KR970077672A - 증대된 유전 특성을 갖는 산화 탄탈 박막 층의 제조 방법 및 그 층을 사용하는 커패시터 - Google Patents

증대된 유전 특성을 갖는 산화 탄탈 박막 층의 제조 방법 및 그 층을 사용하는 커패시터 Download PDF

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Abstract

본 발명의 출원인은 TiO2도핑을 갖거나 또는 갖지 않고 유전 상수를 증대시키는, 산화 탄탈을 포함하는 박막의 제조 방법을 밝혀냈다. 구체적으로, 본 출원인은 450℃ 이상의 온도 및 바람직하게는 550℃보다 높은 온도에서 산소가 풍부한 대기중에서 Ta2O5를 스퍼터링하여 증대된 유전 특성을 갖는 신규한 결정상 박막이 생성됨을 밝혀냈다.

Description

증대된 유전 특성을 갖는 산화 탄탈 박막 층의 제조 방법 및 그 층을 사용하는 커패시터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 중대한 유전 특성을 갖는 산화 탄탈을 포함하는 막을 성장시키는 단계들을 나타낸는 블록 다이아그램이다.

Claims (17)

  1. 산화 탄탈 및 탄탈을 포함하는 스퍼터링 타겟과 기판을 제공하는 단계; 불활성 기체와 산소(상기 산소는 적어도 2㎛Hg의 분압을 갖는다)의 혼합물을 포함하는 낮은 압력의 대기에 상기 타겟과 상기 기판을 배치하는 단계; 상기 기판을 450℃ 이상의 온도로 가열하는 단계; 및 상기 기판위에 상기 타겟으로부터의 물질을 스퍼터링하기 위해 상기 타겟에 이온을 폭발시키므로써 상기 기판상에 60 이상의 유전 상수를 갖는 결정상의 산화 탄탈을 포함하는 층을 형성하는 단계를 포함하는 증대된 유전 특성을 갖는 산화 탄탈을 포함하는 층을 성장시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판이 실리콘을 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판이 전도성 층을 위에 갖는 실리콘 기판을 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 저압 대기가 15 내지 25㎛Hg 범위의 총 압력에서 불활성 기체와 산소의 혼합물을 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 저압 대기가 4 : 1 이하의 비율의 분압을 갖는, 불활성 기체와 산소의 혼합물을 포함하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판을 550℃보다 높은 온도로 가열하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 타겟이 산화 탄탈과 산화 티탄의 혼합물을 포함하는 방법.
  8. 산화 탄탈 또는 탄탈을 포함하는 스퍼터링 타겟과 표면위에 제1전도성 전극을 갖는 실리콘을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 불활성 기체와 산소(상기 산소는 적어도 2㎛Hg의 분압을 갖는다)의 혼합물을 포함하는 낮은 압력의 대기에 상기 타겟과 상기 기판을 배치하는 단계; 상기 기판을 450℃ 이상의 온도로 가열하는 단계; 상기 기판위의 금속 전극위에 상기 타겟으로부터의 물질을 스퍼터링하기 위해 상기 타겟에 이온을 폭박시키므로써 상기 기판상에 60 이상의 유전 상수를 갖는 결정상의 산화 탄탈을 포함하는 층을 형성하는 단계; 및 상기 유전층위에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 커패시터의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 저압 대기가 15 내지 25㎛Hg 범위의 총 기체압력에서 불활성 기체와 산소의 혼합물을 포함하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 저압 대기가 4 : 1 이하의 비율의 분압을 갖는, 불활성 기체와 산소의 혼합물을 포함하는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 기판을 550℃보다 높은 온도로 가열하는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 타겟이 산화 탄탈과 산화 티탄의 혼합물을 포함하는 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 제1전극이 백금 층을 포함하는 방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 제1전극이 상기 실리콘상의 탄탈 층과 상기 탄탈상의 백금 층을 포함하는 방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 제1전극이 TiN 층을 포함하는 방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 제1전극이 Pt 또는 Al을 포함하는 방법.
  17. 제8항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법으로 제조한 커패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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