱脂の後ニックルーリン無電解浴ブルーシューヌ−
（日本カニゼン製）にて約１μの膜厚のＮｉおよびＰを
Ａｌ板上に析出させ得られたＮ１−Ｐ膜を湯洗、乾燥の
後ろ５０℃で６時間熱処理した。その後、本発明品と全
く同様な方法でＡ３２Ｓｅ３光導電層を設は比較品Ａ−
ｉとした。
レン脱脂の後ニックルーリン無電解浴ブルーシューヌ−
（日本カニゼン製）にて約１μの膜厚のＮｉおよびＰを
Ａｌ板上に析出させ得られたＮ１−Ｐ膜を湯洗、乾燥の
後ろ５０℃で６時間熱処理した。その後、本発明品と全
く同様な方法でＡ３２Ｓｅ３光導電層を設は比較品Ａ−
ｉとした。
比較品Ｂ−に本発明品−１と同様なアルミニウム板をト
リクレン脱脂の後１本発明品−１と同様な方法でＡｌ板
上にＡｓ２８ｅ３光導電層を設は比較品Ｂ−１とした。
リクレン脱脂の後１本発明品−１と同様な方法でＡｌ板
上にＡｓ２８ｅ３光導電層を設は比較品Ｂ−１とした。
以上のような方法で作製された本発明品および比較品の
正、負帯電電位をＥＰＡ （川口電機製）にて測定した
。但し、正コロナ帯電を＋５ＫＶとし、負コロナ帯電を
一５ＫＶとした。測定結果を以下の表１に示す。
正、負帯電電位をＥＰＡ （川口電機製）にて測定した
。但し、正コロナ帯電を＋５ＫＶとし、負コロナ帯電を
一５ＫＶとした。測定結果を以下の表１に示す。
表 １
上記の結果から、Ｎｉ −Ｂ中間層を有する本発明品は
従来品（比較品）と比較して大巾に正孔の注入効率が改
善されていることがわかる。
従来品（比較品）と比較して大巾に正孔の注入効率が改
善されていることがわかる。
実施例 ２
実施例１で作製した本発明品−１、比較品Ａ−１および
Ｂ−１ｔ−ニトロセルロース４ｔｔ脂（シャドー社製）
の１０重量パーセント溶液中に浸漬し各々のＡｓ２Ｓｅ
３第１光導亀層上にニトロセルロース樹脂からなる中間
層１μを形成した。その後真空蒸着法でこの中間層に５
ｅＴｅ第２光導電層用電荷発生層を形成した。蒸着条件
は合金組成８ｅＴｅ ８ｖｔ％、Ｃ１２５ｐｐｍ、基板
温度８０℃、真空度２〜５Ｘ １０−６ Ｔｏｒｒ 、
ボート温度３２０℃、蒸着速度５ ｕ／ｍｉｎ、膜厚５
μとした。さらに５ｅＴｅ電荷発生層上にポリビニルカ
ルバゾールの５重量パーセント塩化メチレン溶液を塗布
乾燥して膜厚２０μの第２光導電層用電荷移動層を設は
複合感光体本発明品−２，比較品Ａ−２およびＢ−２を
得た。次にこれらの感光体に各々−５，７ＫＶの１次コ
ロナ帯電を行った後、＋ ５．５ Ｋｖの２次コロナ帯
電を施し次いで■露光なし、■赤色フィルターを介した
露光、■白色露光を行い電位を測定したところ以下の表
２に示す結果を得た。
Ｂ−１ｔ−ニトロセルロース４ｔｔ脂（シャドー社製）
の１０重量パーセント溶液中に浸漬し各々のＡｓ２Ｓｅ
３第１光導亀層上にニトロセルロース樹脂からなる中間
層１μを形成した。その後真空蒸着法でこの中間層に５
ｅＴｅ第２光導電層用電荷発生層を形成した。蒸着条件
は合金組成８ｅＴｅ ８ｖｔ％、Ｃ１２５ｐｐｍ、基板
温度８０℃、真空度２〜５Ｘ １０−６ Ｔｏｒｒ 、
ボート温度３２０℃、蒸着速度５ ｕ／ｍｉｎ、膜厚５
μとした。さらに５ｅＴｅ電荷発生層上にポリビニルカ
ルバゾールの５重量パーセント塩化メチレン溶液を塗布
乾燥して膜厚２０μの第２光導電層用電荷移動層を設は
複合感光体本発明品−２，比較品Ａ−２およびＢ−２を
得た。次にこれらの感光体に各々−５，７ＫＶの１次コ
ロナ帯電を行った後、＋ ５．５ Ｋｖの２次コロナ帯
電を施し次いで■露光なし、■赤色フィルターを介した
露光、■白色露光を行い電位を測定したところ以下の表
２に示す結果を得た。
表 ２
この表における本発明品と比較品間の赤色都電位差は実
施例１における負帯電電位差に相当することがわかる。
施例１における負帯電電位差に相当することがわかる。
従って本発明のＮ１−Ｂ中間層の介在により基体よシの
正孔の注入性が改善され２色カラー感光体の赤色部電位
の増加を図ることができたと判断できる。
正孔の注入性が改善され２色カラー感光体の赤色部電位
の増加を図ることができたと判断できる。
以上のようにして構成された本発明の電子写真感光体は
Ｎｉ −Ｂ中間層の存在により光導電層の静電特性を損
うことなく基体からの正孔の注入効率を大巾に増加させ
ることができる。したがって、２色カラー複写用後合感
光体の要求特性を充分満足しまたＮ１−Ｂ中間層は既知
の無電解メッキ法によシ工業的に容易に成膜することが
できる。
Ｎｉ −Ｂ中間層の存在により光導電層の静電特性を損
うことなく基体からの正孔の注入効率を大巾に増加させ
ることができる。したがって、２色カラー複写用後合感
光体の要求特性を充分満足しまたＮ１−Ｂ中間層は既知
の無電解メッキ法によシ工業的に容易に成膜することが
できる。
第１図ないし第３図は本発明による電子写真感光体の層
構成例を示す断面図である。 １・・・導電性基体、２・・・Ｎ１−Ｂ中間層、３・・
・光導電層、４・・・第１光導電層、５・・・第２光導
電層、６・・・電荷発生層、７・・・電荷輸送層。 特許出願人 株式会社 リ コ −
構成例を示す断面図である。 １・・・導電性基体、２・・・Ｎ１−Ｂ中間層、３・・
・光導電層、４・・・第１光導電層、５・・・第２光導
電層、６・・・電荷発生層、７・・・電荷輸送層。 特許出願人 株式会社 リ コ −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） Ｎ１−Ｂ非晶質薄膜またはＮ１−Ｂ合金薄膜を被
覆した導電性基体表面に光導電層を設けたことを特徴と
する、電子写真感光体。 ２） Ｎ１−Ｂ非晶質薄膜またはＮ１−Ｂ合金薄膜を被
覆した導電性基体表面に第１光導電層および第２光導電
層をこの順序で設けてなり、しかも前記第１光導電層が
少なくともその第２光導電層を透過する有彩色光に対し
感度を有しそして前記第２光導電層が可視光領域の一部
有彩色光に対し感度を有し且つ他の有彩色光を透過する
こと全特徴とする、電子写真感光体。 ３）前記第２光導電層が電荷発生層と電荷輸送層との２
層からなることを特徴とする特許許請求の範囲第２項記
載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22678783A JPS60119571A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22678783A JPS60119571A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60119571A true JPS60119571A (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=16850604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22678783A Pending JPS60119571A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60119571A (ja) |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP22678783A patent/JPS60119571A/ja active Pending
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