JPS60124647A - 低放射線性エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
低放射線性エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS60124647A JPS60124647A JP58231415A JP23141583A JPS60124647A JP S60124647 A JPS60124647 A JP S60124647A JP 58231415 A JP58231415 A JP 58231415A JP 23141583 A JP23141583 A JP 23141583A JP S60124647 A JPS60124647 A JP S60124647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- less
- flame
- thermal shock
- alpha
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 claims abstract description 10
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000012778 molding material Substances 0.000 abstract description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 7
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 abstract description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 abstract description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 abstract 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- QZXCCPZJCKEPSA-UHFFFAOYSA-N chlorfenac Chemical compound OC(=O)CC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl QZXCCPZJCKEPSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-UHFFFAOYSA-N hexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21 MUTGBJKUEZFXGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000012796 inorganic flame retardant Substances 0.000 description 1
- MJGFBOZCAJSGQW-UHFFFAOYSA-N mercury sodium Chemical compound [Na].[Hg] MJGFBOZCAJSGQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003947 neutron activation analysis Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001023 sodium amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、α線等の放射線発生の極めて少なく、且つ耐
熱衝撃性にすぐれたエポキシ樹脂組成物に係わシ、その
特徴は放射線不純物の含有量が極めて少なく、且つ球状
の充填材及び難燃剤を使用するところにある。
熱衝撃性にすぐれたエポキシ樹脂組成物に係わシ、その
特徴は放射線不純物の含有量が極めて少なく、且つ球状
の充填材及び難燃剤を使用するところにある。
最近コンピュータの汎用化には目を見張るものがある。
特にパソコンやマイコンといった軽便で安価な小型コン
ピュータは小学生から老人まで幅広く使用されるように
なってきた。又オフィスコンピュータも小型化や低コス
ト化の動きは著しい。
ピュータは小学生から老人まで幅広く使用されるように
なってきた。又オフィスコンピュータも小型化や低コス
ト化の動きは著しい。
これら小型コンピュータは機能上からは数年前の大型コ
ンピータに匹適するが、価格はイ0〜鴇と逆に下がって
いる。こういった流れを支えてきているのは一半導体の
低コスト化、即ちコンピュータ関係企業の合理化努力で
ある。この半導体コストダウンの要因の中で見逃すこと
ができないものの一つにパッケージのプラスチック化が
ある。
ンピータに匹適するが、価格はイ0〜鴇と逆に下がって
いる。こういった流れを支えてきているのは一半導体の
低コスト化、即ちコンピュータ関係企業の合理化努力で
ある。この半導体コストダウンの要因の中で見逃すこと
ができないものの一つにパッケージのプラスチック化が
