JPS6012735A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
- Publication number
- JPS6012735A JPS6012735A JP11830383A JP11830383A JPS6012735A JP S6012735 A JPS6012735 A JP S6012735A JP 11830383 A JP11830383 A JP 11830383A JP 11830383 A JP11830383 A JP 11830383A JP S6012735 A JPS6012735 A JP S6012735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer
- electrodes
- etching
- electrode
- etching apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はエツチング装置に関し、特に平行平板電極方式
のエツチング装置に関するものである。
のエツチング装置に関するものである。
半導体装置の製造工程ではエツチング技術１％にドライ
エツチング技術が必要不可欠であり１種々のエツチング
装置が提案されている（例えば特開昭５１−７９６５０
号公報）。なかでも一対の平板電極を対向配置した平行
平板電極方式のエツチング装置は、構造が簡略でかつ良
好なエツチング効果が得られることから多用されている
。即ち、この種のエツチング装置は、上下に配置した平
板電極（上部電極、下部電極）を所定の間隔をおいて位
置設定し、一方の電極５例えば下部電極上に被エツチン
グ物であるウェーハを載置し、これを所要のガス雰囲気
に保った上で両電極間に高周波電力を印加することによ
りエツチングを行なうよう罠なっている。
エツチング技術が必要不可欠であり１種々のエツチング
装置が提案されている（例えば特開昭５１−７９６５０
号公報）。なかでも一対の平板電極を対向配置した平行
平板電極方式のエツチング装置は、構造が簡略でかつ良
好なエツチング効果が得られることから多用されている
。即ち、この種のエツチング装置は、上下に配置した平
板電極（上部電極、下部電極）を所定の間隔をおいて位
置設定し、一方の電極５例えば下部電極上に被エツチン
グ物であるウェーハを載置し、これを所要のガス雰囲気
に保った上で両電極間に高周波電力を印加することによ
りエツチングを行なうよう罠なっている。
ところで、この方式のエツチング装置では、上下の電極
は被エツチング材質に応じて通常１９．ｘｔｇの間隔に
設定する必要があるが、この間隔に対して各電極の横寸
法が極めて大きいため、電極面の全てにわたって前記間
隔を高精度に確保すること、つまり両電極の平行度を高
精度に出すことは困難である。このため、間隔の微小な
ばらつきによってウェーハ表面における均一なエツチン
グが阻害され、半導体装置の特性のばらつきが生じる原
因となっていることを本発明者は見い出した。
は被エツチング材質に応じて通常１９．ｘｔｇの間隔に
設定する必要があるが、この間隔に対して各電極の横寸
法が極めて大きいため、電極面の全てにわたって前記間
隔を高精度に確保すること、つまり両電極の平行度を高
精度に出すことは困難である。このため、間隔の微小な
ばらつきによってウェーハ表面における均一なエツチン
グが阻害され、半導体装置の特性のばらつきが生じる原
因となっていることを本発明者は見い出した。
また、この方式のものではチャンバ内面から飛散される
汚染物がウェーッ・表面に付着しな（・ように両電極お
よびチャンバ内面全体を覆うカバーを設けているが、カ
バーの形状が複雑になると共に全体が大型化する等、エ
ツチング装置の構成及び製造が困難なものとなっている
ことを見い出した。
汚染物がウェーッ・表面に付着しな（・ように両電極お
よびチャンバ内面全体を覆うカバーを設けているが、カ
バーの形状が複雑になると共に全体が大型化する等、エ
ツチング装置の構成及び製造が困難なものとなっている
ことを見い出した。
本発明の目的は平行平板電極の間隔を均一にかつ高精度
に設定することができるエツチング技術を提供すること
である。本発明の他の目的はカバーを別個に設けること
を不要にして構造の簡易化を達成することができるエツ
チング技術を提供することにある。
に設定することができるエツチング技術を提供すること
である。本発明の他の目的はカバーを別個に設けること
を不要にして構造の簡易化を達成することができるエツ
チング技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は１
本明細書の記述および添付図面からあき〔発明の概要〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれは、下記のとおりである。
本明細書の記述および添付図面からあき〔発明の概要〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれは、下記のとおりである。
すなわち、平行平板電極の一方を移動可能圧すると共に
いずれかの平板電極の周辺にスペーサを延設して他方の
平板電極に衝接し得るよう構成することＫより、スペー
サにより両電極の間隔を均一にかつ高精度に設定できる
一方、スペーサと両電極によって被エツチング物を覆う
カバーを構成して汚染を防止し、これによりエツチング
装置の構成の簡易化およびエツチング精度の向上を達成
するものである。
いずれかの平板電極の周辺にスペーサを延設して他方の
平板電極に衝接し得るよう構成することＫより、スペー
サにより両電極の間隔を均一にかつ高精度に設定できる
一方、スペーサと両電極によって被エツチング物を覆う
カバーを構成して汚染を防止し、これによりエツチング
装置の構成の簡易化およびエツチング精度の向上を達成
するものである。
第１図は本発明をプラズマエツチング装置に適用した実
施例の断面構成図である。図におい′Ｃ１はチャンバで
あり、後述する上部電極に処理ガスを供給するガス供給
口２を設ける一方、下部にはチャンバ１内を所要の真空
圧にする排気口３を設けており、排気口３は図外の真空
ポンプに連設している。
施例の断面構成図である。図におい′Ｃ１はチャンバで
あり、後述する上部電極に処理ガスを供給するガス供給
口２を設ける一方、下部にはチャンバ１内を所要の真空
圧にする排気口３を設けており、排気口３は図外の真空
ポンプに連設している。
一方、前記チャンバ１内属は一対の平板電極を上下に向
けて平行に対向配置した上部−極４と下部電極５とを設
けている。前記上部電極４はチャンバ１上部を貫通する
