JPS60123843A - フォトマスクブランクとフォトマスク - Google Patents
フォトマスクブランクとフォトマスクInfo
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- JPS60123843A JPS60123843A JP58232265A JP23226583A JPS60123843A JP S60123843 A JPS60123843 A JP S60123843A JP 58232265 A JP58232265 A JP 58232265A JP 23226583 A JP23226583 A JP 23226583A JP S60123843 A JPS60123843 A JP S60123843A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路及び高密疫集積回路等の製造
工程において使用されるフォトマスクブランクとフォト
マスク、特に透明導電膜付きのフォトマスクブランクと
フォトマスクの改良に関する。
工程において使用されるフォトマスクブランクとフォト
マスク、特に透明導電膜付きのフォトマスクブランクと
フォトマスクの改良に関する。
このフォトマスクブランクと、フォトマスクの関係は、
先ずフォトマスクブランクが第１図に示すように、透明
基板１上に透明導電膜２と遮光性金属膜３とを順次積層
して構成され、このフォトマスクブランク４を素材にし
て第２図に示す工程を経て、フォトマスク１０が得られ
る。すなわち、第２図（ａ）において、ブランク４の連
光性金属膜３上にレジスト５（本例：ポジ型フォトレジ
スト）を塗布し、た後、所望のパターン幅を得るべく露
光マスク６を通して、レジスト５に水銀ランプ光７によ
り露光する。次に、同図（ｂ）において、現像液により
現像して、未露光部分にレジストパターン８を形成する
。次に同図（Ｃ）において、９０℃前後のドライＮ２中
等でポストベークを行った後、レジストパターン８下以
外の遮光性金属膜３をエツチング液によりエツチングし
て、そのレジストパターン８下に遮光性金属パターン９
を形成する。そして、同図（ｄ）において、レジストパ
ターン８を剥離液により剥離して、透明導電膜付きのフ
ォトマスク１０が製造される。
先ずフォトマスクブランクが第１図に示すように、透明
基板１上に透明導電膜２と遮光性金属膜３とを順次積層
して構成され、このフォトマスクブランク４を素材にし
て第２図に示す工程を経て、フォトマスク１０が得られ
る。すなわち、第２図（ａ）において、ブランク４の連
光性金属膜３上にレジスト５（本例：ポジ型フォトレジ
スト）を塗布し、た後、所望のパターン幅を得るべく露
光マスク６を通して、レジスト５に水銀ランプ光７によ
り露光する。次に、同図（ｂ）において、現像液により
現像して、未露光部分にレジストパターン８を形成する
。次に同図（Ｃ）において、９０℃前後のドライＮ２中
等でポストベークを行った後、レジストパターン８下以
外の遮光性金属膜３をエツチング液によりエツチングし
て、そのレジストパターン８下に遮光性金属パターン９
を形成する。そして、同図（ｄ）において、レジストパ
ターン８を剥離液により剥離して、透明導電膜付きのフ
ォトマスク１０が製造される。
ここで、透明導電膜２は、フォトマスク１０において遮
光性金属パターン９０幅Ｗが通常サブμｍ−数μｍであ
り、その静電破壊や電子線による検査時等の帯電を防止
するように作用し、この透明導電膜２として酸化スズ、
遮光性金属膜としてクロム膜が広く使用されている。
光性金属パターン９０幅Ｗが通常サブμｍ−数μｍであ
り、その静電破壊や電子線による検査時等の帯電を防止
するように作用し、この透明導電膜２として酸化スズ、
遮光性金属膜としてクロム膜が広く使用されている。
しかしながら、このような透明導電膜２付きのフＡｌ”
マスク１０は、前述した第２図（Ｃ）のエツチング工程
において、透明導電膜２が介在しない場合と比較して、
アンダーカット・レートが約０．１８μ７１０ｓｅｃ
程度であって、可なり速いと共にそのバラツキも大きい
ために、遮光性金属パターン９の線幅Ｗを所望値（本例
３±０，１μｍ）の許容範囲に入れることが困難であっ
た。
マスク１０は、前述した第２図（Ｃ）のエツチング工程
において、透明導電膜２が介在しない場合と比較して、
アンダーカット・レートが約０．１８μ７１０ｓｅｃ
程度であって、可なり速いと共にそのバラツキも大きい
ために、遮光性金属パターン９の線幅Ｗを所望値（本例
３±０，１μｍ）の許容範囲に入れることが困難であっ
た。
また、このようなフォトマスク１０は、透明導電。
膜２が介在しない場合と比較して、酸化スズ等の透明導
電膜２とクロム等の遮光性金属パターン９どの付着力が
弱く−なるために、この遮光性金属パターン９の耐久性
が低下する欠点があった。
電膜２とクロム等の遮光性金属パターン９どの付着力が