ある。
昔からコンピュータは長期に渡って故障しないこと、即
ち信頼性が要求されている。このため昔のパッケージは
高価なハーメチックかセラミックのみであった。しかし
、プラスチックパッケージにも信頼性の非常に高いもの
が開発され急激に切換っている。現在、民生用のICや
トランジスターの大部分及び産業用のIC,LSIの一
部が安価なプラスチックパッケージとなっている。動き
としては信頼性要求レベルの比較的低い民生用よりパッ
ケージのプラスチック化が進み高信頼性を要求される産
業用もプラスチック化がかなシ進んできている状態にあ
る。今後も産業用半導体のプラスチックパッケージ化は
ますます進んでいくと予想されるが、現時点で問題とし
て表面化してきたものの一つはソフト毛う一対策である
。半導体が高集積化多機能化する例えはメモリー用途で
は、メそリー容量がIK→4に→16に→64K・・・
・・・・・・と進むに従って放射線(α線)による誤動
作=ソフトエラーを受けやすくなる。そこでパッケージ
ング材も放射線発生量の少々いものにしなければならな
い。
ち信頼性が要求されている。このため昔のパッケージは
高価なハーメチックかセラミックのみであった。しかし
、プラスチックパッケージにも信頼性の非常に高いもの
が開発され急激に切換っている。現在、民生用のICや
トランジスターの大部分及び産業用のIC,LSIの一
部が安価なプラスチックパッケージとなっている。動き
としては信頼性要求レベルの比較的低い民生用よりパッ
ケージのプラスチック化が進み高信頼性を要求される産
業用もプラスチック化がかなシ進んできている状態にあ
る。今後も産業用半導体のプラスチックパッケージ化は
ますます進んでいくと予想されるが、現時点で問題とし
て表面化してきたものの一つはソフト毛う一対策である
。半導体が高集積化多機能化する例えはメモリー用途で
は、メそリー容量がIK→4に→16に→64K・・・
・・・・・・と進むに従って放射線(α線)による誤動
作=ソフトエラーを受けやすくなる。そこでパッケージ
ング材も放射線発生量の少々いものにしなければならな
い。
既に64にはプラスチック化の過渡期であj? 256
Kプラスチックパック−2品も発表されようとしてい
る。これらLSI・超LSIで誤動作が問題となる放射
線量を放射性不純物量(ウラン・トリウム等)及びα線
量で示すと次のようになる。
Kプラスチックパック−2品も発表されようとしてい
る。これらLSI・超LSIで誤動作が問題となる放射
線量を放射性不純物量(ウラン・トリウム等)及びα線
量で示すと次のようになる。
このための対策としては、昭和58年特許願第9484
7号に記載されているように、エポキシ樹脂に放射性不
純物(ウラン・トリウム等)がα線量で0.005 C
PH/ffl以下の充填材及び0.10 CPH/C#
!以下の難燃剤を配合してなることを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物が、産業上極めて有用である。
7号に記載されているように、エポキシ樹脂に放射性不
純物(ウラン・トリウム等)がα線量で0.005 C
PH/ffl以下の充填材及び0.10 CPH/C#
!以下の難燃剤を配合してなることを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物が、産業上極めて有用である。
64に、 256になどいわゆる超LSIにおける今一
つの問題点は耐熱衝撃性である。超LSIにおいては、
半導体の高集積化に伴ない半導体チップの面積を大きく
せざるを得ない。したがって、メモリー容量がIK→4
に→16に→64K・曲間と進むに従って、パッケージ
寸法に占めるチップ面積の比率が大きくなシ、同じパッ
ケージング材で封止した場合には、耐熱衝撃性が悪くな
る傾向となる。とこに言う耐熱衝撃性とは、温度サイク
ル試験を実施した場合に、パッケージあるいは半導体チ
ップにクラックが生じるまでのサイクル数で評価する事
が出来る。
つの問題点は耐熱衝撃性である。超LSIにおいては、
半導体の高集積化に伴ない半導体チップの面積を大きく
せざるを得ない。したがって、メモリー容量がIK→4
に→16に→64K・曲間と進むに従って、パッケージ
寸法に占めるチップ面積の比率が大きくなシ、同じパッ
ケージング材で封止した場合には、耐熱衝撃性が悪くな
る傾向となる。とこに言う耐熱衝撃性とは、温度サイク
ル試験を実施した場合に、パッケージあるいは半導体チ
ップにクラックが生じるまでのサイクル数で評価する事
が出来る。
パッケージング材の耐熱衝撃性を向上する方法としては
、可撓性付与成分を添加してパッケージング材を割れに
くくする方法、レジンを変性して可撓性を付与する方法
、パッケージング材の熱膨張係数を小さくして熱衝撃時
の歪みを小さくする方法などが有効であるが、他の特性
、すなわち成形性、耐湿性との両立といった点で、工業
性に乏しい。
、可撓性付与成分を添加してパッケージング材を割れに
くくする方法、レジンを変性して可撓性を付与する方法
、パッケージング材の熱膨張係数を小さくして熱衝撃時
の歪みを小さくする方法などが有効であるが、他の特性
、すなわち成形性、耐湿性との両立といった点で、工業