支持軸６によってチャンバ１に固定され、その位置は固
定的に定められる。
けて平行に対向配置した上部−極４と下部電極５とを設
けている。前記上部電極４はチャンバ１上部を貫通する
支持軸６によってチャンバ１に固定され、その位置は固
定的に定められる。
また、上部電極４の周辺部位には例えば下方に向けて環
状の壁７を固着し、これをスペーサとして構成している
。即ち、このスペーサ７は所要の高さ寸法ｌとされて止
めねじ８等によって着脱可能に固着され、その下縁は後
述するように下部電極５の上面周辺部に衝接できる。ス
ペーサ７は酸化アルミニウムやフッ素樹脂等によって構
成している。更に、前記上部電極４には高周波電源９を
接続し、かつ前記ガス供給口２を支持軸６内を通して形
成している。
状の壁７を固着し、これをスペーサとして構成している
。即ち、このスペーサ７は所要の高さ寸法ｌとされて止
めねじ８等によって着脱可能に固着され、その下縁は後
述するように下部電極５の上面周辺部に衝接できる。ス
ペーサ７は酸化アルミニウムやフッ素樹脂等によって構
成している。更に、前記上部電極４には高周波電源９を
接続し、かつ前記ガス供給口２を支持軸６内を通して形
成している。
前記下部電極５はチャンバ１下部を貫通する支持軸１０
により支持され、その上面中央部には被エツチング物と
してのウェーハ１１を載置できる。
により支持され、その上面中央部には被エツチング物と
してのウェーハ１１を載置できる。
また、前記支持軸１０のチャンノく１外の下端にはラッ
クピニオン機構で例示する上下動機構１２を付設し、ピ
ニオン１３の回転によりラック１４及びこれと一体の支
持軸１０．下部電極５を上下動することができる。
クピニオン機構で例示する上下動機構１２を付設し、ピ
ニオン１３の回転によりラック１４及びこれと一体の支
持軸１０．下部電極５を上下動することができる。
以上の構成によれば、下部電ｗＺ、５上へのウェーハ１
１の乗載、降載は同図のように下部電俸５を下動させた
状態で行なえばよぐ特に問題は生じない。ウェーッ・１
１を載置した後は、上下動機構１２を作動して下部電極
５を上動し、スペーサ７の下縁が下部電極５の上面周辺
部に衝接した時点で停止させる。これにより、第２図に
示すように、上部電極４と下部電極５とはスペーサ７の
高さ寸法！に相当する間隔寸法で対向されることになり
。
１の乗載、降載は同図のように下部電俸５を下動させた
状態で行なえばよぐ特に問題は生じない。ウェーッ・１
１を載置した後は、上下動機構１２を作動して下部電極
５を上動し、スペーサ７の下縁が下部電極５の上面周辺
部に衝接した時点で停止させる。これにより、第２図に
示すように、上部電極４と下部電極５とはスペーサ７の
高さ寸法！に相当する間隔寸法で対向されることになり
。
しかも両電極４．５とスペーサ７とでウェーッＳ１１全
体を包囲する状態とされる。
体を包囲する状態とされる。
したがって１両電極４．５は周辺部においてスペーサ７
によって対向間隔が規制されるので、両電極４，５の平
行度を良好にして間隔の均一化を 。
によって対向間隔が規制されるので、両電極４，５の平
行度を良好にして間隔の均一化を 。
容易に図ることができる。これにより、排気口３ａを通
してスペーサ７内、更にチャンバ１内を所定の真空度の
ガス雰囲気にして両電極４．５間に高周波電力を印加す
れば、両電極間にわたって均一にプラズマを発生させ、
ウェーハ１１全面を均一にエツチングすることができる
。一方、エツチング中、チャンバ１内面から飛散される
汚染物等は、スペーサ７によって両電極４，５間への侵
入が防止されるので、これがウェーハ１１表面に付着す
ることはな（ウェーハの汚染を防止することができる。
してスペーサ７内、更にチャンバ１内を所定の真空度の
ガス雰囲気にして両電極４．５間に高周波電力を印加す
れば、両電極間にわたって均一にプラズマを発生させ、
ウェーハ１１全面を均一にエツチングすることができる
。一方、エツチング中、チャンバ１内面から飛散される
汚染物等は、スペーサ７によって両電極４，５間への侵
入が防止されるので、これがウェーハ１１表面に付着す
ることはな（ウェーハの汚染を防止することができる。
結局、良好なエツチングを可能とし、その歩留の向上を
達成できる。
達成できる。
なお、被エツチング材質の違いによって両電極４．５間
の間隔寸法を変える必要があるときには、止めねじ８に
より高さ寸法の異なるスペーサに交換すればよい。
の間隔寸法を変える必要があるときには、止めねじ８に
より高さ寸法の異なるスペーサに交換すればよい。
（１）一対の平行平板電極の一方にスペーサを設け、こ
のスペーサによって両電極の間隔を規制しているので、
微小間隔の場合にも高精度でかつ均一な間隔にしかも容
易に設定することができ、エツチング精度を向上できる
。
のスペーサによって両電極の間隔を規制しているので、
微小間隔の場合にも高精度でかつ均一な間隔にしかも容
易に設定することができ、エツチング精度を向上できる
。
（２）スペーサを環状や角状の形状にすることにより、
スペーサと両電極とで被エツチング物全体を覆うことが
できるので、チャンバ内で発生する汚染物が被エツチン
グ物に付着するのを防止でき、しかもチャンバ内面全体
のカバーを不要にして構成の簡易化を達成できる。
スペーサと両電極とで被エツチング物全体を覆うことが
できるので、チャンバ内で発生する汚染物が被エツチン
グ物に付着するのを防止でき、しかもチャンバ内面全体
のカバーを不要にして構成の簡易化を達成できる。
（３）スペーサを取換できるようにし、かつ高さ寸法の
異なるスペーサに交換することＫより両電極間の間隔を
このスペーサに応じて極めて容易に変化することができ
る。
異なるスペーサに交換することＫより両電極間の間隔を
このスペーサに応じて極めて容易に変化することができ
る。
以上本発明者によっ（なされた発明を実施例罠もとづき
具体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、スペーサは
下部電極に設けてもよく、或〜・は上下夫々に設けて両
スペーザの高さの和で間隔を規制するようにしてもよ（
・。また。
具体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、スペーサは
下部電極に設けてもよく、或〜・は上下夫々に設けて両
スペーザの高さの和で間隔を規制するようにしてもよ（
・。また。
上部電極を上下動させるようにし又もよ（・。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるプラズマエツチング
装置に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく所謂平行平板方式のドライエツチング
