JPS60119765A - 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ムInfo
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- JPS60119765A JPS60119765A JP58226823A JP22682383A JPS60119765A JP S60119765 A JPS60119765 A JP S60119765A JP 58226823 A JP58226823 A JP 58226823A JP 22682383 A JP22682383 A JP 22682383A JP S60119765 A JPS60119765 A JP S60119765A
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、半導体装置を構成するリードフレームの改良
、および、そのリードフレームを使用した樹脂封止型の
半導体装置の構造に関するものである。
、および、そのリードフレームを使用した樹脂封止型の
半導体装置の構造に関するものである。
［背景技術］
樹脂封止型半導体装置はリードフレームのタブ部にシリ
コン基板からなる半導体素子（以下ペレットと称する）
を搭載し、ペレットの電極部とリードをワイヤで接続し
、封止体から外部に延びるリード（以下、アウターリー
ドと称する）以外の部分をプラスチ７クパ７ケージ（樹
脂封止体）で封止することにより構成される。このよう
な半導体装置においてリードフレーム材料は、素子に発
生する熱を外部に逃し易くするため熱伝導率の高い材料
をリードフレームに使用することが要求される。さらに
、このリードフレーム材料は、樹脂封止体との熱膨張係
数差が出来る限り小さい材料に選択されなければならな
い。このため、リードフレームの材料として、銅（Ｃｕ
） 、あるいは銅を素材として、リン（Ｐ）、鉄（Ｆｅ
）、錫（Ｓｎ）等を微量添加した材料（以下、総称して
Ｃｕ系材料と称する）が用いられてきた。
コン基板からなる半導体素子（以下ペレットと称する）
を搭載し、ペレットの電極部とリードをワイヤで接続し
、封止体から外部に延びるリード（以下、アウターリー
ドと称する）以外の部分をプラスチ７クパ７ケージ（樹
脂封止体）で封止することにより構成される。このよう
な半導体装置においてリードフレーム材料は、素子に発
生する熱を外部に逃し易くするため熱伝導率の高い材料
をリードフレームに使用することが要求される。さらに
、このリードフレーム材料は、樹脂封止体との熱膨張係
数差が出来る限り小さい材料に選択されなければならな
い。このため、リードフレームの材料として、銅（Ｃｕ
） 、あるいは銅を素材として、リン（Ｐ）、鉄（Ｆｅ
）、錫（Ｓｎ）等を微量添加した材料（以下、総称して
Ｃｕ系材料と称する）が用いられてきた。
しかし、銅（Ｃｕ）系の材料を用いた場合、次の欠点を
有する。すなわち、半導体装置の組立工程において、リ
ードフレームは２００〜４５０℃程度の高温で加熱され
るため、その表面に酸化膜が形成される。この酸化膜は
樹脂との接着力を確保するため必要なものであるが、Ｃ
ｕ系リードフレームの場合、その酸化膜とＣ’ｕ系材の
接着力が小さいので、その界面に隙間が発生し、このた
め、樹脂封止半導体装置においては、耐湿性が劣化する
という問題が生ずる。この問題を防止する方法としてリ
ードフレーム表面に錫−ニソケルニ元材料の被膜を形成
し、タブリードおよびリード先端のワイヤを接続する部
分には更に銀（Ａｇ）の被膜を形成する方法が従来から
知られている。たとえば、この技術は、特開昭５４−１
２９９７６号明細書に記載されている。
有する。すなわち、半導体装置の組立工程において、リ
ードフレームは２００〜４５０℃程度の高温で加熱され
るため、その表面に酸化膜が形成される。この酸化膜は
樹脂との接着力を確保するため必要なものであるが、Ｃ
ｕ系リードフレームの場合、その酸化膜とＣ’ｕ系材の
接着力が小さいので、その界面に隙間が発生し、このた
め、樹脂封止半導体装置においては、耐湿性が劣化する
という問題が生ずる。この問題を防止する方法としてリ
ードフレーム表面に錫−ニソケルニ元材料の被膜を形成
し、タブリードおよびリード先端のワイヤを接続する部
分には更に銀（Ａｇ）の被膜を形成する方法が従来から
知られている。たとえば、この技術は、特開昭５４−１
２９９７６号明細書に記載されている。
しかし、５ｎ−Ｎｉ上にＡｇを被着する場合、５ｎ−Ｎ
ｉに対するＡｇの接着力が弱いので、予め５ｎ−Ｎｉ上
にＣｕを薄くメッキすること（銅ストライクメッキ）が
要求される。そのため、工程数が増大する上に、銅スト
ライクメッキの剥離時に５ｎ−Ｎｉメッキの表面を変質
させ、またＡｇの粒界を腐食させるという問題があるこ
とが本発明者により見い出された。
ｉに対するＡｇの接着力が弱いので、予め５ｎ−Ｎｉ上
にＣｕを薄くメッキすること（銅ストライクメッキ）が
要求される。そのため、工程数が増大する上に、銅スト
ライクメッキの剥離時に５ｎ−Ｎｉメッキの表面を変質
させ、またＡｇの粒界を腐食させるという問題があるこ
とが本発明者により見い出された。
さらに、５ｎ−Ｎｉ表面に形成されたＡｇが半導体装置