性に乏しい。
本発明は、これら他の特性を損う事なく、耐熱衝撃性に
優れかつ低放射線性を満足させるエポキシ樹脂組成物を
提供する産業上極めて有益なものである。
優れかつ低放射線性を満足させるエポキシ樹脂組成物を
提供する産業上極めて有益なものである。
又、エポキシ樹脂とはエポキシ基を有するもの全般をい
い、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(シェル
828.1001等)、ノボラック型エポキシ樹脂(日
本化薬EPPN −201、大日本インキ化学工業エピ
クロンN −673等)等を挙げることができる。
い、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(シェル
828.1001等)、ノボラック型エポキシ樹脂(日
本化薬EPPN −201、大日本インキ化学工業エピ
クロンN −673等)等を挙げることができる。
硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するも−の全般を
いい、例えば、フェノールノボラック類(日本化薬PN
−80、OCN −100等)、酸無水物類(TCPA
、 HHPA等)、アミン類(DDA 、 DDM )
等をいう。
いい、例えば、フェノールノボラック類(日本化薬PN
−80、OCN −100等)、酸無水物類(TCPA
、 HHPA等)、アミン類(DDA 、 DDM )
等をいう。
充填材としては、例えばシリカ、アルミナ1.炭酸カル
シウム、マイカ、クレー、ガラス、アスベスト、水酸化
アルミニウム等を挙げることができる。
シウム、マイカ、クレー、ガラス、アスベスト、水酸化
アルミニウム等を挙げることができる。
特に次表のような特徴をもつ高純度溶融・シリカ:高純
度アルミナが本発明の目的を達成するのに有用である。
度アルミナが本発明の目的を達成するのに有用である。
難燃剤としては、例えばアンチモン類(三酸化アンチモ
ン・四・三酸化アンチモン)、ホウ素化金物(ホウ酸・
ホウ酸亜鉛)を挙げることができる。中でも、次表のよ
うな特徴をもつ高純度三酸化アンチモンが特に望ましい
難燃剤である。
ン・四・三酸化アンチモン)、ホウ素化金物(ホウ酸・
ホウ酸亜鉛)を挙げることができる。中でも、次表のよ
うな特徴をもつ高純度三酸化アンチモンが特に望ましい
難燃剤である。
又、無機質充填材及び無機質難燃剤の使用量としては各
々50〜90重量%、0.5〜5重量−の範囲とするの
が望ましい。これら重量範囲外で拡流動性や熱膨張特性
や耐熱性やインサート腐食性等で欠点を示す場合もある
。
々50〜90重量%、0.5〜5重量−の範囲とするの
が望ましい。これら重量範囲外で拡流動性や熱膨張特性
や耐熱性やインサート腐食性等で欠点を示す場合もある
。
特に、半導体封止用の成形材料用途では充填材として無
機質充填材の中でも溶融シリカを50〜90重量−1又
難燃剤として無機質充填材の中でも三酸化アンチモンを
α5〜5重量%使用するのが好ましい。
機質充填材の中でも溶融シリカを50〜90重量−1又
難燃剤として無機質充填材の中でも三酸化アンチモンを
α5〜5重量%使用するのが好ましい。
又、エポキシ樹脂としては、オルトクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂特に軟化点が80℃以下、エポキシ当
量が220以下、全塩素量が1゜o o ppm以下、
プレッシャークツカー抽出水の電気伝導度が500μf
p/crIL以下のものが好ましく、硬化剤としてはフ
ェノールノボラック特に軟化点が105℃以下、プレッ
シャークツカー抽出水の電気伝導度が100μ?/ o
r(以下且っ蟻酸量が50ppm以下のものが好ましb
o (注) 全塩素量:ナトリウムアマルガム法によって測定 プレッシャークツカー抽出条件 レジン5fを蒸留水40fで 180℃20hr抽出 以下、本発明の詳細な説明を半導体封止用成形材用での
実施例で説明する。以下に示す使用量は全て重量部であ
シ「部」と略して用いている。
ク型エポキシ樹脂特に軟化点が80℃以下、エポキシ当
量が220以下、全塩素量が1゜o o ppm以下、
プレッシャークツカー抽出水の電気伝導度が500μf
p/crIL以下のものが好ましく、硬化剤としてはフ
ェノールノボラック特に軟化点が105℃以下、プレッ
シャークツカー抽出水の電気伝導度が100μ?/ o
r(以下且っ蟻酸量が50ppm以下のものが好ましb
o (注) 全塩素量:ナトリウムアマルガム法によって測定 プレッシャークツカー抽出条件 レジン5fを蒸留水40fで 180℃20hr抽出 以下、本発明の詳細な説明を半導体封止用成形材用での
実施例で説明する。以下に示す使用量は全て重量部であ
シ「部」と略して用いている。
実施例
オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(住友化学
ESCN−195XL) 20部、7x/ kノボラッ
ク(日本化系PN−100’) 10部、溶融シリカX
部、三酸化アンチモンy部、シランカップリング剤(チ
ッソEES −M) 0.5部、触媒(ケイ・アイ化成
PP−360> 0.5部、カーボン(三菱化成)0.