弱く−なるために、この遮光性金属パターン９の耐久性
が低下する欠点があった。
本発明の目的は、上記のような欠点を除去することであ
り、づなわち、（１）遮光性金属パターンの静電破壊や
電子線による検査時等の帯電を防止すること、（２）遮
光性金属パターンの線幅を所望値の許容範囲内に容易に
入れること、及び（３）遮光性金属膜又はそのパターン
の耐久性を向上させることの３項目をすべて満足させた
フォトマスクブランクとフォトマスクを提供することで
ある。
り、づなわち、（１）遮光性金属パターンの静電破壊や
電子線による検査時等の帯電を防止すること、（２）遮
光性金属パターンの線幅を所望値の許容範囲内に容易に
入れること、及び（３）遮光性金属膜又はそのパターン
の耐久性を向上させることの３項目をすべて満足させた
フォトマスクブランクとフォトマスクを提供することで
ある。
このような目的を達成させるため、本発明によるフォト
マスクブランクは、透明基板上に透明）９雷股と透明絶
縁膜とを順次積層し、前記透明絶縁膜の上方に遮光性金
属膜を積層したことを特徴とし、本発明のフォトマスク
は、前記フォトマスクブランクの遮光性金属膜を選択的
にパターン化したことを特徴としている。
マスクブランクは、透明基板上に透明）９雷股と透明絶
縁膜とを順次積層し、前記透明絶縁膜の上方に遮光性金
属膜を積層したことを特徴とし、本発明のフォトマスク
は、前記フォトマスクブランクの遮光性金属膜を選択的
にパターン化したことを特徴としている。
以下、本発明の一実施例について説明する。
第２図は本発明によるフォトマスクブランクの一実施例
を示し、先ず、透明基板どして、主表面を精密研磨し、
洗浄したソーダライムガラス１１のその主表面上に、透
明導電膜として酸化スズ−アンチモン（Ｓ ｎｘＳ ｂ
ｙｏ ｚ）膜１２（膜厚：１５０人）をスパッタリング
法により積層し、この酸化スズ−アンチモン膜１２上に
、５１０２を素材にした透明絶縁膜１３（膜厚：１００
人）を同法により積層し、そして、この透明絶縁膜１３
上に、遮光性金属膜として、光学濃度を基準値（３，０
）に調整したクロム膜１４（膜厚ニア００Ａ）を同法に
より積層して、フォトマスクブランク１５が製造される
。
を示し、先ず、透明基板どして、主表面を精密研磨し、
洗浄したソーダライムガラス１１のその主表面上に、透
明導電膜として酸化スズ−アンチモン（Ｓ ｎｘＳ ｂ
ｙｏ ｚ）膜１２（膜厚：１５０人）をスパッタリング
法により積層し、この酸化スズ−アンチモン膜１２上に
、５１０２を素材にした透明絶縁膜１３（膜厚：１００
人）を同法により積層し、そして、この透明絶縁膜１３
上に、遮光性金属膜として、光学濃度を基準値（３，０
）に調整したクロム膜１４（膜厚ニア００Ａ）を同法に
より積層して、フォトマスクブランク１５が製造される
。
このようなフォトマスクブランク１５は、それを索材に
して第４図に示すような工程を経て、フォトマスク２１
が製造される。先ず、第４図（ａ）において、 ブラン
ク１５のクロム膜１４上にポジ型フォトレジスト１６（
本例；米国５ｈｉｐｌＯｙ製：ＡＺ−１３５０、膜厚：
５□ｏｏｏ入＞を塗布した後、所望のパターン幅を得
るべく露光マスク１７をレジスト１６上に密着させた状
態で、この露光マスク１７の上方から水銀ランプ光１８
（波長＝３００〜５００ｎｍ）による６７１１１、ｉ／
ｃｍ”の光エネルギーで露光マスク１７下以外のレジス
ト１６を露光する。次に、同図（ｂ）において、現像液
（本例： Ａ Ｚ −１３５０デベロツパ）により所定
時間（本例；６０秒）現像処理して、レジメ１〜露光部
分を除去して、残存レジストパターン１９をりＯム膜１
４上に形成１′る。こ′の後、９０°Ｃ前後のドライＮ
２中でボストベークを行い、このレジストパターン１９
とクロム膜１４の付る強磨を向ＩＺさせる。次に、同図
（Ｃ）において、クロム膜１４に対応したエツチング液
（本例；硝酸セリウムアン七ン１６５ｇと過塩素酸く７
０％＞４２ｍＱに純水を加えて１１の水ｌｌ、１９〜２
０℃）にて、エツチング時間５０ｓｅｃでエツチングし
てクロムパターン２０を形成する。このときのアンダ−
カット・レートは約０．０７ μｍ／１０ｓｅ’ｃであ
り、従来例と比較して約１／２に減少させ、かつそのバ
ラツキも少なくさせていることから、エツチング時間（
本例： ５０ｓｅｃ）をちって、クロムパターン２０の
線幅Ｗを所望値（本例；３±０．１μｍ）の範囲内に入
れることができる。そして、最後に同図（ｄ）において
、残存レジスト１９を剥離液（本例；硫酸と過酸化水素
水の混合液）にて剥離して、クロムパターン２０を透明
絶縁膜１３上に積層したフォトマスク２１を１ｑる。
して第４図に示すような工程を経て、フォトマスク２１
が製造される。先ず、第４図（ａ）において、 ブラン
ク１５のクロム膜１４上にポジ型フォトレジスト１６（
本例；米国５ｈｉｐｌＯｙ製：ＡＺ−１３５０、膜厚：
