JPS60123082A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS60123082A JPS60123082A JP58231685A JP23168583A JPS60123082A JP S60123082 A JPS60123082 A JP S60123082A JP 58231685 A JP58231685 A JP 58231685A JP 23168583 A JP23168583 A JP 23168583A JP S60123082 A JPS60123082 A JP S60123082A
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- JP
- Japan
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- layer
- substrate
- current
- groove
- inhibiting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
- H10H20/821—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は利得導波機構と屈折率導波機構の中間の性質を
有する半導体レーザの素子構造及び製造方法に関するも
のである。
有する半導体レーザの素子構造及び製造方法に関するも
のである。
〈従来技術〉
従来の半導体レーザ素子を導波路構造より分類すると利
得導波路型と屈折率導波路型に区分される。前者の場合
は■縦マルチモードで発振しゃすい、■接合に平行方向
のビームウェストが共振器端面から内部へ２０〜４０μ
ｍ程度奥まった位置に存在する、■横モードが注入電流
により不安定になり易い、■電流注入用のストライプを
４μｍ程度に狭くすると、いわゆるリーキーモードとな
り接合に平行方向の遠視野像が双峰パターンとなる、等
の性質を有する。一方、後者の場合は、■縦ラングルモ
ードで発振する、■接合に平行方向のビームウェストｕ
共振端面近傍に存在する、■横モードが安定である、■
遠視野像が単峰でピークシフトが少ない、等の性質があ
る。
得導波路型と屈折率導波路型に区分される。前者の場合
は■縦マルチモードで発振しゃすい、■接合に平行方向
のビームウェストが共振器端面から内部へ２０〜４０μ
ｍ程度奥まった位置に存在する、■横モードが注入電流
により不安定になり易い、■電流注入用のストライプを
４μｍ程度に狭くすると、いわゆるリーキーモードとな
り接合に平行方向の遠視野像が双峰パターンとなる、等
の性質を有する。一方、後者の場合は、■縦ラングルモ
ードで発振する、■接合に平行方向のビームウェストｕ
共振端面近傍に存在する、■横モードが安定である、■
遠視野像が単峰でピークシフトが少ない、等の性質があ
る。
第１図（Ａ）ｕ利得導波路型ダブルへテロ接合半導体レ
ーザの一例として、酸化膜ストライプ形レーザ素子の断
面図を、同（Ｂ）、’（Ｃ）は接合に平行な方向の遠視
野像を示す。第１図［Ｆ］）は電流注入用ストライプ構
造のストライプ幅Ｓが１０μｍ程度に広い場合の遠視野
像、第１図（のけＳが４μｍ程度に狭く設定された場合
の遠視野像である。また第１図（Ｄ）には縦モードの一
例を示す。第１図（３）に於いて、１は基板、２は第１
クラッド層、３は活性層、４は第２クラッド層、５はキ
ヤ・ノブ層、６．６’は電極、７は酸化膜、８は電流注
入用ストライプ即ち電流通路である。
ーザの一例として、酸化膜ストライプ形レーザ素子の断
面図を、同（Ｂ）、’（Ｃ）は接合に平行な方向の遠視
野像を示す。第１図［Ｆ］）は電流注入用ストライプ構
造のストライプ幅Ｓが１０μｍ程度に広い場合の遠視野
像、第１図（のけＳが４μｍ程度に狭く設定された場合
の遠視野像である。また第１図（Ｄ）には縦モードの一
例を示す。第１図（３）に於いて、１は基板、２は第１
クラッド層、３は活性層、４は第２クラッド層、５はキ
ヤ・ノブ層、６．６’は電極、７は酸化膜、８は電流注
入用ストライプ即ち電流通路である。
第２図（３）は屈折率導波路型ダブルへテロ接合半導体
レーザの一例として、Ｃ５Ｐレーザ素子の断面図を、同
