JPS6012772B2 - チタンコンデンサの製造方法 - Google Patents
チタンコンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS6012772B2 JPS6012772B2 JP50139870A JP13987075A JPS6012772B2 JP S6012772 B2 JPS6012772 B2 JP S6012772B2 JP 50139870 A JP50139870 A JP 50139870A JP 13987075 A JP13987075 A JP 13987075A JP S6012772 B2 JPS6012772 B2 JP S6012772B2
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- JP
- Japan
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- titanium
- electrode
- substrate
- metal
- capacitors
- Prior art date
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- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ドライ工程で、自動化工程に容易に導入し得
て、かつ商議電率材料で知られる二酸化チタン（ＴｉＱ
）の薄膜を安定に、高信頼度の下に製造しうる新しい製
造の提供を目的とし、部品としてのコンデンサ、集積回
路の中の素子いずれにも適用し得る製法に関するもので
ある。
て、かつ商議電率材料で知られる二酸化チタン（ＴｉＱ
）の薄膜を安定に、高信頼度の下に製造しうる新しい製
造の提供を目的とし、部品としてのコンデンサ、集積回
路の中の素子いずれにも適用し得る製法に関するもので
ある。
特に集積回路においては、集積回路全体の高品質化の効
果を有するものである。絶縁基板上に一方の電極となる
金属層を葵着し、Ｓｉ０２、Ｓｉ０等の所定の誘電体層
を蒸着と熱酸化も化学蒸着法等の公知の手法により形成
してコンデンサを形成する従来からの方法は、電解コン
デンサ等の製法として知られる緑式の方法に比べて作業
能率の良い利点の反面、安定な膜を得にくい欠点があり
、特に誘電率の高い小形化に格好の誘電体層の形成にお
いて、その信頼性の不足が目立つなど、回路の小形、集
積化、また部品自体の小形化の工業的要請に充分応じえ
ないのが実状である。
果を有するものである。絶縁基板上に一方の電極となる
金属層を葵着し、Ｓｉ０２、Ｓｉ０等の所定の誘電体層
を蒸着と熱酸化も化学蒸着法等の公知の手法により形成
してコンデンサを形成する従来からの方法は、電解コン
デンサ等の製法として知られる緑式の方法に比べて作業
能率の良い利点の反面、安定な膜を得にくい欠点があり
、特に誘電率の高い小形化に格好の誘電体層の形成にお
いて、その信頼性の不足が目立つなど、回路の小形、集
積化、また部品自体の小形化の工業的要請に充分応じえ
ないのが実状である。
本発明は、このような従来からの問題点に対処してなさ
れたものであり、以下その一実施例の装置について図面
とともに説明する。
れたものであり、以下その一実施例の装置について図面
とともに説明する。
真空容器１内に基板２とチタン金属３を対向配設する。
基板２は、一方の電極となる金属でもよいし、金属層を
形成した絶縁体でもよく、形状も特に規定されるもので
はない。両者間に酸素ガスの放電城（以下プラズマと呼
ぶ）を形成するための、例えば、高周波電極４を配設す
る。基板２はホルダー５により保持されるが、連続生産
の場合は、適宜工夫されるものである。基板２は直流電
源６に接続され、任意の極性、値の直流電圧を、目的に
応じて印加出来るように構成される。高周波電極４への
高周波電力の伝達は、高周波電源７により行えるよう構
成する。チタン金属３は、普通電子ビーム加熱法により
、加熱蒸気化されるが、それにこだわるものではなく、
レーーザビ−ム等、他の公知の蒸発手段で構成出来る。
この実施例では、チタン金属３のボート８と加熱電源９
の構成になる抵抗加熱方式を示した。１０は真空容器１
内部を所定の真空に保持するための公知の真空排気系で
あり、１１は酸素１２の導入量を規定するバリアブルリ
ーク弁である。
形成した絶縁体でもよく、形状も特に規定されるもので
はない。両者間に酸素ガスの放電城（以下プラズマと呼
ぶ）を形成するための、例えば、高周波電極４を配設す
る。基板２はホルダー５により保持されるが、連続生産
の場合は、適宜工夫されるものである。基板２は直流電
源６に接続され、任意の極性、値の直流電圧を、目的に
応じて印加出来るように構成される。高周波電極４への
高周波電力の伝達は、高周波電源７により行えるよう構
成する。チタン金属３は、普通電子ビーム加熱法により
、加熱蒸気化されるが、それにこだわるものではなく、
レーーザビ−ム等、他の公知の蒸発手段で構成出来る。
この実施例では、チタン金属３のボート８と加熱電源９
の構成になる抵抗加熱方式を示した。１０は真空容器１
内部を所定の真空に保持するための公知の真空排気系で
あり、１１は酸素１２の導入量を規定するバリアブルリ
ーク弁である。
１３は絶縁導入端子である。
次に本装置を用いて、チタンコンデンサの製造方法を説
明する。
明する。
真空容器１内に、チタン金属（純度９９．９９％以上）
３と、ガラス板上に金を一方の電極としてパタ−ン蒸着
した基板２を装着し、真空容器１内を排気する。１×１
０‐５〜１×１０‐Ｔｏｎ程度に排気したのち、バリア
ブルリーク弁１１の調節により、精製した酸素ガス１２
を導入する（精製の主なねらいは水分の除去であるが、
手段は公知手段によればよい）。
３と、ガラス板上に金を一方の電極としてパタ−ン蒸着
した基板２を装着し、真空容器１内を排気する。１×１
０‐５〜１×１０‐Ｔｏｎ程度に排気したのち、バリア
ブルリーク弁１１の調節により、精製した酸素ガス１２
を導入する（精製の主なねらいは水分の除去であるが、
手段は公知手段によればよい）。
そして１０‐汀ｏｒｒ〜１０‐４Ｔｏｎに保ち、高周波
電力を高周波電極４に供給することにより、高周波グロ
ー放電を引き起こし、酸素プラズマを形成する。勿論、
高周波グローのみでなく公知の手段が適宜用いられる。
この状態でチタン金属３を蒸発させる。基板に例えば蒸
発金属に対して負の２００Ｖを印加しておけば、一方の
