JPS60124856A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPS60124856A JPS60124856A JP58232462A JP23246283A JPS60124856A JP S60124856 A JPS60124856 A JP S60124856A JP 58232462 A JP58232462 A JP 58232462A JP 23246283 A JP23246283 A JP 23246283A JP S60124856 A JPS60124856 A JP S60124856A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- resistor
- resistor element
- manufacturing
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、同一基板上に半導体素子とともに抵抗体素子
等の受動素子を実装し、受動素子をトリミングしてなる
電子部品の製造方法に係り、特に受動素子のトリミング
をレーザー光を用いて行なう電子部品の製造方法に関す
るものである。
等の受動素子を実装し、受動素子をトリミングしてなる
電子部品の製造方法に係り、特に受動素子のトリミング
をレーザー光を用いて行なう電子部品の製造方法に関す
るものである。
[発明の技術的背景]
近時、電子機器の小型化の要請から、セラミック基板上
に複数個の半導体素子を搭載し、全体を保護キャップに
より封止してなるマルチチップ型パッケージの電子部品
が開発されている。
に複数個の半導体素子を搭載し、全体を保護キャップに
より封止してなるマルチチップ型パッケージの電子部品
が開発されている。
このような電子部品の基板上には半導体素子のような能
動素子とともに受動素子、例えば抵抗体素子が搭載され
ている。この抵抗体素子は半導体素子の出力信号の調整
を行なうためのもので、搭戦後必要に応じて特定の物理
的手段により加工されて抵抗値の微妙な調整を施される
。
動素子とともに受動素子、例えば抵抗体素子が搭載され
ている。この抵抗体素子は半導体素子の出力信号の調整
を行なうためのもので、搭戦後必要に応じて特定の物理
的手段により加工されて抵抗値の微妙な調整を施される
。
一般に、この抵抗体素子の抵抗値の調整工程はトリミン
グと呼ばれ、特に半導体素子の出力電圧を確認しながら
行なうトリミングは機能トリミングと呼ばれている。
グと呼ばれ、特に半導体素子の出力電圧を確認しながら
行なうトリミングは機能トリミングと呼ばれている。
第1図に示したのは、この機能トリミングを必要とする
回路の一例である。この回路の機能トリミングは、例え
ば次のようにしで行なわれる。
回路の一例である。この回路の機能トリミングは、例え
ば次のようにしで行なわれる。
すなわち、まず半導体素子IC−1に、一定の入力電圧
V INを印加し、その出力電圧Vourを測定機器に
入力する。そして測定機器で観測しながら出力電圧V
outが所望の値になるまで抵抗体素子RTを加工(る
。ここでR11R2は加工を受けない抵抗体素子である
。
V INを印加し、その出力電圧Vourを測定機器に
入力する。そして測定機器で観測しながら出力電圧V
outが所望の値になるまで抵抗体素子RTを加工(る
。ここでR11R2は加工を受けない抵抗体素子である
。
第2図は、上記した機能トリミングをレーザービームを
用いて行なう方法を具体的に示す斜視図Cある。
用いて行なう方法を具体的に示す斜視図Cある。
同図においで符@Aは電子部品の主要部を示しており、
セラミック基板1上に半導体索子2および抵抗体素子3
.4.5が搭載されている。ここで抵抗体素子3.4.
5はそれぞれ第1図の抵抗体素子RT1R1、R2に該
当している。
セラミック基板1上に半導体索子2および抵抗体素子3
.4.5が搭載されている。ここで抵抗体素子3.4.