動作中にマイグレーションを起こすことにより、絶縁さ
れている複数のリード間に絶縁不良が発生することがあ
るため、信頼性を充分確保できないということがわかっ
た。
動作中にマイグレーションを起こすことにより、絶縁さ
れている複数のリード間に絶縁不良が発生することがあ
るため、信頼性を充分確保できないということがわかっ
た。
［発明の目的］
従って、本発明の主目的は、Ｃｕ系材料を用いたプラス
チックパッケージにおいて、リードと樹脂封止体と接着
性を改善して耐湿信頼性を向上さ−せ、しかも、長期動
作信頼性を確保した樹脂封止型半導体装置を提供するこ
とにある。
チックパッケージにおいて、リードと樹脂封止体と接着
性を改善して耐湿信頼性を向上さ−せ、しかも、長期動
作信頼性を確保した樹脂封止型半導体装置を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は、アウターリード製造時の工程数を
削減できるリードフレームを提供することにある。
削減できるリードフレームを提供することにある。
［発明の概要コ
上記の目的を達成するために、本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば以下
のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば以下
のとおりである。
すなわち、銅（Ｃｕ）系金属からなるリードフレームを
錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）二元メッキで被覆し、樹脂
封止体とリードとの接着性を良くし、更に、リード先端
のワイヤボンディング部分には金（Ａｕ）の被膜を設け
ることにより、安定したポンディング性の確保と、動作
中に起こるリード間の絶縁不良の発生を防止したことを
特徴とする。
錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）二元メッキで被覆し、樹脂
封止体とリードとの接着性を良くし、更に、リード先端
のワイヤボンディング部分には金（Ａｕ）の被膜を設け
ることにより、安定したポンディング性の確保と、動作
中に起こるリード間の絶縁不良の発生を防止したことを
特徴とする。
［実施例］
第１図は、本発明を適用した樹脂封止型（プラスチック
パンケージ）半導体装置の平面図、第２図は、第１図に
示した装置の側面図、第３図は、第１図のＡ−Ａ’線に
沿う一部断面図である。
パンケージ）半導体装置の平面図、第２図は、第１図に
示した装置の側面図、第３図は、第１図のＡ−Ａ’線に
沿う一部断面図である。
第１図および第２図において、１は、エポキシ樹脂など
の樹脂からなるパッケージ本体（樹脂封止体）、２は、
複数のリードで半導体素子の電極を封止体の外部に導出
させるためのものである。
の樹脂からなるパッケージ本体（樹脂封止体）、２は、
複数のリードで半導体素子の電極を封止体の外部に導出
させるためのものである。
これらのリードは、銅系材料からなり、その表面を錫−
ニッケル（Ｓｎ−Ｎ’ｉ）二元メブキで被覆しである。
ニッケル（Ｓｎ−Ｎ’ｉ）二元メブキで被覆しである。
３はタブ付きリード部で他のリードと同様に、本体は銅
系材料からなり、その表面は錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ
）二元メッキで被覆しである。４は、集積回路が形成さ
れたシリコン半導体素子（ペレット）で、図示されてい
ないが、このペレット表面には、複数の外部引き出し電
極（パッド）が形成されている。５は、金（Ａｕ）から
なるボンディングワイヤで、上記ペレット４の電極とリ
ード２とを電気的接続している。リード２．３は、第３
図に示すようにリード本体は銅系金属からなる母体６と
、その表面にメン”Ｆ−された錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎ
ｉ）被ｆｆ１８からなる。
系材料からなり、その表面は錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ
）二元メッキで被覆しである。４は、集積回路が形成さ
れたシリコン半導体素子（ペレット）で、図示されてい
ないが、このペレット表面には、複数の外部引き出し電
極（パッド）が形成されている。５は、金（Ａｕ）から
なるボンディングワイヤで、上記ペレット４の電極とリ
ード２とを電気的接続している。リード２．３は、第３
図に示すようにリード本体は銅系金属からなる母体６と
、その表面にメン”Ｆ−された錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎ
ｉ）被ｆｆ１８からなる。
このリード２は、樹脂から外部に伸びるアウターリード
部において、錫（Ｓｎ）１０、または、半田１０で被覆
されている。また、タブ３も同様に、銅系金属の母体６
と、その表面の錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）の被膜８が
ら形成されている。半導体素子（ペレット）４は、タブ
３上に搭載されるが、半導体素子（ペレット）４は、タ
ブ部３に銀−エポキシ樹脂ペーストなどの接着剤１３を