電極となる金電極上に、Ｔｉ０２層が形成される。対向
電極は容器１より取り出して後設ける。この場合重要な
のは、基板２の加熱条件であり、本発明者等は実験で、
１３０℃〜１５び０の範囲内で、誘電率が急激に変る現
象のあることを見出した。この現象は、アナターゼ、ブ
ルカィト、ルチルの混晶から、ルチルのみに移る現象に
対応していると考えられる。１３０午０でも条件により
起こるが、起こらないこともあって不安定であり、実用
上は１５０℃以上であることが判明した。
電力を高周波電極４に供給することにより、高周波グロ
ー放電を引き起こし、酸素プラズマを形成する。勿論、
高周波グローのみでなく公知の手段が適宜用いられる。
この状態でチタン金属３を蒸発させる。基板に例えば蒸
発金属に対して負の２００Ｖを印加しておけば、一方の
電極となる金電極上に、Ｔｉ０２層が形成される。対向
電極は容器１より取り出して後設ける。この場合重要な
のは、基板２の加熱条件であり、本発明者等は実験で、
１３０℃〜１５び０の範囲内で、誘電率が急激に変る現
象のあることを見出した。この現象は、アナターゼ、ブ
ルカィト、ルチルの混晶から、ルチルのみに移る現象に
対応していると考えられる。１３０午０でも条件により
起こるが、起こらないこともあって不安定であり、実用
上は１５０℃以上であることが判明した。
実際、金を電極とし、Ｔｉ０２を２１００Ａ設け、さら
に金を対向電極として葵着して得られるコンデ小幡性値
は蝿：樹計Ｆ、脚６肌＆周波数特性、温度係数は従来品
程度であった。
に金を対向電極として葵着して得られるコンデ小幡性値
は蝿：樹計Ｆ、脚６肌＆周波数特性、温度係数は従来品
程度であった。
なお、電極は２肌径であった。また電極金属、コンデン
サ構造、基板材料等は自由に選びうる。１５び０程度の
低温で、誘電率９０〜１１０の譲露体膜が得られること
は、単に部品の小形、大容量比に役立つのみならず、特
には１、ＩＣ等の集積回路技術にとっても重要な貢献を
成しうるものである。
サ構造、基板材料等は自由に選びうる。１５び０程度の
低温で、誘電率９０〜１１０の譲露体膜が得られること
は、単に部品の小形、大容量比に役立つのみならず、特
には１、ＩＣ等の集積回路技術にとっても重要な貢献を
成しうるものである。
すなわち、チタンコンデンサを従来の蒸着と熱酸化で得
ようとする場合、６００ｏ０以上の高温を必要とし、ダ
イオード、トランジスタ、抵抗層を形成する基本のｐ形
層、ｎ形層、ｉ形層の境界が再拡散現象により、コンデ
ンサを組み込む工程で、移動し、性能のバラッキを発す
る原因となっていた欠点を、本発明は完全に克服し、Ｓ
ｉ０２、Ｓ■等の低い誘電率で得られたコンデンサで構
成していた集積回路に、同容量の場合、さらに小形化が
はかれ、したがって集積度が増し、本来チタンコンデン
サの有する優れた高周波特性と相まって、高周波用のに
、瓜１等に重要な貢献が期待され、その産業性は極めて
大きいものである。
ようとする場合、６００ｏ０以上の高温を必要とし、ダ
イオード、トランジスタ、抵抗層を形成する基本のｐ形
層、ｎ形層、ｉ形層の境界が再拡散現象により、コンデ
ンサを組み込む工程で、移動し、性能のバラッキを発す
る原因となっていた欠点を、本発明は完全に克服し、Ｓ
ｉ０２、Ｓ■等の低い誘電率で得られたコンデンサで構
成していた集積回路に、同容量の場合、さらに小形化が
はかれ、したがって集積度が増し、本来チタンコンデン
サの有する優れた高周波特性と相まって、高周波用のに
、瓜１等に重要な貢献が期待され、その産業性は極めて
大きいものである。
図面は本発明による製造方法を実施するために使用する
装置の一実施例の断面正面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・・・・・基板、３・・
・・・・チタン金属、４・・・・・・高周波電極、１２
……酸素ガス。
装置の一実施例の断面正面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・・・・・基板、３・・
・・・・チタン金属、４・・・・・・高周波電極、１２
……酸素ガス。
Claims (1)
- １ 一方の電極となる金属上に酸素プラズマに露呈した
チタニウム金属蒸気流を前記一方の電極となる金属を１
５０℃以上に保持した状態で射突させ、二酸化チタン誘
電体層を形成したのち、前記二酸化チタン誘電体層上に
対向電極を形成することを特徴とするチタンコンデンサ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50139870A JPS6012772B2 (ja) | 1975-11-20 | 1975-11-20 | チタンコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50139870A JPS6012772B2 (ja) | 1975-11-20 | 1975-11-20 | チタンコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5262648A JPS5262648A (en) | 1977-05-24 |
| JPS6012772B2 true JPS6012772B2 (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15255465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50139870A Expired JPS6012772B2 (ja) | 1975-11-20 | 1975-11-20 | チタンコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012772B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59158512A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | 住友ベークライト株式会社 | 高誘電体薄膜コンデンサ |
-
1975
- 1975-11-20 JP JP50139870A patent/JPS6012772B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5262648A (en) | 1977-05-24 |
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