５□ｏｏｏ入＞を塗布した後、所望のパターン幅を得
るべく露光マスク１７をレジスト１６上に密着させた状
態で、この露光マスク１７の上方から水銀ランプ光１８
（波長＝３００〜５００ｎｍ）による６７１１１、ｉ／
ｃｍ”の光エネルギーで露光マスク１７下以外のレジス
ト１６を露光する。次に、同図（ｂ）において、現像液
（本例： Ａ Ｚ −１３５０デベロツパ）により所定
時間（本例；６０秒）現像処理して、レジメ１〜露光部
分を除去して、残存レジストパターン１９をりＯム膜１
４上に形成１′る。こ′の後、９０°Ｃ前後のドライＮ
２中でボストベークを行い、このレジストパターン１９
とクロム膜１４の付る強磨を向ＩＺさせる。次に、同図
（Ｃ）において、クロム膜１４に対応したエツチング液
（本例；硝酸セリウムアン七ン１６５ｇと過塩素酸く７
０％＞４２ｍＱに純水を加えて１１の水ｌｌ、１９〜２
０℃）にて、エツチング時間５０ｓｅｃでエツチングし
てクロムパターン２０を形成する。このときのアンダ−
カット・レートは約０．０７ μｍ／１０ｓｅ’ｃであ
り、従来例と比較して約１／２に減少させ、かつそのバ
ラツキも少なくさせていることから、エツチング時間（
本例： ５０ｓｅｃ）をちって、クロムパターン２０の
線幅Ｗを所望値（本例；３±０．１μｍ）の範囲内に入
れることができる。そして、最後に同図（ｄ）において
、残存レジスト１９を剥離液（本例；硫酸と過酸化水素
水の混合液）にて剥離して、クロムパターン２０を透明
絶縁膜１３上に積層したフォトマスク２１を１ｑる。
このようなフォトマスクブランク１５とフォトマスフ２
１は、クロム膜１４又はクロムパターン２０の下地とし
て酸化スズ−アンチモン股１２が介在していることから
、半導体等の製造工程におけるフォトマスク２１の帯電
を防止することが勿論可能であるし、それのみならず、
透明絶縁膜１３も介在していることから、前述した通り
アンダーカット・レートを遅くさせて、クロムパターン
２００線幅Ｗの制御を容易にすると共に、クロム膜１４
とクロムパターン２０の付着力を向上させることができ
る。このイく１着力はクロム１ｌＪ１４やクロムパター
ン２０の表面に対して砂消しゴムによるひつかぎ試験に
より評価され、本発明品は従来品と比較して、ひつかき
キズが付ぎにくく、はとんど発生しないことから、付着
強度を数段強化させていることが分る。
１は、クロム膜１４又はクロムパターン２０の下地とし
て酸化スズ−アンチモン股１２が介在していることから
、半導体等の製造工程におけるフォトマスク２１の帯電
を防止することが勿論可能であるし、それのみならず、
透明絶縁膜１３も介在していることから、前述した通り
アンダーカット・レートを遅くさせて、クロムパターン
２００線幅Ｗの制御を容易にすると共に、クロム膜１４
とクロムパターン２０の付着力を向上させることができ
る。このイく１着力はクロム１ｌＪ１４やクロムパター
ン２０の表面に対して砂消しゴムによるひつかぎ試験に
より評価され、本発明品は従来品と比較して、ひつかき
キズが付ぎにくく、はとんど発生しないことから、付着
強度を数段強化させていることが分る。
ところで、本発明の特徴の一つである透明絶縁膜は、実
施例に挙げた膜厚１００人の５ｉｎ２において、アンダ
ーカット・レートの減少や付着力の強化と共に、静電破
壊や電子線による検査時等の帯電を防止する効果を得て
いるが、これらの効果は、膜厚と素材に関係する。膜厚
については、前述したアンダーカット・レートの減少や
付着力の強化面で必要な下限値が定まり、前述した帯電
のｉ止面で必要な上限値が定まり、後述する透明絶縁膜
の素材の変形例に応じて、この膜厚の使用可能範囲は１
０〜１．ｏｏｏ人、好ましくは３０〜５００Ａ程度であ
る。この透明絶縁膜の素材の変形例どしては、Ｓｉ３Ｎ
４、Ａ、［１２０３、又はアルミノボロシリグー１〜ガ
ラスやソーダライムガラス等の透明基板材料であっても
よい。
施例に挙げた膜厚１００人の５ｉｎ２において、アンダ
ーカット・レートの減少や付着力の強化と共に、静電破
壊や電子線による検査時等の帯電を防止する効果を得て
いるが、これらの効果は、膜厚と素材に関係する。膜厚
については、前述したアンダーカット・レートの減少や
付着力の強化面で必要な下限値が定まり、前述した帯電
のｉ止面で必要な上限値が定まり、後述する透明絶縁膜
の素材の変形例に応じて、この膜厚の使用可能範囲は１
０〜１．ｏｏｏ人、好ましくは３０〜５００Ａ程度であ
る。この透明絶縁膜の素材の変形例どしては、Ｓｉ３Ｎ
４、Ａ、［１２０３、又はアルミノボロシリグー１〜ガ
ラスやソーダライムガラス等の透明基板材料であっても
よい。
その他、本発明の変形例を挙げれば、先ず、透明基板に
ついてはアルミノボロシリケートガラス等の他の硝稀の
ガラスや合成石英等、透明導電膜については、 ｓｎｏ
、Ｉｎ ＯＩｎｘ５ｎｙ２ ２ ３・ Ｏｚ 、Ｔ ｉ Ｏ、ＧｅＯ、ＡＣＩ Ｏ、Ｔ−０２２