介して固着されている。
部において、錫（Ｓｎ）１０、または、半田１０で被覆
されている。また、タブ３も同様に、銅系金属の母体６
と、その表面の錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）の被膜８が
ら形成されている。半導体素子（ペレット）４は、タブ
３上に搭載されるが、半導体素子（ペレット）４は、タ
ブ部３に銀−エポキシ樹脂ペーストなどの接着剤１３を
介して固着されている。
また、リード２の上には、金（Ａｕ）からなるボンディ
ングワイヤ５を周知のボンディング技術により接続する
ために、金（Ａｕ）層１１；６＜形成されている。
ングワイヤ５を周知のボンディング技術により接続する
ために、金（Ａｕ）層１１；６＜形成されている。
リード２およびタブ３は、前述のように銅系金属を母体
としているため、樹脂との熱膨張率の差が小さく、さら
に、錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）被膜でその表面が覆わ
れているため、樹脂封止体１との接着性も良い。従って
、トランスファモールド技術による封止時、または、封
止完成後における動作状態における加熱冷却時において
、樹脂とリードに働く応力が緩和され、特に、タブ端部
において樹脂クランクが生じにくくなる。よって、チッ
プサイズの大きい半導体装置にも適用できる。
としているため、樹脂との熱膨張率の差が小さく、さら
に、錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）被膜でその表面が覆わ
れているため、樹脂封止体１との接着性も良い。従って
、トランスファモールド技術による封止時、または、封
止完成後における動作状態における加熱冷却時において
、樹脂とリードに働く応力が緩和され、特に、タブ端部
において樹脂クランクが生じにくくなる。よって、チッ
プサイズの大きい半導体装置にも適用できる。
さらに、本発明によれば、リード先端のワイヤボンディ
ング部分に金（Ａｕ）の被膜を用いているため、安定し
たワイヤボンディングが可能である。
ング部分に金（Ａｕ）の被膜を用いているため、安定し
たワイヤボンディングが可能である。
また、金の被膜を形成する部分は少なくともリード先端
のワイヤポンディングする部分としているため、金の使
用量を節減することができる。
のワイヤポンディングする部分としているため、金の使
用量を節減することができる。
更に、リードフレーム表面に銀（Ａｇ）を使用していな
いため、半導体装置を長時間高湿度中で動作させても、
複数のリード間に絶縁不良が発生する可能性が極めて低
い。
いため、半導体装置を長時間高湿度中で動作させても、
複数のリード間に絶縁不良が発生する可能性が極めて低
い。
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する
。
。
まず、Ｃｕ系の細状板をプレス等で加工し、ＣＵ系母体
のリードフレームを形成する。このリードフレームは多
数のリード部（上記の２に該当する部分）と、タブ部（
上記の３に該当する部分）とを有するように加工される
。
のリードフレームを形成する。このリードフレームは多
数のリード部（上記の２に該当する部分）と、タブ部（
上記の３に該当する部分）とを有するように加工される
。
次ニ、このＣｕ系リードフレームに錫−ニレケル（Ｓｎ
−Ｎｉ）メッキを施し、上記したような錫−ニッケルの
被膜８を形成する。さらに、部分的に金（Ａｕ）被膜１
１を形成する。これによって得られたリードフレームの
形状を第４図に示す。
−Ｎｉ）メッキを施し、上記したような錫−ニッケルの
被膜８を形成する。さらに、部分的に金（Ａｕ）被膜１
１を形成する。これによって得られたリードフレームの
形状を第４図に示す。
第４図において、２および３は前記第１図、第２図によ
って説明したリードおよびタブである。
って説明したリードおよびタブである。
リード２ばタブ吊りリード１３を介して枠体７によって
、タブ３はタイバー９および枠体１２によって支えられ
ている。
、タブ３はタイバー９および枠体１２によって支えられ
ている。
さらに、上記構成のリードフレームに半導体素子（ペレ
ット）３を樹脂ペースト等の接着剤によって固着させる
。
ット）３を樹脂ペースト等の接着剤によって固着させる
。
次に、半導体素子３の電極パッドとリードフレームのリ
ード部とをワイヤ５によって接続する。
ード部とをワイヤ５によって接続する。
この接続は周知のワイヤボンディング技術によって達成
される。
される。
しかる後、トランスファモールド技術によって、樹脂封
止し、上記ペレットボンディング部分、ワイヤポジディ
ング部分、および、リードフレームの一部を含む部分を
樹脂等の封止体１で封止し、リードフレームの不必要な
部分を切断し、第１図に示すような半導体装置が完成さ
れる。
止し、上記ペレットボンディング部分、ワイヤポジディ
ング部分、および、リードフレームの一部を含む部分を
樹脂等の封止体１で封止し、リードフレームの不必要な
部分を切断し、第１図に示すような半導体装置が完成さ
れる。
このような構造の半導体装置は、リード材と樹脂材の熱
膨張係数の差が小さいため、従来の樹脂の硬化応力によ