装置の全て忙適用できる。
をその背景となった利用分野であるプラズマエツチング
装置に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく所謂平行平板方式のドライエツチング
装置の全て忙適用できる。
第」図は本発明の一実施例装置の断面図、第２図はその
動作を説明する断面図である。 １・・・チャンバ、２・・・ガス供給口、３，３ａ・・
・排気口、４・・・上部電極、５川下部電極、７・・・
スペーサ、９・・・高周波電源、１１・・・ウェーハ（
被エツチング物）、１２・・・上下動機措。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第１図
動作を説明する断面図である。 １・・・チャンバ、２・・・ガス供給口、３，３ａ・・
・排気口、４・・・上部電極、５川下部電極、７・・・
スペーサ、９・・・高周波電源、１１・・・ウェーハ（
被エツチング物）、１２・・・上下動機措。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、互に対向配置された一対の平行平板電極を備えるエ
ツチング装置に°おい１少なくとも一方の電極を他方に
対して対向方向に移動できるよう構成すると共に、少な
（とも一方の電極には他方に向かってスペーサを取着し
たことを特徴とするエツチング装置。 ２、両平行平板電極が近接されたときに、スペーサと両
電極とで被エツチング物を包囲し得るよう構成してなる
特許請求の範囲第１項記載のエツチング装置。 ３、スペーサは異なる高さ寸法のスペーサと取換え得る
ように電極に取着してなる特許請求の範囲第１項又は第
２項記載のエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11830383A JPS6012735A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11830383A JPS6012735A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012735A true JPS6012735A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14733336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11830383A Pending JPS6012735A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012735A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269620A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| US4718976A (en) * | 1982-03-31 | 1988-01-12 | Fujitsu Limited | Process and apparatus for plasma treatment |
| JPS6345739A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-26 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネル |
| JPH01287285A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置 |
| US6544380B2 (en) | 1994-04-20 | 2003-04-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| JP2011243688A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610932A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma treating apparatus |
| JPS5715424A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dry etching method |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP11830383A patent/JPS6012735A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610932A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma treating apparatus |
| JPS5715424A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dry etching method |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4718976A (en) * | 1982-03-31 | 1988-01-12 | Fujitsu Limited | Process and apparatus for plasma treatment |
| JPS6269620A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| US5413673A (en) * | 1985-09-24 | 1995-05-09 | Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
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| US6544380B2 (en) | 1994-04-20 | 2003-04-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US6991701B2 (en) * | 1994-04-20 | 2006-01-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| JP2011243688A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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