（Ｂ）は接合に平行な方向の遠視野像を、同（Ｃ） Ｕ
縦モードの一例を示す。図中第１図と同一符号は同一内
容を表わしている。また、９１−ｊ：キャップ層５と反
対導電形の不純物拡散によって形成した電流注入用スト
ライプ（幅Ｓ）、ＩＯは基板Ｉに形成した溝（幅Ｗ）そ
ある。活性層３で発生した光を溝ｌＯの外側で基板に到
達させることにより光のしみ出し効果に基いて活性層内
の実効屈折率を溝ｌＯの外側部分で低下させ、屈折率導
波路を形成している。溝ＩＯの外側では第１クラッド層
２の厚さが薄いため、活性層３で発生した光は基板１へ
しみ出すこととなる０ −ザ素子も以下の如き欠点を有している。即ち、レーザ
発光出力が変化した場合や素子温度が変化した場合ある
いは出力されたレーザ光が光学部品等で反射されてその
一部がわずかでも素子自体に帰還された場合には第２図
Ｃ）に示したシングルモードが、他の波長に転移し、こ
れが原因となって雑音が発生することである。これはい
わゆるモード競合雑音と呼ばれているものである。この
雑音は数ＭＨ２（メガヘルツ）から１０ＭＨｚの比較的
低周波であり、ＳＮ比も７０ｄＢ （デンベル）程度と
低下するのでビデオディスク等の光源上して利用する場
合に大きな障害となっている。このモード競合雑音はマ
ルチモードレーザの場合はほとんど発生しないことがわ
かっている。しかしながらマルチモードを有する利得導
波型半導体レーザは既に述べたように、横モードの不安
定性等の欠点があるので実用面で問題がある。
レーザの一例として、Ｃ５Ｐレーザ素子の断面図を、同
（Ｂ）は接合に平行な方向の遠視野像を、同（Ｃ） Ｕ
縦モードの一例を示す。図中第１図と同一符号は同一内
容を表わしている。また、９１−ｊ：キャップ層５と反
対導電形の不純物拡散によって形成した電流注入用スト
ライプ（幅Ｓ）、ＩＯは基板Ｉに形成した溝（幅Ｗ）そ
ある。活性層３で発生した光を溝ｌＯの外側で基板に到
達させることにより光のしみ出し効果に基いて活性層内
の実効屈折率を溝ｌＯの外側部分で低下させ、屈折率導
波路を形成している。溝ＩＯの外側では第１クラッド層
２の厚さが薄いため、活性層３で発生した光は基板１へ
しみ出すこととなる０ −ザ素子も以下の如き欠点を有している。即ち、レーザ
発光出力が変化した場合や素子温度が変化した場合ある
いは出力されたレーザ光が光学部品等で反射されてその
一部がわずかでも素子自体に帰還された場合には第２図
Ｃ）に示したシングルモードが、他の波長に転移し、こ
れが原因となって雑音が発生することである。これはい
わゆるモード競合雑音と呼ばれているものである。この
雑音は数ＭＨ２（メガヘルツ）から１０ＭＨｚの比較的
低周波であり、ＳＮ比も７０ｄＢ （デンベル）程度と
低下するのでビデオディスク等の光源上して利用する場
合に大きな障害となっている。このモード競合雑音はマ
ルチモードレーザの場合はほとんど発生しないことがわ
かっている。しかしながらマルチモードを有する利得導
波型半導体レーザは既に述べたように、横モードの不安
定性等の欠点があるので実用面で問題がある。
以上述べた如く、横モード特性の安定なレーザ〈発明の
目的〉 本発明は利得導波機構と屈折率導波機構の双方の構造と
性質を併せもつ即ち安定な基本横モード動作と縦マルチ
モード発振とを同時に行なうことのできる半導体レーザ
素子を提供することを目的とするものである。
目的〉 本発明は利得導波機構と屈折率導波機構の双方の構造と
性質を併せもつ即ち安定な基本横モード動作と縦マルチ
モード発振とを同時に行なうことのできる半導体レーザ
素子を提供することを目的とするものである。
〈構成及び効果の説明〉
本発明の半導体レーザ素子について第３図（６）の）（
Ｃ）’を参照しながら説明する。基板１上にストライプ
状の溝を平行に２本形成する。次にこの溝を含む基板Ｉ
上に基板１と逆導電型の（又は高抵抗値を有する層から
成る）電流阻止層１１を堆積して基板に対する電流遮断
機能を付与した後、電流阻止層１１表面より上記２本の
溝の間の山形部に対応する部分をエツチングして幅Ｗの
溝１３を加工しこの山形部表面を露呈させる。基板１０
山形部に対応する部分が電流阻止層１１の除去された電
流通路即ち電流注入用内部ストライプ（ストライプ幅５
）１２となる。電流阻止層１１に溝１３’に加工成形す