5はそれぞれ第1図の抵抗体素子RT1R1、R2に該
当している。
そして半導体素子2の出力電圧の観測ができるように所
定の回路部分が図示しないプローブにより測定機器に接
続されている。
定の回路部分が図示しないプローブにより測定機器に接
続されている。
機能トリミングは、測定機器で出力電圧を観測しながら
抵抗体素子3にレーザービーム6を照射してこの抵抗体
索子3の一部を蒸発除去することにより行なわれる。
抵抗体素子3にレーザービーム6を照射してこの抵抗体
索子3の一部を蒸発除去することにより行なわれる。
出力信号が所定の値になったところで第3図に示したよ
うに、セラミック基板1上に予め形成されているメタラ
イズ部1aに保護キャップ7をろう付けして封止を行な
う。ここで符号8は回路実装用の端子ビンである。
うに、セラミック基板1上に予め形成されているメタラ
イズ部1aに保護キャップ7をろう付けして封止を行な
う。ここで符号8は回路実装用の端子ビンである。
上述したように機能トリミングは、保護キャップ7を取
着する前の段階、すなわち半導体素子2および抵抗体素
子3.4.5が露出している状態下で行われている。
着する前の段階、すなわち半導体素子2および抵抗体素
子3.4.5が露出している状態下で行われている。
[背景技術の問題点]
3−
しかしながら上述したような従来の電子部品の製造方法
によると、機能トリミングを精密に行なって出力電圧V
ou+を所望の値に調節しても保護キャップ7を取着し
た後にV outが微妙に変動しCしまうという現象が
起こる。
によると、機能トリミングを精密に行なって出力電圧V
ou+を所望の値に調節しても保護キャップ7を取着し
た後にV outが微妙に変動しCしまうという現象が
起こる。
この現象は半導体素子1の有光状態下における特性と無
光状態下における特性とに微妙な差異があるためである
が、従来のように有光状態下′C−機能トリミングを精
密に行なつ−C出力電圧Vourを所望の値に調整して
も、保護キャップ7の取着により内部が無光状態になる
と半導体素子2の特性が変化して機能トリミングの効果
が十分に得られないのである。このためこのような従来
の機能トリミングでは、昨今の電子機器の小型精密化に
伴う電子部品の特性に対する厳密な要求に対応できない
という問題があった。
光状態下における特性とに微妙な差異があるためである
が、従来のように有光状態下′C−機能トリミングを精
密に行なつ−C出力電圧Vourを所望の値に調整して
も、保護キャップ7の取着により内部が無光状態になる
と半導体素子2の特性が変化して機能トリミングの効果
が十分に得られないのである。このためこのような従来
の機能トリミングでは、昨今の電子機器の小型精密化に
伴う電子部品の特性に対する厳密な要求に対応できない
という問題があった。
[発明の目的]
本発明はかかる従来方法の問題点を解消寸べくなされた
もので、電子部品の気密封止以前に行なった機能トリミ
ングの効果を気密封止後にも維持4− することが可能で、所望の特性を厳密に呈し得る電子部
品の製造方法を提供しようとするものである。
もので、電子部品の気密封止以前に行なった機能トリミ
ングの効果を気密封止後にも維持4− することが可能で、所望の特性を厳密に呈し得る電子部
品の製造方法を提供しようとするものである。
[発明の概要]
すなわち本発明の電子部品の製造方法は、半導体素子と
ともに基板上に実装された抵抗体素子等の受動素子のト
リミングを、外部光を遮断した暗室チャンバー内で行な
うことを特徴としている。
ともに基板上に実装された抵抗体素子等の受動素子のト
リミングを、外部光を遮断した暗室チャンバー内で行な
うことを特徴としている。
[発明の実施例]
以下本発明の詳細を図面に示す一実施例について説明す
る。
る。
第4図は本発明方法の一実施例を示す横断面図である。
同図において符@9は内部を無光状態にすることが可能
な暗室チャンバーを示している。
な暗室チャンバーを示している。
この暗室チャンバー9の上方にはレーザービーム10照
射用の小窓11が設けられ、暗室チャンバー9の底部に
は機能トリミングの際、電子部品を所定の位置に移動せ
しめるX−Yテーブル12が配置されている。このX−
Yテーブル12は図示しない電子部品固定用のバキュー
ム吸引固定機構を備えている。
射用の小窓11が設けられ、暗室チャンバー9の底部に
は機能トリミングの際、電子部品を所定の位置に移動せ
しめるX−Yテーブル12が配置されている。このX−
Yテーブル12は図示しない電子部品固定用のバキュー
ム吸引固定機構を備えている。
また暗室チャンバ−9の内部には内部照明13が配設さ
れており、図示しない監視窓または監視スコープにより
内部を監視しながら、機能トリミングを行なう前の電子
部品の主要部への位置合せが容易に行えるようになって
いる。
れており、図示しない監視窓または監視スコープにより
内部を監視しながら、機能トリミングを行なう前の電子
部品の主要部への位置合せが容易に行えるようになって
いる。
ざらに暗室チャンバー9の底部付近には図示しない外部
の測定機器に電子部品の主要部への特性観測用リード1
4を接続づるためのターミナル15が設けられている。
の測定機器に電子部品の主要部への特性観測用リード1
4を接続づるためのターミナル15が設けられている。
ここで符号16は図示しない外部の測定機器に接続され
たプローブを示している。
たプローブを示している。
しかして、上述したような暗室チャンバー9を用いて電
子部品の機能計リミングを行なうには、まずX−Yテー
ブル12上に電子部品の主要部Aを載置し、バキューム
吸引固定機構を作動させて固定した後、内部照明13を
点灯させ、監?J!窓または監視スコープで内部を監視
しながらX−Yテーブル12を移動させて所定の位置合
わせを行なう。次に内部照明13を消灯し、X−Yテー
ブル12またはレーザービームの光源を移動させ、測定
機器で半導体素子の出力電圧を観測しながら抵抗体素子
3の切削加工を行なうのである。
子部品の機能計リミングを行なうには、まずX−Yテー
ブル12上に電子部品の主要部Aを載置し、バキューム
吸引固定機構を作動させて固定した後、内部照明13を
点灯させ、監?J!窓または監視スコープで内部を監視
しながらX−Yテーブル12を移動させて所定の位置合
わせを行なう。次に内部照明13を消灯し、X−Yテー
ブル12またはレーザービームの光源を移動させ、測定