る接着剥離の問題が低減される。
膨張係数の差が小さいため、従来の樹脂の硬化応力によ
る接着剥離の問題が低減される。
さらに、リード表面が錫−ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）被膜
で被覆しているため、従来のニッケル（Ｎｉ）被覆した
ものより、リードと樹脂界面の接着力は良い。これは赤
色に着色したインクによる隙間評価の結果、銅（Ｃｕ）
系金属素材、および鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）被膜の
充分な接着力が証明される。また、アウターリードの錫
（Ｓ ｎ）メッキ、あるいは、半田の処理も、鉄−ニソ
ケル（Ｆｅ−Ｎｉ）と同系のフラツクスを用い、均一完
全な被膜が形成できた。
で被覆しているため、従来のニッケル（Ｎｉ）被覆した
ものより、リードと樹脂界面の接着力は良い。これは赤
色に着色したインクによる隙間評価の結果、銅（Ｃｕ）
系金属素材、および鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）被膜の
充分な接着力が証明される。また、アウターリードの錫
（Ｓ ｎ）メッキ、あるいは、半田の処理も、鉄−ニソ
ケル（Ｆｅ−Ｎｉ）と同系のフラツクスを用い、均一完
全な被膜が形成できた。
［効果］
＋１）、 ｉ〜Ｕを５ｎ−Ｎｉ上に直接メッキすること
が可能であり、Ａｇのように５ｎ−Ｎｉ上にＣｕを薄く
ストライキメツキすることが不要となり、工程数を減少
できる。
が可能であり、Ａｇのように５ｎ−Ｎｉ上にＣｕを薄く
ストライキメツキすることが不要となり、工程数を減少
できる。
＋２１．Ｃｕのストライキメツキの剥離時に生じる可能
性のあった５ｎ−Ｎｉメッキの表面の変質を防止できる
。
性のあった５ｎ−Ｎｉメッキの表面の変質を防止できる
。
（３）、Ａｕの使用により、Ａｇの使用時の如＜Ａｇの
粒界の腐食を防止できる。
粒界の腐食を防止できる。
（４）、リードフレームがＣｕ系材料よりなり、しかも
ペレットが接着剤で取り付けられることにより、樹脂と
リードフレームとの熱膨張差が小さく、樹脂割れを防止
できる。
ペレットが接着剤で取り付けられることにより、樹脂と
リードフレームとの熱膨張差が小さく、樹脂割れを防止
できる。
（５）、熱抵抗の低い銅（Ｃｕ）系金属をフレーム本体
として用いているため、稼動時の素子に発生する熱を外
部に放出することを容易にし、素子温度を一定に保ち、
動作点をより広範囲な温度範囲で得ることができ・る。
として用いているため、稼動時の素子に発生する熱を外
部に放出することを容易にし、素子温度を一定に保ち、
動作点をより広範囲な温度範囲で得ることができ・る。
（６）、銅（Ｃｕ）系フレームを錫−ニソケル（Ｓｎ−
Ｎ ｉ）の二元金属で被覆しているため、樹脂とフレー
ムとの接着性が良（、フレームと樹脂との境界面からの
水の浸水を防ぐことができる。従って素子の耐湿性を向
上することができる。
Ｎ ｉ）の二元金属で被覆しているため、樹脂とフレー
ムとの接着性が良（、フレームと樹脂との境界面からの
水の浸水を防ぐことができる。従って素子の耐湿性を向
上することができる。
（？） 、銀（Ａｇ）を用いないため、動作中にリード
間の絶縁不良が起こる可能性が極めて低い。
間の絶縁不良が起こる可能性が極めて低い。
（８）０表面Ａｕ層は、少なくともリード先端のワイヤ
ボンディング部に形成されていれば充分なため、Ａｕの
使用量は僅かである。
ボンディング部に形成されていれば充分なため、Ａｕの
使用量は僅かである。
（９）、上記１〜３の効果から、相乗効果として、発熱
量の大きい半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
量の大きい半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
００）、リードフレーム母体が銅（Ｃｕ）系金属からな
るため、リード材料の原価低減を達成することができる
。
るため、リード材料の原価低減を達成することができる
。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな 。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな 。
い。
たとえば、金（Ａｕ）被膜はリード先端以外の部分で形
成されても良く、ボンディングワイヤは金（Ａｕ）以外
の金属であっても本発明の効果を妨げるものではない。
成されても良く、ボンディングワイヤは金（Ａｕ）以外
の金属であっても本発明の効果を妨げるものではない。
第１図は、本発明を適用したプラスチックパッケージ半
導体装置の平面図、 第２図は第１図に示した半導体装置の側面図、第３図は
第１図に示した半導体装置のＡ−Ａ’線に沿う断面図、
− 第４図は、リードフレームの平面図である。 １・・・樹脂パンケージ本体、２・・・リード、３・・
・タブ、４・・・半導体素子（ペレット）、５・・・ボ
ンディングワイヤ（金）、６・・・リード母体（銅系金
属）およびタブ付きリード母体（銅系金属）、７・・・
枠体、８・・・錫−ニソケル（Ｓｎ−Ｎｉ）被膜、９・
・・ダム、１０・・・錫（Ｓ ｎ）または半田被膜、１