ることによりこの上に積層される第１クランド層２に層
厚分布が付与され、第１クラッド層２に重畳される活性
層３の実効屈折率がこの層厚分布に対応して変化し光導
波路が形成される。
Ｃ）’を参照しながら説明する。基板１上にストライプ
状の溝を平行に２本形成する。次にこの溝を含む基板Ｉ
上に基板１と逆導電型の（又は高抵抗値を有する層から
成る）電流阻止層１１を堆積して基板に対する電流遮断
機能を付与した後、電流阻止層１１表面より上記２本の
溝の間の山形部に対応する部分をエツチングして幅Ｗの
溝１３を加工しこの山形部表面を露呈させる。基板１０
山形部に対応する部分が電流阻止層１１の除去された電
流通路即ち電流注入用内部ストライプ（ストライプ幅５
）１２となる。電流阻止層１１に溝１３’に加工成形す
ることによりこの上に積層される第１クランド層２に層
厚分布が付与され、第１クラッド層２に重畳される活性
層３の実効屈折率がこの層厚分布に対応して変化し光導
波路が形成される。
活性層３には第２のクラッド層４、キャップ層５が重畳
される。基板１及びキャップ層５上には電極６，６′が
形成され、半導体レーザ素子の基本構造が得られる。内
部ストライプ構造１２のストライプ幅幅Ｓはエツチング
加工時のサイドエッチ効果を利用することにより相当に
小さくすることができる。いま、溝１３の幅ＷをＳよシ
も充分広く設定した場合、溝１３による屈折率導波の効
果は小さくなり、屈折率分布はストライプ１２から注入
されて活性層３に蓄積される少数キャリアによる屈折率
変化（キャリアが多くなると屈折率は小さくなる）によ
って支配される。即ち、第１図に示した利得導波形レー
ザとなる。ＷをＳと同程度かあるいは狭くした場合には
屈折率分布はストライプＩ２から注入されて活性層３に
蓄積される少数キャリアによる屈折率変化の影響をほと
んど受けず、溝１３によって完全な屈折率導波路が形成
される。即ち、第２図に示した屈折率導波形レーザとな
る。Ｗ）２Ｓの範囲でｗ４広くしていくと、次第に第２
図（Ｂ）（Ｃ）の特性から第１図（Ｃ）（Ｄの特性へと
変化していく。この場合の接合に平行な方向の遠視野像
と縦モードをそれぞれ第３図（Ｂ）（Ｃ）に示す。
される。基板１及びキャップ層５上には電極６，６′が
形成され、半導体レーザ素子の基本構造が得られる。内
部ストライプ構造１２のストライプ幅幅Ｓはエツチング
加工時のサイドエッチ効果を利用することにより相当に
小さくすることができる。いま、溝１３の幅ＷをＳよシ
も充分広く設定した場合、溝１３による屈折率導波の効
果は小さくなり、屈折率分布はストライプ１２から注入
されて活性層３に蓄積される少数キャリアによる屈折率
変化（キャリアが多くなると屈折率は小さくなる）によ
って支配される。即ち、第１図に示した利得導波形レー
ザとなる。ＷをＳと同程度かあるいは狭くした場合には
屈折率分布はストライプＩ２から注入されて活性層３に
蓄積される少数キャリアによる屈折率変化の影響をほと
んど受けず、溝１３によって完全な屈折率導波路が形成
される。即ち、第２図に示した屈折率導波形レーザとな
る。Ｗ）２Ｓの範囲でｗ４広くしていくと、次第に第２
図（Ｂ）（Ｃ）の特性から第１図（Ｃ）（Ｄの特性へと
変化していく。この場合の接合に平行な方向の遠視野像
と縦モードをそれぞれ第３図（Ｂ）（Ｃ）に示す。
また、ＷをＳ、ｌ：り広くしていくに従って、接合に平
行な方向のビームウェストも端面から次第に内部の方へ
移動していく。Ｗ）５Ｓとすると、利得導波形の性質で
るる横モードの不安定性が起こるので、２Ｓ＜Ｗく５Ｓ
が望ましい。また、高次モードを抑制するにはＷは３μ
ｍ以下で狭くする方が良い。
行な方向のビームウェストも端面から次第に内部の方へ
移動していく。Ｗ）５Ｓとすると、利得導波形の性質で
るる横モードの不安定性が起こるので、２Ｓ＜Ｗく５Ｓ
が望ましい。また、高次モードを抑制するにはＷは３μ
ｍ以下で狭くする方が良い。
このようにして、安定な基本横モードと同時に縦マルチ
モードで発振する半導体レーザが実現される０ 〈実施例〉 ＧａＡｓ−Ａ／：ＧａＡｓ系の化合物半導体を用いて本
発明の半導体レーザ素子の１実施例を製作する場合につ
いて説明する。