5部、離型剤(野田ワックス)0.5部を100℃の加
熱ロールで3分間混合し成形材料を試作した。この時溶
融シリカ及び三酸化アンチモンの種類と量に水準を取シ
第1表のように数種類の成形材料を得た。これら成形材
料の特性、ンフトエラー率及び耐熱衝撃性を調べた結果
、第1表のように超LSI用の成形材料としては充填材
と難燃剤の両者を放射性不純物の少ないもの各々放射性
不純物がα線量で0.005 CPH/ cdi以下と
0.10 CPH/−以下のものを使用することが必須
条件であシ、かつ耐熱衝撃にすぐれた材料としては、球
状の充填材を使用する事が極めて有効であることが判る
。
ESCN−195XL) 20部、7x/ kノボラッ
ク(日本化系PN−100’) 10部、溶融シリカX
部、三酸化アンチモンy部、シランカップリング剤(チ
ッソEES −M) 0.5部、触媒(ケイ・アイ化成
PP−360> 0.5部、カーボン(三菱化成)0.
5部、離型剤(野田ワックス)0.5部を100℃の加
熱ロールで3分間混合し成形材料を試作した。この時溶
融シリカ及び三酸化アンチモンの種類と量に水準を取シ
第1表のように数種類の成形材料を得た。これら成形材
料の特性、ンフトエラー率及び耐熱衝撃性を調べた結果
、第1表のように超LSI用の成形材料としては充填材
と難燃剤の両者を放射性不純物の少ないもの各々放射性
不純物がα線量で0.005 CPH/ cdi以下と
0.10 CPH/−以下のものを使用することが必須
条件であシ、かつ耐熱衝撃にすぐれた材料としては、球
状の充填材を使用する事が極めて有効であることが判る
。
又、成形材料としては充填材量を50〜90重量%難燃
剤量を0.5〜5重量%とする仁とが好ましいことが判
った。
剤量を0.5〜5重量%とする仁とが好ましいことが判
った。
・放射性不純物f:中性子放射化分析で測定・α線i:
α線カウンター(サイエンス・スペクトラム社製)で測
定 ・ソフトエラー率:単位(To / 1000 dev
ice −hr)・高温特性:夏C封止成形品を200
℃500hr保管し、特性変動(リーク不良)が出 るか否かで判定 ・耐熱衝撃性:IC封止成形品を一65℃〜150℃の
温度サイクル試験に供し、パック ージクラックが発生するまでのサ イクル数で判定。
α線カウンター(サイエンス・スペクトラム社製)で測
定 ・ソフトエラー率:単位(To / 1000 dev
ice −hr)・高温特性:夏C封止成形品を200
℃500hr保管し、特性変動(リーク不良)が出 るか否かで判定 ・耐熱衝撃性:IC封止成形品を一65℃〜150℃の
温度サイクル試験に供し、パック ージクラックが発生するまでのサ イクル数で判定。
特許出願人
住友ベークライト株式会社
Claims (1)
- エポキシ樹脂に放射性不純物がα線量で0.Oo 5
CPU / crl以下の球状充填材及び0.10 C
PH/d以下の難燃剤を配合してなることを特徴とする
低放射線性エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231415A JPS60124647A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 低放射線性エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231415A JPS60124647A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 低放射線性エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124647A true JPS60124647A (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=16923232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231415A Pending JPS60124647A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 低放射線性エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124647A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62124143A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止樹脂 |
| JPH01294765A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Nippon Retsuku Kk | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH02110958A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JP2017110146A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | ナミックス株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593241A (en) * | 1979-01-05 | 1980-07-15 | Hitachi Ltd | Sealing method of semiconductor device |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58231415A patent/JPS60124647A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593241A (en) * | 1979-01-05 | 1980-07-15 | Hitachi Ltd | Sealing method of semiconductor device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62124143A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止樹脂 |
| JPH01294765A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Nippon Retsuku Kk | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH02110958A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JP2017110146A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | ナミックス株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
| WO2017104298A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | ナミックス株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
| KR20180094882A (ko) * | 2015-12-18 | 2018-08-24 | 나믹스 가부시끼가이샤 | 에폭시 수지 조성물 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3479827B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2853550B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPS60124647A (ja) | 低放射線性エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2006124420A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002212397A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPS61127748A (ja) | 低放射線性エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS59221352A (ja) | 低放射線性エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS582322A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS61190556A (ja) | 電子部品封止用樹脂組成物 | |
| JPH10158360A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2558293B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10251486A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH0611845B2 (ja) | 低放射線性エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH11293089A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び強誘電体メモリー装置 | |
| JPS61143464A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2001192533A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2621429B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH11181238A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH11181244A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3365065B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH07188515A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JP4660973B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000212399A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH10298408A (ja) | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH01206656A (ja) | 半導体装置 |