機器で半導体素子の出力電圧を観測しながら抵抗体素子
3の切削加工を行なうのである。
したがって、抵抗体素子の機能トリミングは無光状態下
で行なわれることとなり、保護キャップを取着しても、
半導体素子の特性に何ら変化はない。
で行なわれることとなり、保護キャップを取着しても、
半導体素子の特性に何ら変化はない。
なお本発明方法は、抵抗体素子がチップ型抵抗部品であ
る場合は勿論、抵抗体素子が基板上に厚膜印刷法により
形成された厚膜抵抗体である場合および、蒸着やスパッ
タリング等により形成された薄膜抵抗体である場合のい
ずれにおいても実施可能である。
る場合は勿論、抵抗体素子が基板上に厚膜印刷法により
形成された厚膜抵抗体である場合および、蒸着やスパッ
タリング等により形成された薄膜抵抗体である場合のい
ずれにおいても実施可能である。
また、内部照明13に半導体素子の電気的特性に影響を
及ぼさない発光体、例えば赤外線微光ランプ等を用いる
と機能トリミング詩に消灯しなくてもよいので作業性が
向上する。
及ぼさない発光体、例えば赤外線微光ランプ等を用いる
と機能トリミング詩に消灯しなくてもよいので作業性が
向上する。
[発明の効果]
以上説明したように本発明方法によれば、暗室チャンバ
ーを用いて半導体素子を封止後の状態と7− 同じ状態とした上で機能トリミングを行なうので、封止
後の半導体の特性に変動がない。したがって所望の特性
を完璧に呈する電子部品を製造することができる。
ーを用いて半導体素子を封止後の状態と7− 同じ状態とした上で機能トリミングを行なうので、封止
後の半導体の特性に変動がない。したがって所望の特性
を完璧に呈する電子部品を製造することができる。
第1図は機能トリミングを必要とする電子部品の回路の
一例を示す図、第2図は従来の電子部品の製造方法にお
ける機能トリミングを具体的に示す斜視図、第3図は一
般的なマルチチップ型パッケージの電子部品を示す断面
図、第4図は本発明方法の一実施例を示す断面図である
。 1・・・・・・・・・・・・・・・セラミック基板2・
・・・・・・・・・・・・・・半導体素子3.4.5・
・・抵抗体素子 6.10・・・・・・レーザービーム 7・・・・・・・・・・・・・・・保護キャップ9・・
・・・・・・・・・・・・・暗室チャンバー11・・・
・・・・・・・・・・・・小 窓12・・・・・・・・
・・・・・・・X−Yテーブル13・・・・・・・・・
・・・・・・内部照明8−
一例を示す図、第2図は従来の電子部品の製造方法にお
ける機能トリミングを具体的に示す斜視図、第3図は一
般的なマルチチップ型パッケージの電子部品を示す断面
図、第4図は本発明方法の一実施例を示す断面図である
。 1・・・・・・・・・・・・・・・セラミック基板2・
・・・・・・・・・・・・・・半導体素子3.4.5・
・・抵抗体素子 6.10・・・・・・レーザービーム 7・・・・・・・・・・・・・・・保護キャップ9・・
・・・・・・・・・・・・・暗室チャンバー11・・・
・・・・・・・・・・・・小 窓12・・・・・・・・
・・・・・・・X−Yテーブル13・・・・・・・・・
・・・・・・内部照明8−
Claims (7)
- (1)半導体素子とともに基板上に実装された受動素子
の機能トリミングを、外部光を遮断した暗室チャンバー
内で行なうことを特徴とする電子部品の製造方法。 - (2)機能トリミングが、レーザー光により行なわれる
特許請求の範囲第1項記載の電子部品の製造方法。 - (3)暗室チャンバーが、基板の位置合せを行なう移動
台を備えている特許請求の範囲第1項または第2項記載
の電子部品の製造方法。 - (4)受動素子が、抵抗体素子である特許請求の範囲第
1項ないし第3項のいずれか1項記載の電子部品の製造
方法。 - (5)抵抗体素子が、チップ型抵抗部品である特許請求
の範囲第4項記載の電子部品の製造方法。 - (6)抵抗体素子が、基板上に形成された厚膜抵抗体で
ある特許請求の範囲第4項記載の電子部品の製造方法。 - (7)抵抗体素子が、基板上に形成された薄膜抵抗体で
ある特許請求の範囲第4項記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232462A JPS60124856A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232462A JPS60124856A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124856A true JPS60124856A (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=16939662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232462A Pending JPS60124856A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104765U (ja) * | 1987-12-30 | 1989-07-14 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472463A (en) * | 1977-11-22 | 1979-06-09 | Fujitsu Ltd | Method of trimming function of hybrid integrated circuit |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58232462A patent/JPS60124856A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472463A (en) * | 1977-11-22 | 1979-06-09 | Fujitsu Ltd | Method of trimming function of hybrid integrated circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104765U (ja) * | 1987-12-30 | 1989-07-14 |
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