モードで発振する半導体レーザが実現される０ 〈実施例〉 ＧａＡｓ−Ａ／：ＧａＡｓ系の化合物半導体を用いて本
発明の半導体レーザ素子の１実施例を製作する場合につ
いて説明する。
第４図（５）に示すように、Ｐ形ＧａＡｓ基板１４の（
１００）面上にホトリングラフィ技術とメサエッチング
によって、平行な２本のストライプ溝１５゜１５′金形
成する。両方とも溝幅４μ瓜深さ０．８μｍでその間隔
（即ち後述する電流通路と々るストライプ） １６ｆｄ
：２μｍとした。このＧａＡｓ基板１４上に第４図（Ｂ
）に示す如く液相エピタキシャル成長法によりａｘ １
０１８ｃｍ−３のキャリア濃度のｎ形ＧａＡｓから成る
電流阻止層１７を溝外側の厚さで０８μｍの厚さに形成
する。次に第４図（Ｃ）に示すように、幅Ｗ＝８μｍの
ストライプ溝１８をストライプ１６の部分が中央になる
ようにエツチング形成し、電流阻止層１７を除去してス
トライプ１６の表面を露呈させる。その後、再び液相エ
ピタキシャル成長法により、第３図（５）に示すような
ダブルへテロ接合を有する多層結晶構造を形成しレーザ
発振用動作ｆｔｆ５．−構成する０多層結晶構造の各層
の組成及び厚さは第１クラッド層２ （Ｐ−Ａ４，４゜
Ｇａｏ、５５Ａ８＋ ０．１５μｍ）、活性層３ （Ｐ
−４４０，＋５ＧａＯ０Ｂ５ＡＳ、 ０．０８μｒｎ）
、第２クラッド層４（ｎ−Ａ ｔ ｏ 、 ４５ Ｇ
ａ ｏ、５５Ａ Ｂ ＋ １ 、ＯＩｔ ｍ ）及びキ
ャップ層５（ｎ−ＧａＡｓ、ａ、ｏμｍ）とした。キャ
ップ層５表面にばｎ側電極６としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを
、基板裏面にはＰ側電極６′としてＡｕ−Ｚｎｆそれぞ
れ蒸着し、４５０℃で合金化することによシミ原注入用
電極層を形成する。
１００）面上にホトリングラフィ技術とメサエッチング
によって、平行な２本のストライプ溝１５゜１５′金形
成する。両方とも溝幅４μ瓜深さ０．８μｍでその間隔
（即ち後述する電流通路と々るストライプ） １６ｆｄ
：２μｍとした。このＧａＡｓ基板１４上に第４図（Ｂ
）に示す如く液相エピタキシャル成長法によりａｘ １
０１８ｃｍ−３のキャリア濃度のｎ形ＧａＡｓから成る
電流阻止層１７を溝外側の厚さで０８μｍの厚さに形成
する。次に第４図（Ｃ）に示すように、幅Ｗ＝８μｍの
ストライプ溝１８をストライプ１６の部分が中央になる
ようにエツチング形成し、電流阻止層１７を除去してス
トライプ１６の表面を露呈させる。その後、再び液相エ
ピタキシャル成長法により、第３図（５）に示すような
ダブルへテロ接合を有する多層結晶構造を形成しレーザ
発振用動作ｆｔｆ５．−構成する０多層結晶構造の各層
の組成及び厚さは第１クラッド層２ （Ｐ−Ａ４，４゜
Ｇａｏ、５５Ａ８＋ ０．１５μｍ）、活性層３ （Ｐ
−４４０，＋５ＧａＯ０Ｂ５ＡＳ、 ０．０８μｒｎ）
、第２クラッド層４（ｎ−Ａ ｔ ｏ 、 ４５ Ｇ
ａ ｏ、５５Ａ Ｂ ＋ １ 、ＯＩｔ ｍ ）及びキ
ャップ層５（ｎ−ＧａＡｓ、ａ、ｏμｍ）とした。キャ
ップ層５表面にばｎ側電極６としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを
、基板裏面にはＰ側電極６′としてＡｕ−Ｚｎｆそれぞ
れ蒸着し、４５０℃で合金化することによシミ原注入用
電極層を形成する。
以上によシ、光導波路幅Ｗ＝８μ瓜電流注入用内部スト
ライプ幅Ｓ＝２μｍ’ｆｒ有する半導体レーザが作製さ
れる。
ライプ幅Ｓ＝２μｍ’ｆｒ有する半導体レーザが作製さ
れる。
上記実施例のレーザはしきい値電流６０ｍＡ、波長７８
０ｎｍで発振し、発光出力２０ｍＷまで安定な基本横モ
ードで動作した。また１ ５ｍＷまで縦マルチモードで
あった。この半導体レーザ素子全ビデオディスク用の信
号光源として用いたところ、モード競合雑音や戻り光雑
音等が発生せず、良好な画像が得られた。
０ｎｍで発振し、発光出力２０ｍＷまで安定な基本横モ
ードで動作した。また１ ５ｍＷまで縦マルチモードで
あった。この半導体レーザ素子全ビデオディスク用の信
号光源として用いたところ、モード競合雑音や戻り光雑
音等が発生せず、良好な画像が得られた。
尚、本発明の半導体レーザ素子は上述したＧａＡｓ−Ａ