２２ ０、Ｚｎ Ｏ、ＷＯ２等、遮光性金属膜については、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ等でもよく、これらの膜厚は
適宜選定される。また、この遮光性金属膜を中間にして
、透明絶縁膜側に裏面反射防止膜及び遮光性金属膜−１
−に表面反射防止膜を必要に応じて積層してもよい。ま
た更に、成膜方法については、真空蒸着法、気相成長法
、イオンブレーティング等を使用してもよいし、フォト
マスクの露光工程におけるレジストについては、ポジ型
又はネガ型のフォトレジストの他に、ＥＢ露光法による
ＥＢ用ポジ型又はネガ型のＦＢレジストを使用してもよ
い。このＦＢ露光法によれば、露光マスクを使用しない
で、選択的に露光することができる。４、図面の簡単な
説明 第１図は従来のフォトマスクブランクを示す断面図、第
２図は従来のフォトマスクの製造工程を示す断面図、第
３図は本発明のによる一実施例のフォトマスクブランク
を示す断面図、及び第４図は本発明による一実施例のフ
ォトマスクの製造工程を示す断面図である。
ついてはアルミノボロシリケートガラス等の他の硝稀の
ガラスや合成石英等、透明導電膜については、 ｓｎｏ
、Ｉｎ ＯＩｎｘ５ｎｙ２ ２ ３・ Ｏｚ 、Ｔ ｉ Ｏ、ＧｅＯ、ＡＣＩ Ｏ、Ｔ−０２２
２２ ０、Ｚｎ Ｏ、ＷＯ２等、遮光性金属膜については、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ等でもよく、これらの膜厚は
適宜選定される。また、この遮光性金属膜を中間にして
、透明絶縁膜側に裏面反射防止膜及び遮光性金属膜−１
−に表面反射防止膜を必要に応じて積層してもよい。ま
た更に、成膜方法については、真空蒸着法、気相成長法
、イオンブレーティング等を使用してもよいし、フォト
マスクの露光工程におけるレジストについては、ポジ型
又はネガ型のフォトレジストの他に、ＥＢ露光法による
ＥＢ用ポジ型又はネガ型のＦＢレジストを使用してもよ
い。このＦＢ露光法によれば、露光マスクを使用しない
で、選択的に露光することができる。４、図面の簡単な
説明 第１図は従来のフォトマスクブランクを示す断面図、第
２図は従来のフォトマスクの製造工程を示す断面図、第
３図は本発明のによる一実施例のフォトマスクブランク
を示す断面図、及び第４図は本発明による一実施例のフ
ォトマスクの製造工程を示す断面図である。
１１・・・透明基板、１２・・・透明導電膜、１３・・
・透明絶縁膜、１４・・・遮光性金属膜、１５・・・フ
ォトマスクブランク、２０・・・金属パターン、２１・
φ・フォトマスク 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 トマスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号・１６０
置 ０３（３／１８）１２２１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （発送日：昭和５９年３月２７日） ５、補正の対象 明ＩＩＩの図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 な説明」とあるを削除づる。
・透明絶縁膜、１４・・・遮光性金属膜、１５・・・フ
ォトマスクブランク、２０・・・金属パターン、２１・
φ・フォトマスク 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 トマスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号・１６０
置 ０３（３／１８）１２２１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （発送日：昭和５９年３月２７日） ５、補正の対象 明ＩＩＩの図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 な説明」とあるを削除づる。
（２） 明１１書第９頁８行目と９行目の間に「４、図
面の簡単な説明」を挿入する。
面の簡単な説明」を挿入する。
以上
手 続 補 正 書 （自発）
昭和 年 月 日
特許庁長官 志 賀 学 殿
１、事件の表示 昭和５８年特許願第２３２２６５号２
、発明の名称 フォトマスクブランクとフォトマスク ３、補正をする者 事！１との関係 特許出願人 イ１所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号〒１（
ｉｏ ＴＥ ｌ−０３（３４８） １２２１ホ ヤ ガ
ラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 （１） 明りＩｌ書第４頁１６行に「第２図」とあるを
「第３図」と訂正する。