１・・・金（Ａｕ）被膜、１３・・・ （導電性）接着
剤。 第 １ 図 第 ２ 図 ／ 第 ３ 図
導体装置の平面図、 第２図は第１図に示した半導体装置の側面図、第３図は
第１図に示した半導体装置のＡ−Ａ’線に沿う断面図、
− 第４図は、リードフレームの平面図である。 １・・・樹脂パンケージ本体、２・・・リード、３・・
・タブ、４・・・半導体素子（ペレット）、５・・・ボ
ンディングワイヤ（金）、６・・・リード母体（銅系金
属）およびタブ付きリード母体（銅系金属）、７・・・
枠体、８・・・錫−ニソケル（Ｓｎ−Ｎｉ）被膜、９・
・・ダム、１０・・・錫（Ｓ ｎ）または半田被膜、１
１・・・金（Ａｕ）被膜、１３・・・ （導電性）接着
剤。 第 １ 図 第 ２ 図 ／ 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リードの外部接続部以外の部分を樹脂により封止し
た樹脂封止型半導体装置において、リードおよび半導体
素子を固着すべきタブを銅系金属で形成し、樹脂封止さ
れる前記リード部およびタブ部の表面に錫−ニッケル二
元材料の被覆が形成され、更に前記リード部上面には全
表面層を設けてなることを特徴とする半導体装置。 ２、全表面層がリード部上面の一部分に直接被着されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。 ３、互いに平行に配列された一対の第１枠体部と、該一
対の枠体部間を連結し、互いに平行に配設された一対の
第２の枠体部と、前記第１および第２の枠体部によって
区画された領域内に形成された半導体素子取付用のタブ
付きリード部およびそのタブ付きリード部の周辺に配列
された複数のり−ド部とを有するリードフレームにおい
て、前記リードフレームは銅系材料の母体と、その表面
に形成された錫−ニッケル二元材料からなる被膜と、複
数のリード部先端に形成された金被膜とからなることを
特徴とするリードフレーム。 ４、全表面層がリード部先端の上面の一部分に直接被着
されていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226823A JPS60119765A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226823A JPS60119765A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60119765A true JPS60119765A (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=16851144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58226823A Pending JPS60119765A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60119765A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160367A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| US7462926B2 (en) * | 2005-12-01 | 2008-12-09 | Asm Assembly Automation Ltd. | Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom |
| US8320083B1 (en) * | 2007-12-06 | 2012-11-27 | Magnecomp Corporation | Electrical interconnect with improved corrosion resistance for a disk drive head suspension |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP58226823A patent/JPS60119765A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160367A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| US7462926B2 (en) * | 2005-12-01 | 2008-12-09 | Asm Assembly Automation Ltd. | Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom |
| US8320083B1 (en) * | 2007-12-06 | 2012-11-27 | Magnecomp Corporation | Electrical interconnect with improved corrosion resistance for a disk drive head suspension |
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