、ａＧａＡｓ系に限定されるものではなく、ＩｎＰ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系やその他のへテロ接合レーザ半導体レー
ザ素子の構成図及び特性説明図である。
、ａＧａＡｓ系に限定されるものではなく、ＩｎＰ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系やその他のへテロ接合レーザ半導体レー
ザ素子の構成図及び特性説明図である。
第２図（Ａ）（ａ （Ｃ）は従来のＣ８Ｐレーザ素子の
構成図及び特性説明図である。
構成図及び特性説明図である。
第３図（５）Ｑ３）（Ｃ）は本発明の説明に供する半導
体レーザ素子の構成図及び特性説明図である。
体レーザ素子の構成図及び特性説明図である。
第４図（５）［Ｆ］）（０は本発明の１実施例を説明す
る半導体レーザ素子の内部ストライプ構造の工程図であ
る。
る半導体レーザ素子の内部ストライプ構造の工程図であ
る。
１・・・基板 ２・・・第２クラッド層 ３・活性層４
・・・第２クラッド層 ５・・・キャップ層 ６，６′
・・電極 １５・・・ストライプ溝 Ｉ６・・・内部ス
トライプ １７・・・電流阻止層
・・・第２クラッド層 ５・・・キャップ層 ６，６′
・・電極 １５・・・ストライプ溝 Ｉ６・・・内部ス
トライプ １７・・・電流阻止層
Claims (1)
- １．２本の平行なストライプ溝が形成された基板上に電
流を遮断する電流阻止層を積層するとともに該電流阻止
層に凹状溝を加工して前記ストライプ溝間の前記基板面
より前記電流阻止層を除去しかつこの上に積層される多
層結晶に層厚分布を付与して利得導波機構と前記凹状溝
に対応する屈折率導波機構を形成したことを特徴とする
半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231685A JPS60123082A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 半導体レ−ザ素子 |
| EP84114366A EP0143460B1 (en) | 1983-11-30 | 1984-11-28 | Semiconductor laser device and production method thereof |
| DE8484114366T DE3484266D1 (de) | 1983-11-30 | 1984-11-28 | Halbleiterlaser-vorrichtung und verfahren zu deren herstellung. |
| US06/675,849 US4937836A (en) | 1983-11-30 | 1984-11-28 | Semiconductor laser device and production method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231685A JPS60123082A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123082A true JPS60123082A (ja) | 1985-07-01 |
| JPH0550158B2 JPH0550158B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=16927383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231685A Granted JPS60123082A (ja) | 1983-11-30 | 1983-12-06 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123082A (ja) |
-
1983
- 1983-12-06 JP JP58231685A patent/JPS60123082A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0550158B2 (ja) | 1993-07-28 |
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