、発明の名称 フォトマスクブランクとフォトマスク ３、補正をする者 事！１との関係 特許出願人 イ１所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号〒１（
ｉｏ ＴＥ ｌ−０３（３４８） １２２１ホ ヤ ガ
ラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 （１） 明りＩｌ書第４頁１６行に「第２図」とあるを
「第３図」と訂正する。
（２） 明細書第５頁５行に１基準値（３，０） Ｊと
あるを［基準値（本例： ３．０） Ｊと補正する。
あるを［基準値（本例： ３．０） Ｊと補正する。
（３） 明細書６頁１０行〜１３行に［このときのアン
ダーカット・レートは・・・・かつそのバラツキも少な
くさせていることから、］とあるを［このときのアンダ
ーカット・レートは、透明絶縁膜１３が介在しているこ
とから、約０．０７μ論ハ０３ｅＣどなり、従来例と比
較して約１／２に減少させ、かつそのバラツキも少なく
させている。その結果、」と補正する。
ダーカット・レートは・・・・かつそのバラツキも少な
くさせていることから、］とあるを［このときのアンダ
ーカット・レートは、透明絶縁膜１３が介在しているこ
とから、約０．０７μ論ハ０３ｅＣどなり、従来例と比
較して約１／２に減少させ、かつそのバラツキも少なく
させている。その結果、」と補正する。
以上
Claims (2)
- （１） 透明基板上に透明導電膜と透明絶縁膜とを順次
積層し、前記透明絶縁膜の上方に遮光性金属膜を積層し
たことを特徴とするフォトマスクブランク。 - （２） 透明基板上に透明導電膜と透明絶縁膜とを順次
積層し、前記透明絶縁膜の上方に遮光性金属膜を積層し
てなるフォトマスクブランクの前記遮光性金属膜を選択
的にパターン化したことを特徴どするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232265A JPS60123843A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | フォトマスクブランクとフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232265A JPS60123843A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | フォトマスクブランクとフォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123843A true JPS60123843A (ja) | 1985-07-02 |
| JPS6235663B2 JPS6235663B2 (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=16936538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232265A Granted JPS60123843A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | フォトマスクブランクとフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014134667A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Nikon Corp | フォトマスク用基板およびフォトマスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57182741A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask blank plate |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58232265A patent/JPS60123843A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57182741A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask blank plate |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014134667A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Nikon Corp | フォトマスク用基板およびフォトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6235663B2 (ja) | 1987-08-03 |
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